[go: up one dir, main page]

CN119511175A - 一种集成电路标准样片及其测试方法 - Google Patents

一种集成电路标准样片及其测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN119511175A
CN119511175A CN202411671913.6A CN202411671913A CN119511175A CN 119511175 A CN119511175 A CN 119511175A CN 202411671913 A CN202411671913 A CN 202411671913A CN 119511175 A CN119511175 A CN 119511175A
Authority
CN
China
Prior art keywords
analog
digital
integrated circuit
standard
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202411671913.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN119511175B (zh
Inventor
薄涛
张宇博
郑锋
罗锦晖
张骋
刘文捷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
709th Research Institute of CSSC
Original Assignee
709th Research Institute of CSSC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 709th Research Institute of CSSC filed Critical 709th Research Institute of CSSC
Priority to CN202411671913.6A priority Critical patent/CN119511175B/zh
Publication of CN119511175A publication Critical patent/CN119511175A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN119511175B publication Critical patent/CN119511175B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R35/00Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
    • G01R35/005Calibrating; Standards or reference devices, e.g. voltage or resistance standards, "golden" references

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本申请属于微电子计量测试领域,具体公开了一种集成电路标准样片及其测试方法,标准样片包括:基板,以及贴装于所述基板顶面的系统级芯片SoC、模数转换器、数模转换器、基准源以及数据选择器;所述系统级芯片SoC,用于控制标准信号的输出、采集及反馈控制;所述模数转换器,用于实现标准信号的采集及闭环反馈;所述数模转换器,用于实现标准信号的输出及闭环反馈;所述基准源,用于提供模数转换器的基准电压和数模转换器的基准电压;所述数据选择器,用于实现数据测试系统的通道切换,以实现通过单个标准样片的多通道测试。通过本申请,可提高集成电路测试系统的测试工作效率。

Description

一种集成电路标准样片及其测试方法
技术领域
本申请属于微电子计量测试领域,更具体地,涉及一种集成电路标准样片及其测试方法。
背景技术
集成电路测试系统作为集成电路制造过程封测环节中的核心量测设备,在集成电路性能测试、良率提升、鉴定定型等方面发挥着极其重要的作用,广泛应用于半导体封测公司、科研院所、高校等单位。从其功能分为数字集成电路测试系统、模拟集成电路测试系统、混合集成电路测试系统以及SoC集成电路测试系统。根据测试内容可分为功能测试、结构测试以及参数测试,参数测试主要分为直流参数和交流参数测试。集成电路测试系统其性能是否良好将直接影响集成电路的生产,因此必须定期对其进行校准,以确保集成电路测试系统在使用期间,其性能满足使用要求。
目前针对集成电路测试系统的校准方法主要有以下三种:第一种是通过购置设备厂家的集成电路测试系统校准装置,定期对设备进行校准,存在的问题是厂家的校准装置体积庞大,通常由几台仪表搭建而成,体积庞大,在开展校准工作时费时费力;第二种是通过自研校准装置,从测试面的测试通道对测试系统开展校准工作,存在的是问题是大型的集成电路测试系统的测试通道少则几百个多则几千个,并不适用于实际开展校准工作;第三种是通过研究参数标准的方式实现,虽然在装置体积上极大程度上减小,实现了原位计量,但同样存在多通道校效率低的问题。
综上所述,当前集成电路测试系统计量方法存在校准装置体积大、工作效率低,无法满足集成电路测试系统多通道校准的问题。
发明内容
针对现有技术的缺陷,本申请的目的在于提供一种集成电路标准样片及其测试方法,旨在解决目前的集成电路测试系统计量方法的工作效率低的问题。
本申请提供一种集成电路标准样片,包括:基板,以及贴装于所述基板顶面的系统级芯片SoC、模数转换器、数模转换器、基准源以及数据选择器;
所述系统级芯片SoC,用于控制标准信号的输出、采集及反馈控制;
所述模数转换器,用于实现标准信号的采集及闭环反馈;
所述数模转换器,用于实现标准信号的输出及闭环反馈;
所述基准源,用于提供模数转换器的基准电压和数模转换器的基准电压;
所述数据选择器,用于实现数据测试系统的通道切换,以实现通过单个标准样片的多通道测试。
本申请将模数转换器AD、数模转换器DA、基准源Source、系统级芯片SoC等多个功能模块集成在同一基板上,减少了外部连接的复杂性,降低了信号传输延迟,提高了整体工作效率,并且数据选择器的引入使得多通道测试变得更加灵活,可以通过单个标准样片实现不同通道的切换,减少了测试设备的数量和复杂性,从而提高了测试效率。
可选地,所述基板的顶面上贴装有转接板,所述转接板通过焊球与所述基板连接;
所述模数转换器、数模转换器以及基准源采用3D堆叠方式形成第一组件,贴装于所述转接板上,所述模数转换器、数模转换器以及基准源的引脚均通过转接板于所述系统级芯片SoC互联。
可选地,多个数据选择器通过3D堆叠方式形成第二组件,贴装在所述转接板上,所述数据选择器的引脚通过转接板与系统级芯片SoC互联,所述数据选择器的其他引脚通过焊球与所述基板连接。
可选地,还包括分区设置的散热板,散热板与所述第一组件、系统级芯片SoC之间均设有导热胶;
所述数据选择器设置于散热板的侧面,以独立于模数转换器、数模转换器以及基准源的方式排列。
本申请的散热板的设计有效地管理了器件的热量,避免了因过热导致的性能下降,确保系统在高负载下依然能够高效运行,提升了工作稳定性。
可选地,所述模数转换器与系统级芯片SoC配合,具体用于:
采集高精度的标准信号;
基于所述标准信号实现集成电路测试系统的直流参数精密测量单元的加压测压、加压测流、加流测流、加流测压参数以及电源板卡的校准。
可选地,所述数模转换器与系统级芯片SoC配合,具体用于:
输出高精度的标准信号,以基于所述标准信号实现集成电路测试系统的直流参数电压、电流测量功能的校准。
本申请的模数转换器和数模转换器的闭环反馈功能能够实时监测和调整信号,使得系统对标准信号采集和输出的精度和稳定性得到了增强,提高了测试系统的整体性能和响应速度,确保系统在工作过程中能够快速响应变化,提高了系统的动态性能和工作效率。
可选地,所述基板的顶面用于贴装裸芯片,所述基板的底面设有锡球,用于引入信号;
各裸芯片之间通过硅通孔连接,所述硅通孔用于进行各裸芯片之间的信号传输。
可选地,所述基板的顶面还用于贴装有源器件以及无源器件,基于所述有源器件或无源器件搭建滤波电路以提高信号在传输过程中的信号干扰。
可选地,通过BGA形式进行封装,以减小芯片面积。
本申请还提供一种标准样片测试方法,包括:
对标准样片在常温下进行初步测量,记录基本性能参数;
将标准样片置于特定温度下进行烘培,评估在高温条件下的稳定性;
对标准样片进行温度循环测试,将标准样片在高低温之间转换,以观察性能变化和耐受能力;
在加速老化环境下运行标准样片,评估长期使用的可靠性;
对标准样片进行检漏测试,以确保在使用过程中无泄漏现象;
对所有试验结果进行重复性测试,并对已完成的筛选试验结果进行综合分析,评估标准样片的长期稳定性。
第三方面,本申请提供一种电子设备,包括:至少一个存储器,用于存储程序;至少一个处理器,用于执行存储器存储的程序,当存储器存储的程序被执行时,处理器用于执行第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所描述的方法。
第四方面,本申请提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有计算机程序,当计算机程序在处理器上运行时,使得处理器执行第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所描述的方法。
第五方面,本申请提供一种计算机程序产品,当计算机程序产品在处理器上运行时,使得处理器执行第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所描述的方法。
可以理解的是,上述第二方面至第五方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述,在此不再赘述。
总体而言,通过本申请所构思的以上技术方案与现有技术相比,具有以下有益效果:
(1)本申请将模数转换器AD、数模转换器DA、基准源Source、系统级芯片SoC等多个功能模块集成在同一基板上,减少了外部连接的复杂性,降低了信号传输延迟,提高了整体工作效率,并且数据选择器的引入使得多通道测试变得更加灵活,可以通过单个标准样片实现不同通道的切换,减少了测试设备的数量和复杂性,从而提高了测试效率。
(2)本申请的模数转换器和数模转换器的闭环反馈功能能够实时监测和调整信号,使得系统对标准信号采集和输出的精度和稳定性得到了增强,提高了测试系统的整体性能和响应速度,确保系统在工作过程中能够快速响应变化,提高了系统的动态性能和工作效率。
(3)本申请的散热板的设计有效地管理了器件的热量,避免了因过热导致的性能下降,确保系统在高负载下依然能够高效运行,提升了工作稳定性。
(4)本申请通过采用chiplet技术研制的集成电路测试系统标准样片,可针对集成电路测试系统精密测试单元中的加压测压、加压测流、加流测流、加流测压、电源板卡以及电压、电流测量等功能实现校准,实现集成电路测试系统校准装置芯片化、小型化、提升计量效率,实现校准通道数量大幅提升,并且通过采用闭环控制方式,缩短信号传输线路以提升标准样片测量精度。
附图说明
图1是本申请实施例提供的标准样片的完整结构示意图;
图2是本申请实施例提供的AD、DA、Source和转接板的连接示意图;
图3是本申请实施例提供的数据连接器和转接板的连接示意图;
图4是本申请实施例提供的Source裸芯片和转接板的连接示意图;
图5是本申请实施例提供的AD裸芯片和转接板的连接示意图;
图6是本申请实施例提供的DA裸芯片和转接板的连接示意图;
图7是本申请实施例提供的数据选择器裸芯片和转接板的连接示意图;
图8是本申请实施例提供的标准样片测试方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
本文中术语“和/或”,是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。本文中符号“/”表示关联对象是或者的关系,例如A/B表示A或者B。
本文中的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象,而不是用于描述对象的特定顺序。例如,第一响应消息和第二响应消息等是用于区别不同的响应消息,而不是用于描述响应消息的特定顺序。
在本申请实施例中,“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
在本申请实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是指两个或者两个以上,例如,多个处理单元是指两个或者两个以上的处理单元等;多个元件是指两个或者两个以上的元件等。
接下来,对本申请实施例中提供的技术方案进行介绍。
本申请提供一种集成电路标准样片,包括:基板,以及贴装于所述基板顶面的系统级芯片SoC、模数转换器、数模转换器、基准源以及数据选择器;
所述系统级芯片SoC,用于控制标准信号的输出、采集及反馈控制;
所述模数转换器,用于实现标准信号的采集及闭环反馈;
所述数模转换器,用于实现标准信号的输出及闭环反馈;
所述基准源,用于提供模数转换器的基准电压和数模转换器的基准电压;
所述数据选择器,用于实现数据测试系统的通道切换,以实现通过单个标准样片的多通道测试。
进一步地,所述模数转换器与系统级芯片SoC配合,具体用于:
采集高精度的标准信号;
基于所述标准信号实现集成电路测试系统的直流参数精密测量单元的加压测压、加压测流、加流测流、加流测压参数以及电源板卡的校准。
可选地,所述数模转换器与系统级芯片SoC配合,具体用于:
输出高精度的标准信号,以基于所述标准信号实现集成电路测试系统的直流参数电压、电流测量功能的校准。
具体地,参照图1,图1是标准样片的完整结构示意图,集成电路标准样片主要由基板1、第一组件2(包括AD、DA、Source)、SoC3、数据选择器4、散热板5、导热胶6以及锡球7组成。
本实施例中基板是整个标准样片的基础,结构设计用于承载各种集成电路元件。基板的顶面用于贴装系统级芯片SoC、模数转换器、数模转换器、基准源和数据选择器等元件,同时底面设有锡球以实现信号引入。
基板上的裸芯片(未封装的芯片)之间通过硅通孔连接,允许信号在各裸芯片间高效传输。
系统级芯片SoC,主要负责控制标准信号的输出、采集和反馈控制,整合了系统的控制逻辑,提高了信号处理的效率和可靠性。
模数转换器和数模转换器,模数转换器用于高精度的标准信号采集,并实现闭环反馈,确保信号的准确性。数模转换器输出高精度标准信号,用于测试系统的直流参数校准。
基准源为模数和数模转换器提供稳定的基准电压,确保信号处理和转换的准确性。
数据选择器能够实现多通道测试的通道切换,能够根据需要选择不同的测试信号路径,提高了测试灵活性和效率。
可选地,所述基板的顶面上贴装有转接板,所述转接板通过焊球与所述基板连接;
所述模数转换器、数模转换器以及基准源采用3D堆叠方式形成第一组件,贴装于所述转接板上,所述模数转换器、数模转换器以及基准源的引脚均通过转接板于所述系统级芯片SoC互联。
进一步地,多个数据选择器通过3D堆叠方式形成第二组件,贴装在所述转接板上,所述数据选择器的引脚通过转接板与系统级芯片SoC互联,所述数据选择器的其他引脚通过焊球与所述基板连接。
更进一步地,还包括分区设置的散热板,散热板与所述第一组件、系统级芯片SoC之间均设有导热胶;
所述数据选择器设置于散热板的侧面,以独立于模数转换器、数模转换器以及基准源的方式排列。
参照图2,图2是AD、DA、Source和转接板的连接示意图;
转接板8通过焊球9和基板连接,第一组件的Source 21、AD22、DA23分别以3D堆叠的形式贴装于转接板8上,转接板上海设置有电容10和滤波器11;硅通孔12设置于第一组件上。
参照图3,图3是数据连接器和转接板的连接示意图;
转接板8通过焊球9和基板连接,数据选择器4通过3D堆叠的方式贴装于转接板8上,硅通孔12设置于数据选择器4上。
本实施例中的AD、DA、Source以及数据选择器通过3D堆叠的技术,并贴装在转接板上,相关引脚通过转接板与SoC互联,其余引脚通过基板引出焊球,多颗选择器通过3D堆叠的技术贴装在转接板上,相关引脚通过转接板与SoC互联,其余引脚通过基板引出焊球,通过该结构实现标准样片多通道测试功能,采用了分区独立散热的方式针对功耗大的SoC与AD/DA采用导热胶与散热盖板。
具体地,本实施例中的第一组件由模数转换器、数模转换器和基准源构成,采用3D堆叠方式,贴装于转接板上。第二组件由多个数据选择器堆叠而成,独立装配于转接板上,以便于在复杂信号环境中进行有效的信号切换。
一方面,将模数转换器、数模转换器以及基准源采用3D堆叠技术,最大化空间利用率,同时确保各个组件之间的短路径信号连接和高效传输。堆叠设计使得AD、DA和Source之间的信号传递更加快速和稳定,减少了信号延迟和干扰。
转接板负责将AD、DA和Source的相关引脚与系统级芯片(SoC)进行互联,实现信号的转换、处理和传输。转接板的设计确保了电气连接的可靠性和信号完整性。转接板允许选择不同的信号源和路径,在进行多通道测试时,能够灵活地切换信号状态。
另一方面,多个数据选择器同样通过垂直堆叠的方式实现,节省板上空间并提高信号传输效率。堆叠结构允许在有限的空间内集成更多的选择器,增强了系统的功能。每个选择器的引脚通过转接板与系统级芯片(SoC)进行互联,从而实现信号的灵活切换和管理。
转接板在选择器和SoC之间形成电气连接,确保不同信号路径的有效传递。每个选择器可以选择不同的信号源,以便于多通道测试。转接板的设计经过优化,以减少信号干扰和传输延迟,保障各选择器之间的信号清晰度。
并且,选择器和转接板的其余引脚通过基板引出焊球,与外部电路连接。焊球提供了可靠的物理和电气连接,确保信号能够高效传递至外部测试设备。本实施例的结构支持同时对多个通道进行测试,通过快速切换选择器,可以实现对不同信号路径的实时监测和控制,满足复杂测试需求。且3D堆叠技术充分利用垂直空间,提高了集成度,减少了整体系统的占用面积。
散热板的设计考虑到热管理问题,通过导热胶与第一组件及SoC连接,降低运营温度,防止过热保护器件性能。数据选择器侧面设置有散热板,以确保不影响其他模块的温度管理。
散热板的分区设计对不同组件(例如模数转换器、数模转换器和基准源)进行分类,有助于优化各个模块的散热性能。每个分区可以根据其功耗和热量产生情况进行适当设计,从而确保在高负载情况下,各组件能保持适宜的工作温度。
散热板与第一组件以及系统级芯片(SoC)之间均使用导热胶,以增强热传导性能,确保热量能够快速有效地从元器件传导至散热板。通过该结构设计可以降低因温度过高而导致的性能下降或故障风险。
数据选择器被设置于散热板的侧面,独立于模数转换器、数模转换器以及基准源,有助于更好地隔离信号,减少可能的干扰,保持信号完整性。
本实施例通过使用散热板分区和导热胶,系统在高负载场景下的热管理能力显著提升。这将有助于延长组件寿命,提高系统稳定性,降低由于过热导致的故障概率。组件的独立设置不仅优化了散热与信号处理,还增加了系统的可扩展性与灵活性。
可选地,所述基板的顶面用于贴装裸芯片,所述基板的底面设有锡球,用于引入信号;
各裸芯片之间通过硅通孔连接,所述硅通孔用于进行各裸芯片之间的信号传输。硅通孔通过硅晶片钻孔并填充导电材料(如铜或铝)形成的垂直通道,允许信号和电力在不同层之间传递。因此,硅通孔具有实际的物理形态,是集成电路中实现高密度互连的重要组成部分。
参照图4-图7,图4是Source裸芯片和转接板的连接示意图;
Source21裸芯片通过硅通孔12与转接板8连接。
图5是AD裸芯片和转接板的连接示意图;
AD22裸芯片通过硅通孔12与转接板8连接。
图6是DA裸芯片和转接板的连接示意图;
DA23裸芯片通过硅通孔12与转接板8连接;
图7是数据选择器裸芯片和转接板的连接示意图;
数据选择器4裸芯片通过硅通孔12与转接板8连接。
本实施例中的裸芯片即裸die,指的是尚未封装的集成电路芯片。通常是一块经过晶圆制造过程处理的硅片,包含电路和功能,但没有任何外部封装保护。
裸die的特点如下所示:
直接裸露的芯片:由于没有封装,裸die直接露在外面,可以进行更高密度的排列和更有效的热管理。
连接方式:在制造过程中,这些裸die可以通过焊接或粘接的方式直接安装到基板上,通常使用焊球或导电胶。
应用场景:裸die广泛应用于高性能和高频率的电子设备中,如RFID、通信设备、微处理器和传感器等。
优势:使用裸die可以减小体积、减轻重量和提高信号传输速度,同时降低封装成本和延迟。
通过直接在基板上贴装裸die,能够实现更紧凑的设计和更高的集成度。
可选地,所述基板的顶面还用于贴装有源器件以及无源器件,基于所述有源器件或无源器件搭建滤波电路以提高信号在传输过程中的信号干扰。
具体地,基板的顶面用于贴装有源器件(如放大器、振荡器等)和无源器件(如电阻、电容等)。该设计使得信号处理和滤波电路能够紧凑地集成在一起,减少了信号传输的路径长度,从而降低了信号损失和干扰。
基于有源器件和无源器件搭建的滤波电路能够有效抑制信号在传输过程中的干扰。滤波电路可以选择性地通过特定频率的信号,阻止不必要的噪声和干扰信号,从而提高系统的信号质量。通过合理选择有源和无源器件,可以根据具体应用需求设计不同类型的滤波电路(如低通、高通、带通等),以适应不同的信号处理需求。
并且,散热板与有源器件的结合,确保在高负载情况下,器件能够有效散热,防止过热导致性能下降。导热胶的使用进一步增强了散热效果,确保信号处理的稳定性。通过将有源和无源器件集成在同一基板上,系统的整体集成度得以提升,减少了外部连接的复杂性。
本实施例通过在基板顶面贴装有源和无源器件,搭建滤波电路,有效提高了信号在传输过程中的抗干扰能力。同时,结合散热管理和数据选择器的独立布置,整体系统在性能、稳定性和灵活性方面展现出显著优势。
进一步地,通过BGA形式进行封装,以减小芯片面积。
本实施例通过BGA封装形式的采用减小了芯片面积,有助于提高布局密度,并降低信号传输过程中的干扰。基于有源器件和无源器件搭建的滤波电路显著提高了信号在传输过程中的抗干扰能力,提升了系统的整体性能。
本实施例通过BGA(球栅阵列)形式进行封装,可以有效减小芯片面积,提升集成度和性能。BGA封装通过将焊球直接布置在芯片底部,减少了传统引脚封装所需的空间,从而有效减小了整体芯片的占用面积,并且BGA封装的设计有助于热量的快速散发,配合散热板的使用,可以有效管理芯片在工作时产生的热量,确保系统稳定运行。
本申请还提供一种标准样片测试方法,包括:
对标准样片在常温下进行初步测量,记录基本性能参数;
将标准样片置于特定温度下进行烘培,评估在高温条件下的稳定性;
对标准样片进行温度循环测试,将标准样片在高低温之间转换,以观察性能变化和耐受能力;
在加速老化环境下运行标准样片,评估长期使用的可靠性;
对标准样片进行检漏测试,以确保在使用过程中无泄漏现象;
对所有试验结果进行重复性测试,并对已完成的筛选试验结果进行综合分析,评估标准样片的长期稳定性。
参照图8,本实施例对标准样片进行常温初测、筛选试验、三温测量。其中筛选试验包括稳定性烘培、温度循环、老炼试验、检漏等,所有筛选试验参照国家或国防的标准进行然后对其进行重复性、稳定性考核,最终筛选出满足要求的集成电路测试系统标准样片。
可以理解的是,在本申请实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分,并不用来限制本申请的实施例的范围。
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种集成电路标准样片,其特征在于,包括:基板,以及贴装于所述基板顶面的系统级芯片SoC、模数转换器、数模转换器、基准源以及数据选择器;
所述系统级芯片SoC,用于控制标准信号的输出、采集及反馈控制;
所述模数转换器,用于实现标准信号的采集及闭环反馈;
所述数模转换器,用于实现标准信号的输出及闭环反馈;
所述基准源,用于提供模数转换器的基准电压和数模转换器的基准电压;
所述数据选择器,用于实现数据测试系统的通道切换,以实现通过单个标准样片的多通道测试。
2.根据权利要求1所述的集成电路标准样片,其特征在于,所述基板的顶面上贴装有转接板,所述转接板通过焊球与所述基板连接;
所述模数转换器、数模转换器以及基准源采用3D堆叠方式形成第一组件,贴装于所述转接板上,所述模数转换器、数模转换器以及基准源的引脚均通过转接板于所述系统级芯片SoC互联。
3.根据权利要求2所述的集成电路标准样片,其特征在于,多个数据选择器通过3D堆叠方式形成第二组件,贴装在所述转接板上,所述数据选择器的引脚通过转接板与系统级芯片SoC互联,所述数据选择器的其他引脚通过焊球与所述基板连接。
4.根据权利要求2所述的集成电路标准样片,其特征在于,还包括分区设置的散热板,散热板与所述第一组件、系统级芯片SoC之间均设有导热胶;
所述数据选择器设置于散热板的侧面,以独立于模数转换器、数模转换器以及基准源的方式排列。
5.根据权利要求1所述的集成电路标准样片,其特征在于,所述模数转换器与系统级芯片SoC配合,具体用于:
采集高精度的标准信号;
基于所述标准信号实现集成电路测试系统的直流参数精密测量单元的加压测压、加压测流、加流测流、加流测压参数以及电源板卡的校准。
6.根据权利要求1所述的集成电路标准样片,其特征在于,所述数模转换器与系统级芯片SoC配合,具体用于:
输出高精度的标准信号,以基于所述标准信号实现集成电路测试系统的直流参数电压、电流测量功能的校准。
7.根据权利要求1所述的集成电路标准样片,其特征在于,所述基板的顶面用于贴装裸芯片,所述基板的底面设有锡球,用于引入信号;
各裸芯片之间通过硅通孔连接,所述硅通孔用于进行各裸芯片之间的信号传输。
8.根据权利要求1所述的集成电路标准样片,其特征在于,所述基板的顶面还用于贴装有源器件以及无源器件,基于所述有源器件或无源器件搭建滤波电路以提高信号在传输过程中的信号干扰。
9.根据权利要求1所述的集成电路标准样片,其特征在于,通过BGA形式进行封装,以减小芯片面积。
10.一种基于权利要求1-9任一项所述集成电路标准样片实现的标准样片测试方法,其特征在于,包括:
对标准样片在常温下进行初步测量,记录基本性能参数;
将标准样片置于特定温度下进行烘培,评估在高温条件下的稳定性;
对标准样片进行温度循环测试,将标准样片在高低温之间转换,以观察性能变化和耐受能力;
在加速老化环境下运行标准样片,评估长期使用的可靠性;
对标准样片进行检漏测试,以确保在使用过程中无泄漏现象;
对所有试验结果进行重复性测试,并对已完成的筛选试验结果进行综合分析,评估标准样片的长期稳定性。
CN202411671913.6A 2024-11-21 2024-11-21 一种集成电路标准样片及其测试方法 Active CN119511175B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202411671913.6A CN119511175B (zh) 2024-11-21 2024-11-21 一种集成电路标准样片及其测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202411671913.6A CN119511175B (zh) 2024-11-21 2024-11-21 一种集成电路标准样片及其测试方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN119511175A true CN119511175A (zh) 2025-02-25
CN119511175B CN119511175B (zh) 2025-09-26

Family

ID=94658968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202411671913.6A Active CN119511175B (zh) 2024-11-21 2024-11-21 一种集成电路标准样片及其测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN119511175B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768189B1 (en) * 2003-06-04 2004-07-27 Northrop Grumman Corporation High power chip scale package
CN203369033U (zh) * 2013-07-22 2013-12-25 贵州航天电子科技有限公司 一种密闭空间内集成电路的散热器
WO2018163021A1 (en) * 2017-03-07 2018-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ic, driver ic, display system, and electronic device
CN114899164A (zh) * 2022-04-28 2022-08-12 合肥悦芯半导体科技有限公司 一种均热散热器和半导体测试设备
CN115801026A (zh) * 2022-11-29 2023-03-14 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 一种三维异构集成软件定义微系统架构
CN219891357U (zh) * 2023-04-17 2023-10-24 西安泽荃半导体科技有限公司 一种可编程调节精密输出电路、负载连接电路及测试基板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768189B1 (en) * 2003-06-04 2004-07-27 Northrop Grumman Corporation High power chip scale package
CN203369033U (zh) * 2013-07-22 2013-12-25 贵州航天电子科技有限公司 一种密闭空间内集成电路的散热器
WO2018163021A1 (en) * 2017-03-07 2018-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ic, driver ic, display system, and electronic device
CN114899164A (zh) * 2022-04-28 2022-08-12 合肥悦芯半导体科技有限公司 一种均热散热器和半导体测试设备
CN115801026A (zh) * 2022-11-29 2023-03-14 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 一种三维异构集成软件定义微系统架构
CN219891357U (zh) * 2023-04-17 2023-10-24 西安泽荃半导体科技有限公司 一种可编程调节精密输出电路、负载连接电路及测试基板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘文捷等: "微电子标准样片制备研究", 《第五届中国测试学术会议论文集》, 1 May 2008 (2008-05-01), pages 424 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN119511175B (zh) 2025-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7119433B2 (en) Packaging for enhanced thermal and structural performance of electronic chip modules
US7138711B2 (en) Intrinsic thermal enhancement for FBGA package
US20030221313A1 (en) Method for making stacked integrated circuits (ICs) using prepackaged parts
US6127726A (en) Cavity down plastic ball grid array multi-chip module
CN113540777B (zh) 基于有源aip单元的平板相控阵天线架构
CN101814443A (zh) 一种带光接口的高性能处理器多芯片组件芯片设计方法
CN111312703B (zh) 三维立体混合集成电路封装结构及装配方法
CN119511175B (zh) 一种集成电路标准样片及其测试方法
CN113671444B (zh) 基于fpga的雷达回波信号采集/回放微系统电路芯片
CN109740298B (zh) 一种系统级封装芯片的结温预测方法
Wojnarowski et al. Three dimensional hybrid wafer scale integration using the GE high density interconnect technology
JP2023552737A (ja) 電子コンポーネントおよび電子デバイス
JP2021119630A (ja) チップパッケージ構造及び電子機器
CN113534057A (zh) 基于三维堆叠的mimo雷达微系统电路芯片
US20230317705A1 (en) Thin client form factor assembly
CN117148770A (zh) 一种高性能信号采集系统级芯片封装及数据采集方法
CN117825914A (zh) 一种用于多热源集成电路的封装热测试系统
CN213635986U (zh) 一种基于FPGA与DSP高性能通用数字信号处理SiP电路
He et al. Design and implementation of a 700–2,600 MHz RF SiP module for micro base station
Jinyuan et al. Study on predicting the temperature of stacked chip based on thermal resistance matrix
CN112599518A (zh) 一种高性能通用数字信号处理SiP电路
Pang Assessment of thermal behavior and development of thermal design guidelines for integrated power electronics modules
JPH04234157A (ja) 高メモリ密度パッケージ
US20250265220A1 (en) Multi-chip module package technology for advanced driver assistance system application
Cao et al. PoP RF SiP Design Case

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant