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CN103426795A - 基板处理用的药液生成方法、生成单元及基板处理系统 - Google Patents

基板处理用的药液生成方法、生成单元及基板处理系统 Download PDF

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CN103426795A CN201310093532XA CN201310093532A CN103426795A CN 103426795 A CN103426795 A CN 103426795A CN 201310093532X A CN201310093532X A CN 201310093532XA CN 201310093532 A CN201310093532 A CN 201310093532A CN 103426795 A CN103426795 A CN 103426795A
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Abstract

本发明提供基板处理用的药液生成方法、生成单元及基板处理系统，该基板处理系统包括：药液生成单元，用于生成供给至基板的药液；处理单元，将通过药液生成单元生成的药液供给至基板。药液生成单元将含有氧气的含氧气体供给至含有TMAH（四甲基氢氧化铵）的含TMAH药液中，由此使含氧气体溶解于含TMAH药液中。

Description

基板处理用的药液生成方法、生成单元及基板处理系统
技术领域
本发明涉及生成供给至基板的药液的基板处理用的药液生成方法以及药液生成单元。并且，本发明涉及具有基板处理用的药液生成单元的基板处理系统。成为处理对象的基板例如包括半导体晶体、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED（Field Emission Display：场致发射显示器）用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，采用对半导体晶体、液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。在日本专利第4723268号公报中记载的单张式（single substrate processing type）的基板处理装置具有：脱气单元，使供给至基板的药液中的溶解氧量降低；非活性气体供给路径，向贮存有供给至基板的药液的药液罐内供给氮气。
在日本专利第4723268号公报的基板处理装置中，为了防止基板被药液中的氧氧化，通过脱气来降低药液中的溶解氧量。并且，为了防止氧气在药液罐内溶解于药液中，该基板处理装置向药液罐内供给氮气。
发明内容
但是，根据本申请发明人的研究得知，由于向药液罐内供给氮气，可能导致药液的处理能力降低。因此，本发明的一个目的在于提供，能够生成具有稳定的处理能力的药液的基板处理用的药液生成方法以及药液生成单元。并且，本发明的又一目的在于提供能够抑制基板之间的处理的偏差的基板处理系统。
本发明的一实施方式提供一种基板处理用的药液生成方法，向含有TMAH（四甲基氢氧化铵）的含TMAH药液供给含有氧气的含氧气体，由此使上述含氧气体溶解于上述含TMAH药液中。
根据该方法，含有氧气的含氧气体供给至含有TMAH的含TMAH药液中。由此，生成供给至基板的药液。根据本申请发明人的研究得知，当向含TMAH药液供给含有氮气的含氮气体时，含TMAH药液的处理能力（例如，每单位时间的蚀刻量）降低。另一方面得知，当向含TMAH药液供给含氧气体时，含TMAH药液的处理能力稳定。因此，通过使含氧气体溶解于含TMAH药液中，能够生成处理能力稳定的用于处理基板的药液。并且，根据本申请发明人的研究得知，当向处理能力降低的含TMAH药液供给含氧气体时，含TMAH药液的处理能力提高。因此，通过使含氧气体溶解于含TMAH药液中，能够恢复含TMAH药液的处理能力。
在本发明的一个实施方式中，上述基板处理用的药液生成方法也可以包括：测定工序，测定上述含TMAH药液中的溶解氧浓度；氮溶解工序，在上述测定工序中测定到的溶解氧浓度高于规定的浓度的情况下，向上述含TMAH药液供给含有氮气的含氮气体，由此使上述含氮气体溶解于上述含TMAH药液中；氧溶解工序，在上述测定工序中测定到的溶解氧浓度低于上述规定的浓度的情况下，向上述含TMAH药液供给上述含氧气体，由此使上述含氧气体溶解于上述含TMAH药液中。
根据该方法，按照含TMAH药液中的溶解氧浓度，来切换供给至含TMAH药液的气体。即，反馈含TMAH药液中的溶解氧浓度，向含TMAH药液供给含氧气体以及含氮气体中的一个。由此，抑制含TMAH药液中的溶解氧浓度的偏差。因此，生成溶解氧浓度均匀的用于处理基板的药液。
本发明的另外的实施方式的基板处理用的药液生成单元，包括氧溶解单元，该氧溶解单元向含有TMAH（四甲基氢氧化铵）的含TMAH药液供给含有氧气的含氧气体，由此使上述含氧气体溶解于上述含TMAH药液中。根据该结构，通过使含氧气体溶解于含TMAH药液中，能够生成处理能力稳定的用于处理基板的药液，从而能够恢复含TMAH药液的处理能力。
在本发明的另外的实施方式中，上述用于处理基板的药液生成单元也可以包括：测定单元，测定上述含TMAH药液中的溶解氧浓度；氮溶解单元，向上述含TMAH药液供给含有氮气的含氮气体，由此使上述含氮气体溶解于上述含TMAH药液中；控制装置，在上述测定单元测定到的溶解氧浓度高于规定的浓度的情况下，通过控制上述氮溶解单元，来使上述含氮气体溶解于上述含TMAH药液中，在上述测定单元测定到的溶解氧浓度低于上述规定的浓度的情况下，通过控制上述氧溶解单元，来使上述含氧气体溶解于上述含TMAH药液中。根据该结构，反馈含TMAH药液中的溶解氧浓度，向含TMAH药液供给含氧气体以及含氮气体中的一个。由此，抑制含TMAH药液中的溶解氧浓度的偏差。因此，生成溶解氧浓度均匀的用于处理基板的药液。
本发明的另外的实施方式提供一种基板处理系统，包括：上述药液生成单元；处理单元，将通过上述药液生成单元生成的上述含TMAH药液供给至基板。根据该结构，调整了溶解氧浓度的含TMAH药液供给至基板。因此，能够抑制基板之间的处理的偏差。
本发明的上述或者其它目的、特征以及效果，参照附图并通过下面叙述的实施方式的说明来明确。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理系统的示意图。
图2是示出调整TMAH中的溶解氧浓度时的流程的一例的图。
图3是示出依次向罐内供给氮气以及干燥空气时的TMAH中的溶解氧浓度的变化的图。
图4是示出向罐内供给氮气的情况下的蚀刻率的变化的图。
图5是示出向罐内供给二氧化碳的情况下的蚀刻率的变化的图。
图6是示出向罐内供给干燥空气的情况下的蚀刻率的变化的图。
图7是示出向因供给氮气而处理能力降低的TMAH供给干燥空气时的TMAH的处理能力的变化的图。
图8是本发明的第二实施方式的基板处理系统的示意图。
图9A是混合单元的示意图。
图9B是溶解单元的示意图。
图10A是示出溶解促进单元的结构的一例的示意图。
图10B是示出溶解促进单元的结构的其它例的示意图。
具体实施方式
图1是本发明的第一实施方式的基板处理系统1的示意图。图2是示出调整TMAH中的溶解氧浓度时的流程的一例的图。
如图1所示，基板处理系统1包括：处理单元2，利用药液或冲洗液等处理液来对基板W进行处理；作为药液生成单元的药液供给单元3，将作为药液的一例的TMAH（四甲基氢氧化铵）供给至处理单元2；控制装置4，对基板处理系统1所具有的装置和阀的开闭进行控制。
处理单元2以及药液供给单元3可以是共同的装置中的一部分，也可以是相互独立的单元（能够相互独立地移动的单元）。即，基板处理系统1可以具有包括处理单元2以及药液供给单元3的基板处理装置，也可以具有包括处理单元2的基板处理装置和配置于从基板处理装置离开的位置的药液供给单元3。
另外，处理单元2可以是逐张地处理基板W的单张式的单元，也可以是将多张基板W统一处理的批量式的单元。在图1中，示出了处理单元2为单张式的单元的例子。就由处理单元2进行的处理而言，可以是向在最外层形成有多晶硅膜（Poly-Si膜）等对象膜的基板W供给蚀刻液的蚀刻处理，也可以是向曝光后的基板W供给显影液的显影处理。当然，也可以由处理单元2进行除了蚀刻处理以及显影处理之外的处理。
图1所示的处理单元2包括：箱形的腔室5；旋转卡盘6，在腔室5内将基板W保持为水平，并使基板W围绕穿过基板W的中心的铅垂的轴线旋转；处理液喷嘴9～12，向基板W喷出药液或冲洗液等处理液。并且，处理单元2包括：圆板状的遮挡板7，其水平地配置于旋转卡盘6的上方；升降单元（未图示），用于使遮挡板7进行升降；筒状的罩部8，其包围旋转卡盘6。处理液喷嘴9～12包括：两个药液喷嘴（第一药液喷嘴9以及第二药液喷嘴10），向基板W的上表面喷出药液；两个冲洗液喷嘴（第一冲洗液喷嘴11以及第二冲洗液喷嘴12），向基板W的上表面喷出冲洗液。第二冲洗液喷嘴12沿着遮挡板7的中心轴线沿着上下方向延伸，在第二冲洗液喷嘴12的下端部设置有喷出口，该喷出口从遮挡板7的下表面中央部向下方喷出冲洗液。
如图1所示，第一药液喷嘴9与药液供给单元3相连接。第二药液喷嘴10与安装有第二药液阀14的第二药液配管15相连接。第一冲洗液喷嘴11与安装有第一冲洗液阀16的第一冲洗液配管17相连接。第二冲洗液喷嘴12与安装有第二冲洗液阀18的第二冲洗液配管19相连接。向第一药液喷嘴9供给作为药液的一例的TMAH（水溶液），向第二药液喷嘴10供给作为药液的一例的氢氟酸。向第一冲洗液喷嘴11以及第二冲洗液喷嘴12供给作为冲洗液的一例的纯水（去离子水：Deionzied Water）。
TMAH是有机碱的一例。TMAH也是蚀刻液以及显影液的一例。供给至第一药液喷嘴9的TMAH可以含有表面活性剂，也可以不含有表面活性剂。另外，供给至第二药液喷嘴10的药液并不限定于氢氟酸，也可以是含有硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸（例如柠檬酸、草酸等）、有机碱、表面活性剂、防腐剂之中的至少一种的液体。供给至第一冲洗液喷嘴11的冲洗液并不限定于纯水，也可以是碳酸水、电解离子水、富氢水、臭氧水以及稀释浓度（例如，10～100ppm左右）的盐酸水之中的某种。关于供给至第二冲洗液喷嘴12的冲洗液也同样。
在处理单元2中进行蚀刻处理，例如向基板W的上表面的整个区域依次供给氢氟酸、纯水、TMAH以及纯水。具体地，控制装置4一边通过旋转卡盘6将基板W保持为水平，一边使该基板W围绕铅垂的轴线旋转。在该状态下，控制装置4打开第二药液阀14，从第二药液喷嘴10向基板W的上表面喷出氢氟酸。供给至基板W的氢氟酸，借助因基板W旋转而产生的离心力在基板W上向外方扩散，从而从基板W的上表面周缘部向基板W的周围排出。在停止从第二药液喷嘴10喷出氢氟酸之后，控制装置4通过对第一冲洗液阀16进行打开，从第一冲洗液喷嘴11向处于旋转状态的基板W的上表面喷出纯水。由此，通过纯水冲掉基板W上的氢氟酸。
接着，控制装置4通过控制药液供给单元3，从第一药液喷嘴9向处于旋转状态的基板W的上表面喷出TMAH。然后，控制装置4通过控制升降单元，使遮挡板7的下表面接近基板W的上表面。在该状态下，控制装置4通过对第二冲洗液阀18进行打开，从第二冲洗液喷嘴12向处于旋转状态的基板W的上表面喷出纯水。接着，控制装置4通过控制升降单元，使遮挡板7的下表面进一步接近基板W的上表面。在该状态下，控制装置4通过旋转卡盘6使基板W进行高速旋转，从而使基板W干燥。这样，对基板W进行一系列的处理。
如图1所示，药液供给单元3包括：罐20，用于贮存TMAH；第一药液配管21，将罐20内的TMAH引导至处理单元2（第一药液喷嘴9）；输送泵22，将罐20内的TMAH送至第一药液配管21；第一药液阀23，对第一药液配管21的内部进行开闭。并且，药液供给单元3包括：循环配管24，在第一药液阀23的上游侧（罐20一侧）使第一药液配管21和罐20相连接；循环阀25，对循环配管24的内部进行开闭；补充配管26，在罐20内的液量低于规定量时，将来自药液供给源的TMAH补充到罐20中。
在向处理单元2供给罐20内的TMAH时，打开第一药液阀23，并关闭循环阀25。在该状态下，通过输送泵22从罐20送至第一药液配管21的TMAH供给至处理单元2。另一方面，在停止向处理单元2供给TMAH的状态下，关闭第一药液阀23，并打开循环阀25。在该状态下，通过输送泵22从罐20送至第一药液配管21的TMAH经过循环配管24返回罐20内。因此，在停止向处理单元2供给TMAH的停止供给中，TMAH在由罐20、第一药液配管21以及循环配管24形成的循环路径X1中持续循环。在循环路径X1（循环管路）上配置有未图示的温度调节机构（加热机构或者冷却机构），通过该温度调节机构对将要供给至处理单元2的TMAH的温度进行调节。
如图1所示，药液供给单元3包括：氮溶解单元27，在罐20内使氮气溶解于TMAH中，由此使TMAH中的溶解氮浓度上升；氧溶解单元28，在罐20内使氧气溶解于TMAH中，由此使TMAH中的溶解氧浓度上升；溶解气体传感器29，用于检测TMAH中的溶解氧浓度。溶解气体传感器29可以是用于测定在第一药液配管21等配管内流动的TMAH中的溶解氧浓度的传感器，也可以是用于测定在罐20内贮存的TMAH中的溶解氧浓度的传感器。
氮溶解单元27将含有氮气的含氮气体供给至TMAH中，由此使氮气溶解于TMAH中。氧溶解单元28将含有氧气的含氧气体供给至TMAH中，由此使氧气溶解于TMAH中。含氮气体可以是氮气，也可以是氮气和除了氮气之外的气体的混合气体。同样地，含氧气体可以是氧浓度为100%的氧气，也可以是氧气和除了氧气之外的气体的混合气体。下面，对于如下的例子进行说明，即，含氮气体为作为非活性气体的一例的氮气，含氧气体为大概以8比2的比例含有氮和氧的干燥空气（干燥的洁净空气：cleaned dryair）。另外，也可以是含氧气体以及含氮气体中的任一种气体，在不考虑气体的种类的情况下，仅称为“气体”。
如图1所示，氮溶解单元27包括：气体配管30，在罐20内喷出氮气；流量调整阀31，对从气体配管30喷出的气体的流量进行变更。同样地，氧溶解单元28包括：气体配管30，在罐20内喷出干燥空气；流量调整阀31，对从气体配管30喷出的气体的流量进行变更。气体配管30也可以是鼓泡配管32，该鼓泡配管32从配置于TMAH中（液中）的喷出口喷出气体，由此在TMAH中产生气泡。另外，气体配管30也可以是净化（purge）配管33，该净化配管33在罐20内从配置于液面的上方的喷出口喷出气体，由此将罐20内的气体排出至未图示的排气管中。在图1中，示出了氮溶解单元27以及氧溶解单元28各自具有鼓泡配管32以及净化配管33的例子。
控制装置4通过氮溶解单元27以及氧溶解单元28，以与流量调整阀31的开度相对应的流量，将氮气以及干燥空气中的至少一个供给至罐20内，由此将TMAH中的溶解氧浓度调整为恒定的浓度。具体地，控制装置4使TMAH中的溶解氧浓度上升或降低，或者将溶解氧浓度维持为恒定的浓度。控制装置4通过控制流量调整阀31的开度，来调整向罐20内供给氮气的流量。同样地，控制装置4通过控制流量调整阀31的开度，来调整向罐20内供给的干燥空气的流量。
就向罐20内供给气体（氮气以及干燥空气中的至少一个）的动作而言，可以在从药液供给单元3正向处理单元2供给TMAH时（供给药液中）进行，也可以在停止从药液供给单元3向处理单元2供给TMAH时（停止供给中）进行，也可以在供给药液中以及停止供给中进行。例如，向罐20内供给干燥空气的动作，也可以在供给药液中以及停止供给中的整个期间内进行。另外，也可以向罐20内交替地供给氮气以及干燥空气。供给至罐20内的气体经由未图示的排气管路排出至罐20的外部。
如图1所示，溶解气体传感器29检测TMAH中的溶解氧浓度。溶解气体传感器29的检测值被输入至控制装置4。控制装置4可以基于溶解气体传感器29的检测值，来控制向TMAH中供给氮气以及干燥空气。具体地，如图2所示，当通过溶解气体传感器29测定TMAH中的溶解氧浓度（步骤S1）时，控制装置4基于溶解气体传感器29的检测值，判断测定到的溶解氧浓度是否与规定的浓度一致（步骤S2）。在测定到的溶解氧浓度为规定的浓度的情况（在S2中为“是”的情况）下，控制装置4将向罐20内供给气体的供给状态维持为恒定（步骤S3）。
另一方面，在溶解氧浓度高于规定的浓度的情况（在S2中为“否”（高）的情况）下，控制装置4通过氮溶解单元27向罐20内供给氮气（步骤S4）。由此，TMAH中的溶解氧浓度降低至规定的浓度。与此相反，在溶解氧浓度低于规定的浓度的情况（在S2中为“否”（低）的情况）下，控制装置4通过氧溶解单元28向罐20内供给干燥空气（步骤S5）。由此，TMAH中的溶解氧浓度上升至规定的浓度。并且，通过溶解气体传感器29再次测定TMAH中的溶解氧浓度（返回步骤S1）。这样，TMAH中的溶解氧浓度调整为最佳的浓度。
图3是示出依次向罐20内供给氮气以及干燥空气时的TMAH中的溶解氧浓度的变化的图。图4是示出向罐20内供给氮气的情况下的蚀刻率（单位时间内的蚀刻量）的变化的图。图5是示出向罐20内供给二氧化碳的情况下的蚀刻率的变化的图。图6是示出向罐20内供给干燥空气的情况下的蚀刻率的变化的图。图7是示出向因供给氮气而处理能力（蚀刻率）降低的TMAH供给干燥空气时的TMAH的处理能力的变化的图。
图4示出了一边向罐20内供给氮气一边隔开规定的时间间隔处理了多张基板W时的测定值。图5示出了一边向罐20内供给二氧化碳一边隔开规定的时间间隔处理了多张基板W时的测定值。图6示出了一边向罐20内供给干燥空气一边隔开规定的时间间隔处理了多张基板W时的测定值。
如图3所示，当开始向TMAH中供给氮气时，TMAH中的溶解氧浓度急剧减小之后，在比供给氮气之前的浓度更低的值（0附近）稳定。然后，当将供给至TMAH中的气体变更为干燥空气时，TMAH中的溶解氧浓度急剧上升至比供给干燥空气之前的浓度高的值之后，在比供给氮气之前的浓度高的值稳定。就TMAH的pH（氢离子指数）而言，无论向TMAH中供给哪种气体，都在大概恒定的值稳定。
如图4所示，当使氮气溶解于TMAH中时，蚀刻率逐渐降低。如图5所示，当使二氧化碳溶解于TMAH中时，蚀刻率以比使氮气溶解于TMAH中时更大的比例逐渐降低。认为蚀刻率因供给二氧化碳而急剧下降的理由如下。
即，当向含有硅（Si）的基板W供给含有羟基（OH-）的TMAH时，因产生反应“Si+4OH-→Si（OH）4”，而导致硅被蚀刻。即，羟基有助于对硅进行蚀刻。另一方面，当向TMAH（水溶液）中供给二氧化碳时，由于产生反应“CO2+H2O→H++HCO3 -”，由此氢离子（H+）增加。TMAH所含有的羟基与该氢离子进行结合而变为H2O。因此，可以认为因供给二氧化碳而蚀刻率急剧降低。
另一方面，如图6所示，当使干燥空气溶解于TMAH中时，蚀刻率几乎不变化。另外，如图7所示，当使干燥空气溶解于因供给氮气而处理能力（蚀刻率）降低的TMAH中时，TMAH的处理能力恢复。
干燥空气由大约80%的氮气和大约20%的氧气形成，在含有氧气这一点上，与氮气不同。因此，可以认为TMAH的处理能力的稳定和恢复依赖于氧。并且，由图5所示的测定结果可知，优选供给至TMAH中的气体的二氧化碳的浓度低。即，优选溶解于水中而产生氢离子（H+）的作为酸性气体的一例的二氧化碳的浓度低。干燥空气虽然含有二氧化碳，但是二氧化碳的浓度为0.0390vol%，极其低。
如上所述，在第一实施方式中，向含有TMAH的含TMAH药液供给含有氧气的作为含氧气体的一例的干燥空气。由此，生成药液，并将该药液供给至基板W。因此，基板处理系统1能够以稳定的蚀刻率对基板W进行处理。并且，基板处理系统1通过使含氧气体溶解于含TMAH药液中，能够使含TMAH药液的处理能力恢复。
第二实施方式
接着，对本发明的第二实施方式进行说明。在下面的图8至图9B中，对于与上述的图1至图7所示的各部分同等的结构部分，标注与图1等相同的附图标记而省略说明。
图8是本发明的第二实施方式的基板处理系统201的示意图。图9A是混合单元242的示意图。图9B是溶解单元243的示意图。
如图8所示，第二实施方式的基板处理系统201包括：处理单元2，利用药液或冲洗液等处理液来对基板W进行处理；药液供给单元203，将作为药液的一例的TMAH供给至处理单元2；控制装置4，对基板处理系统201所具有的装置和阀的开闭进行控制。控制装置4与第一实施方式同样地，通过控制药液供给单元203，将调整了溶解氧浓度的TMAH供给至处理单元2。
如图8所示，第二实施方式的药液供给单元203，除了氮溶解单元以及氧溶解单元之外，具有与第一实施方式的药液供给单元3同样的结构。即，第二实施方式的药液供给单元203包括氮溶解单元227和氧溶解单元228，来代替第一实施方式的氮溶解单元27以及氧溶解单元28，其中，上述氮溶解单元227通过使氮气在与罐20相连接的连接配管（第一药液配管21、循环配管24以及补充配管26中的至少一个）内溶解于TMAH中，由此使TMAH中的溶解氮浓度上升，上述氧溶解单元228通过使氧气在连接配管内溶解于TMAH中，由此使TMAH中的溶解氧浓度上升。
氮溶解单元227可以在第一药液配管21和循环配管24的连接位置的上游侧（罐20一侧）安装在第一药液配管21上，也可以安装在循环配管24上。即，氮溶解单元227也可以安装在循环路径X1上。另外，氮溶解单元227可以在第一药液配管21和循环配管24的连接位置的下游侧安装在第一药液配管21上，也可以安装在补充配管26上。即，氮溶解单元227也可以安装在除了循环路径X1之外的路径（非循环路径）上。与氮溶解单元227同样地，氧溶解单元228也可以安装在第一药液配管21、循环路径X1以及补充配管26中的任一个上。在图8中示出了如下的例子，即，3个氮溶解单元227分别安装在第一药液配管21、循环路径X1以及补充配管26上，3个氧溶解单元228分别安装在第一药液配管21、循环路径X1以及补充配管26上。
氮溶解单元227可以是对TMAH和氮气进行混合的混合单元242（参照图9A），也可以是利用仅使气体透过的半透膜244来使氮气溶解于TMAH中的溶解单元243（参照图9B）。同样地，氧溶解单元228可以是对TMAH和氧气进行混合的混合单元242，也可以是利用仅使气体透过的半透膜244来使氧气溶解于TMAH中的溶解单元243。
如图9A所示，混合单元242包括：静态混合器（Static mixer）245，其安装在连接配管上；气体配管246，将气体（氮气或者干燥空气）供给至静态混合器245。静态混合器245包括：管247，其安装在连接配管上；搅拌叶片248，其配置于管247内，围绕沿着液体的流动方向的轴线扭曲。气体配管246可以与管247相连接，也可以在管247的上游侧与连接配管相连接。当向管247内供给来自连接配管的TMAH和来自气体配管246的气体时，TMAH以及气体的混合流体沿着搅拌叶片248流动。该期间，反复进行混合流体的旋转以及分割，由此TMAH以及气体在管247内均匀地进行混合。由此，气体溶解于TMAH中，TMAH中的溶解氮浓度或者溶解氧浓度上升。
如图9B所示，溶解单元243包括：半透膜单元249，其安装在连接配管上；气体配管246，将气体（氮气或者干燥空气）供给至半透膜单元249。半透膜单元249包括：筒状的壳体250，其安装在连接配管上；多个中空纤维膜（hollow fiber membrane）251，其配置于壳体250内。中空纤维膜251是筒状且纤维状的膜，该中空纤维膜251由仅使气体透过的半透膜244形成。从连接配管供给至半透膜单元249的TMAH，经过多个中空纤维膜251的内部之后，从半透膜单元249排出至连接配管中。气体配管246与壳体250相连接。来自气体配管246的气体在中空纤维膜251的周围供给至壳体250的内部。因此，通过气体对壳体250的内部进行加压，气体透过中空纤维膜251。由此，气体溶解于中空纤维膜251内的TMAH中，由此TMAH中的溶解氮浓度或者溶解氧浓度上升。
其它实施方式
上面说明了本发明的第一以及第二实施方式，但是本发明并不限定于第一以及第二实施方式的内容，而能够在权利要求记载的范围内进行各种变更。
例如，如图10A以及图10B所示，氮溶解单元27、227也可以包括溶解促进单元34，该溶解促进单元34通过在罐20内使TMAH和氮气的接触时间增加，来使TMAH中的溶解氮量增加。同样地，氧溶解单元28、228也可以包括溶解促进单元34，该溶解促进单元34通过在罐20内使TMAH和氧气的接触时间增加，来使TMAH中的溶解气体量增加。在该情况下，溶解促进单元34可以包括在罐20内朝上喷射TMAH的喷水单元35（参照图10A），也可以包括凸台单元（fin unit）36（参照图10B），也可以包括喷水单元35以及凸台单元36这两者。
图10A是示出溶解促进单元34的结构的一例的示意图。如图10A所示，喷水单元35包括：喷射喷嘴37，通过在罐20内朝上喷射TMAH，来使TMAH移动至液面的上方；引导配管38，将罐20内的TMAH引导至喷射喷嘴37；泵39，将罐20内的TMAH经过引导配管38送至喷射喷嘴37。
图10B是示出溶解促进单元34的结构的其它例的示意图。如图10B所示，凸台单元36包括：一个以上的载物台40，其配置于罐20内；引导配管38，将罐20内的TMAH引导至载物台40；泵39，将罐20内的TMAH经过引导配管38送至载物台40。各载物台40可以是保持为水平的姿势的板，也可以是朝上开口的托盘。在图10B中，示出了凸台单元36包括作为多个托盘的多个载物台40的例子。多个载物台40沿着上下方向隔开间隔保持为水平的姿势。从引导配管38朝向最上方的载物台40喷出罐20内的TMAH。除了最上方的载物台40之外的其它载物台40，配置于从上侧的载物台40溢出的TMAH落下的位置。
另外，在第一以及第二实施方式中，对于氮溶解单元以及氧溶解单元这两者设置于药液供给单元的情况进行了说明。但是，在不需要向含TMAH药液中供给含氮气体的情况下，也可以仅将氧溶解单元设置于药液供给单元。
另外，在第一以及第二实施方式中，对于溶解气体传感器设置于药液供给单元的情况进行了说明。但是，在不测定含TMAH药液中的溶解氧浓度的情况下，药液供给单元也可以不具有溶解气体传感器。
对本发明的实施方式进行了详细的说明，这些仅是为了明确本发明的技术内容而采用的具体例，不应该认为本发明限于并解释为上述的具体例，本发明的精神以及范围仅由权利要求书来限定。
本申请与2012年5月15日向日本特许厅提出的特愿2012-111758号和2013年2月13日向日本特许厅提出的特愿2013-025312号相对应，该申请的全部公开内容通过引用编入到此。

Claims (7)

1.一种基板处理用的药液生成方法，其特征在于，
向含有四甲基氢氧化铵的含四甲基氢氧化铵药液供给含有氧气的含氧气体，由此使上述含氧气体溶解于上述含四甲基氢氧化铵药液中。
2.根据权利要求1所述的基板处理用的药液生成方法，其特征在于，
上述含氧气体为氧气或者干燥的洁净空气。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理用的药液生成方法，其特征在于，包括：
测定工序，测定上述含四甲基氢氧化铵药液中的溶解氧浓度；
氮溶解工序，在上述测定工序中测定到的溶解氧浓度高于规定的浓度的情况下，向上述含四甲基氢氧化铵药液供给含有氮气的含氮气体，由此使上述含氮气体溶解于上述含四甲基氢氧化铵药液中；
氧溶解工序，在上述测定工序中测定到的溶解氧浓度低于上述规定的浓度的情况下，向上述含四甲基氢氧化铵药液供给上述含氧气体，由此使上述含氧气体溶解于上述含四甲基氢氧化铵药液中。
4.一种基板处理用的药液生成单元，其特征在于，
包括氧溶解单元，该氧溶解单元向含有四甲基氢氧化铵的含四甲基氢氧化铵药液供给含有氧气的含氧气体，由此使上述含氧气体溶解于上述含四甲基氢氧化铵药液中。
5.根据权利要求4所述的基板处理用的药液生成单元，其特征在于，
上述含氧气体为氧气或者干燥的洁净空气。
6.根据权利要求4或5所述的药液生成单元，其特征在于，包括：
测定单元，测定上述含四甲基氢氧化铵药液中的溶解氧浓度；
氮溶解单元，向上述含四甲基氢氧化铵药液供给含有氮气的含氮气体，由此使上述含氮气体溶解于上述含四甲基氢氧化铵药液中；
控制装置，在上述测定单元测定到的溶解氧浓度高于规定的浓度的情况下，通过控制上述氮溶解单元，来使上述含氮气体溶解于上述含四甲基氢氧化铵药液中，在上述测定单元测定到的溶解氧浓度低于上述规定的浓度的情况下，通过控制上述氧溶解单元，来使上述含氧气体溶解于上述含四甲基氢氧化铵药液中。
7.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
权利要求4至6中任一项所述的药液生成单元；
处理单元，将上述药液生成单元所生成的上述含四甲基氢氧化铵药液供给至基板。
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