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CN103779384A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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CN103779384A
CN103779384A CN201310286566.0A CN201310286566A CN103779384A CN 103779384 A CN103779384 A CN 103779384A CN 201310286566 A CN201310286566 A CN 201310286566A CN 103779384 A CN103779384 A CN 103779384A
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organic
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layer
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崔元奎
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种有机发光显示装置，包括：衬底；位于衬底上的多个薄膜晶体管，其中薄膜晶体管中的每一个包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极；第一电极，分别电连接至多个薄膜晶体管并位于与多个薄膜晶体管相对应的各个像素上；有机层，分别位于第一电极上并包括发光层；辅助电极，辅助电极中的每一个位于有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上；以及第二电极，面对第一电极并覆盖有机层和辅助电极。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2012年10月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0117504号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的多个方面涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置具有比其他显示装置更宽的视角、更好的对比度特性以及更快的响应速度，因此有机发光显示装置作为下一代显示装置而备受关注。
有机发光显示装置包括中间层，中间层包括位于第一电极与第二电极之间的发光层，第一电极和第二电极被布置为彼此相对。电极和中间层可使用多种方法形成，其中一种方法为独立沉积法。当通过使用沉积法来制造有机发光显示装置时，具有与待形成的有机层相同的图案的精细金属掩模（FMM）被定位成与形成有有机层及其类似物的衬底紧密接触，有机层材料沉积在FMM上以形成具有所需图案的有机层。
然而，使用这种FMM的沉积法的困难之处在于使用大母玻璃制造较大的有机发光显示装置。例如，当使用这种大掩模时，掩模由于其自身的重量会弯曲，由此导致图案的扭曲。鉴于最近朝高清图案发展的趋势，这种缺点使得FMM方法不可取。
此外，将衬底和FMM对准以彼此紧密接触的过程、在FMM上进行沉积的过程以及将FMM从衬底分离的过程都耗费大量时间，从而导致较长的制造期及较低的生产效率。
本发明的发明人在实现本发明之前就已经知晓了本文的背景技术部分中公开的信息，或者这些公开的信息为实现本发明的过程中所需的技术信息。因此，这些信息可包含不形成现有技术的信息或该国的本领域技术人员在发明人创造本发明之前已知的信息。
发明内容
本发明的实施方式提供了制造有机发光显示装置的方法，该方法适用于在大衬底上批量生产有机发光显示装置并能够进行高清晰度构图，本发明的实施方式还提供了使用该方法制造的有机发光显示装置。
在根据本发明的一个实施方式中，一种有机发光显示装置，其包括：衬底；位于该衬底上的多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极；第一电极，分别电连接至多个薄膜晶体管，并位于与多个薄膜晶体管相对应的各个像素上；有机层，分别位于第一电极上的并包括发光层；辅助电极，该辅助电极中的每个位于有机层的相邻有机层之间的至少一部分上；以及第二电极，面对第一电极并覆盖有机层和辅助电极。
在根据本发明的另一实施方式中，一种有机发光显示装置，包括：衬底；位于衬底上的多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极；第一电极，分别电连接至多个薄膜晶体管，并位于与多个薄膜晶体管相对应的各个像素上；有机层，分别位于第一电极上的并包括发光层；第二电极，面对第一电极并覆盖有机层；以及位于第二电极上的辅助电极，辅助电极中的每个位于有机层的相邻有机层之间的至少一部分上。
位于衬底上的有机层中的至少一个有机层可具有线性图案。
辅助电极均可具有线性图案。
有机发光显示装置还可包括位于第一电极中的相邻第一电极之间的像素限定层，其中，辅助电极位于像素限定层上。
衬底上的多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度可以大于多个有机层中的更接近沉积区域中心的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
衬底可具有40英寸或更大的尺寸。
有机层可具有非均匀的厚度。
在多个有机层中的远离沉积区域中心的每个有机层中，更远离沉积区域中心的斜边可以大于其他斜边。
当沉积区域中的多个有机层被定位成更远离沉积区域中心时，以第一方向延伸的两侧的重叠区域可以变窄。
位于沉积区域中心的有机层的斜边具有基本相同的长度。
沉积区域中的多个有机层可围绕沉积区域中心基本对称地布置。
在根据本发明的另一实施方式中，一种有机发光显示装置，包括：位于衬底上的多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中栅电极与有源层绝缘，源电极和漏电极与有源层接触；多个第一电极，其中每个第一电极分别位于薄膜晶体管中相应的一个薄膜晶体管上并电连接至所述源电极和漏电极中的一个；多个像素限定层，位于多个第一电极之间并覆盖多个第一电极的相应的边缘区域；位于多个第一电极上的多个有机层；位于像素限定层上的多个辅助电极；以及第二电极，第二电极面对多个第一电极并覆盖有机层和辅助电极。
在本发明的另一实施方式中，一种有机发光显示装置，包括：位于衬底上的多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中栅电极与有源层绝缘，源电极和漏电极与有源层接触；多个第一电极，其中每个第一电极分别位于薄膜晶体管中相应的一个薄膜晶体管上并电连接至源电极和漏电极中的一个；多个像素限定层，位于多个第一电极之间并覆盖多个第一电极的边缘区域；位于多个第一电极上的多个有机层；第二电极，第二电极面对多个第一电极并覆盖有机层；以及位于第二电极的与像素限定层相对应的部分上的多个辅助电极。
多个辅助电极中的每一个可位于有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上。
有机层可位于多个像素限定层的相邻的两个像素限定层之间。
位于衬底上的有机层中的至少一个可具有线性图案。
辅助电极均可具有线性图案。
衬底上的多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度可以大于多个有机层中的更接近沉积区域中心的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
衬底可具有40英寸或更大的尺寸。
有机层可包括至少一个发光层。
有机层可具有非均匀的厚度。
在多个有机层中的远离沉积区域中心的每个有机层中，更远离沉积区域中心的斜边可以大于其他斜边。
当沉积区域中的多个有机层被定位成更远离沉积区域中心时，以第一方向延伸的两侧的重叠区域可以变窄。
位于沉积区域中心的有机层的斜边可具有基本相同的长度。
沉积区域中的多个有机层可围绕沉积区域中心基本对称地布置。
在根据本发明的另一实施方式中，提供了一种制造有机发光显示装置的方法。该方法包括：在衬底上形成多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中栅电极与有源层绝缘，源电极和漏电极与有源层接触；在多个薄膜晶体管上形成多个第一电极，其中每个第一电极分别电连接至多个薄膜晶体管；在多个第一电极之间形成多个像素限定层；在多个第一电极上形成多个有机层；在像素限定层上形成多个辅助电极，辅助电极与有机层分隔开；以及形成第二电极，第二电极覆盖像素限定层、辅助电极和有机层。
在根据本发明的另一实施方式中，提供了一种制造有机发光显示装置的方法。该方法包括：在衬底上形成多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中栅电极与有源层绝缘，源电极和漏电极与有源层接触；在多个薄膜晶体管上形成多个第一电极，其中每个第一电极分别电连接至多个薄膜晶体管；在多个第一电极之间形成多个像素限定层；在多个第一电极上形成多个有机层；形成第二电极，第二电极覆盖像素限定层和有机层；以及在第二电极的与像素限定层相对应是部分上形成多个辅助电极。
形成有机层可包括以线性图案形成有机层。
形成多个辅助电极可包括以线性图案形成辅助电极。
形成有机层和形成多个辅助电极的步骤可由有机层沉积装置进行，其中，有机层沉积装置可包括：沉积源，排出沉积材料；沉积源喷嘴单元，位于沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；以及构图狭缝片，面对沉积源喷嘴单元并包括沿第一方向布置的多个构图狭缝，其中，从沉积源排出的沉积材料经过构图狭缝片以一定的图案沉积在衬底上。
有机层沉积装置的构图狭缝片可在第一方向或第二方向中至少一个方向上小于衬底，第二方向垂直于第一方向。
在根据本发明的另一实施方式中，提供了一种制造有机发光显示装置的方法。该方法包括：定位衬底以使衬底与有机层沉积装置分隔开；当有机层沉积装置或衬底中的一个相对于另一个移动时，通过对从有机层沉积装置排出的沉积材料构图在衬底上形成有机层；当有机层沉积装置或衬底中的一个相对于另一个移动时，通过对从有机层沉积装置排出的沉积材料构图在衬底上形成辅助电极；以及形成覆盖有机层和辅助电极的第二电极。
形成有机层可包括定位有机层沉积装置以使有机层沉积装置与衬底分隔开，当有机层沉积装置与衬底相对于彼此移动时形成有机层，以及其中，有机层沉积装置包括：沉积源，排出沉积材料；沉积源喷嘴单元，位于沉积源的一侧并包括以第一方向布置的多个沉积源喷嘴；构图狭缝片，面对沉积源喷嘴单元并包括以第一方向布置的多个构图狭缝；以及遮蔽板组件，包括多个遮蔽板，多个遮蔽板在第一方向上位于沉积源喷嘴单元与构图狭缝片之间并将沉积源喷嘴单元与构图狭缝片之间的空间分成多个沉积空间。
多个遮蔽板可均以第二方向布置并将沉积源喷嘴单元与构图狭缝片之间的空间分成多个沉积空间，第二方向基本垂直于第一方向。
遮蔽板组件可包括第一遮蔽板组件和第二遮蔽板组件，第一遮蔽板组件包括多个第一遮蔽板，第二遮蔽板组件包括多个第二遮蔽板。
有机层沉积装置的构图狭缝片可小于衬底。
形成有机层包括定位有机层沉积装置以使有机层沉积装置与衬底分隔开并且当有机层沉积装置与衬底相对于彼此移动时形成有机层，以及其中，有机层沉积装置包括：沉积源，排出沉积材料；沉积源喷嘴单元，位于沉积源的一侧并包括以第一方向布置的多个沉积源喷嘴；以及构图狭缝片，面对沉积源喷嘴单元并包括以第一方向布置的多个构图狭缝。
多个沉积源喷嘴可以一定角度倾斜。
有机层沉积装置的构图狭缝片可小于衬底。
附图说明
通过参照附图对示例性实施方式进行详细描述，本发明的上述以及其他特征和方面将变得显而易见，在附图中：
图1为示出根据本发明实施方式的有机层沉积装置的结构的平面示意图；
图2为根据本发明实施方式的图1的有机层沉积装置的沉积单元的侧面示意图；
图3为根据本发明实施方式的图1的有机层沉积装置的沉积单元的立体示意图；
图4为根据本发明实施方式的图3的沉积单元的截面示意图；
图5为示出根据本发明实施方式的图3的沉积单元的第一输送单元和转移单元的示意性截面图；
图6为根据本发明另一实施方式的有机层沉积组件的立体示意图；
图7为图6的有机层沉积组件的示意性侧面截面图；
图8为图6的有机层沉积组件的示意性平面截面图；
图9为根据本发明另一实施方式的有机层沉积组件的立体示意图；
图10为根据另一本发明实施方式的有机层沉积组件的立体示意图；
图11为示出根据本发明实施方式的结构的示意图，在该结构中构图狭缝以相等的间隔布置在包括图3的沉积单元的有机层沉积装置的构图狭缝片中；
图12为示出根据本发明实施方式的通过使用图11的构图狭缝片形成在衬底上的有机层的示意图；
图13为根据本发明实施方式的使用有机层沉积装置制造的有源矩阵型有机发光显示装置的截面图；
图14至图16为用于示出根据本发明实施方式的制造有机发光显示装置的方法的平面图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施方式，其实施例均在附图中示出，附图中相似的参考标记表示相似的元件。下面将对实施方式进行描述以通过参照附图阐明本发明的多个方面。当用语例如“至少一个”位于元件列表之前时，其修饰整个元件列表而不是修饰列表中的单个元件。
图1为示出根据本发明实施方式的有机层沉积装置1的结构的平面示意图。图2为根据本发明实施方式的图1的有机层沉积装置1的沉积单元100的侧面示意图。
参照图1和图2，有机层沉积装置1包括沉积单元100、装载单元200、卸载单元300和输送单元400。
装载单元200可包括第一机架212、运送室214、第一反转室218、以及缓冲室219。
其上还未应用沉积材料的多个衬底2堆叠在第一机架212上。包括在运送室214中的运送机器人从第一机架212的多个衬底2中挑选出一个衬底，将该衬底放置在由第二输送单元420转移的转移单元430上，然后将放置有衬底2的转移单元430移动至第一反转室218。
第一反转室218与运送室214相邻。第一反转室218包括第一反转机器人，第一反转机器人将转移单元430反转然后将其装载在沉积单元100的第一输送单元410上。
参照图1，运送室214的运送机器人将衬底2中的一个放置在转移单元430的顶面上，放置有衬底2的转移单元430然后被转移至第一反转室218。第一反转室218的第一反转机器人将转移单元430反转，从而使衬底2在沉积单元100中被上下颠倒。
卸载单元300被配置成以与上述装载单元200相反的方式操作。具体地，第二反转室328中的第二反转机器人将转移单元430（转移单元430在衬底2被放置在转移单元430上的同时经过沉积单元100）反转，然后将放置有衬底2的转移单元430移动至排放室324。然后，排放机器人将放置有衬底2的转移单元430放置到排放室324之外，使衬底2与转移单元430分离，然后将衬底2装载在第二机架322上。与衬底2分离的转移单元430通过第二输送单元420返回至装载单元200。
然而，本发明并不限于上述实施例。例如，当将衬底2放置在转移单元430上时，衬底2可被固定（或附接至）转移单元430的底面上随后被移动至沉积单元100内。在这样的实施方式中，例如，第一反转室218的第一反转机器人和第二反转室328的第二反转机器人可被省却。
沉积单元100可包括至少一个用于沉积的室。在一个实施方式中，如图1和图2所示，沉积单元100包括室101，多个有机层沉积组件（100-1）、（100-2）…（100-n）可位于室101中。参照图1，11个有机层沉积组件即第一有机层沉积组件（100-1）、第二有机层沉积组件（100-2）直至第十一有机层沉积组件（100-11）位于室101中，但有机层沉积组件的数量可随所需的沉积材料和沉积条件而变化。室101在沉积过程中保持真空。
在图1所示的实施方式中，可通过第一输送单元410将上面固定（或附接）有衬底2的转移单元430至少移动至沉积单元100，或可顺序地移动至装载单元200、沉积单元100和卸载单元300，在卸载单元300中与衬底2分离的转移单元430可通过第二输送单元420返回至装载单元200。
第一输送单元410在经过沉积单元100时穿过室101，第二输送单元420输送（或运送）与衬底2分离的转移单元430。
在该实施方式中，有机层沉积装置被配置成使第一输送单元410和第二输送单元420分别定位在上方和下方，从而在经过第一输送单元410时已完成沉积的转移单元430在卸载单元300中与衬底2分离之后，转移单元430通过形成在第一输送单元410下方的第二输送单元420返回至装载单元200，由此，有机层沉积装置1可具有改善的空间利用率。
在一个实施方式中，图1的沉积单元100还可包括沉积源替换单元190，沉积源替换单元190位于每个有机层沉积组件的一侧。虽然附图中没有特别示出，但沉积源替换单元190可形成为可从每个有机层沉积组件拉出的盒型。因此，有机层沉积组件100-1的沉积源110（参照图3）可容易地进行替换。
图3为根据本发明实施方式的图1的有机层沉积装置1的沉积单元100的立体示意图。图4为根据本发明实施方式的图3的沉积单元100的截面示意图。此外，图5为示出根据本发明实施方式的图3的沉积单元100的第一输送单元410和转移单元430的示意性截面图。
参照图3和图4，有机层沉积装置1的沉积单元100包括至少一个有机层沉积组件100-1和输送单元400。
在下文中，将对沉积单元100的整体结构进行描述。
室101可被形成为中空盒型并容纳至少一个有机层沉积组件100-1和转移单元430。在另一种描述方式中，形成底座102以将沉积单元100固定在地面上，在底座102上布置有下壳体103，在下壳体103上布置有上壳体104。室101容纳下壳体103和上壳体104。由此，下壳体103与室101的连接部被密封以使室101的内部与外界完全隔离。由于下壳体103和上壳体104位于固定在地面上的底座102上的结构，尽管室101反复收缩与膨胀，下壳体103和上壳体104也可保持在固定的位置。因此，下壳体103和上壳体104可用作沉积单元100中的参考系。
上壳体104包括有机层沉积组件100-1和输送单元400的第一输送单元410，下壳体103包括输送单元400的第二输送单元420。虽然转移单元430在第一输送单元410与第二输送单元420之间循环移动，但沉积过程连续进行。
在下文中，将详细描述有机层沉积组件100-1的组成部分。
第一有机层沉积组件100-1包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120、构图狭缝片130、遮蔽部件140、第一台阶150、第二台阶160、相机（或多个相机）170以及传感器（或多个传感器）180。由此，图3和图4中示出的所有元件可布置在维持合适的真空状态的室101中。这样的结构被用于实现沉积材料的线性性。
例如，为了将已从沉积源110排出并经过沉积源喷嘴单元120和构图狭缝片130的沉积材料115以所需的图案沉积在衬底2上，需要使用精细金属掩模（FMM）将室101维持在与沉积法中使用的真空状态相同的真空状态下。此外，构图狭缝片130的温度应足够低于沉积源110的温度（例如约100°C或更低），因为当构图狭缝片130的温度足够低时，由温度引起的构图狭缝片130的热膨胀可减小或最小化。
上面待沉积沉积材料115的衬底2布置在室101中。衬底2可以是用于平板显示装置的衬底。例如，用于制造多个平板显示器的大衬底（例如母玻璃）可被用作衬底2。
根据该实施方式，沉积过程可随着衬底2相对于有机层沉积组件100-1的移动而进行。
在使用FMM的传统的沉积法中，FMM的尺寸需要与衬底的尺寸相同。因此，当衬底的尺寸增加时，FMM的尺寸也增加。由于这些问题，所以难以制造FMM并难以通过拉长FMM来在精确图案中对准FMM。
为了解决这些问题，在根据本实施方式的有机层沉积组件100-1中，可在有机层沉积组件100-1和衬底2相对于彼此移动的同时进行沉积。换言之，在面对有机层沉积组件100-1的衬底2沿Y轴方向移动时可连续地进行沉积。即，当衬底2沿图3所示的箭头A的方向移动时，以扫描的方式进行沉积。虽然在图3中衬底2被示出为当在室101中沿Y轴方向移动时进行沉积，但是本发明不限于此。例如，可在有机层沉积组件100-1沿Y轴方向移动且衬底2被保持在固定位置的情况下进行沉积。
因此，在有机层沉积组件100-1中，构图狭缝片130可小于（例如远小于）在传统沉积方法中使用的FMM。换言之，在有机层沉积组件100-1中，在衬底2沿Y轴方向移动时连续地进行沉积，即，以扫描的方式进行沉积。因此，构图狭缝片130在X轴方向和Y轴方向的长度中的至少一个可远小于衬底2的长度。由于构图狭缝片130可被形成为小于（例如远小于）在传统沉积方法中使用的FMM，所以容易制造构图狭缝片130。即，在包括蚀刻、随后的精确延长、焊接、转移和洗涤过程的制造过程中，较小的构图狭缝片130比传统沉积方法中使用的FMM更加合适。而且，这对于制造较大显示装置更加合适。
为了如上所述地在有机层沉积组件100-1和衬底2相对于彼此移动时进行沉积，有机层沉积组件100-1和衬底2彼此可间隔开一定距离（例如，间隙）。下面对此详细地描述。
包含并加热沉积材料115的沉积源110设置在室中与设置有衬底2的一侧相对的一侧上。当包含在沉积源110中的沉积材料115被蒸发时，在衬底2上进行沉积。
沉积源110包括填充有沉积材料115的坩埚111、以及加热坩埚111以朝向坩埚111的填充有沉积材料的一侧（尤其是朝向沉积源喷嘴单元120）蒸发沉积材料115的加热器112。
在一个实施方式中，沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的面对衬底2的一侧。由此，根据本实施方式的有机层沉积组件在进行沉积以形成公共层和图案层时均可包括不同的沉积源喷嘴。即，可在沉积源喷嘴单元120中沿Y轴方向（即，衬底2的扫描方向）形成多个沉积源喷嘴121以形成图案层。因此，在X轴方向上仅形成一个沉积源喷嘴121，从而显著地减少或阻止阴影的出现。另一方面，可在沉积源喷嘴单元120中沿X轴方向形成（或布置）多个沉积源喷嘴121以形成公共层。这样，可改进公共层的厚度均匀性。
在一个实施方式中，构图狭缝片130可设置在沉积源110与衬底2之间。构图狭缝片130还可包括具有与窗框类似的形状的框架135。构图狭缝片130包括沿X轴方向设置的多个构图狭缝131。在沉积源110中已被蒸发的沉积材料115经过沉积源喷嘴单元120和构图狭缝片130，然后被沉积在衬底2上。就这一点而言，构图狭缝片130可使用与用于形成FMM的方法相同的方法来形成，具体地，使用条型掩模例如进行蚀刻而形成。就这一点而言，构图狭缝131的总数可大于沉积源喷嘴121的总数。
在一个实施方式中，沉积源110（和与其结合的沉积源喷嘴单元120）以及构图狭缝片130可彼此间隔一定距离（例如间隙）。
如上所述，当有机层沉积组件100-1相对于衬底2移动时进行沉积。为了使有机层沉积组件100-1相对于衬底2移动，构图狭缝片130与衬底2间隔一定距离（例如间隙）。
在使用FMM的传统沉积法中，沉积通常随着FMM与衬底的紧密接触而进行以防止在衬底上形成阴影。然而，当FMM被形成为与衬底紧密接触时，会出现由于衬底与FMM之间的接触产生的缺陷。而且，因为相对于衬底移动掩模是很困难的，所以掩模和衬底具有相同的尺寸。因此，掩模的尺寸随着显示装置的尺寸增加而变大。然而，形成较大的掩模是很困难的。
为了解决这样的问题，在根据本实施方式的有机层沉积组件100-1中，构图狭缝片130与待沉积沉积材料的衬底2间隔一定距离（例如间隙）。
根据本实施方式，当被形成为小于衬底的掩模相对于衬底移动时进行沉积，因此制造掩模相对容易。此外，也可避免由于沉积与掩模之间的接触引发的缺陷。此外，由于在沉积过程中无需使衬底与掩模紧密接触，所以制造速度可得到提高。
在下文中，将对上部壳体104的各个元件的具体布置进行描述。
沉积源110和沉积源喷嘴单元120设置在上部壳体104的底部。容纳部分104-1分别形成在沉积源110和沉积源喷嘴单元120的两侧上以具有突出的形状。第一台阶150、第二台阶160和构图狭缝片130以此顺序依次形成在容纳部分104-1上。
就这一点而言，第一台阶150被形成为在X轴和Y轴方向上移动以使第一台阶150在X轴和Y轴方向上对准构图狭缝片130。即，第一台阶150包括多个致动器以使第一台阶150在X轴和Y轴方向上相对于上部壳体104移动。
第二台阶160被形成为在Z轴方向上移动以在Z轴方向上对准构图狭缝片130。即，第二台阶160包括多个致动器并且被形成为在Z轴方向上相对于第一台阶150移动。
在第二台阶160上设置构图狭缝片130。构图狭缝片130设置在第一台阶150和第二台阶160上以便在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向上移动，因而可在衬底2与构图狭缝片130之间进行对准，尤其是实时对准。
此外，上部壳体104、第一台阶150和第二台阶160可引导沉积材料115的流动路径，使得通过沉积源喷嘴121排放的沉积材料115没有散布在流动路径外。即，沉积材料115的流动路径由上部壳体104、第一台阶150和第二台阶160密封，因而沉积材料115在X轴和Y轴方向上的移动可由此并行地或同时被引导。
可在构图狭缝片130与沉积源110之间设置遮蔽部件140，遮蔽部件140用于阻止有机材料沉积在衬底2的非膜形成区上。虽然未示出，但是遮蔽部件140可包括两个相邻的板。衬底2的非膜形成区由遮蔽部件140遮蔽，因此能够或相对容易地阻止有机材料沉积在衬底2的非膜形成区上而无需使用单独的结构。
在下文中，详细描述输送单元400，输送单元400输送（运送）待沉积沉积材料115的衬底2。参见图3和图4，输送单元400包括第一输送单元410、第二输送单元420和转移单元430。
第一输送单元410以成直线（in-line）的方式输送（运送）转移单元430以及附接至转移单元430的衬底2，以便可通过有机层沉积组件100-1在衬底2上形成有机层，转移单元430包括承载件431、附接至承载件431的静电吸盘（chuck）432。第一输送单元410包括线圈411、引导构件412、上部磁悬浮支承件（例如上部磁漂浮支承件或上部磁飘浮支承件）、侧部磁悬浮支承件414（例如侧部磁漂浮支承件或侧部磁飘浮支承件）和间隙传感器415和416。
在转移单元430经过沉积单元100的同时完成一次沉积循环后，第二输送单元420将在卸载单元300中与衬底2分离的转移单元430返回至装载单元200。第二输送单元420包括线圈421、辊式引导器422和充电轨道423。
转移单元430包括承载件431和静电吸盘432，承载件431沿第一输送单元410和第二输送单元420被输送（或运送），静电吸盘432被组合在（或附接至）承载件431的表面上。在沉积过程中，衬底2附接至静电吸盘432。
在下文中将详细地描述输送单元400的每个部件。
现将首先详细地描述转移单元430的承载件431。
承载件431包括主体部431a、磁轨431b（例如线性马达系统（LMS）磁铁）、无接触电源（CPS）模块431c、电源单元431d以及导槽431e。承载件431还可包括凸轮从动件431f（参见图5）。
主体部431a构成承载件431的基座部分并且可由诸如铁的磁性材料形成。就这一点而言，由于主体部431a和相应的上部和侧部磁悬浮支承件（例如磁漂浮支承件）413和414（将在下面进行描述）之间的磁斥力和/或磁吸力，承载件431可保持与引导构件412间隔一定距离（例如间隙）。
导槽431e可分别形成在主体部431a的两侧，并且每个导槽可容纳引导构件412的引导突出部412e。
可沿主体部431a的中心线在主体部431a前行的方向上形成磁轨431b。磁轨431b和线圈411（在下面详细描述）可彼此结合以构成线性马达，可通过线性马达以箭头方向A输送（或运送）承载件431。
在主体部431a中的磁轨431b的两侧上可分别形成CPS模块431c和电源单元431d。电源单元431d为用于提供电力以使静电吸盘432可夹持（例如固定或保持）衬底2并保持操作的电池。CPS模块431c是对电源单元431d充电的无线充电模块。例如，形成在第二输送单元420中的充电轨道423（在下面描述）连接至逆变器（未示出），因而，当承载件431被转移到第二输送单元420中时，在充电轨道423与CPS模块431c之间形成磁场以便向CPS模块431c供电。被供给至CPS模块431c的电力用于对电源单元431d充电。
静电吸盘432可包括电极，该电极嵌入由陶瓷形成的主体中，其中该电极被供给电力。当向电极施加合适的电压（例如较高或高的电压）时，衬底2被附接至静电吸盘432的主体的表面上。
在下文中详细描述转移单元430的操作。
主体部431a的磁轨431b和线圈411可彼此结合以构成驱动器。在这种情况下，驱动器可以为线性马达。与传统的滑动导轨系统相比较，线性马达具有较小的摩擦系数、较小的位置误差和较高程度（如非常高程度）的位置确定。如上所述，线性马达可包括线圈411和磁轨431b。磁轨431b线性地设置在承载件431上，多个线圈411可通过一定距离设置在室101的内侧以便面对磁轨431b。由于磁轨431b设置在承载件431上而非设置在线圈411上，所以承载件431可在无需被供给电力的情况下操作。就这一点而言，线圈411可在大气状态下形成在大气（ATM）箱中。磁轨431b附接至承载件431，以使承载件431可在保持真空的室101中移动。
在下文中详细描述第一输送单元410和转移单元430。
参照图4和图5，第一输送单元410输送（或运送）固定衬底2的静电吸盘432，并输送输送（或运送）静电吸盘432承载件431。就这一点而言，第一输送单元410包括线圈411、引导构件412、上部磁悬浮支承件（例如上部磁漂浮支承件）413、侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414和间隙传感器415和416。
线圈411和引导构件412形成（或设置）在上部壳体104的内部。线圈411形成（或设置）在上部壳体104的上部，引导构件412分别形成在上部壳体104的内侧上。下面参照图3和图4描述线圈411。
引导构件412引导承载件431沿某一方向移动。就这一点而言，引导构件412被形成为经过沉积单元100。
例如，引导构件412容纳承载件431的两侧以引导承载件431沿图3所示的箭头A的方向移动。就这一点而言，引导构件412可包括位于承载件431之下的第一容纳部412a、位于承载件431之上的第二容纳部412b以及连接第一容纳部412a和第二容纳部412b的连接部412c（例如参见图5）。第一容纳部412a、第二容纳部412b和连接部412c形成容纳槽412d。承载件431的两侧分别容纳在容纳槽412d中，承载件431沿容纳槽412d移动。
侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414均设置在引导构件412的连接部412c处以便分别对应于承载件431的两侧。侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414在承载件431与引导构件412之间产生一定距离，以使承载件431以不接触引导构件412的方式沿引导构件412移动。即，在图5中左侧的侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414与作为（或包括）磁性材料的承载件431之间产生的斥力R1与在图5中右侧的侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414与作为（或包括）磁性材料的承载件431之间产生的斥力R2之间保持平衡，因此，在承载件431与相应的引导构件412之间产生恒定（或基本恒定）的距离。
每个上部磁悬浮支承件（例如上部磁漂浮支承件）413可设置在第二容纳部412b处以便处于承载件431的上方。上部磁悬浮支承件（例如上部磁漂浮支承件）413使承载件431能够以不与第一容纳部412a和第二容纳部412b接触并在第一容纳部412a与第二容纳部412b之间保持恒定或基本恒定的距离的方式沿引导构件412移动。即，上部磁悬浮支承件（例如上部磁漂浮支承件）413与作为（或包括）磁性材料的承载件431之间产生的吸力A3与重力G保持平衡，因此，在承载件431与相应的引导构件412之间产生恒定（或基本恒定）的距离。
每个引导构件412还可包括间隙传感器415。间隙传感器415可测量承载件431与引导构件412之间的距离。参照图5，间隙传感器415可设置在第一容纳部412a处以与承载件431的底部相对应。位于第一容纳部412a的间隙传感器415可测量第一容纳部412a与承载件431之间的距离。间隙传感器416可设置在侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414的一侧。间隙传感器416可测量承载件431与侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414之间的距离。本发明并不限于上述实施例，间隙传感器416可设置在连接部412c处。
上部磁悬浮支承件（例如上部磁漂浮支承件）413和侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414的磁力可根据间隙传感器415和416测量的值而进行变化，因此，承载件431与相应的引导构件412之间的距离可实时调整。即，可使用上部磁悬浮支承件（例如上部磁漂浮支承件）413和侧部磁悬浮支承件（例如侧部磁漂浮支承件）414和间隙传感器415和416反馈控制承载件431的精确转移。
在下文中详细描述第二输送单元420和转移单元430。
返回参照图4，第二输送单元420将在卸载单元300中与衬底2分离的静电吸盘432和承载静电吸盘432的承载件431返回至装载单元200。就这一点而言，第二输送单元420包括线圈421、辊式引导器422和充电轨道423。
例如，线圈421、辊式引导器422和充电轨道423可处于下部壳体103内。线圈421和充电轨道423可设置在下部壳体103的顶部内表面上，辊式引导器422可设置在下部壳体103的内侧上。虽然图4中未示出，但是线圈421可设置在ATM箱中，如同第一输送单元410的线圈411那样。
类似于第一输送单元410，第二输送单元420也可包括线圈421，而且，承载件431的主体部431a的磁轨431b（例如线性马达系统磁铁）和线圈421彼此结合以构成操作单元。就这一点而言，操作单元可以为线性马达。承载件431可通过线性马达沿与图3所示的箭头A的方向相反的方向移动。
辊式引导器422引导承载件431沿某一方向移动。就这一点而言，辊式引导器422被形成为经过沉积单元100。例如，辊式引导器422支撑分别形成在承载件431的两侧上的凸轮从动件431f（例如参见图5）以引导承载件431沿与图3所示的箭头A的方向相反的方向移动。即，承载件431与设置在承载件431两侧上的凸轮从动件431f沿辊式引导件422的相应转动而移动。就这一点而言，凸轮从动件431f为用于准确重复特定操作的支承件。在一个实施方式中，多个凸轮从动件431f形成在承载件431的侧表面上并用作在第二输送单元420中用于输送承载件431的轮。本文并未提供对凸轮从动件431f的详细描述。
第二输送单元420被用于使已与衬底2分离的承载件431返回的过程但不用于在衬底2上沉积有机材料的过程，因而，其位置精度无需如同第一输送单元410那样。因此，磁悬浮被用于需要高位置精度的第一输送单元410，由此获得位置精度，而传统的滚轮法被应用到需要较低位置精度的第二输送单元420，由此降低制造成本并简化有机层沉积装置的结构。虽然图4中未示出，但在其他实施方式中，磁悬浮（或磁漂浮）也可如在第一输送单元410中那样应用于第二输送单元420。
根据本实施方式的有机层沉积装置1的有机层沉积组件100-1还可包括用于对准过程的相机170和传感器180。相机170可实时对准形成在构图狭缝片130的框架135中的第一对准掩模（未示出），并对准形成在衬底2上的第二对准掩模（未示出）。传感器180可以为共焦传感器。由于衬底2与构图狭缝片130之间的距离可使用相机170和传感器180实时测量，所以衬底2可与构图狭缝片130实时对准，从而可改进（例如显著改进）图案的位置精度。
图6为根据本发明另一实施方式的有机层沉积组件的立体示意图。图7为图6的有机层沉积组件的示意性侧面截面图。图8为图7的有机层沉积组件的示意性平面截面图。
参见图6至图8，有机层沉积组件700包括沉积源710、沉积源喷嘴单元720、遮蔽板组件（例如阻挡组件或挡板组件）730和构图狭缝片750。
就这一点而言，沉积源710包括填充有沉积材料715的坩埚711、以及加热坩埚711以朝向沉积源喷嘴单元720蒸发（或汽化）填充在坩埚711中的沉积材料715。沉积源喷嘴单元720设置在沉积源710的一侧，在沉积源喷嘴单元720中的X轴方向上形成（或布置）多个沉积源喷嘴721。
遮蔽板组件730设置在沉积源喷嘴单元720的一侧。遮蔽板组件730包括多个遮蔽板（例如挡板）731和遮蔽板框架（例如挡板框架）732，遮蔽板框架732设置（围绕或环绕）在遮蔽板731的外侧。遮蔽板731可沿X轴方向彼此平行地设置。由此，遮蔽板731可以以相等的间隔设置。此外，每个遮蔽板731可沿图6的YZ平面延伸并且可具有矩形形状。遮蔽板731将沉积源喷嘴单元720与构图狭缝片750之间的空间划分（如限定或分隔）成多个沉积空间S。即，在有机层沉积组件700中，如图6所示，遮蔽板731为用于喷射沉积材料的相应沉积源喷嘴721限定沉积空间S。这样，遮蔽板731将沉积源喷嘴单元720与构图狭缝片750之间的空间划分成多个沉积空间S，使得从一个沉积源喷嘴721排放的沉积材料不与从其它沉积源喷嘴721排放的沉积材料混合，而是经过构图狭缝751然后沉积在附接至承载件430的衬底2上。即，遮蔽板731引导从沉积源喷嘴721排放的沉积材料在平行于Z轴方向的笔直方向上移动而不会散开（或基本不会散开）。
如上所述，由于遮蔽板731而使沉积材料具有直线性质，从而可减少（显著地减少）形成在衬底2上阴影的面积，因而有机层沉积组件700与衬底2可彼此间隔一定距离（例如间隙），在沉积过程中该距离基本为恒定的。
构图狭缝片750还设置在沉积源710与衬底2之间。构图狭缝片750还可包括具有与窗口框架类似的形状的框架755。构图狭缝751可沿X轴线方向形成或设置在构图狭缝片750中并且彼此平行。在沉积源710中已蒸发的沉积材料715经过沉积源喷嘴单元720和构图狭缝片750，然后朝向经受沉积的衬底2移动。
图9是根据本发明的另一实施方式的有机层沉积组件800的示意性立体图。
图9中的有机层沉积组件800包括沉积源810、沉积源喷嘴单元820、第一遮蔽板组件（例如第一挡板组件）830、第二遮蔽板组件（例如第二挡板组件）840以及构图狭缝片850。就这一点而言，沉积源810、第一遮蔽板组件830和构图狭缝片850与图6所示的相应部件基本相同，因此，这里省略它们的详细描述。本实施方式与上述实施方式的不同之处在于，在第一遮蔽板组件830的一侧设有第二遮蔽板组件840。
例如，第二遮蔽板组件840包括多个第二遮蔽板（例如第二挡板）841和第二遮蔽板框架（例如第二挡板框架）842，第二遮蔽板框架842设置（围绕或环绕）在第二遮蔽板841之外。多个第二遮蔽板841可沿X轴方向彼此相邻布置。此外，多个第二遮蔽板841可以相等的间隔彼此分隔开。第二遮蔽板841中的每一个被形成（例如布置或定向）为与图9的YZ平面平行，即，垂直于X轴方向。
多个第一遮蔽板831和第二遮蔽板841限定（例如划分或分隔）沉积源喷嘴单元820与构图狭缝片850之间的空间。即，第一遮蔽板831和第二遮蔽板841限定（例如划分或分隔）用于相应的喷涂沉积材料的沉积源喷嘴821的沉积空间。
就这一点而言，第二遮蔽板841可被布置成与第一遮蔽板831一一对应。换言之，第二遮蔽板841可与第一遮蔽板831彼此平行对准。即，彼此对应的第一遮蔽板831和第二遮蔽板841可设置在相同的平面上。图9示出这样的情况，其中，每个第一遮蔽板831的宽度和厚度与在X轴方向上测量的每个第二遮蔽板841的宽度相等。然而，本发明并不限于此。即，与构图狭缝851（例如构图狭缝851之间）精确对准的第二遮蔽板841可相对较薄，无需精确对准的第一遮蔽板831可相对较厚，因此，第一遮蔽板831和第二遮蔽板841可易于制造。
图10是根据本发明的另一实施方式的有机层沉积组件900的立体示意图。
参见图10，有机层沉积组件900包括沉积源910、沉积源喷嘴单元920和构图狭缝片950。
就这一点而言，沉积源910包括填充有沉积材料915的坩埚911、以及加热坩埚911以朝向沉积源喷嘴单元920蒸发（或汽化）填充在坩埚911中的沉积材料915。沉积源喷嘴单元920设置在沉积源910的一侧，并且多个沉积源喷嘴921沿Y轴方向形成（或布置）在沉积源喷嘴单元920中。构图狭缝片950和框架955设置在沉积源910与衬底2之间。此外，在构图狭缝片950中沿X轴方向形成有多个构图狭缝951。每对构图狭缝之间可具有间隔。此外，沉积源910通过连接构件935与沉积源喷嘴单元920和构图狭缝片950结合。
本实施方式不同于上述关于包括在沉积源喷嘴单元920中的沉积源喷嘴921的布置的实施方式，下面将对此进行更详细的描述。
沉积源喷嘴单元920设置在沉积源910的一侧，具体地，设置在沉积源910的面对衬底2的一侧。多个沉积源喷嘴921沿Y轴方向即衬底2的扫描方向形成在沉积源喷嘴单元920中。由此，沉积源喷嘴921能够以相等的间隔形成。在沉积源910中蒸发（或汽化）的沉积材料915经过沉积源喷嘴单元920，然后朝向经受沉积的衬底2移动。因此，多个沉积源喷嘴921沿衬底2的扫描方向形成在有机层沉积组件900-1中。在这种情况下，如果沿X轴方向形成多个沉积源喷嘴921，则沉积源喷嘴921与构图狭缝951之间的距离可彼此不同。在这种情况下，由从远离构图狭缝951的沉积源喷嘴921发出的沉积材料形成的阴影可忽略。因此，在所述实施方式中，沿X轴方向仅形成一个沉积源喷嘴921，这足以防止阴影。此外，由于沿扫描方向布置有多个沉积源喷嘴921，单独的沉积源喷嘴之间的流量差可被抵消以保持沉积均匀性。
在下文中，将对使用上述有机层沉积装置形成的有机层的结构进行详细描述。
图11为示出根据本发明实施方式的结构的示意图，在该结构中构图狭缝131以相等的间隔布置在包括图3的沉积单元100的有机层沉积装置的构图狭缝片130中。图12为示出根据本发明实施方式的通过使用图11的构图狭缝片130形成在衬底2上的有机层的示意图。
图11和图12示意性地示出了构图狭缝片130，其中构图狭缝131以相等间隔布置。即，在图11中，构图狭缝131满足以下条件：I1=I2=I3=I4。
在该实施方式中，沿沉积空间S的中心线C排出的沉积材料的入射角基本垂直于衬底2。因此，使用已经过构图狭缝131a的沉积材料形成的有机层P1具有最小（或减小）的阴影尺寸，并且右侧阴影SR1和左侧阴影SL1彼此对称（或基本对称）地形成。
然而，经过远离沉积空间S的中心线C设置的构图狭缝的沉积材料的临界入射角θ逐渐增大，因而，在一个实施方式中，经过最外面的构图狭缝131e的沉积材料的临界入射角θ大致为55°。因此，沉积材料以相对于构图狭缝131e倾斜的方式入射，并且使用已经过构图狭缝131e的沉积材料形成的有机层P5具有最大的阴影。例如，左侧阴影SL5大于右侧阴影SR5。
即，当沉积材料的临界入射角θ增加时，阴影的尺寸也增加。例如，在远离沉积空间S的中心线C的位置处的阴影的尺寸增加。此外，沉积材料的临界入射角θ随沉积空间S的中心线C与相应的构图狭缝之间的距离的增加而增加。因此，使用经过远离沉积空间S的中心线C设置的构图狭缝的沉积材料而形成的有机层具有更大的阴影尺寸。例如，在相应的有机层的两侧上的阴影中，远离沉积空间S的中心线C的位置处的阴影尺寸大于其他位置处的阴影尺寸。
即，参见图12，形成在沉积空间S的中心线C的左侧上的有机层具有左斜边（在顶边与底边之间的左侧斜边）大于右斜边（在顶边与底边之间的右侧斜边）的结构，形成在沉积空间S的中心线C的右侧上的有机层具有右斜边（即右侧斜边）大于左斜边（即左侧斜边）的结构。
此外，在形成于沉积空间S的中心线C的左侧上的有机层中，远离中心线C设置的有机层的左斜边（左侧倾斜的边）的长度朝向左侧增加。在形成于沉积空间S的中心线C的右侧上的有机层中，远离中心线C设置的有机层的右斜边（右侧倾斜的边）的长度朝向右侧增加。因此，形成在沉积空间S中的有机层可关于沉积空间S的中心线C彼此对称地形成。
下面将进一步对该结构进行详细描述。
经过构图狭缝131b的沉积材料以临界入射角θb经过构图狭缝131b，使用已经过构图狭缝131b的沉积材料形成的有机层P2具有尺寸为SL2的左侧阴影。类似地，经过构图狭缝131c的沉积材料以临界入射角θc经过构图狭缝131c，使用已经过构图狭缝131c的沉积材料形成的有机层P3具有尺寸为SL3的左侧阴影。类似地，经过构图狭缝131d的沉积材料以临界入射角θd经过构图狭缝131d，使用已经过构图狭缝131d的沉积材料形成的有机层P4具有尺寸为SL4的左侧阴影。类似地，经过构图狭缝131e的沉积材料以临界入射角θe经过构图狭缝131e，使用已经过构图狭缝131e的沉积材料形成的有机层P5具有尺寸为SL5的左侧阴影。
由此，临界的入射角满足以下条件：θb<θc<θd<θe，因此，有机层的阴影的尺寸还满足以下条件：SL1<SL2<SL3<SL4<SL5。
图13为根据本发明实施方式的使用有机层沉积装置1制造的有源矩阵型有机发光显示装置的截面图。
参照图13，根据当前实施方式的有源矩阵型有机发光显示装置10形成在衬底2上。衬底2可由透明材料例如玻璃、塑料或金属形成。在衬底2的整个表面上形成有绝缘层31，例如缓冲层。在其他实施方式中，可省略绝缘层31。
如图13所示，在绝缘层31上形成（设置）有薄膜晶体管（TFT）40、电容器50和有机发光二极管（OLED）60。
在绝缘层31的上表面上以预定的图案形成有半导体有源层41。栅极绝缘层32被形成以覆盖半导体有源层41。半导体有源层41可包括p型或n型半导体材料。
TFT40的栅电极42形成在栅极绝缘层32中与半导体有源层41相对应的区域中。中间绝缘层33被形成以覆盖栅电极42。中间绝缘层33和栅极绝缘层32通过例如干法蚀刻被蚀刻以形成分别暴露半导体有源层41的部分的接触孔。
在中间绝缘层33上形成有源电极和漏电极43以通过各个接触孔与半导体有源层41接触。钝化层34被形成以覆盖源电极和漏电极43，并被蚀刻以暴露源电极和漏电极43之一的一部分。在钝化层34上还可形成有绝缘层（未示出）以使钝化层34平坦。
此外，OLED60通过根据电流发出红色光、绿色光或蓝色光来显示图像信息（例如预定的图像信息）。OLED60包括位于钝化层34上的第一电极61。第一电极61电连接至TFT40的源电极和漏电极43中暴露的一个电极。
像素限定层35被形成以覆盖第一电极61。在像素限定层35中形成有开口，在由开口限定的区域中形成有包括发光层（EML）的有机层63。在有机层63上形成有第二电极62。
限定单独像素的像素限定层35由有机材料构成。像素限定层35还使衬底2的形成有第一电极61的区域的表面平坦化，具体地，使钝化层34的表面平坦化。
第一电极61和第二电极62彼此绝缘，并分别将极性相反的电压施加至有机层63以引起发光。
包括EML的有机层63可由低分子量的有机材料或高分子量的有机材料构成。当使用低分子量的有机材料时，有机层63可具有单层结构或多层结构，包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、EML、电子传输层（ETL）、电子注入层（EIL）。可用有机材料的非限制性实施例可包括铜酞菁（CuPc）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺（NPB）以及三-8-羟基喹啉铝（Alq3）。
包括EML的有机层63可使用图1至图10中所示的有机层沉积装置中任意合适的装置形成，或使用根据本发明的原理的任意合适的有机层沉积装置形成。即，这样的有机层沉积装置，其包括排出沉积材料的沉积源、位于沉积源一侧并包括其中形成的多个沉积源喷嘴的沉积源喷嘴单元、以及面对沉积源喷嘴单元并包括在其中形成的多个构图狭缝的构图狭缝片，该有机层沉积装置被布置成与上面待沉积沉积材料的衬底分隔预定的距离（例如间隙）。此外，当有机层沉积装置与衬底2相对于彼此移动时，从有机层沉积装置（如图1所示）排出的沉积材料沉积在衬底2上（如图1所示）。
在形成有机层63之后，第二电极62可通过与用于形成有机层63相同的沉积法形成。
在像素限定层35上还形成有辅助电极64。辅助电机64形成在像素限定层35上并由于第二电极62的电阻而能够降低电压降，下面将参照图14至图16对此进行具体描述。
第一电极61可用作阳极，第二电极62可用作阴极。可替换地，第一电极61可用作阴极，而第二电极62可用作阳极。第一电极61可被构图成与单个像素区域相对应，第二电极62可被形成为覆盖所有像素。
第一电极61可被形成为透明电极或反射电极。上述透明电极可由氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）或氧化铟（In2O3）构成。上述反射电极可由银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）或它们的化合物构成，并在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。第一电极61可例如通过溅射形成层然后例如通过光刻法将层构图而形成。
第二电极62也可被形成为透明电极或反射电极。当第二电极62被形成为透明电极时，第二电极62可被用作阴极。因此，上述透明层可通过在有机层63的表面上沉积具有低功函数的金属例如锂（Li）、钙（Ca）、氟化锂/钙（LiF/Ca）、氟化锂/铝（LiF/Al）、铝（Al）、银（Ag）、镁（Mg）或它们的化合物并在上面由ITO、IZO、ZnO、In2O3等形成辅助电极层或总线电极线而形成。当第二电极62被形成为反射电极时，反射电极可通过在有机层63的整个表面上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物来形成。第二电极62可使用与用于形成上述有机层63相同的沉积法来形成。
根据本发明的上述实施方式的有机层沉积装置可被用于形成有机层或有机TFT的无机层和/或形成由多种材料构成的层。
在下文中，将对通过使用图1所示的有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法进行详细描述。
图14至图16为用于示出根据本发明实施方式的制造有机发光显示装置的方法的平面图。
首先，在衬底2上依次形成TFT40（参见图13）、电容器50（参见图13）、第一电极61（参见图13）和像素限定层35（参见图13）。
然后，如图14所示，通过使用如图1所示的有机层沉积装置在第一电极61（参见图13）和衬底2的像素限定层35（参见图13）上形成有机层63。
如上所述，在根据本发明的一个或多个实施方式的有机层沉积装置中，构图狭缝片可小于（例如远小于）在传统沉积装置中使用的FMM。为了通过使用构图狭缝片在衬底2上形成有机层，在有机层沉积装置和衬底2相对于彼此移动时进行沉积。如图14所示，因为当衬底以一个方向移动时沉积以扫描的方式进行，故有机层63的层被连续形成以各自在完全进行沉积的衬底2上具有线性形状。即，具有线性形状的红色发光层63R、绿色发光层63G和蓝色发光层63B彼此相邻地连续形成。
然后，如图15所示，在具有线性形状的有机层63的层之间形成有具有线性形状的辅助电极64，下面对其进行详细描述。
在传统的有机发光显示装置中，在衬底上依次形成第一电极（阳极）、有机层和第二电极（阴极）。对于正面发光型有机发光显示装置，因为光一般朝向阴极发出，所以透光率被保持在合适的水平或更高，使用具有较小厚度的半透明金属层形成阴极。一般而言，对于金属，层厚度与电阻成反比。因此，在正面发光型有机发光显示装置中，会出现由于阴极产生的电压降。为了解决这个问题，已经使用了形成阴极辅助电极的方法。
然而，当在衬底上形成阴极辅助电极时，阴极辅助电极需要接触阴极。为此，一般而言，在衬底上形成阴极辅助电极，并形成用于与阴极接触的连接部。然后，为了阻止有机材料在沉积过程中沉积在阴极与阴极辅助电极之间，使用掩模来覆盖阴极与阴极辅助电极之间的空间，或通过激光束去除沉积的有机材料。
然而，在使用掩模的方法中，使用了高清晰度掩模，从而降低了生产产量并增加了制造成本。此外，当沉积的有机材料由激光束去除时，会生成颗粒。
为了解决这些问题，在制造根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的方法中，使用图1至图10所示的有机层沉积装置中任意合适的装置在具有线性形状的有机层之间的像素限定层上形成具有线性形状的辅助电极，然后，在辅助电极上形成作为公共层的第二电极。
例如，如图15所示，在具有线性形状的有机层63的相邻层之间的像素限定层35（参见图13）上形成具有线性形状的辅助电极64。图15示出在绿色发光层63G与蓝色发光层63B之间形成辅助电极64。然而，本发明并不限于此。可在有机层63的相邻层之间的任意合适的区域上形成辅助电极64，只要辅助电极64可形成在像素限定层35（参见图13）上。
可通过使用图1至图10所示的有机层沉积装置中的任意合适的装置的过程形成辅助电极64，其中，衬底2和有机层沉积装置（参见图1）彼此分隔开一定距离，从有机层沉积装置（参见图1）的沉积源110（参见图3）蒸发的辅助电极形成材料经过构图狭缝片130（参见图3）以在衬底2与有机层沉积装置相对于彼此移动时沉积在衬底2上。
然后，如图15所示，在像素限定层35（参见图13）、有机层63和辅助电极64上形成作为公共层的第二电极62，从而整体覆盖像素限定层35（参见图13）、有机层63和辅助电极64。
此外，可通过使用图1至图10所示的有机层沉积装置中的任意合适的装置的过程形成第二电极62，其中，衬底2和有机层沉积装置（参见图1）彼此分隔开一定距离，从有机层沉积装置（参见图1）的沉积源110（参见图3）蒸发的第二电极形成材料经过开放掩模以沉积在衬底2上。
图14至图16示出在像素限定层35（参见图13）上形成辅助电极64然后在辅助电极64上形成第二电极62的情况。然而，本发明并不限于此。即，可在像素限定层35（参见图13）上形成第二电极62，然后在第二电极62上形成辅助电极64。
在传统方法中，当形成OLED60之前形成辅助电极时，高清晰度掩模的数量增加，由此降低了生产产量并增加了制造成本。然而，根据本发明的一个或多个实施方式，可通过额外使用用于形成辅助电极的有机层沉积组件来形成辅助电极，从而降低制造成本。此外，换言之，当生成的有机材料由激光束移除时，会产生颗粒。然而，根据本发明的一个或多个实施方式，该问题被克服。
如上所述，本发明的一个或多个实施方式提供适用于在大衬底上批量生产的有机发光显示装置并能够进行高清晰度构图，本发明的一个或多个实施方式还提供制造有机发光显示装置的方法。
虽然已经参照本发明的示例性实施方式具体地示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员应该理解，可以在形式和细节中做出各种变化而不偏离本发明的精神和范围，本发明的精神和范围由所附的权利要求书及其等同来限定。

Claims (66)

1.一种有机发光显示装置，包括：
衬底；
位于所述衬底上的多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管中的每一个包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极；
多个第一电极，分别电连接至所述多个薄膜晶体管并位于与所述多个薄膜晶体管相对应的各个像素上；
多个有机层，分别位于所述第一电极上并包括发光层；
辅助电极，所述辅助电极中的每一个位于所述多个有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上；以及
第二电极，面对所述多个第一电极并覆盖所述有机层和所述辅助电极。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，位于所述衬底上的所述多个有机层中的至少一个具有线性图案。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述辅助电极均具有线性图案。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括位于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间的像素限定层，其中，所述辅助电极位于所述像素限定层上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底上的所述多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度大于所述多个有机层中的更接所述近沉积区域中心的的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底具有40英寸或更大的尺寸。
7.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述多个有机层具有非均匀的厚度。
8.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，在所述多个有机层中的远离所述沉积区域中心的每个有机层中，更远离所述沉积区域中心的斜边大于其他斜边。
9.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，当所述沉积区域中的所述多个有机层被定位成更远离所述沉积区域中心时，以第一方向延伸的两侧的重叠区域变窄。
10.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，位于所述沉积区域中心的有机层的斜边具有相同的长度。
11.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述沉积区域中的所述多个有机层围绕所述沉积区域中心对称地布置。
12.一种有机发光显示装置，包括：
衬底；
位于所述衬底上的多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管中的每一个包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极；
多个第一电极，分别电连接至所述多个薄膜晶体管并位于与所述多个薄膜晶体管相对应的各个像素上；
多个有机层，分别位于所述第一电极上并包括发光层；
第二电极，面对所述多个第一电极并覆盖所述有机层；以及
辅助电极，位于所述第二电极上，所述辅助电极中的每一个位于所述多个有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上。
13.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，位于所述衬底上的所述多个有机层中的至少一个具有线性图案。
14.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述辅助电极均具有线性图案。
15.如权利要求12所述的有机发光显示装置，还包括位于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间的像素限定层，其中，所述辅助电极位于所述像素限定层上。
16.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底上的所述多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度大于所述多个有机层中的更接近所述沉积区域中心的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
17.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底具有40英寸或更大的尺寸。
18.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，所述多个有机层具有非均匀的厚度。
19.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，在所述多个有机层中的远离所述沉积区域中心的每个有机层中，更远离所述沉积区域中心的斜边大于其他斜边。
20.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，当所述沉积区域中的所述多个有机层被定位成更远离所述沉积区域中心时，以第一方向延伸的两侧的重叠区域变窄。
21.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，位于所述沉积区域中心的有机层的斜边具有相同的长度。
22.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，所述沉积区域中的所述多个有机层围绕所述沉积区域中心对称地布置。
23.一种有机发光显示装置，包括：
位于衬底上的多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管中的每一个包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中所述栅电极与所述有源层绝缘，所述源电极和漏电极与所述有源层接触；
多个第一电极，其中所述多个第一电极中的每一个位于所述多个薄膜晶体管中的相应的一个薄膜晶体管上并电连接至所述源电极和漏电极中的一个；
多个像素限定层，位于所述多个第一电极之间并覆盖所述多个第一电极的相应的边缘区域；
多个有机层，位于所述多个第一电极上；
多个辅助电极，位于所述多个像素限定层上；以及
第二电极，面对所述多个第一电极并覆盖所述多个有机层和所述多个辅助电极。
24.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中，所述多个辅助电极中的每一个位于所述多个有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上。
25.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层位于所述多个像素限定层中的相邻的两个像素限定层之间。
26.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中，位于所述衬底上的所述多个有机层中的至少一个具有线性图案。
27.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中，所述多个辅助电极均具有线性图案。
28.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底上的所述多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度大于所述多个有机层中的更接近沉积区域中心的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
29.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底具有40英寸或更大的尺寸。
30.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述多个有机层包括至少一个发光层。
31.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述多个有机层具有非均匀的厚度。
32.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，在所述多个有机层中的远离所述沉积区域中心的每个有机层中，更远离所述沉积区域中心的斜边大于其他斜边。
33.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，当所述沉积区域中的所述多个有机层被定位成更远离所述沉积区域中心时，以第一方向延伸的两侧的重叠区域变窄。
34.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，位于所述沉积区域中心的有机层的斜边具有相同的长度。
35.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述沉积区域中的所述多个有机层围绕所述沉积区域中心对称地布置。
36.一种有机发光显示装置，包括：
位于衬底上的多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管中的每一个包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中所述栅电极与所述有源层绝缘，所述源电极和漏电极与所述有源层接触；
多个第一电极，其中所述多个第一电极中的每一个分别位于所述多个薄膜晶体管中的相应的一个薄膜晶体管上并电连接至所述源电极和漏电极中的一个；
多个像素限定层，位于所述多个第一电极之间并覆盖所述多个第一电极的边缘区域；
多个有机层，位于所述多个第一电极上；
第二电极，面对所述多个第一电极并覆盖所述多个有机层；以及
多个辅助电极，位于所述第二电极的与所述多个像素限定层相对应的部分上。
37.如权利要求36所述的有机发光显示装置，其中，所述多个辅助电极中的每一个位于所述多个有机层中的相邻有机层之间的至少一部分上。
38.如权利要求36所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层位于所述多个像素限定层中的相邻的两个像素限定层之间。
39.如权利要求35所述的有机发光显示装置，其中，位于所述衬底上的所述多个有机层中的至少一个具有线性图案。
40.如权利要求36所述的有机发光显示装置，其中，所述多个辅助电极均具有线性图案。
41.如权利要求36所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底上的所述多个有机层中的远离沉积区域中心的至少一个有机层的顶边与底边之间的斜边的长度大于所述多个有机层中的更接近沉积区域中心的其他有机层的相应顶边与底边之间的斜边的长度。
42.如权利要求41所述的有机发光显示装置，其中，所述衬底具有40英寸或更大的尺寸。
43.如权利要求41所述的有机发光显示装置，其中，所述多个有机层包括至少一个发光层。
44.如权利要求41所述的有机发光显示装置，其中，所述多个有机层具有非均匀的厚度。
45.如权利要求41所述的有机发光显示装置，其中，在所述多个有机层中的远离所述沉积区域中心的每个有机层中，更远离所述沉积区域中心的斜边大于其他斜边。
46.如权利要求41所述的有机发光显示装置，其中，当所述沉积区域中的所述多个有机层被定位成更远离所述沉积区域中心时，以第一方向延伸的两侧的重叠区域变窄。
47.如权利要求41所述的有机发光显示装置，其中，位于所述沉积区域中心的有机层的斜边具有相同的长度。
48.如权利要求41所述的有机发光显示装置，其中，所述沉积区域中的所述多个有机层围绕所述沉积区域中心对称地布置。
49.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
在衬底上形成多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中所述栅电极与所述有源层绝缘，所述源电极和漏电极与所述有源层接触；
在所述多个薄膜晶体管上形成多个第一电极，其中所述多个第一电极分别电连接至所述多个薄膜晶体管；
在所述多个第一电极之间形成多个像素限定层；
在所述多个第一电极上形成多个有机层；
在所述多个像素限定层上形成多个辅助电极，所述多个辅助电极与所述多个有机层分隔开；以及
形成第二电极，所述第二电极覆盖所述多个像素限定层、所述多个辅助电极和所述多个有机层。
50.如权利要求49所述的方法，其中，所述形成多个有机层的步骤包括以线性图案形成所述多个有机层。
51.如权利要求49所述的方法，其中，所述形成多个辅助电极的步骤包括以线性图案形成所述多个辅助电极。
52.如权利要求49所述的方法，其中，所述形成有机层和所述形成多个辅助电极的步骤由有机层沉积装置执行，
其中，所述有机层沉积装置包括：
沉积源，排出沉积材料；
沉积源喷嘴单元，位于所述沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；以及
构图狭缝片，面对所述沉积源喷嘴单元并包括沿第一方向布置的多个构图狭缝，
其中，从所述沉积源排出的沉积材料经过所述构图狭缝片以图案形式沉积在所述衬底上。
53.如权利要求52所述的方法，其中，所述有机层沉积装置的所述构图狭缝片在所述第一方向或第二方向中至少一个方向上小于所述衬底，所述第二方向垂直于所述第一方向。
54.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
在衬底上形成多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极，其中所述栅电极与所述有源层绝缘，所述源电极和漏电极与所述有源层接触；
在所述多个薄膜晶体管上形成多个第一电极，其中所述多个第一电极分别电连接至所述多个薄膜晶体管；
在所述多个第一电极之间形成多个像素限定层；
在所述多个第一电极上形成多个有机层；
形成第二电极，所述第二电极覆盖所述多个像素限定层和所述多个有机层；以及
在所述第二电极的与所述多个像素限定层相对应的部分上形成多个辅助电极。
55.如权利要求54所述的方法，其中，所述形成多个有机层的步骤包括以线性图案形成所述多个有机层。
56.如权利要求54所述的方法，其中，所述形成多个辅助电极的步骤包括以线性图案形成所述多个辅助电极。
57.如权利要求54所述的方法，其中，所述形成有机层和所述形成多个辅助电极的步骤由有机层沉积装置执行，
其中，所述有机层沉积装置包括：
沉积源，排出沉积材料；
沉积源喷嘴单元，位于所述沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；以及
构图狭缝片，面对所述沉积源喷嘴单元并包括沿第一方向布置的多个构图狭缝，
其中，从所述沉积源排出的沉积材料经过所述构图狭缝片以图案形式沉积在所述衬底上。
58.如权利要求57所述的方法，其中，所述有机层沉积装置的所述构图狭缝片在所述第一方向或第二方向中至少一个方向上小于所述衬底，所述第二方向垂直于所述第一方向。
59.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
将衬底定位为与有机层沉积装置分隔开；
当所述有机层沉积装置或所述衬底中的一个相对于另一个移动时，通过对从所述有机层沉积装置排出的沉积材料构图在所述衬底上形成有机层；
当所述有机层沉积装置或所述衬底中的一个相对于另一个移动时，通过对从所述有机层沉积装置排出的沉积材料构图在所述衬底上形成辅助电极；以及
形成覆盖所述有机层和所述辅助电极的第二电极。
60.如权利要求59所述的方法，其中，所述形成有机层的步骤包括将有机层沉积装置定位为与所述衬底分隔开并且当所述有机层沉积装置与所述衬底相对于彼此移动时形成所述有机层，以及
其中，所述有机层沉积装置包括：
沉积源，排出沉积材料；
沉积源喷嘴单元，位于所述沉积源的一侧并包括以第一方向布置的多个沉积源喷嘴；
构图狭缝片，面对所述沉积源喷嘴单元并包括以第一方向布置的多个构图狭缝；以及
遮蔽板组件，包括多个遮蔽板，所述多个遮蔽板沿所述第一方向位于所述沉积源喷嘴单元与所述构图狭缝片之间的多个遮蔽板，并将所述沉积源喷嘴单元与所述构图狭缝片之间的空间分成多个沉积空间。
61.如权利要求60所述的方法，其中，所述多个遮蔽板均以第二方向布置并将所述沉积源喷嘴单元与所述构图狭缝片之间的空间分成多个沉积空间，所述第二方向垂直于所述第一方向。
62.如权利要求60所述的方法，其中，所述遮蔽板组件包括第一遮蔽板组件和第二遮蔽板组件，所述第一遮蔽板组件包括多个第一遮蔽板，所述第二遮蔽板组件包括多个第二遮蔽板。
63.如权利要求60所述的方法，其中，所述有机层沉积装置的所述构图狭缝片小于所述衬底。
64.如权利要求59所述的方法，其中，所述形成有机层的步骤包括将有机层沉积装置定位为与所述衬底分隔开并且当所述有机层沉积装置与所述衬底相对于彼此移动时形成所述有机层，以及
其中，所述有机层沉积装置包括：
沉积源，排出沉积材料；
沉积源喷嘴单元，位于所述沉积源的一侧并包括以第一方向布置的多个沉积源喷嘴；以及
构图狭缝片，面对所述沉积源喷嘴单元并包括以第一方向布置的多个构图狭缝。
65.如权利要求64所述的方法，其中，所述多个沉积源喷嘴以一定角度倾斜。
66.如权利要求64所述的方法，其中，所述有机层沉积装置的所述构图狭缝片小于所述衬底。
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