CN102781866A - 微结构化的玻璃基材 - Google Patents
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Abstract
本发明中描述了包含单层的光散射无机基材以及用于制造包含单层的光散射无机基材的方法,所述光散射无机基材用于,例如光伏电池。一个实施方式是用于制造光散射无机基材的方法。该方法包括以下步骤:提供包含至少一个表面的无机基材,在至少一个表面上形成无机颗粒的单层以形成涂覆的基材,在高于无机基材的软化点加热所述涂覆的基材,并将无机颗粒压入所述至少一个表面中以形成光散射无机基材。
Description
本申请要求2010年2月26日提交的美国临时专利申请第61/308611号和2011年2月23日提交的美国申请第13/033075号的优先权。
背景
技术领域
实施方式一般地涉及诸如光散射无机基材的制品以及用于制备所述光散射无机基材的方法,更具体地涉及包含单层的光散射无机基材以及用于制备所述的包含单层的光散射无机基材的方法,所述包含单层的光散射无机基材用于,例如光伏电池。
背景技术
对于薄膜硅光伏太阳能电池,光必须有效地结合入硅层,之后被俘获在该层中,以提供足够的用于光吸收的路径长度。当硅吸收长度通常为数十至数百微米时,大于硅厚度的路径长度在较长波长时是特别有益的。光通常从沉积基材一侧入射,使得基材在电池结构中作为覆材。结合了无定形硅和微晶硅的常规串联电池通常包括:在其上设置有透明电极的基材,无定形硅的顶部电池,微晶硅的底部电池,以及背面接触或对电极。
无定形硅主要在低于700纳米(nm)光谱的可见光部分吸收光,而微晶硅的吸收与大块晶体硅类似,随着向~1200nm延伸,吸光率逐渐降低。两种类型的材料都获益于织构化表面。取决于织构的尺寸规模,织构进行光俘获和/或降低Si/基材界面的菲涅尔损失。
透明电极(也称为透明导电氧化物,TCO)通常是氟掺杂的SnO2膜或者硼或铝掺杂的ZnO膜,厚度约为1微米,对其进行织构化,将光散射入无定形Si和微晶Si。散射的主要测量方式称为“雾度”,定义为散射到进入样品的光束>2.5度以外的光与透过样品的全部光的比。散射扩散功能并不是仅由这一个参数支配的,相对于窄角散射,大角散射更有利于提高在硅内的光路长度。对于不同种类的散射功能的其他研究表明,改进的大角散射对电池的性能具有显著的影响。
通常,通过各种技术对TCO表面进行织构化。对于通过化学气相沉积法(CVD)沉积的SnO2或者ZnO膜,主要通过沉积条件和膜厚度对织构进行控制。对于溅射膜,可以通过例如湿蚀刻的蚀刻来对织构进行改性。还可以对CVDZnO使用等离子体蚀刻以控制织构。
织构化的TCO技术可能包括以下的一种或多种缺点:1)织构的粗糙结构会降低沉积的硅的质量,造成电短路,从而降低太阳能电池的总体性能;2)织构的最优化同时受到由沉积或蚀刻工艺形成的织构以及与较厚的TCO层相关的透光性下降的限制;以及3)对于ZnO的情况,为了制造织构而采用等离子体处理或湿蚀刻会增加成本。
另一种满足薄膜硅太阳能电池的光俘获需求的方法是在硅沉积之前,对TCO和/或硅下方的基材进行织构化,而不是对沉积的膜进行织构化。在一些常规的薄膜硅太阳能电池中,采用通孔代替TCO,以在与基材接触的Si的底部形成接触。一些常规的薄膜硅太阳能电池中的织构化由沉积在平面玻璃基材上的粘合剂基质中的SiO2颗粒组成。此类织构化通常使用溶胶-凝胶型方法完成,其中颗粒悬浮在液体中;基材牵拉通过液体,然后进行烧结。珠粒保持球形并通过烧结的凝胶保持在原位。
已经开发了许多另外的方法用于在TCO沉积之前制造织构化的表面。这些方法包括喷砂、聚苯乙烯微球体沉积和蚀刻,以及化学蚀刻。这些涉及织构化的表面的方法可能在可以形成的表面织构种类方面受到限制。
对与Si厚度小于约100微米的大块晶体Si太阳能电池,光俘获也是有利的。在此厚度之下,厚度不足,无法在单次通过或两次通过(具有反射性背面接触件)的情况下有效地吸收所有的太阳辐射。因此,已经开发出了具有大规模几何结构的覆盖玻璃,用来提高光俘获。例如,在覆盖玻璃和硅之间设置EVA(乙基-乙酸乙烯酯)包封材料。这些覆盖玻璃的一个例子是购自圣戈本玻璃公司(Saint-Gobain Glass)的类产品。通常采用辊压法形成该大规模的结构。
织构化的玻璃覆材法可能包括以下的一种或多种缺点:1)溶胶-凝胶化学方法和相关的方法需要提供玻璃微球体与基材的结合;2)所述工艺在玻璃基材的两个面上形成织构化的表面;3)与二氧化硅微球体和溶胶-凝胶材料相关的附加成本;以及4)硅膜中膜粘着性和/或形成裂纹的问题。
已经为包括疏水性涂层的其他应用开发了微结构化的玻璃。费瑞公司(Ferro Corporation)开发了将高温纳米颗粒或者微颗粒沉积到热玻璃基材上的方法。在该技术中,当颗粒在热浮浴上时被喷涂到基材上。该技术没有对颗粒深度提供控制,表面覆盖的均匀性是未知的,且不清楚单层沉积是否可行。PPG公司和倍耐克公司(Beneqoy)还对通过纳米颗粒沉积在热玻璃基材上形成的涂层进行了研究。这些涂层通常由小于1000nm的颗粒得到且不由单层组成。
US20070116913中描述了颗粒沉积到或者直接刻印在从熔合法中的等压槽脱落(coming off)的玻璃上。可在熔合管上、沿着熔合管的侧面或者在熔合管下发生颗粒沉积。它没有描述将颗粒压入到玻璃中。它一般地描述了任意类型玻璃制品的使用。它具体地描述了与熔合玻璃相同组成的玻璃制品的使用。它还描述了高温颗粒的使用,随后去除了所述高温颗粒以形成织构。
得到例如光散射无机基材的制品以及用于制备该光散射无机基材的方法是有利的,在所述光散射无机基材上可以形成颗粒的单层。
发明内容
如本文所述,例如光散射无机基材的制品和/或用于制备所述光散射无机基材的方法,解决了上文所述的传统方法的一个或多个缺陷并提供了如下一个或多个优点:用TCO涂覆的玻璃微结构可以平滑地变化且不太可能产生电问题,可以优化玻璃织构而无需考虑吸收缺陷,不像在织构化的TCO的情况下更多织构需要较厚TCO的区域导致较高吸收,该方法不需要如同溶胶-凝胶方法的情况下可以被烧结的粘合剂,且可以通过颗粒尺寸分布来控制织构特征尺寸。
一个实施方式是用于制造光散射无机基材的方法。该方法包括以下步骤:提供包含至少一个表面的无机基材,在至少一个表面上形成无机颗粒的单层以形成涂覆的基材,在高于无机基材的软化点加热所述涂覆的基材以形成光散射无机基材。
另一个实施方式是一种制品,该制品包含具有两个相反表面的无机基材;以及设置在所述相反表面中的至少一个上的无机颗粒;其中大多数颗粒的一部分体积在它们所设置的表面上,其中所述一部分是小于3/4的颗粒体积。在一个实施方式中,所述一部分是小于2/3的颗粒体积,例如小于1/2,例如小于1/3。
另一个实施方式是一种制品,该制品包含具有两个相反表面的无机基材;以及设置在所述相反表面中的至少一个上的无机颗粒;其中大多数颗粒的平均直径在0.1至20微米的范围内,且其中大多数颗粒的中心到中心间距小于两倍平均颗粒直径。
一种制品包含具有两个相反表面的无机基材;以及在所述相反表面中的至少一个上的空穴,表面具有空穴,其中所述空穴的高度为0.1至20微米。
在一个实施方式中,所述制品包含设置在单层中的无机颗粒。制品可以是光散射无机基材且可以用于薄膜光伏太阳能电池中。
本文中的实施方式描述了光散射玻璃基材,通过使玻璃微球体或者玻璃微粒的单层沉积,之后通过加热并可任选地将颗粒压入无机基材中来形成所述光散射玻璃基材。所述光散射无机基材可以用于薄膜光伏太阳能电池中。
在以下的详细描述中列出了本发明的附加特征和优点,其中的部分特征和优点对本领域的技术人员而言由所述内容而容易理解,或按文字描述和其权利要求书以及附图中所述实施本发明而被认识。
应理解,前面的一般性描述和以下的详细描述都只是本发明的示例,用来提供理解要求保护的本发明的性质和特性的总体评述或框架。
所含附图用于进一步理解本发明,附图被结合在本说明书中并构成说明书的一部分。附图呈现了本发明的一个或多个实施方式,并与说明书一起用来解释本发明的原理和操作。
附图说明
仅通过以下详述或与附图一起可更好地理解本发明。
图1A、1B和1C是根据一个实施方式制得的光散射无机基材的扫描电子显微镜(SEM)图像的俯视图。
图1D、1E和1F分别是图1A、1B和1C所示的光散射无机基材的SEM图像的截面图。
图2A、2B和2C是ccBTDF(余弦校正双向透射分布函数)测量的1-D线扫描,其分别对应于图1A、1B和1C所示的光散射无机基材。
图3是分别对应于图1A、1B和1C所示的光散射无机基材的总透射率和漫透射率图。
图4是根据一个实施方式的制品的截面示意图。
图5是根据一个实施方式的制品的截面SEM图。
具体实施方式
下面详细参考本发明的各种实施方式,这些实施方式的例子在附图中示出。只要可能,在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或类似的部分。
本文所用的术语“基材”可以根据光伏电池的构造用来描述基材或者覆材。例如,若所述基材在装入光伏电池时位于光伏电池的光入射侧,则所述基材是覆材。所述覆材可以为光伏材料提供保护,使其免受冲击和环境劣化,同时允许太阳光谱中合适的波长透过。另外,可以将多个光伏电池组装成光伏模块。
本文所用的术语“邻近”可以定义为紧邻。邻近的结构可以互相发生物理接触,也可以不发生物理接触。邻近的结构可以包括设置在它们之间的其他的层和/或结构。
尽管在实施方式中描述了示例性的数值范围,但是各个范围可以包括由各个范围的组成的范围内的任意小数位的数值。
一个实施方式是用于制造光散射无机基材的方法。该方法包括以下步骤:提供包含至少一个表面的无机基材,在至少一个表面上形成无机颗粒的单层以形成涂覆的基材,以及在高于无机基材的软化点加热所述涂覆的基材以形成光散射无机基材。
另一个实施方式是用于制造光散射无机基材的方法。该方法包括以下步骤:提供包含至少一个表面的无机基材,在至少一个表面上形成无机颗粒的单层以形成涂覆的基材,在高于无机基材的软化点加热所述涂覆的基材,并将无机颗粒压入所述至少一个表面中以形成光散射无机基材。
如图4所示,另一个实施方式是制品100,所述制品100包含具有两个相反表面12和14的无机基材10;以及设置在所述相反表面中的至少一个,例如表面14上的无机颗粒16;如箭头18所示,其中大多数颗粒的一部分体积在它们所设置的表面上,其中所述一部分是小于3/4的颗粒体积。
如图4所示,另一个实施方式是制品100,所述制品100包含具有两个相反表面12和14的无机基材10;以及设置在所述相反表面中的至少一个,例如表面14上的无机颗粒16;如箭头20所示,其中大多数颗粒的平均直径为0.1至20微米的范围内,且如箭头22所示,其中大多数颗粒的中心到中心间距小于两倍平均颗粒直径。
所述制品可以是光散射无机基材且可以用于例如薄膜光伏太阳能电池的光伏装置中。
在一个实施方式中,通过将高温颗粒的单层以可控制的深度压入较低温度的基材中来形成光散射无机基材。可以通过在基材上形成单层,在用于压实的载体上形成单层,或者在基材上喷涂/喷洒过量的颗粒并在压实之后去除全部或者过量的颗粒以将颗粒传递到低温基材。如果凹面织构比凸面织构更优选,则可以从表面蚀刻去除高温颗粒。所述颗粒是可控制的尺寸且可以是单一的尺寸或者是多个尺寸的分布。
根据一个实施方式,颗粒尺寸为小于或等于20μm,例如0.1μm至20μm,例如0.5μm至20μm,例如1μm至20μm,例如1μm至15μm,例如1μm至10μm,例如1μm至5μm,或者例如2μm至8μm。根据一个实施方式,颗粒的尺寸为大于或等于0.1μm,例如0.1μm至20μm,例如0.1μm至10μm,或者例如10μm至20μm,例如大于10μm至20μm,例如11μm至20μm。
在一些实施方式中,织构尺寸可以通过颗粒的分布来确定且不会受到例如加热条件,如加热温度和时间的影响。加热温度和时间会影响颗粒下沉的深度并进而影响颗粒的间距。例如,较高的温度和/或较长的加热时间会导致颗粒更深地下沉到基材中。例如,可以通过调节加热条件来控制和优化织构的表面高度。该方法提供了在将板切割成单独的片之前以连续方式运行的可能性,且还可用于单独的片。在一些实施方式中,织构被紧密堆积且仅在一个表面上。
可以从邦斯实验室(Bangs Laboratories)(美国印第安纳,费舍尔市(Fishers,IN))购得窄尺寸分布的平均尺寸为150nm至5μm的二氧化硅微球体。基本概念是将这些微球体(或者其他高温颗粒)的单层压入到软化的玻璃基材中并控制颗粒深度。所得的织构化基材具有紧密堆积的结构和基板单侧上受控制的深度。在基材上形成了高温颗粒的单层。在该实施例中,使用了2.5μm的二氧化硅微球体。还对0.5μm和1.0μm的二氧化硅微球体完成了初始实验。
可以通过许多方法制备单层,例如,可以使用自组装过程,通过烟炱沉积,或者使用粘合剂形成的单层来完成单层的制备。自组装方法可以是,例如用硅烷官能化颗粒,将官能化的颗粒铺展在水上以形成单层,并使基材通过单层以使得颗粒沉积到所述基材上;或者使用本领域已知的其他自组装方法。所述烟炱沉积方法可以是,例如,使反应物通过例如燃烧器以产生烟炱颗粒并将所述烟炱颗粒沉积到基材上;或者使用本领域已知的其他烟炱沉积方法。所述粘合剂单层成形方法可以是,例如,将粘合剂施涂于基材,将颗粒施涂于粘合剂涂覆的基材,并去除过量的颗粒以在基材上形成颗粒的单层;或者使用本领域已知的其他粘合剂单层成形方法。所述方法并不专用于具体的基材玻璃的类型。本文所述为钠钙基材。然后,在炉中以高于基材软化点的温度加热所述基材然后冷却,在样品顶部有重物。出于示范的目的,将基材放入在氧化铝架上有货架纸(凸透镜薄火货架纸,俄勒冈州的波特兰市的凸透镜玻璃公司(BullseyeThinFire Shelf Paper,Bullseye Glass Co.,Portland,OR))的炉中以防止粘着。在基材的颗粒侧上放置了薄氮化铝或者氧化铝陶瓷盘,而在顶部放置了另外的铝盘作为重物。将整个组件以10°C/分钟的变化速率在680°C和720°C之间进行温度循环,并在冷却前保持60分钟。货架纸在玻璃的背面产生了无光泽饰面,所述无光泽饰面在光伏应用中可以是需要的也可以是不需要的。应注意,这只是实验室规模的证明形式,如下所述的技术可以更好地适用于大规模制备。
通过峰值温度控制颗粒深度,但是也可以通过重物的量来控制所述颗粒深度。图1A、1B和1C是根据一个实施方式制得的光散射无机基材的扫描电子显微镜(SEM)图像的俯视图。在2.5x2.5英寸的玻璃上使用2.5μm的二氧化硅微球体,重物为650g,峰值温度分别为680°C、700°C以及720°C,来制备图1A、1B和1C中所示的光散射无机基材。图1D、1E和1F分别是图1A、1B和1C所示的光散射无机基材的SEM图像的截面图。随着温度的增加,颗粒进一步下沉到基材的表面中。
通过散射和透射还测得这些样品具有非常不同的光学性质。图2A、2B和2C所示是ccBTDF(余弦校正双向透射分布函数)测量的1-D线扫描,其分别对应于图1A、1B和1C所示的光散射无机基材。可以从多个多晶域观察到衍射环,所述多个多晶域是相互错误定向的(misoriented),产生了圆形对称衍射图案。图3所示为三种类型的样品的总透射率和漫透射率图。短波长处的总透射率的下降对应这些波长处反射率的增加,因为在突出于基材表面上的球体内发生了总内部反射。
尽管上述方法适用于实验室演示,但是有更适合大规模制备的更优选的方法。有数种可能性,包括通过自组装沉积单层或者将粘合剂转移到冷基材上然后再加热并压实(如上所述),通过自组装或者粘合剂将单层沉积到载体(带、筒、基材等)上并在高温下将其转移/压到基材上,在高温下将过量的颗粒喷涂或喷洒到基材上随后压实并通过刷、振荡、冲洗等去除没有形成单层部分的颗粒。取决于这是如何完成的,可能有超过一个单层的颗粒留在表面上。
在一个实施方式中,该方法还包括在加热或者压实之后去除至少一部分的颗粒。目前还未知,在薄膜光伏太阳能电池中的TCO沉积之前,玻璃基材上凸块或者凹陷是否是优选的织构形式。上述方法在表面上产生了凸块,根据TCO的厚度以及凸块的高度,在TCO沉积之后所述凸块可转变为不同的表面形貌。如果在玻璃基材上优选采用凹陷,则可以使用常规化学蚀刻,例如通过相对于二氧化硅对基材玻璃进行差异化蚀刻或者通过对颗粒进行差异化蚀刻(如果它们由合适的组合物制得),来去除(pop off)二氧化硅微球体。还可以通过将涂覆的高温微球体压到软化的玻璃表面上来制得凹陷,其中所述涂覆避免了微球体与玻璃相粘连。
在一个实施方式中,在去除步骤之后,表面具有空穴,其中所述空穴的高度小于或等于原始颗粒的最大尺寸的3/4。例如,当至少一部分的颗粒是不规则形状时,这是可能的。在一个实施方式中,在去除步骤之后,表面具有呈截断的球形的形状的空穴,其中所述截断的球形的高度小于或等于原始颗粒的直径的3/4,例如小于或等于原始颗粒的直径的2/3,小于或等于原始颗粒的直径的1/2。空穴可以呈部分球形的形状,例如,如半球的截断的球形。一个实施方式是例如包含表面具有空穴的光散射基材的制品,通过从无机基材上去除颗粒产生了所述空穴。另一个实施方式是包含无机基材的制品,所述无机基材具有两个相反表面;且在所述两个相反表面中的至少一个上具有空穴,表面具有空穴,其中所述空穴的高度小于或等于原始颗粒的最大尺寸的3/4。可以根据本文所述的方法来制造例如光散射基材的制品。另一个实施方式是包含例如光散射基材的制品的光伏装置。
如图5所示,另一个实施方式是一种制品,该制品包含具有两个相反表面(显示了一个表面14)的无机基材10;以及在所述两个相反表面中的至少一个上(在此实施方式中,表面14)的空穴24,表面具有空穴,其中所述空穴的高度(或者空穴进入到基材的深度)为0.1至20微米,例如,0.75至15微米。在一个实施方式中,如箭头26所示,谷到谷(最低处到最低处)小于40微米。在一些实施方式中,表面具有呈截断的球形的形状的空穴,其中所述截断的球形的高度小于或等于原始颗粒的直径的3/4,例如小于或等于原始颗粒的直径的2/3,小于或等于原始颗粒的直径的1/2。空穴可以呈部分球形的形状,例如,如半球的截断的球形。可以根据本文所述的方法来制造例如光散射基材的制品。另一个实施方式是包含例如光散射基材的制品的光伏装置。
通过控制颗粒的尺寸,可以制造具有小横向特征尺寸的织构化的玻璃基材,所述织构化的玻璃基材克服了其他技术的限制。通过使用深度作为参数,还可以为给定的横向特征尺寸提供织构高度的范围,尽管其明显受到微球体尺寸的限制。使用紧密堆积的微球体还克服了微球体分布在溶胶-凝胶溶液中的方法的表面覆盖率的限制。
在一个实施方式中,所述无机基材包含选自以下的材料:玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、蓝宝石、碳化硅、半导体以及它们的组合。所述玻璃可以是,例如,二氧化硅、硼硅酸盐、钠钙玻璃、硼硅酸铝或者它们的组合。所述无机基材可以是板的形式。所述板可以具有基本平行的相反表面。在一些实施方式中,所述无机基材的厚度等于或小于4.0mm,例如等于或小于3.5mm,例如等于或小于3.2mm,例如等于或小于3.0mm,例如等于或小于2.5mm,例如等于或小于2.0mm,例如等于或小于1.9mm,例如等于或小于1.8mm,例如等于或小于1.5mm,例如等于或小于1.1mm,例如0.5至2.0mm,例如0.5至1.1mm,例如0.7至1.1mm。在一个实施方式中,所述无机基材是板的形式且厚度在所述范围内。
在一个实施方式中,所述无机颗粒包括球体、微球体、主体、对称颗粒、非对称颗粒或它们的组合。
在一个实施方式中,所述无机颗粒可以具有任意的形状或几何形状,例如多边形。在一个实施方式中,无机颗粒包含选自以下的材料:玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、蓝宝石、碳化硅、半导体、二氧化硅、氧化铝、氧化锆、玻璃料、金属氧化物、混合金属氧化物、氧化锌、硼硅酸盐以及它们的组合。
通常,本领域技术人员通常使用的任意尺寸的结构均可以用于本发明。在一个实施方式中,可以使用本发明所述的方法涂覆结构,所述结构,例如颗粒的平均直径等于或小于20微米(μm),例如为100纳米(nm)至20μm的范围,例如为100纳米(nm)至10μm的范围,例如1μm至10μm。
在一个实施方式中,所述结构具有尺寸(例如直径)分布。所述结构的直径分布是所述结构的直径的范围。所述结构可以具有单分散直径,多分散直径,或者它们的组合。具有单分散直径的结构具有基本相同的直径。具有多分散直径的结构的直径以连续的方式在平均直径周围一定范围内分布。通常地,将多分散结构的平均尺寸记作颗粒尺寸。这些结构的直径落在一定值的范围内。使用不同尺寸的颗粒来制备光散射无机基材,可以增强不同波长下的光散射性质。
一个实施方式是光伏装置,该光伏装置包含根据本发明所述方法制造的光散射无机基材。根据一个实施方式,所述光伏装置还包含与基材相邻的导电性材料,以及与所述导电性材料相邻的活性光伏介质。另一个实施方式是包含本文所述制品的光伏装置。根据一个实施方式,所述光伏装置还包含与设置在基材上的颗粒相邻的导电材料。在另一个实施方式中,活性光伏介质与导电材料相邻。
根据一个实施方式,所述活性光伏介质与导电性材料物理接触。根据一个实施方式,所述导电性材料是透明导电膜,例如透明导电性氧化物(TCO)。所述透明导电膜可以包含织构化的表面。
在一个实施方式中,所述光伏装置还包含与所述活性光伏介质物理接触的对电极,且所述对电极设置在所述活性光伏介质的相反表面上,作为导电材料。
Claims (25)
1.一种制造光散射无机基材的方法,该方法包括:
提供包含至少一个表面的无机基材;
在所述至少一个表面上形成无机颗粒的单层以形成涂覆的基材;以及
在高于无机基材的软化点加热所述涂覆的基材以形成光散射无机基材。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括:
在加热以形成光散射无机基材之后,将无机颗粒压入所述至少一个表面中。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成单层包括使用自组装法、烟炱沉积法或者粘合剂法。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述无机基材包含选自以下的材料:玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、蓝宝石、碳化硅、半导体、以及它们的组合。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述无机颗粒包含:球体、微球体、主体、对称颗粒、非对称颗粒或者它们的组合。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述颗粒包含选自以下的材料:玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、蓝宝石、碳化硅、半导体、二氧化硅、氧化铝、氧化锆、玻璃料、金属氧化物、混合金属氧化物、氧化锌、硼硅酸盐、以及它们的组合。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述颗粒的平均直径在0.1微米至20微米的范围内。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括在加热之后去除至少一部分的颗粒。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,在去除之后,表面具有空穴,其中所述空穴的高度小于或等于原始颗粒的最大尺寸的3/4。
10.一种光伏装置,该光伏装置包含根据权利要求1所述的方法制造的光散射无机基材。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,该装置还包含:
与基材相邻的导电材料;以及
与所述导电材料相邻的活性光伏介质。
12.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述导电材料是透明导电膜。
13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述透明导电膜包含织构化的表面。
14.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述活性光伏介质与所述透明导电膜物理接触。
15.如权利要求11所述的装置,其特征在于,该装置还包含对电极,所述对电极与所述活性光伏介质物理接触,并设置在所述活性光伏介质的相反表面上,作为导电材料。
16.一种制品,该制品包含:
具有两个相反表面的无机基材;以及
设置在所述相反表面中的至少一个上的无机颗粒,其中,大多数的颗粒的一部分体积在它们所设置的表面上,且所述部分是小于颗粒体积的3/4的体积。
17.如权利要求16所述的制品,其特征在于,在单层中设置了无机颗粒。
18.如权利要求16所述的制品,其特征在于,所述部分是小于颗粒体积的1/2的体积。
19.如权利要求16所述的制品,其特征在于,所述部分是小于颗粒体积的1/3的体积。
20.如权利要求16所述的制品,其特征在于,大多数的颗粒的平均直径在0.1至20微米的范围内,且大多数的颗粒的中心到中心间距小于两倍颗粒直径。
21.一种光伏装置,该光伏装置包含权利要求16所述的制品。
22.一种制品,该制品包含:
具有两个相反表面的无机基材;以及
设置在所述相反表面中的至少一个上的无机颗粒,其中,大多数的颗粒的平均直径在0.1至20微米的范围内,且大多数的颗粒的中心到中心间距小于两倍颗粒直径。
23.如权利要求22所述的制品,其特征在于,在单层中设置了无机颗粒。
24.一种光伏装置,该光伏装置包含权利要求22所述的制品。
25.一种制品,该制品包含具有两个相反表面的无机基材;以及在所述相反表面中的至少一个上的空穴,所述表面具有空穴,其中,所述空穴的高度为0.1至20微米。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105392627A (zh) * | 2013-03-25 | 2016-03-09 | 康宁公司 | 使用低玻璃转换温度包覆层的纹理化玻璃分层 |
| CN105683116A (zh) * | 2013-08-30 | 2016-06-15 | 康宁股份有限公司 | 低反射率制品及其制造方法 |
| CN107533190A (zh) * | 2015-03-31 | 2018-01-02 | 康宁公司 | 包含光散射表面的波导以及包含所述波导的显示装置 |
| CN110669331A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-10 | 东华大学 | 无机颗粒表层密排碰撞隔挡式防刺割热塑性树脂片及其制备方法与应用 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9272947B2 (en) * | 2011-05-02 | 2016-03-01 | Corning Incorporated | Glass article having antireflective layer and method of making |
| US9671529B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-06-06 | Ferro Corporation | Light influencing nano layer |
| US20140311569A1 (en) * | 2013-04-23 | 2014-10-23 | Huey-Liang Hwang | Solar cell with omnidirectional anti-reflection structure and method for fabricating the same |
| FR3044825B1 (fr) * | 2015-12-02 | 2018-04-20 | Commissariat Energie Atomique | Substrat pour agencement pour empilement de cellule photovoltaique en couches minces, agencement associe, et procede de fabrication associe |
| CN109564302B (zh) | 2016-08-12 | 2021-12-31 | 3M创新有限公司 | 截顶的珠膜构造及其制备方法 |
| FR3067476B1 (fr) * | 2017-06-07 | 2019-10-18 | Saint-Gobain Glass France | Ecran de projection de couleur foncee ou noir |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3231183A1 (de) * | 1982-08-21 | 1984-02-23 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zur herstellung einer metallischen schicht auf glas oder glasaehnlichen substratoberflaechen |
| EP1167313A1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-01-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Low-reflection glass article |
| US20040237590A1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-02 | Ferro Corporation | Method of micro and nano texturing glass |
| US20080276990A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-13 | Board Of Regents, University Of Texas System | Substrate surface structures and processes for forming the same |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3005382A (en) * | 1957-11-25 | 1961-10-24 | Minnesota Mining & Mfg | Reflex-reflecting sheet materials |
| US3222204A (en) * | 1960-04-20 | 1965-12-07 | Minnesota Mining & Mfg | Process of making beaded coatings and films from glass beads treated with oleophobic sizing agent |
| US3687800A (en) * | 1970-07-27 | 1972-08-29 | Johns Manville | Decorative cementitious panel and method of manufacture |
| US4377723A (en) * | 1980-05-02 | 1983-03-22 | The University Of Delaware | High efficiency thin-film multiple-gap photovoltaic device |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| US4514582A (en) * | 1982-09-17 | 1985-04-30 | Exxon Research And Engineering Co. | Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate |
| US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
| US4594470A (en) * | 1983-08-26 | 1986-06-10 | Headrick Richard T | Solar generator mounting structure |
| US5492769A (en) * | 1992-09-17 | 1996-02-20 | Board Of Governors Of Wayne State University | Method for the production of scratch resistance articles and the scratch resistance articles so produced |
| JP3431776B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置 |
| AUPP699798A0 (en) * | 1998-11-06 | 1998-12-03 | Pacific Solar Pty Limited | Thin films with light trapping |
| AU764832B2 (en) * | 1999-05-31 | 2003-09-04 | Kaneka Corporation | Solar battery module |
| JP4229606B2 (ja) * | 2000-11-21 | 2009-02-25 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基体およびそれを備えた光電変換装置 |
| US6750384B1 (en) * | 2001-01-12 | 2004-06-15 | Pioneer Hi-Bred International, Inc. | Hybrid maize plant & seed 39R62 |
| AUPR719801A0 (en) * | 2001-08-23 | 2001-09-13 | Pacific Solar Pty Limited | Glass beads coating process |
| EP1443527A4 (en) * | 2001-10-19 | 2007-09-12 | Asahi Glass Co Ltd | SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND PHOTOELECTRIC IMPLEMENTATION ELEMENT |
| US7449629B2 (en) * | 2002-08-21 | 2008-11-11 | Truseal Technologies, Inc. | Solar panel including a low moisture vapor transmission rate adhesive composition |
| US20050133082A1 (en) * | 2003-12-20 | 2005-06-23 | Konold Annemarie H. | Integrated solar energy roofing construction panel |
| EP2469605A3 (en) * | 2004-02-20 | 2014-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for photoelectric conversion device, photoelectric conversion device, and stacked photoelectric conversion device |
| JP4752725B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | ガラス基板およびその製造方法 |
| US20080307146A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-12-11 | Freking Ronald E | Structure for dynamically scalable queues for performance driven pci express memory traffic |
-
2011
- 2011-02-23 US US13/033,075 patent/US20110209752A1/en not_active Abandoned
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- 2011-02-24 TW TW100106127A patent/TW201202041A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3231183A1 (de) * | 1982-08-21 | 1984-02-23 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zur herstellung einer metallischen schicht auf glas oder glasaehnlichen substratoberflaechen |
| EP1167313A1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-01-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Low-reflection glass article |
| US20040237590A1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-02 | Ferro Corporation | Method of micro and nano texturing glass |
| US20080276990A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-13 | Board Of Regents, University Of Texas System | Substrate surface structures and processes for forming the same |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105392627A (zh) * | 2013-03-25 | 2016-03-09 | 康宁公司 | 使用低玻璃转换温度包覆层的纹理化玻璃分层 |
| CN105683116A (zh) * | 2013-08-30 | 2016-06-15 | 康宁股份有限公司 | 低反射率制品及其制造方法 |
| CN107533190A (zh) * | 2015-03-31 | 2018-01-02 | 康宁公司 | 包含光散射表面的波导以及包含所述波导的显示装置 |
| CN110669331A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-10 | 东华大学 | 无机颗粒表层密排碰撞隔挡式防刺割热塑性树脂片及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120132525A (ko) | 2012-12-05 |
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