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CN116057536A - 智能卡的预层合嵌体、智能卡、形成预层合嵌体的方法和形成智能卡的方法 - Google Patents

智能卡的预层合嵌体、智能卡、形成预层合嵌体的方法和形成智能卡的方法 Download PDF

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CN116057536A
CN116057536A CN202180062851.7A CN202180062851A CN116057536A CN 116057536 A CN116057536 A CN 116057536A CN 202180062851 A CN202180062851 A CN 202180062851A CN 116057536 A CN116057536 A CN 116057536A
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CN
China
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recess
cover sheet
smart card
inlay
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CN202180062851.7A
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English (en)
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S·芬南
T·福迪萨恩
A·成喀朋
K·胡夫温
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Linxens Holding SAS
Original Assignee
Linxens Holding SAS
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Publication date
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Abstract

本发明提供智能卡的预层合嵌体、智能卡、形成智能卡的预层合嵌体的方法以及形成智能卡的方法。根据本文的一些实施方式，预层合嵌体包括由至少一个层形成的基础衬底，以及形成在基础衬底的一侧上的至少一个覆盖片层，该至少一个覆盖片层中形成有凹部。该凹部以凹部的开口被暴露的方式至少部分地延伸穿过至少一个覆盖片层。

Description

智能卡的预层合嵌体、智能卡、形成预层合嵌体的方法和形成智能卡的方法
技术领域
本发明涉及智能卡的预层合嵌体(prelam body)、智能卡、形成智能卡的预层合嵌体的方法以及形成智能卡的方法。
背景技术
例如，智能卡或识别卡越来越多地用于进行金融交易，提供对房屋的访问，并允许通过将个人信息集成到卡中来识别智能卡持有者。通常，智能卡包括用于存储和发送数据的装置，可选地还包括用于接收数据和/或处理存储的和/或发送的数据的装置。数据的发送和/或接收可以是使用电磁场的非接触型的和/或涉及设置在智能卡的表面中的一个或多个触点。因此，智能卡可以被认为是复杂系统的一部分，根据智能卡的预期应用，智能卡经由一个或多个接口与复杂系统内的实体交互。由接触型、非接触型或两种类型混合的卡终端给出接口的示例。在任何情况下，智能卡通常包括至少一个集成电路模块，该集成电路模块包括存储器模块、处理器模块和天线模块中的至少一个。
由于智能卡是用户通常在手中的唯一部件，因此进行中的任务是开发将与各种类型的应用相关联的功能合并到单个智能卡中的多功能卡。已经为接触型、非接触型或混合型智能卡开发了若干标准。这些标准规定了对智能卡及其部件的结构和性能的严格要求。特别地，相关的ISO/IEC标准对于智能卡而言特别重要，因为这些标准基于广泛的国际共识，并且限定了智能卡的基本特性，使得智能卡与全世界的大量卡终端兼容。因此，在任何智能卡制造过程中都要严格遵守相关的ISO/IEC标准，以确保所制造的智能卡符合相关的ISO/IEC标准。因此，假定本领域技术人员知晓相关的ISO/IEC标准，并且在开发智能卡时考虑这些标准。
由于智能卡包含其持有者的敏感信息和/或授予其持有者的授权，因此重要的是为智能卡配备安全特征，该安全特征能使智能卡防止对其功能的计划外访问，以及使智能卡免于欺诈和伪造。例如，“窗口”特征被包括在当前的身份证中，用于保护身份证免于伪造和/或篡改。基本上，在制造工艺期间冲出窗口，并且在窗口的空隙中设置安全图案。在用适当的插件填充窗口的剩余空隙之后，使卡暴露于高温层合(hot lamination)，将材料熔合在一起成为制造中的智能卡的单片卡体。在篡改“窗口”特征的情况下，“窗口”特征的完整性被破坏。因此，“窗口”特征代表允许在视觉上检查智能卡的有效性或真实性的安全特征，这对于智能身份证而言特别有用。
传统上，这些“窗口”特征需要将一块材料作为插件插入窗口的空隙中，以便填充空隙。以此方式，避免了空隙和气穴的形成。例如，空隙和气穴可能会降低智能卡的机械坚固性。然而，由于插件的小尺寸和这种插件的复杂的插入和处理工艺，制备插件和将插件插入空隙和气穴中增加了具有“窗口”特征的智能卡的制造工艺的复杂性，从而增加了制造成本。
发明内容
通过如方案1所限定的预层合嵌体、如方案8所限定的智能卡、如方案10所限定的形成预层合嵌体的方法、以及如方案17所限定的形成智能卡的方法克服具有“窗口”特征的传统智能卡的上述问题。在从属方案2至7、从属方案9、从属方案11至16、以及从属方案18至21中限定其更有利的实施方式。
在本公开中，本文所用的表述“预层合嵌体”被理解为代表多个绝缘材料层的预层合体，多层绝缘材料是诸如PVC、PC或一些其他适当的热塑性聚合物，所述多个层被预层合在一起。这种预层合嵌而成的本体可以被认为代表在智能卡制造期间获得的中间产品。例如，可以通过如下方式获得说明性的预层合嵌体：将热塑性材料的不同层熔合在一起成为单个均质的片体，从而形成单片衬底本体。在预层合嵌体的一些说明性实施例中，衬底本体(或基础衬底)可以具有嵌入其中的至少一个触点和/或互连件，可选地集成到衬底本体中的一个或多个电子模块与衬底本体的至少一个触点和/或互连件电连接。
在本公开的第一方面中，提供了预层合嵌体。根据第一方面的一些说明性实施方式，预层合嵌体包括由至少一个层(诸如装配在一起的至少两个层)形成的基础衬底，以及形成在基础衬底的一侧上的至少一个覆盖片层。例如，预层合嵌体可以具有形成在基础衬底的相反两侧处的至少两个覆盖片层。形成在基础衬底的一侧上的至少一个覆盖片层中形成有凹部，该凹部以凹部的开口被暴露的方式至少部分地延伸穿过基础衬底的一侧上的至少一个覆盖片层。相应地，通过省略预层合嵌体中凹部的填充，避免了具有“窗口”特征的传统智能卡的问题。以此方式，可以简化预层合嵌体的制造工艺，并且可以优化制造成本。
在第一方面的一些更多的说明性实施方式中，凹部可以是暴露基础衬底的表面区域的通孔。通孔代表可以例如通过冲压或烧蚀工艺(诸如激光烧蚀)容易地形成的凹部。此外，通孔暴露下一层或图案的一部分。
在第一方面的一些更多的说明性实施方式中，与凹部接合(interfacing)的至少一个覆盖片层可以具有渐缩侧壁。例如，与凹部接合的至少一个覆盖片层可以由于被部分填充而呈现渐缩侧壁(换言之，相对于在基础衬底的、形成有凹部的覆盖片层那侧的至少一个覆盖片层的上表面的法线方向斜向或倾斜的侧壁，或相对于基础衬底的上表面的法线方向斜向或倾斜的侧壁)。例如，当作为通过热层合(thermal lamination)将层熔合在一起的结果而将预层合嵌体提供为单片本体时，凹部可以利用来自基础衬底的材料并且可选地利用覆盖片层的材料由于应用热工艺而产生的熔融被部分地填充。以此方式，至少一个覆盖片层和凹部之间的分界面的边缘可以不太尖锐，并且凹部在预层合嵌体的上表面中可以不太明显。相应地，可以至少减轻由预层合嵌体制成的智能卡中的空隙和气穴的问题。
在第一方面的一些更多的说明性实施方式中，凹部可以与嵌入基础衬底中的电子模块对准，使得电子模块的一部分可以在覆盖片层的法线方向上位于凹部正下方。相应地，凹部可以允许将电子模块在凹部下方的部分用作可经由凹部访问(accessible)的特征。
在第一方面的一些更多的说明性实施方式中，电子模块可以包括天线模块。相应地，预层合嵌体可以是非接触型的。
在第一方面的一些更多的说明性实施方式中，基础衬底可以由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。相应地，基础衬底可以具有有利的机械和光学特性。
在第一方面的一些更多的说明性实施方式中，形成在基础衬底的一侧上的至少一个覆盖片层中的至少一个可以由不透明材料形成，诸如白色PC和/或白色PVC。相应地，预层合嵌体可以具有有利的机械和光学特性。
在本公开的第二方面中，提供了一种智能卡。根据本文的一些说明性实施方式，智能卡包括第一方面的预层合嵌体，以及在基础衬底的一侧上遮盖至少一个覆盖片层的至少一个附加层。例如，当预层合嵌体具有形成在基础衬底的相反两侧上的至少两个覆盖片层时，可以形成遮盖预层合嵌体的两个覆盖片层的至少两个附加层。在本文中，形成在基础衬底的一侧上的至少一个覆盖片层中的凹部至少部分地填充有基础衬底的材料和/或至少两个附加层的材料。相应地，通过省略智能卡的预层合嵌体中的凹部的填充来避免具有“窗口”特征的传统智能卡的问题。以此方式，可以简化智能卡的制造工艺，并且可以优化制造成本。
在第二方面的一些更多的说明性实施方式中，至少一个附加层可以由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。相应地，智能卡可以具有有利的机械和光学特性。
在本公开的第三方面中，提供了一种形成智能卡的预层合嵌体的方法。根据本文的一些说明性实施方式，该方法包括制备具有至少一个层的基础衬底。例如，在至少两个层的情况下，可以通过将至少两个层装配在一起来制备基础衬底。该方法还包括用至少一个覆盖片层遮盖基础衬底的一个表面，并且在至少一个覆盖片层中形成凹部。例如，可以形成至少两个覆盖片层，使得基础衬底的两个相反表面被至少两个覆盖片层遮盖。凹部以凹部的开口被暴露的方式至少部分地延伸穿过至少一个覆盖片层。相应地，通过省略预层合嵌体中的凹部的填充来避免具有“窗口”特征的传统智能卡的制造所涉及的问题。以此方式，可以简化制造工艺，并且可以优化制造成本。
在第三方面的一些更多的说明性实施方式中，凹部可以是使基础衬底的在由至少一个覆盖片层遮盖的那侧的表面区域暴露的通孔。通孔代表可以例如通过冲压或烧蚀工艺(诸如激光烧蚀)容易地形成的凹部。此外，通孔暴露底下层或图案的一部分。
在第三方面的一些更多的说明性实施方式中，该方法还可以包括在形成至少一个凹部之后执行热层合工艺。相应地，预层合嵌体可以设置为单片本体。
在第三方面的一些更多的说明性实施方式中，凹部可以以与嵌入到基础衬底中的电子模块对准的方式形成。由此，电子模块的一部分可以在覆盖片层的法线方向上位于凹部正下方。相应地，凹部可以允许将电子模块在凹部下方的部分用作可经由凹部访问的特征。
在第三方面的一些更多的说明性实施方式中，电子模块可以包括天线模块。相应地，预层合嵌体可以是非接触型的。
在第三方面的一些更多的说明性实施方式中，基础衬底可以由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。相应地，基础衬底可以具有有利的机械和光学特性。
在第三方面的一些更多的说明性实施方式中，至少一个覆盖片层中的至少一个可以由不透明材料形成，诸如白色PC和/或白色PVC。相应地，预层合嵌体可以具有有利的机械和光学特性。
在本公开的第四方面，提供了一种形成智能卡的方法。根据本文的一些说明性实施方式，该方法包括提供第一方面的预层合嵌体，并通过在基础衬底的一侧上装配至少一个附加层以遮盖预层合嵌体的至少一个覆盖片层来形成堆叠体构造。相应地，通过省略智能卡的预层合嵌体中的凹部的填充来避免具有“窗口”特征的传统智能卡的制造所涉及的问题。以此方式，可以简化智能卡的制造工艺，并且可以优化制造成本。
在第四方面的一些更多的说明性实施方式中，提供预层合嵌体可以包括用第三方面的方法形成预层合嵌体。这是提供预层合嵌体的优化方式。
在第四方面的一些更多的说明性实施方式中，该方法还可以包括使堆叠体构造经受层合工艺以形成一体化本体构造。相应地，智能卡可以形成为单片物体。
在第四方面的一些更多的说明性实施方式中，层合工艺可以是热层合工艺，产生单片智能卡本体，其中凹部至少部分地填充有基础衬底的材料和/或至少一个附加层的材料。这是获得单片智能卡的有利方式。
在第四方面的一些更多的说明性实施方式中，至少一个附加层可以由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。相应地，智能卡可以具有有利的机械和光学特性。
附图说明
将在下面的详细说明中结合附图更详细地描述本公开的其他方面和说明性实施方式，其中附图未按比例绘制。
图1以剖视图示意性地图示了根据本公开的一些说明性实施方式的预层合嵌体。
图2a示意性地图示了关于图1公开的说明性实施方式的一些说明性实施例的放大视图，而图2b示意性地图示了关于图1公开的说明性实施方式的一些其他的说明性实施例的放大图。
图3以剖视图示意性地图示了根据本公开的一些说明性实施方式的智能卡。
图4以俯视图示意性地图示了根据本公开的一些说明性实施方式的智能卡。
图5示意性地图示了沿着图4中的线I-I的剖视图。
具体实施方式
关于图1和图2，将描述根据本公开的各种说明性实施方式的预层合嵌体1。图1示意性地示出了预层合嵌体1的剖视图，而图2示意性地示出了图1中的剖视图的放大部分。
参照图1，预层合嵌体1包括基础衬底2和两个覆盖片层3a和3b。两个覆盖片层3a和3b形成在基础衬底2的相反两侧。特别地，基础衬底2夹在两个覆盖片层3a和3b之间。例如，覆盖片层3a可以形成在基础衬底2的上表面上，而覆盖片层3b形成在基础衬底2的底表面上。然而，这不对本公开构成任何限制，并且可以在基础衬底2的一侧上形成仅一个覆盖片层3a或3b，或者可以在基础衬底2的仅一侧上形成多于一个的覆盖片层。
根据一些说明性而非限制性的实施方式，基础衬底2可以包括装配在一起的至少两个层，例如层2a(可选地被称为“嵌体片材”)和层2b(可选地被称为“顶片材”)。根据一些说明性实施例，嵌体片材2a可以由透明PC层提供，该透明PC层具有在从100μm至约200μm的范围内的厚度、优选地具有约150μm的厚度。此外，层2b可以由透明PC层提供，该透明PC层具有在约50μm至约250μm范围内的厚度、优选地约100μm的厚度。这不构成任何限制，并且在不脱离本公开的范围的情况下，可以采用PVC代替PC。然而，本领域技术人员将理解，任何合适的热塑性材料、例如热塑性聚合物都可以用于层2a和2b。然而，这不对本公开构成任何限制，并且基础衬底2可以仅由层2a和2b中的一个形成，或者基础衬底2可以由比两个层2a和2b多的层形成。
根据图1所示的预层合嵌体1的一些说明性实施例，基础衬底2可以具有嵌入到基础衬底2中的竖直和水平延伸的接触线(未图示)，尽管未在图1的图示中明确描绘出这些接触线。
根据本文的一些说明性实施例，覆盖片层2a和2b可以由PC或PVC材料层形成。这不对本公开构成任何限制，并且任何热塑性材料、例如热塑性聚合物都可以用作覆盖片层3a和3b中的每一个的适当材料。例如，覆盖片层3a和3b中的至少一个可以由不透明材料形成，例如白色PC和/或白色PVC，或任何其他着色的不透明PC或PVC材料。此外，在覆盖片层3a和3b中的一个由不透明材料形成的情况下，覆盖片层3a和3b中的另一个可以由透明或半透明材料形成，例如类似于或等于基础衬底2的材料。相应地，基础衬底2的至少一侧可以被不透明材料遮盖。
根据本文的一些特定的说明性实施例，覆盖片层3a和3b中的每一个可以具有在20μm至80μm的范围内的厚度、优选地约50μm的厚度。本领域技术人员将理解，具体值取决于预层合嵌体的总体设计，并且可以替代地使用小于约20μm或大于约80μm的厚度。
继续参照图1，覆盖片层3a中可以形成有凹部4a。凹部4a可以代表使基础衬底2的在覆盖片层3a侧处的表面区域5a暴露的通孔。然而，这不对本公开构成任何限制，并且凹部4a可以以凹部4a的开口被暴露的方式仅部分地延伸穿过覆盖片层3a。替选地或附加地，可以在预层合嵌体1的相反侧的覆盖片层3b中形成凹部4b，凹部4b使平坦的基础衬底2的在基础衬底2的底侧处的表面区域5b暴露。根据本文的一些说明性实施方式，凹部4a和/或4b可以通过冲压或烧蚀工艺(例如激光烧蚀)形成。根据一些特定的说明性实施例，凹部4a和4b可以彼此对准，使得凹部4a和4b相对于彼此设置在凹部4a和4b在预层合嵌体1的俯视图中基本上彼此覆盖的位置处。根据本文的一些说明性但非限制性的实施例，凹部4a可以形成在不透明材料中，并且凹部4b可以形成在不透明材料中，或者覆盖片层3a和3b中的至少一个可以由如上所述的透明和/或半透明材料提供。在没有限制的情况下，凹部仅形成在不透明材料层中。
参照图2a，示意性地图示了关于图1公开的说明性实施方式的一些说明性实施例。在本文中，在图2a中以放大图图示了图1的剖视图的一部分，以更详细地描绘预层合嵌体1的靠近凹部4a的部分。具体地，图2a示意性地示出了凹部4a以及基部衬底的嵌体片材2a。相应地，针对一些说明性实施例，图2a中的剖视图更详细地示出了图1中的剖视图的上部。
继续参照图2a并且根据一些说明性实施例，凹部4a可以具有侧壁S，该侧壁S是倾斜的或渐缩的，使得凹部4a具有渐缩侧壁S。类似地，当考虑图2a所示的说明性实施例时，图1中的凹部4b可以具有渐缩侧壁，这在图1中也未明确地图示。这不对本公开构成任何限制，替代地，凹部4a和/或4b可以保持具有尖锐的轮廓，即侧壁可以基本上正交于基础衬底2的嵌体片材2a的上表面。术语“基本上”可以表明可接受的公差为±30％、优选地20％、更优选地15％、甚至更优选地10％、甚至更优选地5％、甚至更优选地1％。渐缩侧壁S可以由图1的预层合嵌体1经受热层合工艺产生，在其中层3a、3b和基础衬底2在热层合工艺中熔合在一起。由于在热层合工艺中施加的热量，在冲压凹部4a之后具有尖锐边缘的凹部4a可以由于在热层合期间凹部4a的部分填充而呈现渐缩侧壁S，或者维持尖锐的轮廓或呈现基本上尖锐的轮廓。在一些特定的说明性实施例中，覆盖片层3a的表面中的凹部4a的尖锐的边缘可以被软化为不太尖锐的，并且凹部4a可以不太明显。根据如关于图1和图2a描述的实施方式的一些说明性实施例，图2a中的凹部4a可以由底下的层2a的材料部分地填充，或者可以保持基本上不被层2a的材料填充。
参照图2b，关于图1公开的说明性实施方式的一些其他说明性实施例被示意性地图示为关于图2a公开的说明性实施例的替选方案。在本文中，在图2b中以放大图图示出图1的剖视图的一部分，以更详细地描绘在执行层合过程之后预层合嵌体1的靠近凹部4a的部分。特别地，图2b示意性地示出，图1的凹部4a基本上由基础衬底2的嵌体片材2a的材料填充，并且还可以填充有层3a的材料。相应地，针对一些其他的说明性实施例，图2b中的剖视图更详细地示出了图1中的剖视图的上部。
继续参照图2b并且根据一些其他的说明性实施例，层2a的材料可以在层合工艺期间基本上填充图1的凹部4a。术语“基本上填充”意指凹部4a被填充到图1中的凹部4a的体积的至少50％的程度，例如至少60％或至少70％或至少80％或至少90％或至少95％或至少99％的程度。例如，由于图1中的预层合嵌体1在层合过程期间被暴露的情况，层2a的材料可以被挤出从而基本上填充图1中的凹部4a，如图2b中的附图标记2a'所标示的那样，示出了层合之后的层2a的材料的挤出部分2a'。可选地，覆盖片层3a也可以部分地填充图1中的凹部4a，使得覆盖片层3a的侧壁可以变成渐缩的。这不对本公开构成任何限制，并且覆盖片层3a的材料可以具有与层2a的被挤出到凹部4a中的材料的分界面，其呈现尖锐的轮廓，即侧壁可以基本上正交于覆盖片层3a的上表面。术语“基本上”可以表明可接受的公差为±30％、优选地20％、更优选地15％、甚至更优选地10％、甚至更优选地5％、甚至更优选地1％。
根据本文可以使用的层合工艺的一些说明性实施例，热层合工艺可以采用约90℃范围内的温度和约0.3kg/cm2至约16kg/cm2范围内的压力，以及施加热量和压力的一个或多个步骤。例如，可以以高达约45分钟范围内的时间间隔施加工艺步骤。例如但不限于，约110℃-135℃、诸如约120℃，或约145℃-180℃的相对高的温度可以用于生产初始层合件。该工艺步骤期间的压力可以在约12kg/cm2至16kg/cm2的范围内、诸如约14kg/cm2。该工艺步骤可以进行约25分钟至35分钟、诸如约30分钟。此外，随后在温度为约90℃至约105℃、诸如约100℃的情况下可以使用具有较低温度的工艺步骤。在该附加的工艺步骤中，压力可以为约0.3kg/cm2至0.8kg/cm2、诸如约0.5kg/cm2，并且时间段可以在约0.3分钟至0.8分钟的范围内、诸如约0.5分钟。例如，在PC层合的情况下，可以以约145℃-180℃的温度进行约30分钟的层合工艺，例如以165℃的温度进行约30分钟的层合工艺，并且冷却约40分钟。在PVC层合的情况下，可以施加约110℃至135℃范围内的温度，并进行适当的冷却。
根据本公开的一些说明性实施方式，可以通过制备基础衬底2、例如通过至少将层2a和2b装配在一起来形成图1的预层合嵌体1。随后，用覆盖片层3a和3b遮盖基础衬底2的两个相反的侧表面。此后，可以将凹部4a和4b形成为分别至少部分地延伸到覆盖片层3a和3b。随后，可以在形成凹部4a和4b之后执行热层合工艺。例如，热层合可以是高温层合工艺。例如，可以通过冲出或任何其他切割工艺(诸如激光烧蚀等)形成至少一个凹部。
参照图3，以剖视图示意性地图示了智能卡10。智能卡3包括由基础衬底12和两个覆盖片层13a和13b形成的预层合嵌体。两个覆盖片层13a和13b形成在基础衬底12的相反两侧。特别地，基础衬底12被夹在两个覆盖片层13a和13b之间。例如，覆盖片层13a可以形成在基础衬底12的上表面上，而覆盖片层13b形成在基础衬底12的底表面上。
根据一些说明性实施方式，基础衬底12可以包括装配在一起的至少两个层，例如层12a(可选地被称为“嵌体片材”)和层12b(可选地被称为“顶片材”)。根据一些说明性实施例，嵌体片材12a可以由透明PC层提供，该透明PC层具有在从100μm至约200μm的范围内的厚度、优选地具有约150μm的厚度。此外，层12b可以由透明PC层提供，该透明PC层具有在约50μm至约150μm范围内的厚度、优选地约100μm的厚度。这不构成任何限制，并且在不脱离本公开的范围的情况下，可以采用PVC代替PC。然而，本领域技术人员将理解，任何合适的热塑性材料、例如热塑性聚合物都可以用于层12a和12b。
然而，智能卡10的以上描述不对本公开构成任何限制，并且智能卡10可以具有仅由一层形成的基础衬底12，并且可以仅在基础衬底12的一侧上形成至少一个覆盖片层，类似于上面在图1的上下文中提供的公开内容，这些公开内容通过引用并入此处。
根据图3所示的智能卡10的一些说明性实施例，基础衬底12可以具有嵌入到基础衬底12中的竖直和水平延伸的接触线(未图示)，尽管未在图3的图示中明确描绘出这些接触线。
根据本文的一些说明性实施例，覆盖片层12a和12b可以由PC或PVC材料层形成。这不对本公开构成任何限制，并且任何热塑性材料、例如热塑性聚合物都可以用作覆盖片层13a和13b中的每一个的适当材料。例如，覆盖片层13a和13b中的至少一个可以由不透明材料形成，例如白色PC和/或白色PVC，或任何其他着色的不透明PC或PVC材料。
根据本文的一些特定的说明性实施例，覆盖片层13a和13b中的每一个可以具有在25μm至75μm的范围内的厚度、优选地约50μm的厚度。本领域技术人员将理解，具体值取决于预层合嵌体的总体设计，并且可以替代地使用小于约25μm或大于约75μm的厚度。
继续参照图3，覆盖片层13a中可以形成有凹部14a。凹部14a可以代表延伸穿过覆盖片层13a并且使基础衬底12的在覆盖片层13a侧处的表面区域15a暴露的通孔。然而，这不对本公开构成任何限制，并且凹部14a可以仅部分地延伸穿过覆盖片层13a。替选地或附加地，可以在基础衬底2的相反侧处的覆盖片层13b中形成凹部14b，凹部14b使基础衬底12的在基础衬底12的底侧处的表面区域15b暴露。根据本文的一些说明性实施方式，凹部14a和/或14b可以通过冲压或烧蚀工艺、例如激光烧蚀形成。根据一些特定的说明性实施例，凹部14a和14b可以彼此对准，使得凹部14a和14b相对于彼此设置在凹部14a和14b在智能卡10的俯视图中基本上彼此覆盖的位置处。
本领域技术人员将理解，智能卡10可以具有与上面关于图1和图2a或图2b描述的预层合嵌体1相对应的预层合嵌体，这些公开内容通过引用并入此处。
继续参照图3，可以在基础衬底12中嵌入电子模块。作为说明性而非限制的实施例，电子模块可以包括芯片模块16和模块天线17，模块天线17被实现为嵌入到基础衬底12中的线圈。芯片模块16也可以根据已知技术嵌入到基础衬底12中，例如通过使基础衬底12凹陷并将芯片模块16容纳到凹部中，以及将芯片模块16结合到布线在基础衬底12中的接触线(未图示)，以用于使芯片模块16和模块天线17电联接。此外，可以存在形成与芯片模块16的机械和/或电联接的结合焊盘19。
在覆盖片层13a和13b中的每一个上，可以形成一个或多个附加层20a和20b。例如，可以在覆盖片层13a上形成至少一个附加层20a，遮盖覆盖片层13a和凹部14a。类似地，可以在覆盖片层13b上形成一个或多个附加层20b，遮盖覆盖片层13b和凹部14b。根据一些说明性实施方式，附加层可以由透明和/或半透明材料形成，诸如透明和/或半透明PC和/或透明和/或半透明PVC。通常，附加层20a和20b可以由热塑性材料提供，例如热塑性聚合物，其优选具有透明或半透明特性。此外，例如各附加层均可以具有在约25μm至约150μm的范围内的厚度。例如，可以确定附加层的数量以及适当的厚度，以便为智能卡10提供在约450μm至约550μm的范围内的厚度、诸如约500μm的厚度。
根据一些说明性实施方式，附加层可以装配到覆盖片层13a、13b，并且相应形成的堆叠体构造可以经受热层合工艺、诸如高温层叠。在热层合工艺中，凹部可以至少部分地填充有来自基础衬底12和/或附加层20a、20b的材料。相应地，凹部14a和14b可以获得对应于图2所示的渐缩侧壁S的渐缩侧壁(图3中未图示)。图2中的渐缩侧壁S的描述通过引用并入此处。本领域技术人员将理解，凹部14a和14b可以不完全地填充有基础衬底12和/或附加层20a、20b的材料，在这种情况下智能卡10中可以存在气穴。替选地，智能卡10可以在热层合之后不存在气穴，在这种情况下在覆盖片层13a和13b的材料与完全填充凹部14a、14b的材料之间可以存在边界。由于覆盖片层13a和13b、附加层20a和20b以及基础衬底12的不同光学特性，该边界可以是可见的。
根据一些说明性实施例，说明性热层合工艺可以采用约90℃范围内的温度和约0.3kg/cm2至约16kg/cm2范围内的压力，以及施加热量和压力的一个或多个步骤。例如，可以以高达约45分钟范围内的时间间隔施加工艺步骤。例如但不限于，约110℃-135℃、诸如约120℃的相对较高的温度可以用于生产初始层合件。该工艺步骤期间的压力可以在约12kg/cm2至16kg/cm2的范围内、诸如约14kg/cm2。该工艺步骤可以进行约25分钟至35分钟、诸如约30分钟。此外，随后在温度为约90℃至约105℃、诸如约100℃的情况下可以使用具有较低温度的工艺步骤。在该附加的工艺步骤中，压力可以为约0.3kg/cm2至0.8kg/cm2、诸如约0.5kg/cm2，并且时间段可以在约0.3分钟至0.8分钟的范围内、诸如约0.5分钟。例如，在PC层合的情况下，可以以约145℃-180℃的温度进行约30分钟的层合工艺，例如以165℃的温度进行约30分钟的层合工艺，并且冷却约40分钟。在PVC层合的情况下，可以施加约110℃至135℃范围内的温度，并进行适当的冷却。
参照图4，示意性地图示了智能卡30的示意性俯视图。智能卡30可以根据上面在图3的智能卡10的上下文中描述的任何制造方式进行制造，这些公开内容通过引用并入此处。相应地，根据本公开的一些说明性但非限制性实施方式，智能卡30可以对应于如上所述的图3的智能卡10。
参照图4，智能卡30中形成有“窗口”特征31。关于图5，示意性地图示了智能卡30的沿着图4中的线I-I的剖视图。鉴于图5中的剖视图，窗口特征31代表完全延伸穿过智能卡30的厚度、特别是完全延伸穿过智能卡30的覆盖片层33a和33b的透明和/或半透明材料的部分。覆盖片层33a和33b可以对应于上述覆盖片层3a和3b和/或覆盖片层13a和13b。覆盖片层33a和33b夹住对应于上述基础衬底2和/或基础衬底12的基础衬底32。此外，在覆盖片层33a和33b上形成一个或多个附加层40a和40b，用于遮盖覆盖片层33a和33b。附加层40a和40b可对应于上述附加层20a和20b。
在图5的图示中，“窗口”特征31由虚线标示为代表完全延伸穿过智能卡30的厚度的透明和/或半透明材料的通道。然而，类似于上面图2a或2b的描述，由于智能卡30暴露于其的热层合，覆盖片层33a和33b可以在窗口特征31处具有渐缩侧壁。
此外，在形成在每个覆盖层中的凹部的上下文中对上面的图1至图5进行了描述，这在本公开中不构成任何限制，并且替代地可以在至少一个覆盖片层中形成至少一个凹部。
尽管图4和图5所示的智能卡30未明确示出附加特征，诸如并入智能卡30中的一个或多个电子模块。但这不对本公开构成任何限制，并且本领域技术人员将理解，图4和图5所示的智能卡30可以具有并入其中的一个或多个电子模块。
尽管上面关于图1至图3描述的预层合嵌体示出了集成到基础衬底中的电子模块，但这不对本公开构成任何限制，并且在这种预层合嵌体中可以省略任何电子模块。
尽管电子模块是关于天线模块进行描述的，但这并不对本公开构成任何限制，而是替代地可以分别在智能卡和预层合嵌体中提供任何种类的模块。模块的非穷举列表包括处理器模块、存储器模块、发射器模块、接收器模块、加密模块、安全模块、显示模块、光学模块(诸如发光模块和/或受光模块)等。
根据一些说明性实施方式，如上文关于图1至图3所描述的至少一个凹部可以用于提供如上文所描述的“窗口”特征。例如，在至少一个凹部的底部处提供安全图案(例如智能卡的持有者的照片图像)。在层合之后，具有安全图案的凹部可以至少部分地由基础衬底的材料和/或遮盖至少一个凹部的附加层的材料填充。相应地，“窗口”特征可以代表允许识别持卡人的安全图案。在不损坏智能卡的情况下无法篡改该“窗口”特征，从而允许识别智能卡的持有者。然而，该实施例仅出于说明性目的而呈现，并不旨在对本公开进行限制。
总而言之，本公开提供了智能卡的预层合嵌体、智能卡、形成智能卡的预层合嵌体的方法以及形成智能卡的方法。根据本文的一些实施方式，预层合嵌体包括由装配在一起的至少两个层形成的基础衬底，以及形成在基础衬底的相反两侧处的两个覆盖片层，其中两个覆盖片层中的至少一个中形成有凹部。凹部以凹部的开口被暴露的方式至少部分地延伸穿过覆盖片层。

Claims (21)

1.一种智能卡的预层合嵌体，包括：
由至少一个层形成的基础衬底；以及
形成在所述基础衬底的一侧上的至少一个覆盖片层，其中所述至少一个覆盖片层中形成有凹部，所述凹部以所述凹部的开口被暴露的方式至少部分地延伸穿过所述基础衬底的一侧上的所述至少一个覆盖片层。
2.根据权利要求1所述的预层合嵌体，其特征在于，所述凹部是使所述基础衬底的表面区域暴露的通孔。
3.根据权利要求2所述的预层合嵌体，其特征在于，与所述凹部接合的所述至少一个覆盖片层具有渐缩侧壁。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的预层合嵌体，其特征在于，所述凹部与嵌入所述基础衬底中的电子模块对准，使得所述电子模块的一部分在所述覆盖片层的法线方向上位于所述凹部正下方。
5.根据权利要求4所述的预层合嵌体，其特征在于，所述电子模块包括天线模块。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的预层合嵌体，其特征在于，所述基础衬底由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的预层合嵌体，其特征在于，形成在所述基础衬底的一侧上的所述至少一个覆盖片层中的至少一个由不透明材料形成，诸如白色PC和/或白色PVC。
8.一种智能卡，包括：
根据权利要求1至7中任一项所述的预层合嵌体；以及
至少一个附加层，其遮盖形成在所述预层合嵌体的一侧上的所述至少一个覆盖片层，
其中在所述至少一个覆盖片层中的所述凹部至少部分地填充有所述基础衬底的材料和/或所述至少一个附加层的材料。
9.根据权利要求8所述的智能卡，其特征在于，所述至少一个附加层由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。
10.一种形成智能卡的预层合嵌体的方法，所述方法包括：
制备具有至少一个层的基础衬底；
在所述基础衬底的一侧上形成至少一个覆盖片层，用于用所述至少一个覆盖片层遮盖所述基础衬底的一个表面；以及
在所述至少一个覆盖片层中形成凹部，所述凹部以所述凹部的开口被暴露的方式至少部分地延伸穿过所述至少一个覆盖片层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述凹部是使所述基础衬底的表面区域暴露的通孔。
12.根据权利要求10或11所述的方法，还包括在形成所述至少一个凹部之后执行热层合工艺。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其特征在于，所述凹部以与嵌入到所述基础衬底中的电子模块对准的方式形成，使得所述电子模块的一部分在所述至少一个覆盖片层的法线方向上位于所述凹部正下方。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述电子模块包括天线模块。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的方法，其特征在于，所述基础衬底由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个覆盖片层中的至少一个由不透明材料形成，诸如白色PC和/或白色PVC。
17.一种形成智能卡的方法，所述方法包括：
提供根据权利要求1至7中任一项所述的预层合嵌体；以及
通过在所述基础衬底的一侧装配至少一个附加层以遮盖所述预层合嵌体的所述至少一个覆盖片层来形成堆叠体构造。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，提供所述预层合嵌体包括用根据权利要求10至16中任一项所述的方法形成所述预层合嵌体。
19.根据权利要求17或18所述的方法，还包括使所述堆叠体构造经受层合工艺以形成一体化本体构造。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述层合工艺是热层合工艺，产生单片智能卡本体，其中所述凹部至少部分地填充有所述基础衬底的材料和/或所述至少两个附加层的材料。
21.根据权利要求17至20中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个附加层由透明材料和/或半透明材料形成，诸如透明PC和/或半透明PC和/或透明PVC和/或半透明PVC。
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