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CN116406242A - 减少成像系统中的特征影响的成像方法 - Google Patents

减少成像系统中的特征影响的成像方法 Download PDF

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CN116406242A
CN116406242A CN202180063097.9A CN202180063097A CN116406242A CN 116406242 A CN116406242 A CN 116406242A CN 202180063097 A CN202180063097 A CN 202180063097A CN 116406242 A CN116406242 A CN 116406242A
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CN
China
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radiation detector
marker
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CN202180063097.9A
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曹培炎
刘雨润
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Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
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Abstract

本文公开了一种方法，所述方法包括：逐一捕获场景的M个局部图像，其中，所述场景包括物体、标记和特征，其中，所述特征不是所述物体的一部分，其中，所述标记和所述特征相对于所述物体是静止的，其中，所述标记的图像在所述M个局部图像的标记局部图像中，其中，所述特征的图像在所述M个局部图像的特征局部图像中，并且其中，M是大于1的整数；基于(A)所述标记的所述图像的位置和(B)所述特征相对于所述标记的位置来定位所述特征的所述图像；并且改变所述特征的所述图像以减少所述特征的影响。

Description

减少成像系统中的特征影响的成像方法
【背景技术】
辐射检测器是一种测量辐射性质的装置。性质的示例可以包括辐射的强度、相位和偏振的空间分布。辐射可以是已经与物体相互作用的辐射。例如，由辐射检测器测量的辐射可以是已经穿透物体的辐射。辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射也可以是其它类型，例如α射线和β射线。成像系统可以包括一个或多个图像传感器，每个图像传感器可以具有多个辐射检测器。
【发明内容】
本文公开了一种方法，所述方法包括：逐一捕获场景的M个局部图像，其中，所述场景包括物体、标记和特征，其中，所述特征不是所述物体的一部分，其中，所述标记和所述特征相对于所述物体是静止的，其中，所述标记的图像在所述M个局部图像的标记局部图像中，其中，所述特征的图像在所述M个局部图像的特征局部图像中，并且其中，M是大于1的整数；基于(A)所述标记的所述图像的位置和(B)所述特征相对于所述标记的位置来定位所述特征的所述图像；并且改变所述特征的所述图像以减少所述特征的影响。
在一方面，所述定位所述特征的所述图像包括：基于(A)所述标记的所述图像在所述标记局部图像中的位置，(B)所述特征相对于所述标记的所述位置，以及(C)在辐射检测器捕获所述特征局部图像时的所述辐射检测器相对于在辐射检测器捕获所述标记局部图像时的所述辐射检测器的位置的位置来定位所述特征局部图像中的所述特征的所述图像。
在一方面，所述方法还包括拼接所述M个局部图像，从而得到所述场景的拼接图像。
在一方面，所述定位所述特征的所述图像包括：基于(A)所述标记的所述图像在所述拼接图像中的所述位置，以及(B)所述特征相对于所述标记的所述位置来定位所述拼接图像中的所述特征的所述图像。
在一方面，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第一局部图像。
在一方面，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第二局部图像。
在一方面，所述逐一捕获所述M个局部图像包括使用辐射检测器来捕获所述M个局部图像。
在一方面，所述逐一捕获M个局部图像还包括：使所述辐射检测器沿直线无折返地平移通过所述辐射检测器分别捕获所述M个局部图像的M个位置。
在一方面，所述标记和所述特征在所述物体与所述辐射检测器之间。
在一方面，所述特征是在所述物体与所述辐射检测器之间的板的一部分，并且其中，所述板对于在所述辐射检测器中用于成像的辐射是透明的。
在一方面，所述改变所述特征的所述图像包括：将所述特征的所述图像的每个图像元素的强度值改变为所述每个图像元素预先指定的量或因子。
在一方面，所述逐一捕获所述M个局部图像包括对所述M个局部图像的每个局部图像使用X射线光子进行成像。
在一方面，所述标记局部图像不同于所述特征局部图像。
在一方面，所述标记局部图像与所述特征局部图像相同。
本文公开了一种成像系统，该成像系统包括辐射检测器，所述辐射检测器被配置为：逐一捕获场景的M个局部图像，其中，所述场景包括物体、标记和特征，其中，所述特征不是所述物体的一部分，其中，所述标记和所述特征相对于所述物体是静止的，其中，所述标记的图像在所述M个局部图像的标记局部图像中，其中，所述特征的图像在所述M个局部图像的特征局部图像中，并且其中，M是大于1的整数；基于(A)所述标记的所述图像的位置和(B)所述特征相对于所述标记的位置来定位所述特征的所述图像；并且改变所述特征的所述图像以减少所述特征的影响。
在一方面，所述辐射检测器还被配置为基于(A)所述标记局部图像中的所述标记的所述图像的所述位置，(B)所述特征相对于所述标记的所述位置，以及(C)在所述辐射检测器捕获所述特征局部图像时的所述辐射检测器相对于在所述辐射检测器捕获所述标记局部图像时的所述辐射检测器的位置的位置来定位所述特征局部图像中的所述特征的所述图像。
在一方面，所述辐射检测器还被配置为拼接所述M个局部图像，从而得到所述场景的拼接图像。
在一方面，所述辐射检测器还被配置为基于(A)所述标记的图像在所述拼接图像中的所述位置，以及(B)所述特征相对于所述标记的所述位置来定位所述拼接图像中的所述特征的所述图像。
在一方面，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第一局部图像。
在一方面，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第二局部图像。
在一方面，所述辐射检测器被配置为沿直线无折返地平移通过所述辐射检测器分别捕获所述M个局部图像的M个位置。
在一方面，所述标记和所述特征在所述物体与所述辐射检测器之间。
在一方面，所述特征是在所述物体与所述辐射检测器之间的板的一部分，并且其中，所述板对于在所述辐射检测器中用于成像的辐射是透明的。
在一方面，所述辐射检测器被配置为将所述特征的所述图像的每个图像元素的强度值改变为所述每个图像元素预先指定的量或因子。
在一方面，所述成像系统还包括辐射源，所述辐射源被配置为产生X射线光子，所述X射线光子由所述辐射检测器在捕获所述M个局部图像时使用。
在一方面，所述标记局部图像不同于所述特征局部图像。
在一方面，所述标记局部图像与所述特征局部图像相同。
本文公开了一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实现上述方法中的任一个。
【附图说明】
图1示意性地示出了根据实施例的辐射检测器。
图2示意性地示出了根据实施例的辐射检测器的简化剖视图。
图3示意性地示出了根据实施例的辐射检测器的详细剖视图。
图4示意性地示出了根据可替换实施例的辐射检测器的详细剖视图。
图5示意性地示出了根据实施例的成像系统的透视图。
图6A至图9示意性地示出了根据实施例的操作中的成像系统的俯视图。
图10是概括成像系统操作的流程图。
【具体实施方式】
辐射检测器
作为示例，图1示意性地示出了辐射检测器100。辐射检测器100可以包括像素150(也称为感测元件150)阵列。该阵列可以是矩形阵列(如图1所示)、蜂窝阵列、六边形阵列或任何其它合适的阵列。图1的示例中的像素150阵列有4行7列；然而，通常，像素150阵列可以具有任意数量的行和任意数量的列。
每个像素150可以被配置为检测从辐射源(未示出)入射在其上的辐射，并且可以被配置为测量辐射的特性(例如，粒子的能量、波长和频率)。辐射可以包括粒子，例如光子和亚原子粒子。每个像素150可以被配置为在一段时间内对入射在其上的能量落在多个能量区间中的辐射粒子的数量进行计数。所有像素150可以被配置为在同一段时间内对多个能量区间内的入射在其上的辐射粒子的数量进行计数。当入射辐射粒子具有相似能量时，像素150可以简单地被配置为在一段时间内对入射在其上的辐射粒子的数量进行计数，而不测量各个辐射粒子的能量。
每个像素150可以具有其自己的模数转换器(ADC)，其被配置为将表示入射辐射粒子的能量的模拟信号数字化为数字信号，或者将表示多个入射辐射粒子的总能量的模拟信号数字化成数字信号。像素150可以被配置为并行操作。例如，当一个像素150测量入射辐射粒子时，另一个像素150可以正在等待辐射粒子到达。像素150可以不必是可单独寻址的。
这里描述的辐射检测器100可以应用于例如X射线望远镜、X射线乳房照相、工业X射线特征检测、X射线显微镜或微射线照相、X射线铸造检查、X射线无损测试、X射线焊缝检查、X射线数字减影血管造影等。使用该辐射检测器100代替照相底板、照相胶片、PSP板、X射线图像增强器、闪烁体或其它半导体X射线检测器也可能是合适的。
图2示意性地示出了根据实施例的图1的辐射检测器100沿着线2-2的简化剖视图。具体地，辐射检测器100可以包括辐射吸收层110和用于处理或分析入射辐射在辐射吸收层110中产生的电信号的电子器件层120(可以包括一个或多个ASIC或专用集成电路)。辐射检测器100可以包括或不包括闪烁体(未示出)。辐射吸收层110可以包含半导体材料，例如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。该半导体材料可以对关注的辐射具有高质量衰减系数。
图3示意性地示出了作为示例的图1的辐射检测器100沿着线2-2的详细剖视图。具体地，辐射吸收层110可以包括由第一掺杂区111、第二掺杂区113的一个或多个离散区114形成的一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)。第二掺杂区113可以通过可选的本征区112与第一掺杂区111分离。离散区114可以通过第一掺杂区111或本征区112彼此分离。第一掺杂区111和第二掺杂区113可以具有相反类型的掺杂(例如，区域111是p型，区域113是n型，或者，区域111是n型，区域113是p型)。在图3的示例中，第二掺杂区113的每个离散区114与第一掺杂区111和可选的本征区112形成二极管。即，在图3的示例中，辐射吸收层110具有多个二极管(更具体地，7个二极管对应于图1的阵列中一行的7个像素150，为了简单起见，图3中仅标记了其中的两个像素150)。多个二极管可以具有作为共用(公共)电极的电极119A。第一掺杂区111还可以具有离散部分。
电子器件层120可以包括适合于处理或解释由入射在辐射吸收层110上的辐射产生的信号的电子系统121。电子系统121可以包括诸如滤波器网络、放大器、积分器和比较器之类的模拟电路，或者诸如微处理器和存储器之类的数字电路。电子系统121可以包括一个或多个ADC(模数转换器)。电子系统121可以包括由像素150共用的组件或专用于单个像素150的组件。例如，电子系统121可以包括专用于每个像素150的放大器和在所有像素150之间共用的微处理器。电子系统121可以通过通孔131电连接到像素150。通孔之间的空间可以使用填充材料130填充，这可以增加电子器件层120与辐射吸收层110的连接的机械稳定性。其它接合技术可以在不使用通孔131的情况下将电子系统121连接到像素150。
当来自辐射源(未示出)的辐射撞击包括二极管的辐射吸收层110时，辐射粒子可被吸收并通过多种机制产生一个或多个电荷载流子(例如，电子、空穴)。电荷载流子可以在电场下漂移到二极管之一的电极。该电场可以是外部电场。电触点119B可以包括离散部分，每个离散部分与离散区114电接触。术语“电触点”可以与词“电极”互换使用。在实施例中，电荷载流子可以在各方向上漂移，使得由单个辐射粒子产生的电荷载流子基本上不被两个不同的离散区114共用(这里“基本上不被......共用”意指相比于其余的电荷载流子，这些电荷载流子中的小于2％，小于0.5％，小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流向一个不同的离散区114)。由入射在这些离散区114之一的覆盖区周围的辐射粒子产生的电荷载流子基本上不与这些离散区114中的另一个共用。与离散区114相关联的像素150可以是离散区114周围的区域，其中由入射到其中的辐射粒子产生的基本上全部(大于98％，大于99.5％，大于99.9％，或大于99.99％)的电荷载流子流向离散区114。即，这些电荷载流子中的小于2％、小于1％、小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流过像素150。
图4示意性地示出了根据可替换实施例的图1的辐射检测器100沿着线2-2的详细剖视图。更具体地，辐射吸收层110可以包含诸如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合之类的半导体材料的电阻器，但不包括二极管。该半导体材料可以对关注的辐射具有高质量衰减系数。在实施例中，图4的电子器件层120在结构和功能方面类似于图3的电子器件层120。
当辐射撞击包括电阻器而不包括二极管的辐射吸收层110时，它可以被吸收并通过多种机制产生一个或多个电荷载流子。辐射粒子可以产生10至100,000个电荷载流子。电荷载流子可以在电场下漂移到电触点119A和119B。该电场可以是外部电场。电触点119B可以包括离散部分。在实施例中，电荷载流子可以在各方向上漂移，使得由单个辐射粒子产生的电荷载流子基本上不被电触点119B的两个不同的离散部分共用(这里“基本上不被......共用”意指相比于其余的电荷载流子，这些电荷载流子中的小于2％，小于0.5％，小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流向一个不同的离散部分)。由入射在电触点119B的这些离散部分之一的覆盖区周围的辐射粒子产生的电荷载流子基本上不与电触点119B的这些离散部分中的另一个共用。与电触点119B的离散部分相关联的像素150可以是离散部分周围的区域，其中由入射到其中的辐射粒子产生的基本上全部(大于98％，大于99.5％，大于99.9％，或大于99.99％)的电荷载流子流向电触点119B的离散部分。即，这些电荷载流子中的小于2％、小于0.5％、小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流过与电触点119B的一个离散部分相关联的像素。
成像系统
图5示意性地示出了根据实施例的成像系统500的透视图。在实施例中，成像系统500可以包括辐射源510、保护板520和辐射检测器100。如图5所示，保护板520可以位于辐射源510与辐射检测器100之间。在实施例中，保护板520对于成像系统500中用于成像的辐射可以是透射的或透明的。在实施例中，保护板520可以由碳纤维制成。
在实施例中，如图5所示，物体532(例如，剑)可以位于辐射源510与保护板520之间。物体532和保护板520可以被认为是辐射源510与辐射检测器100之间的场景530的一部分。
在实施例中，辐射源510可以产生朝向场景530(包括物体532和保护板520)和辐射检测器100的辐射(例如，X射线)。
在实施例中，当辐射检测器100沿着保护板520(即，向右)移动以便扫描场景530时，保护板520可以相对于物体532静止。扫描场景530意味着使用来自辐射源510的辐射逐一捕获场景530的图像。
第一局部图像
图6A至图9示意性地示出了根据实施例的操作中的图5的成像系统500的俯视图。为简单起见，图5的辐射源510未在图6A至图9中示出。
在实施例中，参照图5、图6A和图6B，当辐射检测器100如图6A所示处于相对于场景530的第一成像位置时，辐射检测器100可以捕获场景530的第一局部图像530i1(图6B)。具体地，在实施例中，当辐射检测器100处于第一成像位置时，辐射源510可以产生朝向场景530和辐射检测器100的辐射。使用已经穿过场景530并与之交互的来自辐射源510的辐射，辐射检测器100可以捕获第一局部图像530i1。第一局部图像530i1包括物体532的局部图像532i1。
第二局部图像
在实施例中，在辐射检测器100捕获到场景530的第一局部图像530i1之后，如图7A所示，可以将辐射检测器100向右移动到相对于场景530的第二成像位置。
在实施例中，参照图5、图7A和图7B，当辐射检测器100如图7A所示处于相对于场景530的第二成像位置时，辐射检测器100可以捕获场景530的第二局部图像530i2(图7B)。具体地，在实施例中，当辐射检测器100处于第二成像位置时，辐射源510可以产生朝向场景530和辐射检测器100的辐射。使用已经穿过场景530并与之交互的来自辐射源510的辐射，辐射检测器100可以捕获第二局部图像530i2。第二局部图像530i2包括物体532的局部图像532i2。
第三局部图像
在实施例中，在辐射检测器100捕获到场景530的第二局部图像530i2之后，如图8A所示，可以将辐射检测器100进一步向右移动到相对于场景530的第三成像位置。
在实施例中，参照图5、图8A和图8B，当辐射检测器100如图8A所示处于相对于场景530的第三成像位置时，辐射检测器100可以捕获场景530的第三局部图像530i3(图8B)。具体地，在实施例中，当辐射检测器100处于第三成像位置时，辐射源510可以产生朝向场景530和辐射检测器100的辐射。使用已经穿过场景530并与之交互的来自辐射源510的辐射，辐射检测器100可以捕获第三局部图像530i3。第三局部图像530i3包括物体532的局部图像532i3。
局部图像的拼接
在实施例中，在辐射检测器100捕获场景530的局部图像530i1、530i2和530i3之后，辐射检测器100可以拼接局部图像530i1、530i2和530i3，从而得到场景530的拼接图像530i(图9)。场景530的拼接图像530i包括物体532的拼接图像532i。
标记和特征
在实施例中，参照图5，保护板520可以包括标记522、第一特征524a和第二特征524b。在实施例中，标记522可以具有如图5所示的十字形状。在实施例中，特征524a和524b中的每一个可以具有与辐射检测器100的像素150的尺寸和形状相对应的尺寸和形状(即，特征524a和524b中的每一个相对于辐射源510在辐射检测器100上的阴影具有与辐射检测器100的像素150相同的尺寸和形状)。
在实施例中，参照图6A至图9，标记522可以具有第一局部图像530i1(图6B)中的图像522i。第一特征524a可以具有第一局部图像530i1(图6B)中的图像524ai。第二特征524b可以具有第二局部图像530i2(图7B)中的图像524bi。
在实施例中，参照图9，在场景530的拼接图像530i由辐射检测器100生成之后，辐射检测器100可以分析拼接图像530i以在拼接图像530i中定位标记522的图像522i。
假定辐射检测器100具有1000×1000个像素(而不是图1所示的4×7个像素)。结果，由放射线检测器100捕获的场景530的每个局部图像具有1000×1000个图像元素。
假定辐射检测器100在分析拼接图像530i之后确定标记522的图像522i的位置在如图9所示的拼接图像530i的图像元素(50，60)处。
第一特征的图像在拼接图像中的位置
进一步假定成像系统500的制造商在运送成像系统500之前已经确定第一特征524a相对于标记522的位置按照图像元素为(730，740)。结果，第一特征524a的图像524ai在拼接图像530i中的位置在图像元素(50+730，60+740)处，如图9所示，该图像元素是拼接图像530i的图像元素(780，800)。
第二特征的图像在拼接图像中的位置
进一步假定成像系统500的制造商在运送成像系统500之前已经确定第二特征524b相对于标记522的位置按照图像元素为(1600，150)。结果，第二特征524b的图像524bi在拼接图像530i中的位置在图像元素(50+1600，60+150)处，如图9所示，该图像元素是拼接图像530i的图像元素(1650，210)。
减少第一特征的影响
进一步假定成像系统500的制造商在运送成像系统500之前已经确定第一特征524a导致由辐射检测器100捕获的局部图像中的对应图像元素的强度值增加了不希望的10个单位。结果，在实施例中，为了减少第一特征524a对拼接图像530i的影响，辐射检测器100可以将拼接图像530i的图像元素(780，800)的强度值减少10个单位。
减少第二特征的影响
进一步假定成像系统500的制造商在运送成像系统500之前已经确定第二特征524b导致由辐射检测器100捕获的局部图像中的对应图像元素的强度值减少了不希望的20个单位。结果，在实施例中，为了减少第二特征524b对拼接图像530i的影响，辐射检测器100可以将拼接图像530i的图像元素(1650，210)的强度值增加20个单位。
概括的流程图
图10示出了概括上述成像系统500的操作的流程图1000。具体地，在步骤1010中，可以逐一捕获场景的M个局部图像。例如，在上述实施例中，参照图6A至图8B，逐一捕获场景530的3个局部图像530i1、530i2和530i3(这里M＝3)。
另外，在步骤1010中，场景可以包括物体、标记和特征。例如，在上述实施例中，物体532、标记522和特征524a(或特征524b)是场景530的一部分。
另外，在步骤1010，特征不是物体的一部分。例如，在上述实施例中，特征524a(或特征524b)不是物体532的一部分。
另外，在步骤1010中，标记和特征相对于物体是静止的。例如，在上述实施例中，标记522以及特征524a和524b相对于物体532是静止的。
另外，在步骤1010中，标记的图像在M个局部图像的标记局部图像中。例如，在上述实施例中，标记522的图像522i在3个局部图像530i1、530i2和530i3的标记局部图像530i 1中。换句话说，将具有标记522的图像522i的局部图像称为标记局部图像。
另外，在步骤1010中，特征的图像在M个局部图像的特征局部图像中。例如，在上述实施例中，第一特征524a的图像524ai在3个局部图像530i1、530i2和530i3的对应的特征局部图像530i1中。换句话说，将具有特征的图像的局部图像称为特征局部图像。
在步骤1020中，可以基于(A)标记的图像的位置和(B)特征相对于标记的位置来定位特征的图像。例如，在上述实施例中，基于(A)标记522的图像522i在拼接图像530i中的位置(即图像元素(50,60))和(B)第一特征524a相对于标记522的位置(即(730,740))，在拼接图像530i中定位第一特征524a的图像524ai。具体地，拼接图像530i中的第一特征524a的图像524ai被定位在图像元素(50+730，60+740)处，如图9所示，该图像元素是拼接图像530i的图像元素(780，800)。
在步骤1030中，可以改变特征的图像以减少特征的影响。例如，在上述实施例中，辐射检测器100将拼接图像530i的图像元素(780，800)的强度值减小10个单元以减少第一特征524a的影响。
特征的图像在特征局部图像中的位置
在上述实施例中，在拼接后，定位拼接图像530i中的特征的图像(524ai或524bi)，然后改变拼接图像530i中的特征的图像，以减少特征对拼接图像530i的影响。例如，拼接图像530i中的第一特征524a的图像524ai被定位在图像元素(780,800)处，然后拼接图像530i中的第一特征524a的图像524ai(即，拼接图像530i的图像元素(780,800))(强度值)被改变以减少第一特征524a对拼接图像530i的影响。
在可替换实施例中，在拼接前，可以定位对应的特征局部图像中的特征的图像，然后可以改变特征局部图像中的特征的图像，以减少特征对对应的特征局部图像的影响。例如，在拼接前，可以定位对应的特征局部图像530i2中的第二特征524b的图像524bi，然后可以改变对应的特征局部图像530i2中的第二特征524b的图像524bi，以减少第二特征524b对对应的特征局部图像530i2的影响。
具体地，在实施例中，可以基于(A)标记的图像在标记局部图像中的位置，(B)特征相对于该标记的位置，以及(C)在辐射检测器100捕获特征局部图像时的辐射检测器100相对于在辐射检测器100捕获标记局部图像时的辐射检测器100的位置的位置来定位对应的特征局部图像中的特征的图像。
例如，在上述实施例中，基于(A)标记522的图像522i在标记局部图像530i1中的位置(这可以由辐射检测器100确定为在图像元素(50，60)处)，(B)第二特征524b相对于标记522的置(按照图像元素，即(1600，150))，以及(C)第二成像位置与第一成像位置之间的距离来定位在对应的特征局部图像530i2中的第二特征524b的图像524bi，该距离例如是900个图像元素(在实施例中，第一成像位置与第二成像位置之间的距离，以及第二成像位置与第三成像位置之间的距离由制造商预先指定)。结果，如图9所示，对应的特征局部图像530i2中的第二特征524b的图像524bi被定位在图像元素(50+1600-900，60+150)，即，对应的特征局部图像530i2的图像元素(750，210)。
接下来，在实施例中，辐射检测器100可以改变对应的特征局部图像530i2的图像元素(750，210)的强度值，以减少第二特征524b对对应的特征局部图像530i2的影响。
对于另一示例，如图9所示，对应的特征局部图像530i1中的第一特征524a的图像524ai可以被定位在图像元素(50+730-0，60+740)，即，对应的特征局部图像530i1的图像元素(750，800)。然后，辐射检测器100可以改变对应的特征局部图像530i1的图像元素(750，800)的强度值，以减少第一特征524a对对应的特征局部图像530i1的影响。
附加实施例
在上述实施例中，参照图9至图10，标记局部图像(即，具有标记522的图像的局部图像)是局部图像530i1，其是3个局部图像530i 1、530i2和530i3当中的要被捕获的第一局部图像。通常，标记局部图像不必是3个局部图像530i1、530i2和530i3当中的要被捕获的第一局部图像。例如，标记局部图像可以是3个局部图像当中的要被捕获的第二局部图像(即，标记522在第二局部图像530i2而不是第一局部图像530i1中有其图像)。
在实施例中，在扫描场景530的同时，辐射检测器100可以沿直线无折返地平移通过第一成像位置，然后通过第二成像位置，再通过第三成像位置，在这三个位置处辐射检测器100分别捕获三个局部图像530i1、530i2和530i3。
在实施例中，如图5所示，标记522、第一特征524a和第二特征524b可以在物体532与辐射检测器100之间。
在实施例中，参照图5，特征524a和524b是其一部分的保护板520可以在物体532与辐射检测器100之间。在实施例中，保护板520对于辐射检测器100中用于成像的辐射可以是透明的。例如，假定X射线光子被用于捕获3个局部图像530i1、530i2和530i3，则保护板520可以对X射线光子是透明的。例如，保护板520可以由碳纤维制成。
在上述实施例中，参照图10的流程图1000的步骤1030，特征的图像的每个图像元素的值改变某一量(例如，如上所述，减少10个单位)，以减少特征的影响。或者，特征的图像的每个图像元素的值可以改变某一因子(而不是某一量)。例如，特征的图像的图像元素的值可以改变0.8倍，这意味着，如果原始值为30个单位，那么改变后的值应当是0.8×30＝24个单位。
在上述实施例中，参照图5，标记522是保护板520的一部分。通常，标记522不必是保护板520的一部分。
在上述实施例中，特征524a和524b中的每一个具有与辐射检测器100的像素150的尺寸和形状相对应的尺寸和形状。通常，特征524a和524b中的每一个可以具有任何尺寸和形状。
尽管本文已经公开了各个方面和实施例，但其他方面和实施例对于本领域技术人员来说将是显而易见的。本文所公开的各个方面和实施例是出于说明的目的而不是限制性的，真正的范围和精神由所附权利要求指示。

Claims (28)

1.一种方法，包括：
逐一捕获场景的M个局部图像，
其中，所述场景包括物体、标记和特征，
其中，所述特征不是所述物体的一部分，
其中，所述标记和所述特征相对于所述物体是静止的，
其中，所述标记的图像在所述M个局部图像的标记局部图像中，
其中，所述特征的图像在所述M个局部图像的特征局部图像中，并且
其中，M是大于1的整数；
基于(A)所述标记的所述图像的位置和(B)所述特征相对于所述标记的位置来定位所述特征的所述图像；以及
改变所述特征的所述图像以减少所述特征的影响。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述定位所述特征的所述图像包括：基于(A)所述标记局部图像中的所述标记的所述图像的所述位置，(B)所述特征相对于所述标记的所述位置，以及(C)在辐射检测器捕获所述特征局部图像时的所述辐射检测器相对于在所述辐射检测器捕获所述标记局部图像时的所述辐射检测器的位置的位置，定位所述特征局部图像中的所述特征的所述图像。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括拼接所述M个局部图像，从而得到所述场景的拼接图像。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述定位所述特征的所述图像包括：基于(A)所述标记的所述图像在所述拼接图像中的所述位置，以及(B)所述特征相对于所述标记的所述位置来定位所述拼接图像中的所述特征的所述图像。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第一局部图像。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第二局部图像。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述逐一捕获所述M个局部图像包括使用辐射检测器来捕获所述M个局部图像。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述逐一捕获M个局部图像还包括：使所述辐射检测器沿直线无折返地平移通过所述辐射检测器分别捕获所述M个局部图像的M个位置。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述标记和所述特征在所述物体与所述辐射检测器之间。
10.根据权利要求9所述的方法，
其中，所述特征是所述物体与所述辐射检测器之间的板的一部分，并且
其中，所述板对于在所述辐射检测器中用于成像的辐射是透明的。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述改变所述特征的所述图像包括：将所述特征的所述图像的每个图像元素的强度值改变为所述每个图像元素预先指定的量或因子。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述逐一捕获所述M个局部图像包括对所述M个局部图像的每个局部图像使用X射线光子进行成像。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记局部图像不同于所述特征局部图像。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记局部图像与所述特征局部图像相同。
15.一种成像系统，包括辐射检测器，所述辐射检测器被配置为：
逐一捕获场景的M个局部图像，
其中，所述场景包括物体、标记和特征，
其中，所述特征不是所述物体的一部分，
其中，所述标记和所述特征相对于所述物体是静止的，
其中，所述标记的图像在所述M个局部图像的标记局部图像中，
其中，所述特征的图像在所述M个局部图像的特征局部图像中，并且
其中，M是大于1的整数；
基于(A)所述标记的所述图像的位置和(B)所述特征相对于所述标记的位置来定位所述特征的所述图像；并且
改变所述特征的所述图像以减少所述特征的影响。
16.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述辐射检测器还被配置为：基于(A)所述标记的所述图像在所述标记局部图像中的位置，(B)所述特征相对于所述标记的所述位置，以及(C)在所述辐射检测器捕获所述特征局部图像时的所述辐射检测器相对于在所述辐射检测器捕获所述标记局部图像时的所述辐射检测器的位置的位置来定位所述特征局部图像中的所述特征的所述图像。
17.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述辐射检测器还被配置为拼接所述M个局部图像，从而得到所述场景的拼接图像。
18.根据权利要求17所述的成像系统，其中，所述辐射检测器还被配置为：基于(A)所述标记的图像在所述拼接图像中的所述位置，以及(B)所述特征相对于所述标记的所述位置来定位所述拼接图像中的所述特征的所述图像。
19.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第一局部图像。
20.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述标记局部图像是所述M个局部图像当中的要被捕获的第二局部图像。
21.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述辐射检测器被配置为沿直线无折返地平移通过所述辐射检测器分别捕获所述M个局部图像的M个位置。
22.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述标记和所述特征在所述物体与所述辐射检测器之间。
23.根据权利要求22所述的成像系统，
其中，所述特征是所述物体与所述辐射检测器之间的板的一部分，并且
其中，所述板对于在所述辐射检测器中用于成像的辐射是透明的。
24.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述辐射检测器被配置为将所述特征的所述图像的每个图像元素的强度值改变为所述每个图像元素预先指定的量或因子。
25.根据权利要求15所述的成像系统，还包括辐射源，所述辐射源被配置为产生X射线光子，所述X射线光子由所述辐射检测器在捕获所述M个局部图像时使用。
26.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述标记局部图像不同于所述特征局部图像。
27.根据权利要求15所述的成像系统，其中，所述标记局部图像与所述特征局部图像相同。
28.一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实现权利要求1至14中任一项的方法。
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