[go: up one dir, main page]

CN116018397A - 基板的清洗方法 - Google Patents

基板的清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116018397A
CN116018397A CN202180052691.8A CN202180052691A CN116018397A CN 116018397 A CN116018397 A CN 116018397A CN 202180052691 A CN202180052691 A CN 202180052691A CN 116018397 A CN116018397 A CN 116018397A
Authority
CN
China
Prior art keywords
component
group
cleaning
resin mask
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180052691.8A
Other languages
English (en)
Inventor
山田晃平
郑敬腾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Publication of CN116018397A publication Critical patent/CN116018397A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明在一个方式中提供一种基板的清洗方法，其能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。本发明在一个方式中涉及一种基板的清洗方法，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺；成分B：还原剂；成分C：水。

Description

基板的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用其的基板的清洗方法及电子部件的制造方法。
背景技术
近年来，在个人电脑、各种电子装置中，低能耗化、处理速度的高速化、小型化正在发展，这些中搭载的封装基板等的布线正在逐年微细化。这种微细布线、及柱、凸块等连接端子的形成迄今为止主要使用金属掩膜法，但因通用性低、或难以应对布线等的微细化，因此正在向其他新方法转变。
作为新方法之一，已知有使用干膜抗蚀剂作为厚膜树脂掩膜来代替金属掩膜的方法。该树脂掩膜最终会被剥离、除去，作为剥离、除去等的清洗所使用的清洗剂，已知有含有碱剂与水的树脂掩膜剥离用清洗剂。例如，在日本特开2019-112498号公报(专利文献1)中，为了提供树脂掩膜除去性及连续操作稳定性优异的树脂掩膜剥离清洗方法，公开有使用含有特定的季铵氢氧化物、特定的胺及水的清洗剂组合物的树脂掩膜剥离清洗方法。
另外，也正在开发抑制清洗后对金属膜质的腐蚀的技术。例如，在日本特开2007-256955号公报(专利文献2)中，为了提供清洗后对金属膜质无腐蚀、清洗效果等优异的抗蚀剂剥离液清洗用化学清洗组合物，公开有如下抗蚀剂剥离液清洗用化学清洗组合物，其含有选自有机胺系化合物、有机溶剂、三唑系防腐蚀剂、羟基酚类、没食子酸烷基酯类、及还原剂类中的防腐蚀剂及水。
发明内容
本发明在一个方式中，涉及一种基板的清洗方法，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。
成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
成分B：还原剂
成分C：水
[化学式1]
Figure BDA0004094527580000021
在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[化学式2]
Figure BDA0004094527580000022
在上述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
本发明在一个方式中，涉及一种电子部件的制造方法，其包括如下工序：使用本发明的清洗方法，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。
本发明在一个方式中，涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有下述成分A、下述成分B及下述成分C。
成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
成分B：还原剂
成分C：水
[化学式3]
Figure BDA0004094527580000031
在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[化学式4]
Figure BDA0004094527580000032
在上述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
本发明在一个方式中，涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物用作电子部件的制造中的清洗剂的用途，上述树脂掩膜剥离用清洗剂组合物含有下述成分A、下述成分B及下述成分C。
成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
成分B：还原剂
成分C：水
[化学式5]
Figure BDA0004094527580000033
在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[化学式6]
Figure BDA0004094527580000034
在上述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
具体实施方式
关于在印刷基板等上形成微细布线的方面，为了减少树脂掩膜的残存，而且为了减少微细布线或凸块的形成所使用的焊料或镀覆液等所含有的助剂等的残存，对清洗剂组合物要求高的清洗性。
此处，树脂掩膜是指使用对于显影液的溶解性等物性因光、电子束等发生变化的抗蚀剂所形成的物质。根据与光或电子束的反应方法，抗蚀剂可大致分为负型与正型。负型抗蚀剂具有若曝光则对显影液的溶解性降低的特性，含有负型抗蚀剂的层(以下也称为“负型抗蚀层”)在曝光及显影处理后，曝光部被用作树脂掩膜。正型抗蚀剂具有若曝光则对显影液的溶解性增大的特性，含有正型抗蚀剂的层(以下也称为“正型抗蚀层”)在曝光及显影处理后，曝光部被除去，未曝光部被用作树脂掩膜。通过使用具有这种特性的树脂掩膜，能够形成金属布线、及金属柱、焊料凸块等电路基板的微细连接部。
然而，随着布线微细化，除去存在于微细间隙中的树脂掩膜变得困难，对清洗剂组合物要求高的树脂掩膜除去性。另外，由于大多布线、连接端子中使用的铜的腐蚀会导致封装基板的品质及价值降低，因此对清洗剂组合物要求高的防腐蚀能力。此外，清洗后的基板上的残留物会产生阻碍后续工序的蚀刻的问题，因此寻求能够减少该残留物的清洗剂组合物。
因此，本发明提供一种能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的基板的清洗方法、电子部件的制造方法、及树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。
本发明基于如下见解，即，通过将特定的有机含氮化合物(成分A)与还原剂(成分B)并用，能够抑制铜的腐蚀，并且从基板表面高效地除去树脂掩膜，此外，能够减少清洗后的基板上的残留物。
本发明在一个方式中，涉及一种基板的清洗方法(以下也称为“本发明的清洗方法”)，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。
成分A：上述式(I)所表示的季铵氢氧化物及上述式(II)所表示的胺
成分B：还原剂
成分C：水
根据本发明，可提供一种清洗方法，其能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。并且，通过使用本发明的清洗方法，能够以高产率获得高品质的电子部件。进而，通过使用本发明的清洗方法，能够高效地制造具有微细的布线图案的电子部件。
本发明的效果表现的作用机制的详情虽有不明确的部分，但作如下推测。
在本发明中，认为特定的有机含氮化合物(成分A)渗透至树脂掩膜内而促进配合至树脂掩膜的碱可溶性树脂的解离，进而引起由于解离而产生的电荷的排斥，由此促进树脂掩膜的剥离。另一方面，认为特定的有机含氮化合物(成分A)也参与铜的蚀刻(腐蚀)。然而，认为在本发明中，通过将特定的有机含氮化合物(成分A)与还原剂(成分B)并用，从而利用还原剂(成分B)的作用抑制铜表面的带正电，抑制由特定的有机含氮化合物(成分A)的配位所导致的铜的蚀刻(腐蚀)。认为其结果是，在特定的有机含氮化合物(成分A)的存在下，抑制铜的蚀刻(腐蚀)，并且表现出良好的剥离性能(树脂掩膜除去性)。
进而，认为因还原剂(成分B)并不是覆膜型而是非覆膜型，因此能够抑制铜的蚀刻(腐蚀)，并且减少清洗后的基板上的残留物。
但本发明也可不限定于该机制地解释。
在本发明中，被剥离、除去的树脂掩膜是指用于保护物质表面免受蚀刻、镀覆、加热等处理的影响的掩膜，即作为保护膜发挥功能的掩膜。作为树脂掩膜，在一个或多个实施方式中，可举出：曝光及显影工序后的抗蚀层、实施了曝光及显影中的至少一种处理(以下也称为“经曝光和/或显影处理”)的抗蚀层、或固化了的抗蚀层。作为形成树脂掩膜的树脂材料，在一个或多个实施方式中，可举出：膜状感光性树脂、抗蚀剂膜、或光刻胶。抗蚀剂膜可使用通用的抗蚀剂膜。
树脂掩膜在一个或多个实施方式中是用于镀铜或镀锡处理的镀铜或镀锡用掩膜。
[清洗剂组合物]
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中是含有后述的成分A、成分B及成分C的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。
[有机含氮化合物(成分A)]
本发明的清洗剂组合物含有式(I)所表示的季铵氢氧化物(成分A1)及式(II)所表示的胺(成分A2)的2成分的组合(以下也简称为“成分A”)。成分A1可为1种，也可为2种以上的组合。成分A2可为1种，也可为2种以上的组合。
[化学式7]
Figure BDA0004094527580000061
在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[化学式8]
Figure BDA0004094527580000062
在上述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
作为式(I)所表示的季铵氢氧化物(成分A1)，例如可举出包含季铵阳离子与氢氧根的盐等。作为季铵氢氧化物的具体例，可举出选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、2-羟基乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、2-羟基乙基三乙基氢氧化铵、2-羟基乙基三丙基氢氧化铵、2-羟基丙基三甲基氢氧化铵、2-羟基丙基三乙基氢氧化铵、2-羟基丙基三丙基氢氧化铵、二甲基双(2-羟基乙基)氢氧化铵、二乙基双(2-羟基乙基)氢氧化铵、二丙基双(2-羟基乙基)氢氧化铵、三(2-羟基乙基)甲基氢氧化铵、三(2-羟基乙基)乙基氢氧化铵、三(2-羟基乙基)丙基氢氧化铵、四(2-羟基乙基)氢氧化铵、及四(2-羟基丙基)氢氧化铵中的至少1种。在这些中，就提高树脂掩膜除去性的观点而言，优选为四甲基氢氧化铵及四乙基氢氧化铵，更优选为四甲基氢氧化铵(TMAH)。
作为式(II)所表示的胺(成分A2)，例如可举出：烷醇胺、伯胺～叔胺及杂环化合物等。作为胺的具体例，可举出选自单乙醇胺(MEA)、单异丙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-乙基异丙醇胺、二乙醇胺、二异丙醇胺、N-二甲基单乙醇胺、N-二甲基单异丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-甲基二异丙醇胺、N-二乙基单乙醇胺、N-二乙基单异丙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-乙基二异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、N-(β-氨基乙基)异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)二乙醇胺、N-(β-氨基乙基)二异丙醇胺、1-甲基哌嗪、1-(2-羟基乙基)吡咯烷、1-(2-羟基乙基)哌嗪、乙二胺及二亚乙基三胺中的至少1种。在这些中，就提高树脂掩膜除去性的观点而言，优选为单乙醇胺(MEA)及二乙醇胺，更优选为单乙醇胺(MEA)。
关于本发明的清洗剂组合物的使用时的成分A的含量(成分A1的含量与成分A2的含量的合计含量)，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为5质量％以上，更优选为6质量％以上，进一步优选为7质量％以上，并且，就相同的观点而言，优选为15质量％以下，更优选为13质量％以下，进一步优选为12质量％以下。更具体而言，本发明的清洗剂组合物的使用时的成分A的含量优选为5质量％以上且15质量％以下，更优选为6质量％以上且13质量％以下，进一步优选为7质量％以上且12质量％以下。在成分A1为2种以上的组合的情况下，成分A1的含量是指它们的合计含量。在成分A2为2种以上的组合的情况，成分A2的含量是指它们的合计含量。
关于本发明的清洗剂组合物中的成分A1的含量相对于成分A2的含量的比(质量比A1/A2)，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为0.1以上，更优选为0.3以上，进一步优选为0.6以上，并且，就相同的观点而言，优选为2以下，更优选为1.5以下，进一步优选为1以下。更具体而言，质量比A1/A2优选为0.1以上且2以下，更优选为0.3以上且1.5以下，进一步优选为0.6以上且1以下。
在本发明中，“清洗剂组合物的使用时的各成分的含量”是指清洗时、即清洗剂组合物开始用于清洗的时间点的各成分的含量。
[还原剂(成分B)]
本发明的清洗剂组合物含有还原剂(以下也简称为“成分B”)。作为成分B，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，可举出选自抗坏血酸(以下也称为“成分B1”)、及包含含氮杂芳环中的至少1个氢原子被羟基取代了的含氮杂芳环的N-氧化物化合物(以下也称为“成分B2”)中的至少1种。在这些中，就清洗剂组合物的稳定性的观点而言，优选为成分B2。作为上述的盐，可举出：碱金属盐、碱土金属盐、有机胺盐、及铵盐等。成分B可单独使用1种，也可为2种以上的组合。
作为成分B1，例如可举出选自L-抗坏血酸、D-抗坏血酸、异抗坏血酸及这些的盐中的1种以上。
成分B2的含氮杂芳环骨架所包含的至少1个氮原子形成N-氧化物。作为成分B2所包含的含氮杂芳环，在一个或多个实施方式中，可举出单环或双环的缩合环。作为成分B2所包含的含氮杂芳环的氮原子数，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为1～3个，更优选为1或2个，进一步优选为1个。作为成分B2所包含的含氮杂芳环骨架，在一个或多个实施方式中，可举出吡啶-N-氧化物骨架。在本发明中，吡啶-N-氧化物骨架表示吡啶环所包含的氮原子形成N-氧化物的构成。作为成分B2，可举出选自具有至少1个氢原子被羟基取代了的吡啶环的N-氧化物化合物及它们的盐中的至少1种。作为成分B2的具体例，可举出2-羟基吡啶-N-氧化物等。
在本发明中，N-氧化物化合物在一个或多个实施方式中表示具有N-氧化物基(N→O基)的化合物。N-氧化物化合物可具有1或2个以上的N→O基，就获取容易性的观点而言，N→O基的数优选为1个。
就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，成分B优选为抗坏血酸及2-羟基吡啶-N-氧化物中的至少一者。
关于本发明的清洗剂组合物的使用时的成分B的含量，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为0.05质量％以上，更优选为0.1质量％以上，进一步优选为0.2质量％以上，并且，就相同的观点而言，优选为5质量％以下，更优选为3质量％以下，进一步优选为1质量％以下。更具体而言，成分B的含量优选为0.05质量％以上且5质量％以下，更优选为0.1质量％以上且3质量％以下，进一步优选为0.2质量％以上且1质量％以下。在成分B为2种以上的组合的情况下，成分B的含量是指它们的合计含量。
关于本发明的清洗剂组合物中的成分A的含量相对于成分B的含量的比(质量比A/B)，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为8以上，更优选为14以上，进一步优选为18以上，进一步优选为20以上，并且，就相同的观点而言，优选为50以下，更优选为45以下，进一步优选为40以下。更具体而言，质量比A/B优选为8以上且50以下，更优选为14以上且45以下，进一步优选为18以上且45以下，进一步优选为20以上且40以下。
[水(成分C)]
作为本发明的清洗剂组合物所包含的水(以下也简称为“成分C”)，在一个或多个实施方式中，可举出离子交换水、RO水、蒸馏水、纯水、及超纯水等。
本发明的清洗剂组合物中的成分C的含量可设为除去了成分A、成分B及后述的任选成分后的余量。具体而言，关于本发明的清洗剂组合物的使用时的成分C的含量，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点、降低排水处理负荷的观点、及降低对基板的影响的观点而言，优选为50质量％以上，更优选为60质量％以上，进一步优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，并且，就相同的观点而言，优选为99质量％以下，更优选为98质量％以下，进一步优选为97质量％以下。更具体而言，本发明的清洗剂组合物的使用时的成分C的含量优选为50质量％以上且99质量％以下，更优选为60质量％以上且99质量％以下，进一步优选为70质量％以上且98质量％以下，进一步优选为80质量％以上且97质量％以下。
关于本发明的清洗剂组合物的使用时的成分A、成分B及成分C的合计量，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为60质量％以上，更优选为90质量％以上，进一步优选为95质量％以上。
[有机溶剂(成分D)]
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，也可进一步含有有机溶剂(以下也简称为“成分D”)。成分D可为1种，也可为2种以上的组合。
作为成分D，在一个或多个实施方式中，可举出选自二醇醚及芳香族酮中的至少1种溶剂。
作为二醇醚，就相同的观点而言，可举出：具有对碳数1以上且8以下的醇加成了1以上且3摩尔以下的乙二醇的结构的化合物。作为二醇醚的具体例，可举出选自二乙二醇单丁醚(BDG)、乙二醇单苄醚、二乙二醇单己醚、乙二醇单苯醚、及二乙二醇二乙醚中的至少1种。
作为芳香族酮，就相同的观点而言，可举出苯乙酮等。
在本发明的清洗剂组合物含有成分D的情况下，关于本发明的清洗剂组合物的使用时的成分D的含量，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为1质量％以上，更优选为1.5质量％以上，进一步优选为2质量％以上，并且，就相同的观点而言，优选为40质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为5质量％以下。更具体而言，使用时的成分D的含量优选为1质量％以上且40质量％以下，更优选为1.5质量％以上且20质量％以下，进一步优选为2质量％以上且5质量％以下。在成分D为2种以上的组合的情况下，成分D的含量是指它们的合计含量。
[螯合剂(成分E)]
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，可还含有螯合剂(以下也简称为“成分E”)。成分E可为1种，也可为2种以上的组合。
作为成分E，例如可举出具有2个以上的选自羧基及膦酰基中的至少1种酸基的化合物，就相同的观点而言，优选为如下化合物，其具有优选为4个以下的上述酸基。作为成分E的具体例，在一个或多个实施方式中，可举出：氨基三亚甲基膦酸、2-膦酰基丁烷-1,2,4-三羧酸、及依替膦酸(1-羟基乙烷-1,1-二膦酸，HEDP)等。在这些中，就降低环境负荷的观点而言，优选为2-膦酰基丁烷-1,2,4-三羧酸、依替膦酸(HEDP)等不含氮原子的化合物。
本发明的清洗剂组合物含有成分E的情况下，关于本发明的清洗剂组合物的使用时的成分E的含量，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，并且，就相同的观点而言，优选为5质量％以下，更优选为3质量％以下。更具体而言，使用时的成分E的含量优选为0.5质量％以上且5质量％以下，更优选为1质量％以上且3质量％以下。在成分E为2种以上的组合的情况下，成分E的含量是指它们的合计含量。
[成分F：有机酸的铵盐]
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，可还含有有机酸的铵盐中的至少1种(以下也称为“成分F”)。作为有机酸的铵盐，就相同的观点而言，优选为碳数1～5的羧酸的铵盐，更优选为甲酸铵。成分F可为1种，也可为2种以上的组合。
在本发明的清洗剂组合物含有成分F的情况下，关于本发明的清洗剂组合物的使用时的成分F的含量，就抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的观点而言，优选为0.1质量％以上，更优选为0.2质量％以上，进一步优选为0.3质量％以上，并且，就相同的观点而言，优选为2质量％以下，更优选为1.5质量％以下，进一步优选为1质量％以下。更具体而言，成分F的含量优选为0.1质量％以上且2质量％以下，更优选为0.2质量％以上且1.5质量％以下，进一步优选为0.3质量％以上且1质量％以下。在成分F为2种以上的组合的情况下，成分F的含量是指它们的合计含量。
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，就提高树脂掩膜除去性的观点而言，优选还含有成分D、成分E及成分F。
[其他成分]
本发明的清洗剂组合物在不损害本发明的效果的范围内，除上述成分A～F以外，可根据需要还含有其他成分。作为其他成分，可举出通常的清洗剂中可使用的成分，例如可举出：成分A以外的碱剂、成分D以外的有机溶剂、表面活性剂、成分E以外的螯合剂、增稠剂、分散剂、防锈剂、高分子化合物、助溶剂、抗氧化剂、防腐剂、消泡剂、抗菌剂等。
本发明的清洗剂组合物的使用时的其他成分的含量优选为0质量％以上且2质量％以下，更优选为0质量％以上且1.5质量％以下，进一步优选为0质量％以上且1.3质量％以下，再进一步优选为0质量％以上且1质量％以下。
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，优选不含三唑系防腐蚀剂。例如，在一个或多个实施方式中，本发明的清洗剂组合物的使用时的三唑系防腐蚀剂的含量小于0.005质量％。
本发明的清洗剂组合物的使用时的来自成分A、成分B及任选成分(成分D、成分E、成分F、其他成分)的有机物的总含量就降低排水处理负荷、及降低对基板的影响的观点而言，优选为30质量％以下，更优选为25质量％以下，进一步优选为20质量％以下，再进一步优选为16质量％以下，并且，就提高树脂掩膜除去性的观点而言，优选为2质量％以上，更优选为3质量％以上，进一步优选为4质量％以上，再进一步优选为6质量％以上。更具体而言，本发明的清洗剂组合物的使用时的来自成分A、成分B、成分C及任选成分(成分D、成分E、成分F、其他成分)的有机物的总含量优选为2质量％以上且30质量％以下，更优选为3质量％以上且25质量％以下，进一步优选为4质量％以上且20质量％以下，再进一步优选为6质量％以上且16质量％以下。
[清洗剂组合物的制造方法]
本发明的清洗剂组合物可通过将成分A、成分B、成分C及根据需要的上述任选成分(成分D、成分E、成分F、其他成分)以公知的方法进行配合而制造。例如，本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，可以是将至少成分A、成分B及成分C进行配合而成的。
因此，本发明涉及一种清洗剂组合物的制造方法，其包括至少将成分A、成分B及成分C进行配合的工序。在本发明中，“配合”包括将成分A、成分B、成分C及根据需要的上述任选成分(成分D、成分E、成分F、其他成分)同时或以任意的顺序混合。在本发明的清洗剂组合物的制造方法中，各成分的优选配合量可设为与上述本发明的清洗剂组合物的各成分的优选含量相同。
本发明的清洗剂组合物可为直接用于清洗的形态，也可制备为在不会引起分离、析出等而损害保管稳定性的范围内减少了水(成分C)的量的浓缩物。清洗剂组合物的浓缩物就运输及储存的观点而言，优选制成稀释倍率3倍以上的浓缩物，就保管稳定性的观点而言，优选制成稀释倍率30倍以下的浓缩物。清洗剂组合物的浓缩物可在使用时以各成分(成分A、成分B、成分C、成分D、成分E、成分F、及其他成分)成为上述含量(即，清洗时的含量)的方式用水(成分C)进行稀释而使用。进而，清洗剂组合物的浓缩物也可在使用时分别添加各成分而使用。在本发明中，浓缩液的清洗剂组合物的“使用时”或“清洗时”是指清洗剂组合物的浓缩物被稀释的状态。
[被清洗物]
被清洗物在一个或多个实施方式中是在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板。作为上述基板，例如可举出绝缘体的板、膜等。因此，本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，可用于清洗在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板。
含铜金属层在一个或多个实施方式中是镀铜层。镀铜层例如可通过非电解镀铜法而形成。含铜金属层在一个或多个实施方式中用作金属布线。
在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板在一个或多个实施方式中经过了进行使用树脂掩膜的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序。
上述基板在一个或多个实施方式中，具有厚度为15μm以上的含铜金属层或含锡金属层。就电特性及制造性的观点而言，厚度为15μm以上的含铜金属层或含锡金属层的厚度优选为15μm以上且85μm以下，更优选为20μm以上且80μm以下，进一步优选为30μm以上且70μm以下。厚度为15μm以上的含铜金属层或含锡金属层在一个或多个实施方式中用作金属布线、布线连接部。
被清洗物在一个或多个实施方式中是附着有树脂掩膜的被清洗物。因此，本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中可用于清洗附着有树脂掩膜的被清洗物。
作为附着有树脂掩膜的被清洗物，在一个或多个实施方式中，可举出在表面具有含铜金属部位及树脂掩膜的电子部件、及其制造中间物。作为电子部件，例如可举出选自印刷基板、晶圆、及铜板与铝板等金属板中的至少1个部件。上述制造中间物是电子部件的制造工序中的中间制造物，包括树脂掩膜处理后中间制造物。
作为附着有树脂掩膜的被清洗物的具体例，例如可举出如下电子部件等，其经过进行使用树脂掩膜的焊接及镀覆处理(镀铜、镀铝、镀镍、镀锡等)中的至少一种处理的工序，由此在基板表面形成了布线、连接端子等。在本发明中，焊接是指使焊料存在于基板上的树脂掩膜非存在部，通过加热而形成焊料凸块。在本发明中，镀覆处理是指在基板上的树脂掩膜非存在部进行选自镀铜、镀铝、镀镍及镀锡中的至少1种镀覆处理。树脂掩膜非存在部是指在通过对层压至基板上的树脂掩膜进行显影处理而形成的抗蚀剂图案(图案形状的树脂掩膜)中，通过显影处理除去了树脂掩膜的部分。因此，本发明在一个方式中涉及本发明的清洗剂组合物用作电子部件的制造中的清洗剂的用途。
在一个或多个实施方式中，被清洗物经过了对具有通过对层压至基板上的树脂掩膜进行显影处理而形成的抗蚀剂图案(图案形状的树脂掩膜)的基板进行焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序。例如作为被清洗物，可举出如下基板，其具有作为基板上形成有固化了的抗蚀层的树脂掩膜存在部的部位、及在树脂掩膜非存在部形成有焊料凸块或镀覆层的部位。
被清洗物在一个或多个实施方式中是具有存在于微细间隙中的树脂掩膜的基板。在本发明中，间隙在一个或多个实施方式中是指图案间的距离(相邻布线彼此的间隔)，也称作间距(S)。另外，图案(布线)的宽度也称作线宽(L)。存在于微细间隙中的树脂掩膜在一个或多个实施方式中是指存在于间距宽度为10μm以下的间距中的树脂掩膜。作为存在于微细间隙中的树脂掩膜，例如可举出存在于间距宽度为4～7μm的间距中的树脂掩膜。
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，就清洗效果的观点而言，可良好地用于清洗附着有树脂掩膜、或进一步经镀覆处理和/或加热处理的树脂掩膜的被清洗物。作为树脂掩膜，例如可为负型树脂掩膜，也可为正型树脂掩膜。在本发明中，所谓负型树脂掩膜是指使用负型抗蚀剂而形成的树脂掩膜，例如可举出经曝光和/或显影处理的负型抗蚀层。在本发明中，正型树脂掩膜是指使用正型抗蚀剂而形成的树脂掩膜，例如可举出经曝光和/或显影处理的正型抗蚀层。
[清洗方法]
本发明的清洗方法在一个或多个实施方式中，包括如下工序(以下也简称为“剥离工序”)：使用本发明的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板(被清洗物)剥离树脂掩膜。上述剥离工序在一个或多个实施方式中，包括使被清洗物与本发明的清洗剂组合物接触。上述剥离工序在一个或多个实施方式中，包括除去存在于微细间隙中的树脂掩膜。如上所述，存在于微细间隙中的树脂掩膜是存在于间距宽度为10μm以下的间距中的树脂掩膜。根据本发明的清洗方法，能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。
作为使用本发明的清洗剂组合物从被清洗物剥离树脂掩膜的方法、或使被清洗物与本发明的清洗剂组合物接触的方法，例如可举出：通过浸渍至装有清洗剂组合物的清洗浴槽内从而接触的方法、将清洗剂组合物以喷雾状射出从而接触的方法(喷淋方式)、在浸渍过程中照射超声波的超声波清洗方法等。本发明的清洗剂组合物可不进行稀释而直接用于清洗。作为被清洗物，可举出上述的被清洗物。
本发明的清洗方法在一个或多个实施方式中，可包括使清洗剂组合物与被清洗物接触后用水漂洗并进行干燥的工序。本发明的清洗方法在一个或多个实施方式中，可包括使清洗剂组合物与被清洗物接触后用水冲洗的工序。
本发明的清洗方法就易于发挥本发明的清洗剂组合物的清洗力的观点而言，优选在本发明的清洗剂组合物与被清洗物的接触时照射超声波，更优选该超声波为较高频率。上述超声波的照射条件就相同的观点而言，例如优选为26～72kHz、80～1500W，更优选为36～72kHz、80～1500W。
在本发明的清洗方法中，就易于发挥本发明的清洗剂组合物的清洗力的观点而言，清洗剂组合物的温度优选为40℃以上，更优选为50℃以上，并且，就降低对基板的影响的观点而言，优选为70℃以下，更优选为60℃以下。
[电子部件的制造方法]
本发明在一个方式中，涉及一种电子部件的制造方法(以下也称为“本发明的电子部件的制造方法”)，其包括使用本发明的清洗方法来清洗在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板(被清洗物)的工序(清洗工序)。作为被清洗物，可举出上述被清洗物。本发明的电子部件的制造方法在一个或多个实施方式中，可包括在上述清洗工序前，对选自印刷基板、晶圆、及金属板中的至少1种电子部件进行使用树脂掩膜的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序。本发明的电子部件的制造方法在一个或多个实施方式中，可包括在上述清洗工序后对含铜金属层进行蚀刻的工序。
本发明的电子部件的制造方法通过使用本发明的清洗方法进行清洗，能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加，因此能够制造可靠性较高的电子部件。进而，通过进行本发明的清洗方法，容易除去附着于电子部件的树脂掩膜，因此能够缩短清洗时间，能够提高电子部件的制造效率。
[套组]
本发明在一个方式中，涉及一种套组(以下也称为“本发明的套组”)，其用于本发明的清洗方法及本发明的电子部件的制造方法中的任一者。本发明的套组在一个或多个实施方式中，是用于制造本发明的清洗剂组合物的套组。根据本发明的套组，可获得能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的清洗剂组合物。
作为本发明的套组的一个实施方式，可举出如下套组(2液型清洗剂组合物)，其以相互不混合的状态包含含有成分A的溶液(第1液)及含有成分B的溶液(第2液)，第1液及第2液中的至少一者还含有水(成分C)的一部分或全部，且第1液与第2液在使用时被混合。第1液与第2液混合后，也可根据需要用水(成分C)进行稀释。第1液及第2液各自也可根据需要含有上述任选成分。
实施例
以下，利用实施例对本发明具体地进行说明，但本发明不受这些实施例任何限定。
1.实施例1～13、比较例1及参考例1～2的清洗剂组合物的制备
以表1记载的配合量(质量％、有效部分)将表1所示的各成分进行配合，将其进行搅拌、混合，由此制备实施例1～13、比较例1及参考例1～2的清洗剂组合物。
实施例1～13、比较例1及参考例1～2的清洗剂组合物的制备中使用了下述物质。
(成分A)
TMAH：四甲基氢氧化铵[昭和电工株式会社制造，浓度25％]
MEA：单乙醇胺[株式会社日本触媒制造]
(成分B)
抗坏血酸[富士胶片和光纯药株式会社]
HOPO：2-羟基吡啶-N-氧化物[苏州昊帆生物股份有限公司制造]
(成分C)
水[用Organo株式会社制造的纯水装置G-10DSTSET制造的1μS/cm以下的纯水]
(成分D)
BDG：二乙二醇丁醚[日本乳化剂株式会社制造，二乙二醇单丁醚]
(成分E)
HEDP：依替膦酸[Italmatch Japan株式会社制造，Dequest2010，浓度60％]
(成分F)
甲酸铵[富山药品工业株式会社制造]
(其他成分)
苯并三唑[Mitsui Fine Chemicals株式会社](覆膜型蚀刻抑制剂)硫代乙酰胺[富士胶片和光纯药株式会社](覆膜型蚀刻抑制剂)
2.清洗剂组合物的评价
对所制备的施例1～13、比较例1及参考例1～2的清洗剂组合物进行下述评价。
[试片I的制作]
对非电解镀覆后的基板表面在下述条件下层压PKG(半导体封装)基板电路形成用感光性膜，选择性地进行曝光处理从而使曝光部固化后(曝光工序)，通过显影处理而除去未曝光部(显影工序)，获得具有抗蚀剂图案(图案形状的负型树脂掩膜)的基板。并且，对通过上述显影处理除去了未曝光部的区域进行镀铜处理(厚度10μm)，由此获得包含基板的试片I(50mm×50mm)，该基板在表面具有含铜金属层(铜布线)及作为固化了的抗蚀层的树脂掩膜。
(1)层压：使用清洁辊(株式会社RAYON INDUSTRIAL制造，RY-505Z)及真空敷料器(罗门哈斯公司制造，VA7024/HP5)，在辊温度50℃、辊压力1.4Bar下进行。
(2)曝光：使用印刷基板用直接描绘装置(株式会社SCREEN Graphic andPrecision Solutions制造，Mercurex LI-9500)，以曝光量15mJ/cm2进行曝光。
(3)图案形状：L/S＝5μm/5μm、6μm/6μm、7μm/7μm的条状图案。需要说明的是，L/S表示：表示图案(铜布线)的宽度的线宽(L)与表示相邻图案间的距离(绝缘部的宽度)的间距(S)。
(4)显影：使用基板用显影装置(扬博科技株式会社制造，LT-980366)、30℃的1％碳酸钠水溶液，在喷雾压力0.2MPa下，除去未曝光部的树脂掩膜。
[清洗试验]
使用各清洗剂组合物清洗试片I，从基板剥离树脂掩膜。
在5L不锈钢烧杯中添加3kg清洗剂组合物，加温至50℃，在安装有单流体喷嘴(密实锥形)J020(株式会社H.IKEUCHI制造)作为喷雾喷嘴的箱式喷雾清洗机中一面循环，一面对试片I进行喷雾(压力：0.1MPa、喷雾距离：8cm)1分钟(剥离工序或清洗工序)。然后，浸渍至1L玻璃烧杯中添加有1kg水的冲洗槽中冲洗后，用氮气吹干。
[树脂掩膜的剥离性I的评价]
使用光学显微镜“数位显微镜VHX-6000”(株式会社基恩士制造)，放大500倍并目视确认在进行了上述清洗试验后的试片I的图案部中有无残存的树脂掩膜，以下述标准进行评价。将结果示于表1中。
＜评价基准＞
A：在5μm/5μm下也未发现残渣
B：直至6μm/6μm未发现残渣
C：直至7μm/7μm未发现残渣
D：在7μm/7μm下也能发现残渣
[Cu蚀刻速率的评价(铜的腐蚀的评价)]
将各清洗剂组合物调节为2.5L，加温至50℃，在安装有密实锥形喷嘴(株式会社H.IKEUCHI制造，J020)作为喷雾喷嘴的箱式喷雾清洗机中一面循环，一面对表面实施了镀铜(面积为每一面25cm2、两面50cm2)的试片I进行喷雾(压力：0.05MPa、喷雾距离：80mm)4分钟。将清洗剂组合物稀释后，利用ICP分析法(Agilent Technologies制造，Agilent5110ICP-OES)测定铜的溶出量，通过下述式，将铜的密度设为8.94g/cm3，根据溶出量评价Cu蚀刻速率(μm/min)。将结果示于表1中。Cu蚀刻速率的数值越低，可判断铜腐蚀抑制效果越优异。
Cu蚀刻速率(μm/min)＝铜的溶出量(重量)÷铜的密度÷镀覆面积÷处理时间
[成分的残留性]
利用X射线光电子光谱法对进行了上述清洗试验的基板样品的镀铜部分进行分析，基于碳原子、氧原子、氮原子、硫原子的讯号强度，依据下述标准对残留性进行评价。将结果示于表1中。若检测出碳原子、氧原子、氮原子及硫原子的明显讯号，则判断来自清洗剂组合物的成分残留于清洗后的基板上。
＜评价基准＞
A：未检测出讯号，或仅检测出微弱讯号
B：检测出明显讯号
[稳定性]
目视观察上述清洗试验前后的清洗剂组合物的外观的颜色或浊度的变化，以下述标准进行评价。将结果示于表1中。
＜评价基准＞
A：清洗试验前后未发现变化
B：清洗试验前后发现变化[表1]
Figure BDA0004094527580000221
如表1所示，可知实施例1～13的清洗剂组合物与不含成分B的比较例1及参考例1～2相比，能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。
对所制备的实施例1及比较例1的清洗剂组合物还进行了下述评价。
[试片II]
对非电解镀覆后的基板表面在下述条件下层压PKG(半导体封装)基板电路形成用感光性膜，选择性地进行曝光处理从而使曝光部固化后(曝光工序)，通过显影处理除去未曝光部(显影工序)，获得具有抗蚀剂图案(图案形状的负型树脂掩膜)的基板。并且，对通过上述显影处理除去了未曝光部的区域进行镀铜处理(厚度50μm)，由此获得包含基板的试片II(50mm×50mm)，该基板在表面具有含铜金属层(铜布线)及作为固化了的抗蚀层的树脂掩膜。
(1)层压：使用清洁辊(RAYON INDUSTRIAL株式会社制造，RY-505Z)及真空敷料器(罗门哈斯公司制造，VA7024/HP5)，在辊温度50℃、辊压力1.4Bar下进行。
(2)曝光：使用印刷基板用直接描绘装置(株式会社SCREEN Graphic andPrecision Solutions制造，Mercurex LI-9500)，以曝光量15mJ/cm2进行曝光。
(3)图案形状：L/S＝20μm/20μm的条状图案。需要说明的是，L/S表示：表示图案(铜布线)的宽度的线宽(L)与表示相邻图案间的距离(绝缘部的宽度)的间距(S)。
(4)显影：使用基板用显影装置(扬博科技株式会社制造，LT-980366)、30℃的1％碳酸钠水溶液，在喷雾压力0.2MPa下，除去未曝光部的树脂掩膜。
[清洗试验]
使用各清洗剂组合物清洗试片II，从基板剥离树脂掩膜。
在5L不锈钢烧杯中添加3kg清洗剂组合物，加温至50℃，在安装有单流体喷嘴(密实锥形)J020(株式会社H.IKEUCHI制造)作为喷雾喷嘴的箱式喷雾清洗机中一面循环，一面对试片II进行喷雾(压力：0.1MPa、喷雾距离：8cm)10分钟(剥离工序或清洗工序)。然后，浸渍至1L玻璃烧杯中添加有1kg水的冲洗槽中冲洗后，用氮气吹干。
[树脂掩膜的剥离性II的评价]
使用光学显微镜“数位显微镜VHX-6000”(株式会社基恩士制造)，放大500倍并目视确认在进行了上述清洗试验后的试片II的图案部中有无残存的树脂掩膜，以下述标准进行评价。将结果示于表2中。
＜评价基准＞
A：每1晶片的残渣为2个以下
B：每1晶片的残渣为3个以上且9个以下
C：每1晶片的残渣为10个以上且20个以下
D：每1晶片的残渣为21个以上
[Cu蚀刻速率的评价(铜的腐蚀的评价)]
试片II的铜腐蚀的评价与试片I的铜腐蚀的评价同样地进行。将结果示于表2中。
[表2]
Figure BDA0004094527580000251
如表2所示，可知实施例1的清洗剂组合物与不含成分B的比较例1相比，能够提高树脂掩膜除去性，且能够抑制铜腐蚀。
产业上的可利用性
根据本发明，可提供一种清洗方法，其能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。本发明的清洗方法能够缩短附着有树脂掩膜的电子部件的清洗工序且能够提高所制造的电子部件的性能、可靠性，能够提高半导体装置的生产性。

Claims (16)

1.一种基板的清洗方法，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜；
成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
成分B：还原剂
成分C：水
Figure FDA0004094527570000011
在所述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种；
Figure FDA0004094527570000012
在所述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，含铜金属层为镀铜层。
3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其中，树脂掩膜为固化了的抗蚀层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗方法，其中，成分B是选自抗坏血酸及N-氧化物化合物中的1种以上，所述N-氧化物化合物包含含氮杂芳环中的至少1个氢原子被羟基取代了的含氮杂芳环。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的清洗方法，其中，成分B的含量为0.05质量％以上且5质量％以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洗方法，其中，所述基板具有厚度为15μm以上的含铜金属层或含锡金属层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的清洗方法，其中，剥离树脂掩膜的工序包括除去存在于微细间隙中的树脂掩膜。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的清洗方法，其中，在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板经过了进行使用树脂掩膜的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序。
9.一种电子部件的制造方法，其包括如下工序：使用权利要求1至8中任一项所述的清洗方法来清洗在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板。
10.一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有下述成分A、下述成分B及下述成分C：
成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
成分B：还原剂
成分C：水
Figure FDA0004094527570000021
在所述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种；
Figure FDA0004094527570000022
在所述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
11.根据权利要求10所述的清洗剂组合物，其中，成分B是抗坏血酸及2-羟基吡啶-N-氧化物中的至少一者。
12.根据权利要求10或11所述的清洗剂组合物，其中，成分A的含量为5质量％以上且15质量％以下，成分B的含量为0.05质量％以上且5质量％以下。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分A、成分B及成分C的合计量为90质量％以上。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分C的含量为60质量％以上。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其中，树脂掩膜为镀铜或镀锡用掩膜。
16.一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物用作电子部件的制造中的清洗剂的用途，所述树脂掩膜剥离用清洗剂组合物含有下述成分A、下述成分B及下述成分C；
成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
成分B：还原剂
成分C：水
Figure FDA0004094527570000031
在所述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种；
Figure FDA0004094527570000032
在所述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
CN202180052691.8A 2020-09-04 2021-09-03 基板的清洗方法 Pending CN116018397A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-149274 2020-09-04
JP2020149274 2020-09-04
PCT/JP2021/032486 WO2022050386A1 (ja) 2020-09-04 2021-09-03 基板の洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116018397A true CN116018397A (zh) 2023-04-25

Family

ID=80491086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180052691.8A Pending CN116018397A (zh) 2020-09-04 2021-09-03 基板的清洗方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7739305B2 (zh)
CN (1) CN116018397A (zh)
TW (1) TW202214831A (zh)
WO (1) WO2022050386A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118295222B (zh) * 2024-05-06 2025-08-12 惠州达诚微电子材料有限公司 一种光刻胶用剥离液及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000089480A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Kao Corp 剥離剤組成物
US20010004633A1 (en) * 1999-11-16 2001-06-21 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
CN104334674A (zh) * 2012-05-22 2015-02-04 嘉柏微电子材料股份公司 包含氧化锆颗粒的cmp组合物及使用方法
TW202000739A (zh) * 2018-06-26 2020-01-01 日商旭化成股份有限公司 感光性樹脂組合物、硬化浮凸圖案之製造方法及半導體裝置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4033419A1 (de) * 1990-10-20 1992-04-23 Wolman Gmbh Dr Polymere stickstoffverbindungen und metall fixierende saeuren enthaltende holzschutzmittel
JP4296320B2 (ja) * 1999-06-21 2009-07-15 ナガセケムテックス株式会社 レジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP4267359B2 (ja) * 2002-04-26 2009-05-27 花王株式会社 レジスト用剥離剤組成物
KR102338550B1 (ko) * 2013-06-06 2021-12-14 엔테그리스, 아이엔씨. 질화 티타늄의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000089480A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Kao Corp 剥離剤組成物
US20010004633A1 (en) * 1999-11-16 2001-06-21 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
CN104334674A (zh) * 2012-05-22 2015-02-04 嘉柏微电子材料股份公司 包含氧化锆颗粒的cmp组合物及使用方法
TW202000739A (zh) * 2018-06-26 2020-01-01 日商旭化成股份有限公司 感光性樹脂組合物、硬化浮凸圖案之製造方法及半導體裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022050386A1 (zh) 2022-03-10
WO2022050386A1 (ja) 2022-03-10
JP7739305B2 (ja) 2025-09-16
KR20230061402A (ko) 2023-05-08
TW202214831A (zh) 2022-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7291704B2 (ja) 洗浄方法
CN111448522A (zh) 树脂掩膜剥离用清洗剂组合物
JP2025067925A (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
CN109939977A (zh) 树脂掩模剥离清洗方法
CN116018397A (zh) 基板的清洗方法
JP7731346B2 (ja) 基板の洗浄方法
JP7490834B2 (ja) 樹脂マスクの剥離方法
JP7132214B2 (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
KR102902784B1 (ko) 기판의 세정 방법
JP7420664B2 (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
JP7765673B1 (ja) 樹脂マスク剥離剤組成物
JP7784507B1 (ja) 基板の処理方法
JP2025114005A (ja) レジスト剥離及びシードエッチング用の処理液及び処理方法
KR20230109148A (ko) 수지 마스크 박리용 세정제 조성물
JP2023172703A (ja) 洗浄方法
JP2024085216A (ja) 洗浄方法
JP2023097928A (ja) 樹脂マスクの剥離方法
JP2025007286A (ja) 洗浄方法
JP2025081065A (ja) 基板の洗浄方法
JP2023097933A (ja) 樹脂マスクの剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination