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CN119856084A - 光集成电路和光接收器 - Google Patents

光集成电路和光接收器 Download PDF

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CN119856084A
CN119856084A CN202380065481.1A CN202380065481A CN119856084A CN 119856084 A CN119856084 A CN 119856084A CN 202380065481 A CN202380065481 A CN 202380065481A CN 119856084 A CN119856084 A CN 119856084A
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CN
China
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wavelength multiplexing
demultiplexing
optical
integrated circuit
waveguide
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CN202380065481.1A
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松井直树
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Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

本公开的光集成电路具有波长合波分波元件(831‑1～832‑6)，所述波长合波分波元件(831‑1～832‑6)具有方向性耦合器和延迟线。波长合波分波元件以多级级联地连接。

Description

光集成电路和光接收器
相关申请的相互参照
本申请要求日本专利申请2022-148602号(2022年9月16日申请)以及日本专利申请2022-197478号(2022年12月9日申请)的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及光集成电路和光接收器。
背景技术
已知一种将马赫-曾德尔干涉仪级联地连接的波长分离元件(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2020-194092号公报
发明内容
本公开的一个实施方式的光集成电路具有波长合波分波元件，所述波长合波分波元件具有方向性耦合器和延迟线，所述波长合波分波元件以多级级联地连接。
本公开的一个实施方式的光接收器具有所述光集成电路。
附图说明
图1是示出一个实施方式的光接收器的结构例的框图。
图2是示出具有边缘耦合器作为输入部的情况的光接收器的结构例的框图。
图3是示出在图2的结构例中还具有延迟器的情况的光接收器的结构例的框图。
图4是示出在图3的结构例中将偏振光分束旋转器置换为偏振光分束器的情况的光接收器的结构例的框图。
图5是示出在图3的结构例中将连接在光电二极管之前的延迟器置换为可变衰减器的情况的光接收器的结构例的框图。
图6是示出在图5的结构例中在连接在光电二极管之前的可变衰减器与光电二极管之间还具有延迟器的情况的光接收器的结构例的框图。
图7A是示出带状型波导的一例的截面图。
图7B是示出脊型波导的一例的截面图。
图8是示出一个实施方式的分波器的结构例的框图。
图9是示出图8的分波器的干涉仪和端口的配置例的图。
图10是示出干涉仪的波导的配置例的图。
图11是示出使用带状型波导的情况的第一组的第一元件和第三元件的特性的一例的图表。
图12是示出使用带状型波导的情况的第一组的第二元件的特性的一例的图表。
图13是示出使用带状型波导的情况的第二组的第一元件、第三元件和第四元件的特性的一例的图表。
图14是示出使用带状型波导的情况的第二组的第二元件、第五元件和第六元件的特性的一例的图表。
图15是示出使用带状型波导的情况的分波器的特性的设计值的一例的图表。
图16是示出使用带状型波导的情况的分波器的特性的实测值的一例的图表。
图17是示出使用脊型波导的情况的第一组的第一元件和第三元件的特性的一例的图表。
图18是示出使用脊型波导的情况的第一组的第二元件的特性的一例的图表。
图19是示出使用脊型波导的情况的第二组的第一元件、第三元件和第四元件的特性的一例的图表。
图20是示出使用脊型波导的情况的第二组的第二元件、第五元件和第六元件的特性的一例的图表。
图21是示出使用脊型波导的情况的分波器的特性的设计值的一例的图表。
图22是示出使用脊型波导的情况的分波器的特性的实测值的一例的图表。
图23是示出具有电阻元件的波长合波分波元件的结构例的图。
图24是示出电阻元件与波导之间的位置关系的一例的图。
图25A是示出使用了带状型波导的波长合波分波元件的波长特性的一例的图表。
图25B是示出使用了脊型波导的波长合波分波元件的波长特性的一例的图表。
具体实施方式
作为硅光子的元件的特性，输出端口之间的串扰或插入损耗是重要的。要求在硅光子的芯片上实现足够的串扰或插入损耗的特性。根据本公开的光集成电路和光接收器，能够提供对制造公差具有鲁棒性的波长合波分波元件(wavelength multiplexing/demultiplexing elements)。
在数据中心内的光通信中，由于数字信号处理器简便且低功耗，所以广泛使用直接调制直接检波方式。另一方面，随着数据中心内光通信的流量增大，要求更高密度的数据传输，正在研究使用硅的光集成电路，特别是具有小型的波长复用光电路的光收发器。其中，可以使用串联马赫-曾德尔型干涉系统或阵列波导型光栅等作为由硅实现的波长复用光电路。这些波长复用光电路都具有特性因光的偏振波而发生较大变化的特征。另一方面，数据中心内的已设光纤网广泛使用单模光纤。但是，该光纤不具有偏振波保持特性。因此，每当光通过布线的弯曲部分或连接部分时，光的偏振波随机变化。因此，为了使光接收器的特性对于任何偏振波都均匀，需要在光电路的前级设置偏振光分束旋转器，将入射的光分离为TE(Transverse Electric：横向电场)成分和TM(TransverseMagnetic：横向磁场)成分，并使TE(TransverseElectric：横向电场)成分和TM(Transverse Magnetic：横向磁场)成分分别入射到不同的波长复用光电路。在直接调制直接偏振波方式中，在使其偏振光为TE或TM中的任意一种之后，需要用光电二极管接收波长复用光电路的输出，并检测与各偏振波的成分对应的光电二极管的输出之和。
本公开的一个实施方式的光接收器1(参照图1等)在光通信系统中可以与发送光信号的结构组合来使用。发射光信号的结构可以包括光源和调制器。
光源可以包括例如LD(Laser Diode：激光二极管)或VCSEL(Vertical CavitySurfaceEmitting LASER：垂直腔面发射激光器)等半导体激光器。光源不限于可见光，可以包括发射各种波长的电磁波的器件。调制器通过改变电磁波的强度来调制。调制器例如可以对电磁波进行脉冲调制。
发送光信号的结构还能够包括信号输入部。信号输入部接受来自外部装置等的信号的输入。信号输入部可以包括例如D/A转换器。信号输入部向调制器输出信号。调制器基于由信号输入部获取的信号来对电磁波进行调制。
如图2所示，光接收器1可以具有边缘耦合器811作为输入部81。如图3所示，光接收器1还可以在偏振光分束旋转器82与两个分波器83中的每个分波器83之间以及分波器83与n个光电二极管(PD：photodiode)10-1～n中的每个光电二极管之间具有延迟器84。延迟器84使光信号的传输延迟。光接收器1通过延迟器84补偿由波导的制造误差产生的光信号延迟的偏差。光接收器1通过具有延迟器84，能够降低将从光电二极管10输出的TE模式的光信号和对TM模式的光信号进行了转换后的TE模式的光信号合并而得到的信号的抖动。
延迟器84例如可以构成为具有规定长度的波导，并且可以构成为能够通过加热器调整波导的有效折射率。延迟器84可以构成为具有规定长度的相位调制器，并且可以通过施加电压来调整相位调制量。
如图4所示，在光接收器1中，偏振光分束旋转器82可以被置换为偏振光分束器(PS：PolarizingSplitter)822。偏振光分束器822将输入的光信号分离为TE模式的光信号和TM模式的光信号。TE模式的光信号的传输速度与TM模式的光信号的传输速度彼此不同。光接收器1可以具有延迟器84以补偿TE模式的光信号与TM模式的光信号之间的延迟的偏差。
如图5所示，在图2例示的光接收器1中，在分波器83与n个光电二极管10-1～n中的每个光电二极管之间连接的延迟器84可以被置换为可变光衰减器(VOA：VariableOpticalAttenuator)85。可变光衰减器85可以构成为例如包含硅的pin二极管。可变光衰减器85通过注入电流来吸收光，使光强度衰减。通过调整注入到各可变光衰减器85中的电流，能够补偿在偏振光分束旋转器82或分波器83中产生的光损耗。因此，即使在偏振光分束旋转器82或分波器83中的光损耗因光信号的偏振波或波长的不同而不均匀的情况下，也能够通过使光损耗大的条件的光信号所通过的可变光衰减器85的电流值减小并使光损耗小的条件的光信号所通过的可变光衰减器85的电流值增大，使任意的偏振波或波长的光信号的光接收灵敏度接近均匀。
如图6所示，光接收器1可以在分波器83和n个光电二极管10-1～n中的每个光电二极管之间同时具有可变光衰减器85和延迟器84。
如上所述，本实施方式的光接收器1能够通过构成为降低返回光的光电二极管10来检测光信号。通过降低返回光，能够降低返回到输入部81的光信号。通过降低返回到输入部81的光信号，能够维持向输入部81发送光信号的光源或调制器的稳定动作。其结果，能够提高使用光接收器1的光通信系统的可靠性。
(光集成电路的结构例)
光集成电路可以具有分波器83。分波器83不仅可以将包含多个波长的成分的电磁波分离为各波长的成分，还可以作为波长合波分波元件发挥功能，该波长合波分波元件将多个不同波长的成分中的每个成分合成为包含多个波长的成分的电磁波。
分波器83可以构成为包括方向性耦合器和延迟线。方向性耦合器或延迟线构成为包括波导140。如图7A所示，波导140可以构成为带状型波导，如图7B所示，波导140也可以构成为脊型波导。带状型波导的截面形状为矩形。脊型波导的截面形状在至少一部分具有凸型的形状。
波导140可以形成为包含硅。波导140可以形成在硅的基板150上。基板150可以具有绝缘层151和包覆层152。波导140可以由绝缘层151和包覆层152包围。通过由硅形成波导140，波长合波分波元件能够通过硅光子技术容易地制造。波导140不限于硅，还可以包含其他各种电介质材料。
如图8例示，分波器83可以构成为包括以多级级联地连接的波长合波分波元件(Mux)。分波器83可以构成为包括级联延迟马赫-曾德尔干涉仪(CMZI)。假设输入到分波器83的端口0的电磁波包含4个波长的成分。各波长表示为λ1、λ2、λ3及λ4。在本结构例中，各波长的值如下。
λ1＝1.27μm
λ2＝1.29μm
λ3＝1.31μm
λ4＝1.33μm
分波器83可以构成为通过将第一组的第一元件831-1、第二元件831-2和第三元件831-3组合而成的结构将电磁波分离为两部分，将一部分从第二元件831-2输出，将另一部分从第三元件831-3输出。在图8的示例中，从第二元件831-2输出包含λ1和λ3的电磁波。从第三元件831-3输出包含λ2和λ4的电磁波。
分波器83可以构成为通过将第二组的第一元件832-1、第三元件832-3和第四元件832-4组合而成的结构将从第一组的第二元件831-2输出的电磁波分离为两部分，将一部分从第三元件832-3输出，将另一部分从第四元件832-4输出。在图8的示例中，从与第三元件832-3的输出连接的端口4输出包含λ1的电磁波。从与第四元件832-4的输出连接的端口5输出包含λ3的电磁波。
分波器83可以构成为通过将第二组的第二元件832-2、第五元件832-5和第六元件832-6组合而成的结构将从第一组的第三元件831-3输出的电磁波分离为两部分，将一部分从第五元件832-5输出，将另一部分从第六元件832-6输出。在图16的示例中，从与第六元件832-6的输出连接的端口7输出包含λ2的电磁波。从与第五元件832-5的输出连接的端口6输出包含λ4的电磁波。
换句话说，分波器83具有波长合波分波元件，该波长合波分波元件具有方向性耦合器和延迟线。在分波器83中，波长合波分波元件以多级级联地连接。波长合波分波元件可以以4级连接。构成分波器83的第一组的波长合波分波元件也被称为第一复合元件。构成分波器83的第二组的波长合波分波元件也被称为第二复合元件。在分波器83中，第一复合元件和第二复合元件可以级联地连接。在图8的示例中，在分波器83的第一组中，波长合波分波元件以两级级联地连接。即，在第一复合元件中，波长合波分波元件以两级级联地连接。另外，在分波器83的第二组中，波长合波分波元件以两级级联地连接。即，在第二复合元件中，波长合波分波元件以两级级联地连接。在第一复合元件中，波长合波分波元件可以以N级连接。在第二复合元件中，波长合波分波元件可以以M级连接。N和M是自然数。
分波器83的波导和端口可以如图9例示那样配置。与表示为端口的线成对的线的端子是指终端。另外，各波长合波分波元件可以如图10例示那样构成。波长合波分波元件具有第一部分和第二部分，该第一部分构成为两个波导140沿着彼此配置，第二部分包括延迟线170，使得两个波导140的长度不同。图10例示的波长合波分波元件具有四个第一部分和各第一部分之间的三个第二部分。在图10中，四个第一部分各自的长度表示为Lc1、Lc2、Lc3和Lc4。三个第二部分中的每个第二部分中的两个波导140的单程长度之差表示为ΔL1、ΔL2和ΔL3。即，三个第二部分中的每个第二部分中的两个波导140的往返长度之差表示为ΔL1×2、ΔL2×2和ΔL3×2。单位为μm(微米)。波长合波分波元件的结构可以由这7个参数确定。
波长合波分波元件具有物理连接的两个波导140。两个波导140在第一部分中电磁耦合。在输入到两个波导140中的一个波导140的电磁波直接从相同的波导140输出的情况下，该输出端口也被称为直通端口。换句话说，波长合波分波元件在方向性耦合器的直通侧具有输出端口。直通端口是从电磁波的输入端口通过波导140进行物理连接的端口。
在输入到两个波导140中的一个波导140的电磁波被转移并输出到另一个波导140的情况下，该输出端口也被称为交叉端口。换句话说，波长合波分波元件在方向性耦合器的交叉侧具有输出端口。交叉端口是从电磁波的输入端口通过波导140进行电磁耦合，但不物理连接的端口。
分波器83所包含的多个波长合波分波元件中的、在第二级之后连接的波长合波分波元件可以在方向性耦合器的直通侧具有输出端口。另外，在分波器83的第一组具有与以N级连接的波长合波分波元件，并且第二组具有以M级连接的波长合波分波元件的情况下，在从第二级到第N级或者从N+2级到第N+M级连接的波长合波分波元件可以在方向性耦合器的直通侧具有输出端口。即，在分波器83中不进行输出分支的波长合波分波元件可以在方向性耦合器的直通侧具有输出端口。另一方面，在分波器83中进行输出分支的第一组的第一级的波长合波分波元件、以及第二组的第N+1级的波长合波分波元件在方向性耦合器的直通侧和交叉侧两者都具有输出端口。
向交叉端口的输出对元件的制造公差是敏感的。换言之，向交叉端口的输出对元件的制造公差的灵敏度大。分波器83在方向性耦合器的直通侧具有输出端口，由此可以降低元件的制造公差的影响。例如，第一组的第二元件831-2可以被设计为第一组的第一元件831-1的向交叉端口输出的一侧(第二元件831-2一侧)在第二元件831-2中向直通端口输出。
在波导140是带状型波导的情况和波导140是脊型波导的情况下，波长合波分波元件的特性可能不同。下面，对波导140分别为带状型波导和脊型波导的情况的波长合波分波元件的特性进行说明。
<波导140为带状型波导的情况>
图8或图9的第一组的第一元件831-1和第三元件831-3具有以下参数。
Lc1＝40、Lc2＝25、Lc3＝20、Lc4＝10
ΔL1＝9.6/2、ΔL2＝9.6、ΔL3＝9.5
该情况下的第一组的第一元件831-1和第三元件831-3的特性如图11的图表所示。在图11的图表中，横轴表示波长。假设波长单位为nm(纳米)。纵轴表示插入损耗。假设插入损耗的单位为dB(分贝)。纵轴的值越大(图表的标绘点越高)，损耗越小。实线表示直通端口的输出。虚线表示交叉端口的输出。图表的纵轴和横轴以及实线和虚线的含义在以后的图12～图14以及图17～图20中也是同样的。
图8或图9的第一组的第二元件831-2具有以下参数。
Lc1＝35、Lc2＝25、Lc3＝25、Lc4＝10
ΔL1＝9.9/2、ΔL2＝9.9、ΔL3＝9.8
在这种情况下，第一组的第二元件831-2的特性在图12的图表中示出。
图8或图9的第二组的第一元件832-1、第三元件832-3和第四元件832-4具有以下参数。
Lc1＝35、Lc2＝25、Lc3＝15、Lc4＝5
ΔL1＝5.2/2、ΔL2＝5.2、ΔL3＝5.1
该情况下的第二组的第一元件832-1、第三元件832-3和第四元件832-4的特性如图13的图表所示。
图8或图9的第二组的第二元件832-2、第五元件832-5和第六元件832-6具有以下参数。
Lc1＝35、Lc2＝25、Lc3＝15、Lc4＝5
ΔL1＝5.3/2、ΔL2＝5.3、ΔL3＝5.2
该情况下的第二组的第二元件832-2、第五元件832-5和第六元件832-6的特性如图14的图表所示。
在各波长合波分波元件具有上述特性的情况下，分波器83的端口4～7的输出特性的设计值如图15所示。另外，分波器83的端口4～7的输出特性的实测值如图16所示。在图15和图16的图表中，横轴表示波长。假设波长单位为nm(纳米)。纵轴表示插入损耗。假设插入损耗的单位为dB(分贝)。假设包含波长为λ1～λ4的成分的电磁波被输入到分波器83的端口。在图15和图16中，从端口4输出的成分的实测值由实线表示。从端口7输出的成分的实测值由虚线表示。从端口5输出的成分的实测值由点划线表示。从端口6输出的成分的实测值用双点划线表示。如图15及图16的图表所示，在设计值以及实测值中的任一个中，从各端口输出的成分都包含较多的各波长的成分。即，在实测结果中，由带状型波导构成的分波器83也能够分离λ1～λ4的各波长的成分。其结果，能够提高插入损耗的特性和串扰的特性。
<波导140为脊型波导的情况>
图8或图9的第一组的第一元件831-1和第三元件831-3具有以下参数。
Lc1＝55、Lc2＝35、Lc3＝30、Lc4＝10
ΔL1＝10.4/2、ΔL2＝10.4、ΔL3＝10.3
该情况下的第一组的第一元件831-1和第三元件831-3的特性如图17的图表所示。
图8或图9的第一组的第二元件831-2具有以下参数。
Lc1＝65、Lc2＝40、Lc3＝30、Lc4＝10
ΔL1＝10.7/2、ΔL2＝10.7、ΔL3＝10.5
该情况下的第一组的第二元件831-2的特性在图18的图表中示出。
图8或图9的第二组的第一元件832-1、第三元件832-3和第四元件832-4具有以下参数。
Lc1＝55、Lc2＝40、Lc3＝25、Lc4＝10
ΔL1＝5.3/2、ΔL2＝5.3、ΔL3＝5.2
该情况下的第二组的第一元件832-1、第三元件832-3和第四元件832-4的特性如图19的图表所示。
图8或图9的第二组的第二元件832-2、第五元件832-5和第六元件832-6具有以下参数。
Lc1＝50、Lc2＝30、Lc3＝25、Lc4＝15
ΔL1＝5.5/2、ΔL2＝5.5、ΔL3＝5.4
该情况下的第二组的第二元件832-2、第五元件832-5和第六元件832-6的特性在图20的图表中示出。
在各波长合波分波元件具有上述特性的情况下，分波器83的端口4～7的输出特性的设计值如图21所示。另外，分波器83的端口4～7的输出特性的实测值如图22所示。在图21和图22的图表中，横轴表示波长。假设波长单位为nm(纳米)。纵轴表示插入损耗。假设插入损耗的单位为dB(分贝)。假设包含波长为λ1～λ4的成分的电磁波被输入到分波器83的端口。在图21和图22中，从端口4输出的成分的实测值由实线表示。从端口7输出的成分的实测值由虚线表示。从端口5输出的成分的实测值由点划线表示。从端口6输出的成分的实测值用双点划线表示。如图21及图22的图表所示，在设计值以及实测值中的任一个中，从各端口输出的成分都包含较多的各波长的成分。即，在实测结果中，由脊型波导构成的分波器83也能够分离λ1～λ4的各波长的成分。其结果，能够提高插入损耗的特性和串扰的特性。
＜小结＞
如上所述，本实施方式的光集成电路具有波长合波分波元件，该波长合波分波元件以多级级联地连接。通过使波长合波分波元件以多级级联地连接，能够确保足够的串扰。另外，能够以较少的插入损耗实现波长分离。其结果，能够提高插入损耗的特性和串扰的特性。
(补偿电路)
如图23所示，波长合波分波元件可以具有位于基板上的波导140和电阻元件180。电阻元件180构成为通过电流流过电阻元件180而产生的热来加热波导140，使波导140的温度变化。电阻元件180也可以重叠于波导140上。如图24所示，在俯视基板时，电阻元件180也可以重叠于波导140的至少一部分上。电阻元件180也可以在能够使波导140的温度变化的范围内，在俯视基板时与波导140不重叠。
电阻元件180例如可以由氮化钛(TiN)作为材料构成。电阻元件180不限于TiN，还可以使用适合于在基板上形成波导140的工艺的其他各种导电材料构成。
波长合波分波元件可以通过使电流流过电阻元件180来使波导140的至少一部分的温度变化。通过波导140的至少一部分的温度变化，波导140的至少一部分的折射率变化。通过波导140的至少一部分的折射率变化，波长合波分波元件的波长特性发生变化。因此，波长合波分波元件通过使波导140的至少一部分的温度变化，能够使波长合波分波元件的波长特性变化。波长合波分波元件的波长特性可能受到制造公差或周围环境的影响而出现偏差。波长合波分波元件通过具有电阻元件180，能够补偿波长特性的偏差。
具体而言，如图25A和图25B所示，波长合波分波元件的波长特性根据电阻元件180的功耗而变化。图25A表示波长合波分波元件的波导140为带状线型的情况的波长合波分波元件的波长特性。图25B表示波长合波分波元件的波导140为脊型的情况的波长合波分波元件的波长特性。在图25A和图25B中，横轴表示波长。波长单位为nm(纳米)。纵轴表示功率。功率单位为dBm(分贝毫瓦)。纵轴的值越大(图表的标绘点越高)，损耗越小。
在图25A及图25B中，实线的图表表示电阻元件180的功耗为0mW(毫瓦)的情况的波长特性。即，实线的图表表示在电阻元件180中没有流过电流的情况的波长特性。虚线的图表表示电阻元件180的功耗为10mW(毫瓦)的情况的波长特性。点划线的图表表示电阻元件180的功耗为20mW(毫瓦)的情况的波长特性。双点划线的图表表示电阻元件180的功耗为30mW(毫瓦)的情况的波长特性。如图25A及图25B所示，根据电阻元件180的功耗来调整波长合波分波元件的波长特性。波长合波分波元件可以根据制造公差或周围环境来决定流过电阻元件180的电流。
虽然已经根据附图和实施例说明了本公开的实施方式，但是应当注意，本领域技术人员可以根据本公开进行各种变形或改变。因此，应注意，这些变形或改变均包含在本公开的范围内。例如，各结构部等所包含的功能等能够以逻辑上不矛盾的方式重新配置，能够将复数个结构部等组合成一个或进行分割。应理解，本公开的范围也包括这些情况。
在本公开中，“第一”和“第二”等记载是用于区分该结构的识别符。由本公开中的“第一”和“第二”等记载区分的结构可以更换该结构中的编号。例如，第一元件831-1可以与第二元件831-2更换作为识别符的“第一”和“第二”。识别符的更换同时进行。在更换标识符之后，仍可区分该结构。也可以删除识别符。删除识别符的结构用附图标记来区分。不应仅基于本公开中的“第一”和“第二”等识别符的记载来用于该结构的顺序的解释、较小编号的识别符存在的依据。
在本公开中，X轴、Y轴和Z轴是为了便于说明而设置的，可以相互更换。使用由X轴、Y轴和Z轴构成的正交坐标系说明了本公开的结构。本公开的各结构的位置关系并不限于在正交关系中。
在一个实施方式中，(1)一种光集成电路，具有波长合波分波元件，该波长合波分波元件具有方向性耦合器和延迟线，所述波长合波分波元件以多级级联地连接。
(2)在上述(1)所述的光集成电路中，所述波长合波分波元件可以以四级连接。
(3)在上述(1)或(2)所述的光集成电路中，在第二级之后连接的所述波长合波分波元件可以在所述方向性耦合器的直通侧具有输出端口。
(4)在上述(1)至(3)中任一项所述的光集成电路中，所述波长合波分波元件以N级连接的第一复合元件和所述波长合波分波元件以M级连接的第二复合元件可以级联地连接。
(5)在上述(4)所述的光集成电路中，从第二级到第N级或从第N+2级到第N+M级连接的所述波长合波分波元件可以在所述方向性耦合器的直通侧具有输出端口。
(6)上述(1)至(5)中任一项所述的光集成电路可以通过硅光子技术形成。
(7)在上述(1)至(6)中任一项所述的光集成电路中，所述波长合波分波元件可以具有位于基板上的波导和构成为使所述波导的至少一部分的温度变化的电阻元件。
(8)在上述(7)所述的光集成电路中，在俯视所述基板时，所述电阻元件的至少一部分重叠于所述波导的至少一部分上。
(9)在上述(7)或(8)所述的光集成电路中，所述电阻元件可以构成为包含氮化钛。
在一个实施方式中，(10)一种光接收器，具有上述(1)至(9)中任一项所述的光集成电路。
附图标记的说明：
1：光接收器(81：输入部、82：偏振光分束旋转器(PSR)、822：偏振光分束器(PS)、83：分波器(DEMUX)、831-1～3：第一组的第一元件～第三元件、832-1～6：第二组的第一元件～第六元件、84：延迟器、85：可变光衰减器(VOA))
10：光电二极管
140：波导
150：基板(151：绝缘层、152：包覆层)
170：延迟线
180：电阻元件

Claims (10)

1.一种光集成电路，其中，
具有波长合波分波元件，所述波长合波分波元件具有方向性耦合器和延迟线，所述波长合波分波元件以多级级联地连接。
2.根据权利要求1所述的光集成电路，其中，
所述波长合波分波元件以四级连接。
3.根据权利要求1所述的光集成电路，其中，
在第二级之后连接的所述波长合波分波元件在所述方向性耦合器的直通侧具有输出端口。
4.根据权利要求1所述的光集成电路，其中，
所述波长合波分波元件以N级连接的第一复合元件和所述波长合波分波元件以M级连接的第二复合元件级联地连接。
5.根据权利要求4所述的光集成电路，其中，
在从第二级到第N级或从第N+2级到第N+M级连接的所述波长合波分波元件在所述方向性耦合器的直通侧具有输出端口。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的光集成电路，其中，
所述集成电路由硅光子技术形成。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的光集成电路，其中，
所述波长合波分波元件具有位于基板上的波导和构成为使所述波导的至少一部分的温度变化的电阻元件。
8.根据权利要求7所述的光集成电路，其中，
在俯视所述基板时，所述电阻元件的至少一部分重叠于所述波导的至少一部分上。
9.根据权利要求8所述的光集成电路，其中，
所述电阻元件构成为包含氮化钛。
10.一种光接收器，具有权利要求1～5中任一项所述的光集成电路。
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