CN119895077A - 原子层沉积装置 - Google Patents

Abstract

根据本发明的实施方案的原子层沉积装置包括：容纳多个晶圆的腔室；设置在所述腔室的表面上的多个加热器；以及控制所述加热器的控制单元，其中所述腔室在限定为所述腔室的延伸方向的第一方向上被分成多个区，所述多个加热器分别被设置在所述腔室的所述多个区中，并且所述控制单元单独地控制所述多个加热器的温度。

Description

原子层沉积装置

技术领域

本发明的实施方案涉及原子层沉积装置。

背景技术

原子层沉积(ALD)技术是用于在半导体的存储元件上沉积薄膜(即，保护膜)的技术，即，热分解流入真空腔室的气体并将分解的气体沉积为原子层的技术。目前，不断做出努力以改善用于在衬底上形成高质量薄膜的装置和工艺。

近来，已经开发了使用以一个沉积装置同时加工多个晶圆的间歇式沉积装置缩短单个晶圆的加工时间的技术。

原子层沉积装置包括用于供应晶圆的装载单元、用于在真空气氛中进行原子层沉积的真空腔室单元、用于在反应后排出气体的出口、用于支撑沉积装置的框架、盖等。

在这种情况下，需要温度均匀传递到加工腔室中以热分解流入真空腔室的气体，并且缩短稳定地达到所需温度的时间也是要考虑的因素之一。

通常，在原子层沉积装置中，加热器位于腔室的内部或外部以向腔室提供热量。然而，当加热器位于腔室的内部时，加热器的寿命会减少并且腔室的体积会增加。因此，从与这些问题相关的成本和管理的角度来看，在该装置的工业应用中，加热器位于腔室的外部。位于腔室的外部的加热器以插入腔室的外壁的形式提供，或者以直立在腔室的外部同时与腔室间隔一定距离的形式提供。

然而，当加热器插入腔室的外壁时，难以将加热器与腔室分离，因此难以替换加热器或使腔室再循环。此外，当加热器被设置成直立在腔室的外部同时与腔室间隔一定距离时，加热器的热损失会由于与腔室的距离而增加，并且存在无法实现进入腔室均匀热传递的问题。

发明内容

技术问题

本发明要解决的问题是提供具有加热器结构的原子层沉积装置，所述加热器结构能够容易地更换加热器并允许热量均匀地传递到腔室中。

然而，该问题是示例性的，并且本发明的问题不限于此。

技术方案

根据本发明的实施方案的原子层沉积装置包括：容纳多个晶圆的腔室；设置在所述腔室的表面上的多个加热器；以及控制所述加热器的控制单元，其中所述腔室在限定为所述腔室的延伸方向的第一方向上被分成多个区，所述多个加热器分别设置在所述腔室的所述多个区中，并且所述控制单元单独地控制所述多个加热器的温度。

所述腔室的所述多个区中的一个区可以包括左侧部分、右侧部分、上侧部分和下侧部分，所述加热器可以设置在所述左侧部分、所述右侧部分、所述上侧部分和所述下侧部分中的每一个上，并且所述控制单元可以单独地控制设置在所述左侧部分、所述右侧部分、所述上侧部分和所述下侧部分中的每一个上的所述加热器。

在所述一个区中，设置在所述左侧部分和所述右侧部分上的所述加热器的形状可以相同，并且设置在所述上侧部分和所述下侧部分上的所述加热器的形状可以相同。

所述多个区中的位于所述腔室的两侧的最外部分处的每个区的尺寸可以小于位于除所述腔室的两侧的所述最外部分之外的部分处的每个区的尺寸。

所述多个晶圆可以设置在所述多个区中的除位于所述腔室的两侧的所述最外部分处的所述区之外的区中。

所述多个区可以包括离所述晶圆的插入部分(IW)最近的第一区，和离所述晶圆的所述插入部分(IW)最远的第五区，并且所述控制单元可以设定所述第一区的温度高于所述第五区的温度。

可以在所述多个加热器中设置加热管(Hp)。

所述多个加热器各自可以包括设置在所述腔室的所述多个区中的多个子加热器，所述腔室可以包括将所述加热器固定至所述腔室的加热器固定部分，并且所述加热器固定部分可以设置在与在所述第一方向上相邻的所述多个子加热器之间的区相对应的区中。

所述多个加热器可以连接至所述腔室或从所述腔室分离。

除了以上描述那些之外的其它方面、特征和优点将从用于实施本发明的具体内容、权利要求和下面的附图中变得明显。

有益效果

在根据本发明的实施方案的原子层沉积装置中，由于加热器连接至加工腔室的表面，热量可以均匀地传递到腔室中，从而增加热传递效果并确保缩短温度增加时间的效果。

此外，在根据本发明的实施方案的原子层沉积装置中，由于加热器可以附接至腔室的表面而不与腔室间隔开，因此可以最小化从加热器传递的热的损失。

此外，根据本发明的实施方案的原子层沉积装置可以具有便于所述沉积装置的维护的优点，因为连接至腔室的表面的加热器可以被拆卸、连接和容易地替换。

此外，在根据本发明的实施方案的原子层沉积装置中，由于可以通过控制单元单独地控制每个区中以及位于腔室的上侧、下侧、左侧和右侧的每个位置处的加热器，可以根据容纳在腔室内部的晶圆的容纳位置和状态来不同地控制温度，从而能够实现更精确的温度控制。

本发明的效果不限于以上描述的效果，并且本领域技术人员从权利要求的描述中将清楚地理解未描述的其它效果。

附图说明

图1是示出根据本发明的一个实施方案的其上设置有加热器的原子层沉积装置的分解透视图。

图2是示出耦接至腔室的图1的加热器的视图。

图3是沿图2的线A-A'的横截面图并且示出置于加热器中的加热管。

图4是示出根据本发明的一个实施方案的原子层沉积装置的配置的框图。

图5是示出根据本发明的一个实施方案的每个区的加热器的布置和控制的框图。

图6是示出根据本发明的一个实施方案的其中在腔室的最外部分的区中未设置晶圆的结构的框图。

图7是示出根据本发明的一个实施方案的随着加热器接近晶圆的插入部分，加热器的温度被设置得更高的图。

图8是实验结果的图像，示出了根据本发明的一个实施方案的当操作加热器时，对于腔室中的晶圆确保了温度均匀性。

具体实施方式

本发明可以进行各种修改并具有各种实施方案，并且具体实施例将在附图中例示出并在本发明的描述中详细描述。然而，这并不旨在将本发明限制于特定实施方案，并且应当理解，本发明包括包含在本发明的主旨和技术范围内的所有修改、等同物或替代。在描述本发明时，相同的标识数字用于相同的部件，即使它们在不同的实施方案中示出。

在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施方案，并且当参考附图描述时，相同或相应的部件由相同的附图标记表示，并且将省略其重叠的描述。

在以下实施方案中，诸如“第一”和“第二”的术语不旨在是限制性的而是用于将一个部件与另一个部件区分开的目的。

在以下实施方案中，单数表述包括复数表述，除非上下文另外清楚地指出。

在以下实施方案中，诸如“包括”和“具有”的术语意味着说明书中描述的特征或部件是存在的，并且不预先排除添加一个或多个其它特征或部件的可能性。

在附图中，为了便于描述，可以放大或缩小部件的尺寸。例如，为了便于描述，任意地示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，因此本发明不必限于示出的内容。

在可以以不同方式实施的某实施方案的情况下，可以以不同于所描述的次序的次序来进行特定的工艺次序。例如，顺序描述的两个过程可以基本上同时进行，或者可以与描述的顺序相反的顺序进行。

本申请中使用的术语仅用于描述特定实施方案并且不旨在限制本发明。在本申请中，应当理解，诸如“包括”和“具有”的术语旨在指定在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合是存在的，并且不预先排除存在或添加一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合的可能性。

以下将参考图1至图5描述根据本发明的实施方案的原子层沉积装置。

图1是示出根据本发明的一个实施方案的其上设置有加热器的原子层沉积装置的分解透视图。图2是示出耦接至腔室的图1的加热器的视图。图3是沿图2的线A-A'的横截面图并且示出置于加热器中的加热管。图4是示出根据本发明的一个实施方案的原子层沉积装置的配置的框图。图5是示出根据本发明的一个实施方案的每个区的加热器的布置和控制的框图。

参考图1至图5，根据本发明的一个实施方案的原子层沉积装置包括用于存储多个晶圆W的腔室10、设置在腔室10的表面上的多个加热器H、以及用于控制加热器H中的每一个的功率、温度等的控制单元。在这种情况下，腔室10可以被分成多个区。例如，腔室10沿着腔室10的延伸方向(第一方向)被分成多个区，多个加热器H被布置在腔室10的多个区中的每一个中，并且控制单元单独地控制多个加热器。

可以将多个晶圆W插入到腔室10中。通过将工艺气体注入其中插入多个晶圆W的腔室10中，可以在晶圆上进行沉积工艺。

根据本实施方案，腔室可以形成为细长的长方体形状。在这种情况下，可以在腔室10的在纵向方向上的一端处形成后盖11和包括延伸到腔室10中的多个管的供应线单元13。供应线单元13可以将工艺气体(例如三甲基铝(TMA)或Al(CH₃)₃)供应到腔室10中。

多个晶圆W可以通过与后盖11相对的一侧插入腔室中。在完成多个晶圆W的插入之后，门(未示出)关闭多个晶圆W通过其插入的部分，从而密封腔室10的内部。

根据本实施方案的原子层沉积工艺是在真空状态下热分解流入腔室10的气体并将分解的气体沉积为原子层的工艺。对于热分解，基本上需要温度均匀传递到腔室中。此外，在温度增加过程中，需要缩短稳定地到达所需温度的时间。

通常，加热器设置在腔室的外部，位于远离腔室的位置处，以增加腔室的温度，但当加热器设置在远离腔室的位置处时，热量难以均匀地传递至腔室，并且因为加热器在热量传递过程中必须穿过空气层而发生相当大的热损失。

因此，在根据本实施方案的原子层沉积装置中，由于加热器H中的每一个设置在腔室10的表面S上，所以在加热器H与表面S之间引起直接热传导，这使从加热器H生成的热量的损失最小化并且使热传递效应最大化，从而缩短了腔室10中的温度增加时间。例如，加热器H可以设置成与腔室10的表面S接触。详细地，加热器H可以设置成与腔室10的表面S直接接触。

此外，通过其中加热器H被设置成围绕腔室10的整个表面的结构，原子层沉积装置可以具有允许热量均匀地传递到腔室10中的优点。

此外，在根据本实施方案的原子层沉积装置中，由于引入了其中加热器分别设置在分隔在腔室10中的多个区中并且通过控制单元单独地控制加热器的系统，可以根据容纳在腔室10中的晶圆的容纳位置和状态来单独地进行温度控制，从而能够实现对腔室10的更精确的温度控制。

根据本实施方案，温度传感器(未示出)可以设置在腔室10内部。在这种情况下，控制单元将预设的标准温度值与通过温度传感器测量的腔室内部的温度值进行比较，并且当预设的标准温度值与腔室内部的实际温度值之间存在差时，可以增加加热器的温度以补偿温度差值。此外，温度传感器可以设置在每个区中或在一个区中的每个位置处，并且当在每个位置处的由设置在每个位置处的温度传感器测量的温度测量值与预设的标准温度值之间存在差时，将一个位置处的温度值与标准温度值之间的差与另一个位置处的温度值与标准温度值之间的差进行比较，并且通过反映在每个位置处不同的差，而使在每个位置处增加的温度不同，因此可以单独地控制对应于每个位置的加热器。

参考图3，根据本实施方案的多个加热器H中的每一个内置有加热管Hp。加热管Hp以锯齿形结构均匀地设置在加热器H中，使得加热器H均匀地将热量传递至腔室10。

多个晶圆W可以容纳于在腔室10中分隔的多个区(第一区、第二区、......和第N区)中的每一个中。控制单元可以根据容纳在每个区中的晶圆W的状态来不同地控制每个区中的加热器。

根据本实施方案，如图1和图2中示出，腔室10的多个区中的一个包括左侧部分S1、右侧部分S2、上侧部分S3和下侧部分S4，并且加热器H1、H2、H3和H4分别设置在左侧部分S1、右侧部分S2、上侧部分S3和下侧部分S4中。在这种情况下，控制单元可以单独地控制加热器H1、H2、H3和H4中的每一个。

即，根据本实施方案的腔室10具有长方体结构，该结构具有上侧、下侧、左侧和右侧，加热器可以分别设置在上侧、下侧、左侧和右侧，并且设置在上侧、下侧、左侧和右侧的加热器可以单独地控制。因此，当容纳在腔室10中的多个晶圆W的每个位置需要局部温度控制时，可以通过不同地控制设置在上侧、下侧、左侧和右侧的加热器的温度来更精确地进行腔室10中的温度控制。

根据本实施方案，多个加热器H可以连接至腔室10或从腔室10拆卸。更具体地，单独地安装在腔室10的区中的多个加热器H可以单独地连接至腔室10或从腔室10拆卸。此外，单独地安装在腔室10的一个区的上侧、下侧、左侧和右侧的多个加热器H可以单独地连接至腔室10或从腔室10拆卸。

例如，加热器H可以包括设置在腔室10的左侧部分S1上的第一加热器H1、设置在腔室10的右侧部分S2上的第二加热器H2、设置在腔室10的上侧部分S3上的第三加热器H3、以及设置在腔室10的下侧部分S4上的第四加热器H4。

此外，第一加热器至第四加热器H1、H2、H3和H4中的每一个可以包括沿第一方向顺序设置的多个子加热器。例如，第一加热器H1可以包括在左侧部分S1上沿第一方向顺序设置的多个子加热器H11、H12、H13、H14和H15，并且第二加热器H2可以包括在右侧部分S2上沿第一方向顺序设置的多个子加热器H21、H22、H23、H24和H25。此外，第三加热器H3可以包括在上侧部分S3上沿第一方向顺序设置的多个子加热器H31、H32、H33、H34和H35，并且第四加热器H4可以包括在下侧部分S4上沿第一方向顺序设置的多个子加热器H41、H42、H43、H44和H45。

包括在第一加热器至第四加热器H1、H2、H3和H4中的每一个中的子加热器的数目可以对应于在腔室10中划分的区的数目。例如，当腔室10被划分成五个区(第一区至第五区)时，加热器H1、加热器H2、加热器H3和加热器H4中的每一个可以包括五个子加热器(第一子加热器至第五子加热器)。

此外，包括在第一加热器至第四加热器H1、H2、H3和H4中的每一个中的子加热器可以在第一方向上与相邻的子加热器间隔开，或者可以在加热时由于热膨胀而彼此接触。在此，第一方向可以是在腔室10的延伸方向上从门(未示出)朝向后盖11的方向。

腔室10可以包括将加热器H固定至腔室10的加热器固定部分14。加热器固定部分14可以设置在加热器H的外表面上，使得加热器H与腔室10密切接触。加热器固定部分14可以将加热器H从腔室10的外部向腔室10的内部按压。加热器固定部分14可以使加热器H与腔室10的外表面的表面接触面积最大化，以改善从加热器H传递至腔室10的热量的热传导率。

腔室10可以包括突出以分隔每个区的加热器固定部分14。在这种情况下，每个加热器H可以安装在加热器固定部分14之间。详细地，加热器固定部分14可以设置在与子加热器相对应的区上。加热器固定部分14可以设置在沿第一方向彼此相邻的两个子加热器上。例如，加热器固定部分14可以设置在与包含在第一加热器至第四加热器H1、H2、H3和H4中的每一个中的子加热器之间沿第一方向的区相对应的区中。在这种情况下，加热器固定部分14沿第一方向的宽度可以大于两个相邻子加热器之间的间隙。因此，加热器固定部分14可以设置成按压两个相邻子加热器的边缘区，使得加热器H与腔室10密切接触。

设置在第一加热器至第四加热器H1、H2、H3和H4中的一个上的加热器固定部分14的数目可以小于包含在一个加热器中的子加热器的数目。例如，设置在一个加热器上的加热器固定部分14的数目关于包含在一个加热器中的子加热器的数目可以满足：m＝n-1(m意指加热器固定部分的数目，并且n意指子加热器的数目)。

例如，对于设置在第一加热器H1上的加热器固定部分14，加热器固定部分14可以设置在与第一加热器H1的第一子加热器H11和第二子加热器H12之间的区相对应的区中以及在与第一加热器H1的第二子加热器H12和第三子加热器H13之间的区相对应的区中。此外，加热器固定部分14可以设置在与第一加热器H1的第三子加热器H13和第四子加热器H14之间的区相对应的区中以及在与第一加热器H1的第四子加热器H14和第五子加热器H15之间的区相对应的区中。

或者，设置在第一加热器至第四加热器H1、H2、H3和H4中的一个上的加热器固定部分14的数目可以等于包含在一个加热器中的子加热器的数目。例如，设置在一个加热器上的加热器固定部分14的数目关于包含在一个加热器中的子加热器的数目可以满足：m＝n(m意指加热器固定部分的数目，并且n意指子加热器的数目)。在这种情况下，加热器固定部分14可以设置在与子加热器的中心区相对应的区中，以按压加热器H。

以这种方式，通过其中加热器单独地连接至腔室10的区以及一个区的上侧、下侧、左侧和右侧的加热器系统，即使当多个加热器中的一个被破坏或损坏时，可以简单地移除仅相应的加热器并用新的或经修理的加热器替换，因此可以增强其上安装有加热器的腔室的可用性。即，通过将安装在腔室10的每个部分中的加热器模块化，可以通过使加热器容易地连接至腔室10和从腔室10中拆卸来改善装置的可维护性。

此外，参考附图，在腔室10的一个区中，设置在左侧部分S1和右侧部分S2上的加热器H1和H2的形状可以相同，并且设置在上侧部分S3和下侧部分S4上的加热器H3和H4的形状可以相同。因此，设置在左侧部分S1和右侧部分S2上的加热器H1和H2可以被制造为一个模块，并且设置在上侧部分S3和下侧部分S4上的加热器H3和H4可以被制造为另一个模块，使得在覆盖腔室的一个区的加热器模块中，仅两个加热器模块结构可以完全覆盖由四个侧面形成的一个区，从而将加热器模块简化为两个模块并改善了加热器模块的可替换性。

在下文中，将参考图6描述在腔室的两侧的最外区的结构和特征。对于图6中未示出的内容，参考图1至图5中示出的内容及其描述。

图6是示出根据本发明的一个实施方案的其中在腔室的最外部分的区中未设置晶圆的结构的框图。

参考图1、图2和图6，在根据本发明的一个实施方案的原子层沉积装置中，多个区中的位于腔室的两侧的最外部分处的每个区的尺寸可以小于位于除腔室10的两侧的最外部分之外的部分处的每个区的尺寸。即，参考图2，第一区和第五区中的每一个的尺寸可以小于第二区、第三区和第四区中的每一个的尺寸。在此，第一区可以是离晶圆W的插入部分IW最近并且离门(未示出)最近的区，并且第五区可以是离晶圆W的插入部分IW最远并且离腔室10的后盖11最近的区。此外，第二区至第四区可以是在第一区与第五区之间顺序设置的区。

在晶圆沉积工艺期间，可以将多个晶圆W容纳在除在腔室10的两端部分处的空间之外的腔室10的中心空间中。即，多个晶圆W可以仅容纳在除了图2中例示出的第一区和第五区之外的第二区、第三区和第四区中。这是因为，在晶圆在沉积过程中设置在腔室的外部部分上的情况下，由于气体泄漏的可能性而难以确保质量。

根据本实施方案，位于腔室的两侧的最外部分处的每个区的尺寸可以小于设置在腔室的中心部分中的每个区的尺寸。由此，可以减小未设置晶圆的部分中的额外空间面积，从而提高空间利用率。

因此，参考图2，设置在位于腔室的两侧的最外部分处的区的左侧部分S11和S15以及右侧部分S21和S25上的加热器H11、H15、H21和H25的形状可以形成为比设置在位于腔室的中心部分中的区的左侧部分S12、S13和S14以及右侧部分S22、S23和S24上的加热器H12、H13、H14、H22、H23和H24的形状具有更小的尺寸。此外，设置在位于腔室的两侧的最外部分处的区的上侧部分S31和S35以及下侧部分S41和S45上的加热器H31、H35、H41和H45的形状可以形成为比设置在位于腔室的中心部分中的区的上侧部分S32、S33和S34以及下侧部分S42、S43和S44上的加热器H32、H33、H34、H42、H43和H44的形状具有更小的尺寸。

然而，在位于腔室的两侧的最外部分处的区中，设置在左侧部分S11和S15以及右侧部分S21和S25上的加热器H11、H15、H21和H25的形状可以是相同的，并且设置在上侧部分S31和S35以及下侧部分S41和S45上的加热器H31、H35、H41和H45的形状可以是相同的。因此，设置在左侧部分S11和S15以及右侧部分S21和S25上的加热器H11、H15、H21和H25可以被制造为一个模块，并且设置在上侧部分S31和分S35以及下侧部分S41和S45上的加热器H31、H35、H41和H45可以被制造为另一个模块，因此，在覆盖腔室的一个区的加热器模块中，仅两个加热器模块结构可以完全覆盖由四个侧面形成的一个区，从而将加热器模块简化为两个模块并改善了加热器模块的可替换性。

在下文中，将参考图7描述根据本发明的一个实施方案的温度控制。对于图7中未示出的内容，参考图1至图6中示出的内容及其描述。

图7是示出根据本发明的一个实施方案的随着加热器接近晶圆的插入部分，加热器的温度被设置得更高的图。

参考图1和图7，随着加热器接近晶圆的插入部分IW，控制单元可以将加热器H的温度设定得更高。即，控制单元可以将离晶圆的插入部分IW最近的第一区中的加热器H的温度设定为高于离晶圆的插入部分IW最远的第五区中的加热器H的温度。此外，控制单元可以将位于其间(在第一区与第五区之间)的第二区至第四区的加热器H中的每一个的温度设定为第一区和第五区的加热器H的温度之间的温度。对于晶圆插入部分IW，当插入晶圆时，腔室10打开和关闭，并且因此在该部分中可以发生最大量的热损失。因此，根据本实施方案，随着加热器接近晶圆的插入部分IW，控制单元将加热器H的温度控制为相对更高，从而更均匀地控制容纳在腔室10中的多个晶圆W的温度。此外，尽管图7例示出随着加热器接近晶圆的插入部分IW，控制单元将加热器H的温度线性地控制为更高，本发明不限于此，并且控制单元可以根据腔室10的尺寸、晶圆W的数量、沉积材料等非线性地或以阶梯形状等控制温度。

图8是实验结果的图像，示出了根据本发明的一个实施方案的当操作加热器时，对于腔室中的晶圆确保了温度均匀性。

更具体地，图8示出了实验结果的图像，该实验结果显示当对晶圆在腔室内所位于的每个区P1、P2、P3、P4、P5、P6或P7单独地进行加热器的温度控制时晶圆在腔室内所位于的空间中的温度均匀性。

参考图8，可以看出，腔室内部的温度在约5度的温度范围内波动，从最小值249.43度至最大值255.03度。即，通过使用根据本实施方案的加热器单独地控制腔室的每个区的温度，腔室的温度范围可以保持在约5度，从而确保整个腔室的温度均匀性。

尽管已经参考附图中例示的实施方案描述了本发明，但是这些仅是示例。本领域技术人员将完全了解，各种修改和等同的其它实施方案可以来自实施方案。因此，本发明的实际技术保护范围应该基于所附权利要求来确定。

实施方案中描述的具体技术内容仅是示例，并不限制实施方案的技术范围。为了简明和清楚地描述本发明，可以省略对相关技术的通用技术和配置的描述。

此外，图中示出的部件之间的线的连接或不连接仅是功能连接和/或物理或电路连接的示例，并且可以通过替代的或附加的各种功能连接、物理连接或电路连接在实际装置中表示。此外，如果没有具体提及例如“必需的”或“重要的”，则部件可能对于应用本发明来说不是绝对必需的部件。

除非具体限定，否则在本发明的描述和权利要求书中使用的术语“以上”、“所述”和与其类似的指定词可以同时指单数和复数。

此外，当在实施方案中描述范围时，认为本发明包括应用属于该范围的单个值的发明(除非另外描述)，并且其与在本发明的描述中描述构成范围的每个单个值相同。

此外，当不存在关于构成根据实施方案的方法的步骤的顺序的明确描述或相反情况时，可以以任何合适的顺序来进行步骤。实施方案不必限于以上步骤的描述顺序。除非由权利要求另外限制，否则在实施方案中使用任何实例或示例性术语(例如，“例如”、“等”)仅旨在详细描述实施方案并且不借助于这些实例或示例性术语限制实施方案的范围。此外，本领域技术人员将理解，可以根据所附权利要求或其等同物的范围内的设计条件和因素进行各种修改、组合和改变。

Claims (9)

1.原子层沉积装置，包括：

容纳多个晶圆的腔室；

设置在所述腔室的表面上的多个加热器；以及

控制所述加热器的控制单元，

其中所述腔室在限定为所述腔室的延伸方向的第一方向上被分成多个区，

所述多个加热器分别设置在所述腔室的所述多个区中，以及

所述控制单元单独地控制所述多个加热器的温度。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其中所述腔室的所述多个区中的一个区包括左侧部分、右侧部分、上侧部分和下侧部分，

所述加热器设置在所述左侧部分、所述右侧部分、所述上侧部分和所述下侧部分中的每一个上，以及

所述控制单元单独地控制设置在所述左侧部分、所述右侧部分、所述上侧部分和所述下侧部分中的每一个上的所述加热器。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置，其中，在所述一个区中，设置在所述左侧部分和所述右侧部分上的所述加热器的形状是相同的，并且设置在所述上侧部分和所述下侧部分上的所述加热器的形状是相同的。

4.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其中所述多个区中的位于所述腔室的两侧的最外部分处的每个区的尺寸小于位于除所述腔室的两侧的所述最外部分之外的部分处的每个区的尺寸。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积装置，其中所述多个晶圆设置在所述多个区中的除位于所述腔室的两侧的所述最外部分处的所述区之外的区中。

6.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其中所述多个区包括：

离所述晶圆的插入部分(IW)最近的第一区；以及

离所述晶圆的所述插入部分(IW)最远的第五区，以及

所述控制单元设定所述第一区的温度高于所述第五区的温度。

7.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其中在所述多个加热器中设置加热管(Hp)。

8.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其中所述多个加热器各自包括设置在所述腔室的所述多个区中的多个子加热器，

所述腔室包括将所述加热器固定至所述腔室的加热器固定部分，以及

所述加热器固定部分设置在与在所述第一方向上相邻的所述多个子加热器之间的区相对应的区中。

9.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其中所述多个加热器连接至所述腔室或从所述腔室拆卸。