CN101976703B - 降低表面复合减反膜电池的工艺 - Google Patents
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- 238000005215 recombination Methods 0.000 title claims description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims 3
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域，尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反和/或钝化处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。本发明通过对传统电池工艺流程步骤改变，改变了传统电池的结构，不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC(表面减反射膜)层上进行制绒，这样制绒后可达到同样的表面限光效果，同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤，达到了提升电池效率的目标。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域，尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺。
背景技术
晶体硅太阳能工艺开发中会引入RIE制绒工艺(等离子体反应刻蚀)相对于一般使用的化学液体腐蚀制绒可以增加其光吸收量，一般制绒后反射率可控制在10％以下，ARC后反射率可控制在4％以下，但同时会增加硅片的表面损伤，加剧其表面复合，从而降低电池的Voc，Isc等性能。所以工艺中一般要处理好ARC镀膜前的处理，在对电池片正面做好其ARC(表面减反射膜)的减反调节的同时做好其表面的钝化效果。
传统电池工艺制作流程为：硅片-RIE制绒-扩散-去PSG+刻边-表面减反膜处理-丝网印刷-烧结，一般是直接对硅片进行绒面处理以增加广吸收，这一方法在化学腐蚀的理论下，不会对电池表面造成制绒损伤；但RIE制绒是采用干法刻蚀原理，其工艺过程会在硅片表面造成刻蚀损伤，由于损伤层的存在会造成电池性能的降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了解决RIE制绒对硅片表面造成的刻蚀损伤，本发明提供一种降低表面复合减反膜电池的工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是：具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反钝化处理；d.再在减反钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
作为本发明的另一个技术方案，一种降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进行减反处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
本发明的有益效果是，本发明降低表面复合减反膜电池的工艺，通过对传统电池工艺流程步骤改变，改变了传统电池的结构，不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC(表面减反射膜)层上进行制绒，这样制绒后可达到同样的表面限光效果，同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤，达到了提升电池效率的目标。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是现有太阳能电池的结构示意图；
图2是本发明实施例一的结构示意图。
其中：1.SiN膜，2.RIE制绒层，3.ARC层。
具体实施方式
实施例一
如图2所示是本发明实施例一的结构示意图，降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反钝化膜处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
上述实施例一中的减反钝化膜采用SiN膜，厚度为1um；减反膜工艺完成后进行RIE制绒工艺，直接在SiN表面形成RIE制绒层2。
在此工艺流程下RIE制绒后的反射率可以达到1％以下，达到最佳光吸收效果。
实施例二
降低表面复合减反膜电池的工艺，具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化膜处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进行减反膜处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
上述实施例二中的钝化膜采用SiO2膜，厚度为1um；减反膜采用SiN膜，厚度为80nm；此工艺是在SiO2层上进行RIE制绒，再用SiN膜进行覆盖，采用SiO2钝化可以达到更好的表面钝化效果，再加上RIE制绒和SiN膜的表面减反处理，同样可以达到1％以下的表面反射率，同时由于采用了SiO2膜又增加了表面钝化效果可进一步提升电池效率。
改变工艺顺序后，其制绒结构的位置也改变了，从而保证了其表面的复合不增加，同时应用其RIE制备为出来的微结构应用在ARC膜上，从而保证电池的光吸收。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (2)
1.一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是：具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反钝化处理；d.再在减反钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
2.一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其特征是：具有如下工艺步骤：a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行钝化处理；d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.再在制绒后的硅片表面进行减反处理；f.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102382568A CN101976703B (zh) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 降低表面复合减反膜电池的工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102382568A CN101976703B (zh) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 降低表面复合减反膜电池的工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101976703A CN101976703A (zh) | 2011-02-16 |
| CN101976703B true CN101976703B (zh) | 2011-12-14 |
Family
ID=43576568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010102382568A Active CN101976703B (zh) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 降低表面复合减反膜电池的工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101976703B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102867861A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-01-09 | 张陆成 | 太阳电池及修复太阳电池中的裂纹的方法 |
| CN102867873A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-01-09 | 张陆成 | 太阳电池及用于拼接太阳电池碎片的方法 |
| CN105206705A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-12-30 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种低反射率晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN105355707A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-02-24 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN115272498B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-06-09 | 新源劲吾(北京)科技有限公司 | 一种彩色光伏板表面制绒方法及相关设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101609862A (zh) * | 2009-07-20 | 2009-12-23 | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 一种降低绒面单晶硅片表面反射率的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332279A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Kyocera Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2004266023A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP5064767B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2012-10-31 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
| JP2010527163A (ja) * | 2007-08-21 | 2010-08-05 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 多孔性構造の太陽電池とその製造方法 |
-
2010
- 2010-07-28 CN CN2010102382568A patent/CN101976703B/zh active Active
Patent Citations (1)
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| CN101609862A (zh) * | 2009-07-20 | 2009-12-23 | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 一种降低绒面单晶硅片表面反射率的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开2000-332279A 2000.11.30 |
| JP特开2004-266023A 2004.09.24 |
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|---|---|
| CN101976703A (zh) | 2011-02-16 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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|
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|
| CP03 | Change of name, title or address |