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CN101836306A - 光电子器件 - Google Patents

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CN101836306A CN200880113151A CN200880113151A CN101836306A CN 101836306 A CN101836306 A CN 101836306A CN 200880113151 A CN200880113151 A CN 200880113151A CN 200880113151 A CN200880113151 A CN 200880113151A CN 101836306 A CN101836306 A CN 101836306A
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奥雷莉·吕德曼
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Abstract

本发明涉及包含如下层的光电子器件，该层包含含有含氟基团的聚合物，其中至少在层的一些含氟基团之间存在黏附性氟-氟相互作用。本发明还涉及光电子器件的用途以及生产它的方法。

Description

光电子器件
技术领域
本发明涉及包含层的光电子器件，该层包含含有含氟基团的聚合物，其中至少在层的一些含氟基团之间存在黏附性氟-氟相互作用。本发明还涉及该光电子器件的用途以及生产它的方法。
背景技术
包含有机、有机金属和/或聚合物半导体的电子器件，在商业化产品中使用得越来越频繁，或正要被引入市场。在这里可以提到的例子是影印机中基于有机物的电荷传输材料(例如基于三芳基胺的空穴传输体)，以及显示器设备中的有机或聚合物发光二极管(OLED或PLED)或复印机中的有机光感受器。有机太阳能电池(O-SC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机膜晶体管(O-TFT)、有机集成电路(O-IC)、有机光放大器和有机激光二极管(O-laser)，正处于开发的高级阶段，并且未来可能获得显著的重要性。
无论各自的用途如何，这些电子或光电子器件中的许多都具有下面的通用层结构，可以对它们进行改造以适用于各自的用途：
(1)基材，
(2)电极，通常是金属或无机的，但是也可以由有机或聚合物导电材料制成，
(3)任选的一个或多个电荷注入层或缓冲层，例如其用于补偿电极的不均匀性，它(们)通常由一种或多种导电的掺杂聚合物形成，
(4)至少一个有机半导体的层，
(5)任选的一个或多个另外的电荷传输或电荷注入或电荷阻挡层，
(6)对电极，在该对电极中使用了在(2)下提到的材料，
(7)封装。
本发明特别但不是专门涉及有机发光二极管(OLED)，它在使用聚合物材料时，通常也被称为聚合物发光二极管(PLED)。上面的排列代表了光电子器件的通用结构，其中可以将多个不同的层进行组合，这意味着在最简单情况下排列由两个电极组成，在它们之间放置有机层。在这种情况下，该有机层实现了所有功能，包括光的发射。基于聚(对亚苯基)的这种类型的体系描述在例如WO 90/13148 A1中。
但是，在这种类型的“三层体系”中出现的问题是缺少电荷分离的控制，或缺少对不同层中的单独成分在关于它们性质方面进行最优化的可能性，正如在例如SMOLED(“小分子OLED”)的情况下通过多层化结构以简单的方式已经解决的那样。“小分子OLED”由例如一个或多个有机空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层以及阳极和阴极构成，其中整个体系通常位于玻璃基材上。这种类型的多层化结构的优点在于电荷注入、电荷传输和发射的多种不同功能可以分到不同的层中，因此可以单独地修改各个层的性能。
SMOLED中的典型空穴传输材料是例如二芳基胺和三芳基胺、噻吩、呋喃或咔唑，如还在光电导体应用中研究和使用的。
金属螯合物、共轭的芳香族烃、噁二唑、咪唑、三嗪、嘧啶、吡嗪、哒嗪、菲咯啉、酮或氧化膦通常在SMOLED中用于发射和电子传输层。
在SMOLED中使用的化合物通常可以通过升华进行纯化，因此可以以高于99％的纯度获得。
SMOLED器件中的层通常在真空室中通过气相沉积来施加。但是，这种方法复杂，因此昂贵，并且特别不适合于大分子例如聚合物。
因此，聚合物OLED材料通常通过从溶液涂覆来施加。但是，通过从溶液涂覆进行多层化有机结构的生产，要求溶剂与各个先前的层不相容，目的是不会部分地再次溶解、溶胀或甚至破坏后者。但是，溶剂的选择已被证明是困难的，因为使用的有机化合物通常具有相似的性质、特别是相似的溶液性质。因此，从溶液施加其它的层变得实际上不可能，或至少做起来明显更困难。
相应地，现有技术的聚合物OLED通常仅仅由单层或至多两层有机结构构建而成，其中例如一个层被用于空穴注入和空穴传输，第二个层用于电子的注入和传输以及发射。
特别是在发射白光的PLED的生产中，通常存在的问题是难以或不可能发现在整个可见光范围内发射光的单一发色团。因此，在现有技术中，通常将不同的发色团进行共聚合，尽管这样经常发生色移或淬灭效应。
避免现有技术的这种问题的一种可能方法是使用掺混物，例如发射蓝光的聚合物与小比例的发射黄光到红光的聚合物或低分子量化合物的混合物(例如US 6127693)。其中发射绿光和红光的聚合物或低分子量化合物与发射蓝光的聚合物相混合的三元掺混物，在文献中也是已知的(例如Y.C.Kim等，Polymeric Materials Science andEngineering 2002，87，286；T.-W.Lee等，Synth.Metals 2001，122，437)。这样的掺混物的综述在S.-A.Chen等的ACS Symposium Series 1999，735(半导体聚合物(Semiconducting Polymers))，163中给出。不论是与聚合物还是与低分子量化合物的掺混物，这些掺混物具有两个极为重要的缺点：掺混物中的聚合物通常不是理想地彼此可混合的，因此倾向于使得膜的形成或在膜中的相分离显著恶化。对于在发光二极管中的应用所必需的均匀膜的形成，通常是不可能的。在长时间运行时也观察到了器件中的相分离，并导致了使用寿命的降低和颜色的不稳定性。此外，混合物的缺点还在于，因为单独的掺混物组分以不同的速度老化，因此导致了色移。因此，对于在PLED中的应用来说，掺混物不如共聚物适合。
发射白光的PLED对于全色显示设备的生产来说是特别有利的，同时还简化或避开了复杂的印刷技术。为此，发射白光的聚合物可以在大面积上或以结构化的方式施加，并通过有色滤光片由其产生独立的颜色，正如在液晶显示器(LCD)的情况中现有技术已经采用的那样。此外，发射白光的聚合物可用于单色白色显示设备。此外，使用发射白光的聚合物作为液晶显示器的背光也是可能的，可用于单色和多色显示设备二者。在最广义上可能的应用中，白光发射可用于普通照明目的，因为白光与太阳光最相似。
从上面描述的现有技术中，可以显然看出发射白光的PLED将是适合的，但迄今为止还没有关于如何可以获得高质量的发射白光的PLED的解决方案。
如SMOLED情况中的多层化结构，在聚合物OLED的情况中显然也是有利的，在现有技术中已经尝试了多种不同的方法。
因此，例如，EP 0 637 899 A1公开了含有一个或多个有机层的电致发光装置，其中一个或多个层由热或辐射诱导的交联获得。在热交联情况下的问题在于，聚合物层受相对高的温度作用，这在某些情况下同样导致了相应层的破坏或形成了不希望的副产物。在使用光化学辐射进行交联的情况下，通常需要使用能够引发自由基、阳离子或阴离子聚合反应的分子或部分。但是，在现有技术中，已经了解到这种类型的分子或部分可能对光电子器件的功能具有不利影响。使用高能量的光化学辐射也是有问题的。
发明内容
因此，本发明的目的是提供光电子器件，其中不使用高能辐射来固定聚合物层。
该目的通过含有至少一个层的光电子器件得以实现，所述的层包含这样的聚合物，该聚合物含有含氟基团，其中至少在所述层的一些含氟基团之间存在黏附性氟-氟相互作用。
该相互作用确保了层的物理型交联，其中两种或多种聚合物链的氟化基团彼此紧挨在一起，从而导致“分子量增加”(分子间二聚体、三聚体等)而不发生化学反应。因为层的溶解性取决于交联的程度和有效分子量，黏附性相互作用使层产生不溶性，即使在其最初从中沉积出来的溶剂中。因此，通过这种方式，还有可能从溶剂中沉积多个层，而不会将先前沉积的层的再次溶解。
在本发明的优选实施方案中，该层包含具有电荷注入和/或电荷传输功能的聚合物。
同样地，层优选包含具有发射体功能的聚合物。此外，层优选含有具有空穴注入和/或空穴传输和/或发射体功能的聚合物。
在本发明的另一个实施方案中，聚合物优选为两种或多种聚合物的掺混物。特别优选情况下至少一种聚合物包含含氟基团，非常特别优选情况下所有聚合物均包含含氟基团。
此外，本发明的器件包含至少一个其它的层。
出于本发明的目的，其它层同样优选包含具有空穴注入功能、空穴传输功能、空穴阻挡功能、发射体功能、电子注入功能、电子阻挡功能和/或电子传输功能的聚合物。
所述其它的层可以含有其它含有含氟基团的聚合物。若沉积其它的层，总是优选的。代替其它层的聚合物，也可以使用氟化低聚物或氟化小分子。出于本发明的目的，低聚物是指含有两个以上、优选三个到九个重复单元的分子。聚合物优选含有十个或以上重复单元。
在本发明的其它优选实施方案中，其它层的聚合物优选具有至少一种发射体功能。具体来说，具有发射体功能的聚合物应该发射多种波长的光。这可以通过在一种或多种聚合物中或在层中的掺混物内存在的不同发射体来实现。
此外，器件优选包含具有发射体功能的聚合物的多个层。在这里，特别优选情况下，具有发射体功能的聚合物的多个层各自发射不同波长的光。
此外，在特别优选实施方案中，优选情况下多种波长累加起来形成白色。
本发明的优选实施方案例如包含用于白光发射体的多层化排列，含有中间层和例如用于发射三原色红、绿和蓝(RGB)的三个层。这些层可以被依次沉积，且层的厚度对于电荷和颜色平衡是合适的，其中首先沉积的层通过氟-氟相互作用的内聚力被赋予不溶性。在这里，可以通过在多个层上分布而将单线态发射体和高效的三线态发射体进行组合，这在一个层中是不可能的。
另一个优选实施方案包含蓝色聚合物层，其通过F-F相互作用已经被赋予不溶性，并且其已经覆盖有含有黄色三线态发射体的层。黄色三线态发射体可以是真正的黄色发射体，或是由红色发射体与绿色发射体构成的发射体。高效的稳定三线态发射体的使用，能够获得高效的发射白光的体系和长的寿命。此外，该体系的特点在于简单的生产方法(不需要真空气相沉积)，因此成本较低。
在本发明的另一个实施方案中，器件可以包含多个具有空穴导体功能的聚合物的层，其中空穴导体具有能量不同的最高已占分子轨道(HOMO)。
在这里，特别优选最后施加的具有空穴导体功能的聚合物层具有能量高的最低未占分子轨道(LUMO)。通过这种方式，最后施加的聚合物层是电子阻挡层。
在本发明的另一个实施方案中，器件可以包含多个具有电子导体功能的聚合物的层，其中电子导体具有能量不同的最低未占分子轨道(LUMO)。
在这里，特别优选最先施加的具有电子导体功能的聚合物层具有能量低的最高已占分子轨道(HOMO)。通过这种方式，最先施加的聚合物层是空穴阻挡层。
因此，优选实施方案包含多层化排列，该多层化排列含有具有不同HOMO(“最高已占分子轨道”)以及相应的电子或空穴阻挡功能的多个(部分)氟化的聚合物空穴导体和/或电子导体(中间层)。因此，由于累进的阻挡层步骤，可以获得改进的空穴或电子注入。
此外，根据本发明，器件包括含有小分子或低聚物的一个层(或多个层)可能是有利的。它优选作为最后的层(阴极之前)施加。层可以通过从溶液涂覆，通过印刷方法，通过气相沉积，或通过现有技术中已知的其它方法来施加。
含氟基团的“一些”是指大约1到100％，优选40到100％，特别优选80％到100％的含氟基团经历了相互作用。这里，含氟基团应该以最高的可能比例在层中彼此相互作用，以便增强层的交联性能。为了经历彼此的相互作用，氟原子的间隔应该大约对应于范德瓦耳斯半径。氟原子彼此的间隔，至少使得可以发生与氢键情况下的相互作用相当的吸引性F-F相互作用。本发明的层中的聚合物，以聚合物的重复单元计，优选含有0.5到100％、特别优选1到50％、特别是1到25％的含氟基团。从而，100％是指聚合物的每个重复单元都含有含氟基团。
此外，本发明的器件包含电极(阳极)，其中电极(阳极)优选为铟锡氧化物(ITO)层或铟锌氧化物(IZO)层或导电聚合物，或两种的组合。导电聚合物优选选自PEDOT或PANI。其它优选的(固有)导电聚合物是聚噻吩(PTh)，聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDT)，聚二乙炔，聚乙炔(PAc))))，聚吡咯(PPy)，聚异硫茚(PITN)，聚亚杂芳基亚乙烯(PArV)，其中亚杂芳基可以是例如噻吩、呋喃或吡咯，聚对亚苯基(PpP)，聚苯硫醚(PPS)，聚周萘(polyperinaphthalene)(PPN)，尤其是聚酞菁(PPc)，以及它们的衍生物(例如从侧链或侧基取代的单体形成的)，它们的共聚物和它们的物理混合物。
此外，本发明的光电子器件优选包含阴极，有利情况下还包含封装。
本发明的光电子器件可以用作有机或聚合物发光二极管，作为有机太阳能电池，作为有机场效应晶体管，作为有机集成电路，作为有机场淬灭元件，作为有机光放大器，作为有机激光二极管，作为有机光感受器或作为有机光电二极管。
本发明的光电子器件可以在显示器、在有色、多色或全色显示器中用作OLED，在液晶显示器(LCD)中作为发光元件或作为背光。优选情况下，该光电子器件可以用作发射白光的OLED。
本发明的光电子器件可以用于发射白光的显示设备中。
本发明的光电子器件可以用于有色、多色或全色显示器中，其中通过在发射白光的PLED上使用有色滤光片来产生颜色。
本发明的光电子器件可以用作照明元件。
本发明的光电子器件可以用在含有发射白光的PLED的液晶显示器(LCD)中作为背光。
出于本发明的目的，含氟基团Rf优选具有通式CxHyFz，其中x≥0，y≥0和z≥1，并且无、一个或多个也可以是相邻的CH2基团，可以被O、S、Se、Te、Si(R1)2、Ge(R1)2、NR1、PR1、CO、P(R1)O取代，其中R1在每次出现时、相同或不同的是直链、支链或环状烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、芳基烯基、芳基炔基、杂芳基或杂烷基，此外，其中非芳香性的结构部分的一个或多个非相邻的C原子可以被O、S、CO、COO或OCO替代，前提是两个基团R1也可以彼此形成环系。优选的基团包括例如F、CF3、C2F5、CF3(CH2)aS、CF3CF2S和(CF3-(CH2)a)2N，其中a优选表示从0到5的整数。
令人吃惊的是，已经发现，在从溶液施加氟化聚合物或含有氟化或全氟化侧基的聚合物后，聚合物不再能够被溶解或洗掉，并且在移除溶剂后也不溶胀。因此，有可能不使用高温并且不使用高能辐射而将层固定。因此，有可能从溶液施加另外的层而没有问题，不破坏先前层的结构。此外，令人吃惊的是已经发现，在施加多个氟化聚合物(或氟化低聚物或氟化小分子)后，由层的氟-氟相互作用引起彼此之间的黏附。不会由于从溶液施加其它的层而使独立的层部分再次溶解，并且也不溶胀。通过这种方式，可以提供聚合物的、多层化的器件，正如从“小分子OLED”所了解的。
第一层优选位于基材上，在该基材上通常设置有电极。优选的用于基材的材料是，例如具有足够的机械稳定性并保证了阻挡层作用的玻璃和膜。基材可以例如具有导电涂层，或可以施加铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，这通常通过溅射来进行。
同样，也可以将导电聚合物施加到基材上，例如通过从溶液涂覆，并用作电极。导电聚合物优选选自PEDOT和PANI。它可以通过氟化基团改性。聚合物优选是掺杂的，并因此可以起到电荷注入层的作用。聚合物优选为聚噻吩衍生物，特别优选为聚(3，4-亚乙基二氧基-2，5-噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。聚合物优选掺杂有聚苯乙烯磺酸或另一种结合聚合物的质子酸(Bronsted acids)，从而转变成导电状态。
此外，优选情况下，第一层包含空穴注入功能和/或空穴传输功能。两种功能都可以例如通过掺杂聚噻吩衍生物或聚苯胺来提供。
出于本发明的目的，第一层同样可以优选包括发射体功能。这可以通过例如将发射体化合物或光致发光化合物与相应聚合物的单体共聚合来进行。发射体化合物或光致发光或电致发光化合物可以位于聚合物的主链或侧链中，或者可以例如接枝到适合的位点。同样，可以使用单体或聚合物发射体化合物，它们同样可以包含含氟基团。
本发明的光电子器件优选包含第二个层。同样优选除了第二个层之外，器件中还存在其它的附加层。出于本发明的目的，该附加层(或多个附加层)优选包括含有含氟基团的化合物，优选如上所定义的。因此，附加层还可以包括部分氟化的聚合物或含有氟化或全氟化侧基的聚合物，还可以包括含有氟化基团的低聚物或氟化的分子(小分子)。
根据本发明的光电子器件的不同之处在于下述事实，即附加层和各个先前层的一些含氟基团的位置相互彼此间隔，使得存在黏附性氟-氟相互作用。出于本发明的目的，附加层可以是电荷注入层(空穴或电子注入层)、电荷传输层(空穴或电子传输层)、发射体层、空穴或电子阻挡层和/或其组合。这反过来意味着附加层可以在一层中组合多种功能，或多个附加层承担相应的功能。
因此，根据本发明，有可能提供包括基材、电极、多功能层和阴极的经典结构，或如小分子OLED的情况中的结构，即这样的结构，其包括
1)基材，
2)电极或阳极，
3)空穴注入层，
4)空穴传输层，
5)发射层，
6)电子传输层，
7)电子注入层和
8)对电极或阴极。
根据本发明，可以将一个或多个层彼此组合，或可以将包含聚合物层的结构与如从SMOLED所知的层组合。例如，如果需要，可以通过气相沉积或印刷来施加成分，或可以从溶液施加成分，其中成分优选包含含氟基团。
通过这种方式，可以提供具有相对厚的层的器件，其中这些层可以发挥例如作为空穴注入层或电子阻挡层的功能。这种类型的层可以以简单的方式在它们的颜色和效率方面进行最优化。此外，通过改进的电子阻挡层功能(在下面的层中较低的隧道效应，特别是在PEDOT的情况下)而增加这种类型的层的寿命。
出于本发明的目的，光电子器件适合用作有机或聚合物发光二极管，作为有机太阳能电池(O-SC，例如WO 98/48433，WO 94/05045)，作为有机场效应晶体管(O-FET)，作为有机集成电路(O-IC，例如WO 95/31833，WO 99/10939)，作为有机场淬灭元件(FDQ，例如US2004/017148)，作为有机光放大器，作为有机光感受器，作为有机光电二极管或作为有机激光二极管(O-LASER，例如WO 98/03566)，并且可以相应地用于其中。
对于在O-FET中的应用，具有高的电荷-载体迁移率的材料是特别感兴趣的。这些是例如低聚或聚三芳基胺，低聚或聚噻吩，以及含有高比例的这些单元的共聚物。
(取决于应用)相应地构建器件，提供以接触，并最终严密密封，因为在存在水和/或空气的情况下，这种类型器件的寿命急剧缩短。这里，也可以优选使用导电的掺杂聚合物作为一个或两个电极的电极材料，并且不引入含有导电的掺杂聚合物的中间层。
对于在O-FET和O-TFT中的应用来说，另外要求结构除了电极和对电极(源电极和漏电极)之外，还包括其它电极(栅电极)，它通过通常具有高的(或偶尔低的)介电常数的绝缘体层与有机半导体隔离开。此外，也可在器件中引入其它层。
出于本发明的目的，这样选择电极，即使得它们的电位尽可能地与相邻有机层的电位相对应，以确保最有效的可能的电子或空穴注入。
阴极优选包含具有低的功函数的金属、金属合金或含有各种不同金属的多层结构，这些金属例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca，Ba，Mg，Al，In，Mg，Yb，Sm等)。在多层结构的情况下，除了所述金属之外，也可以使用其它具有相对高的功函数的金属、例如Ag，在这种情况下通常使用金属的组合，例如Ca/Ag或Ba/Ag。在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄的中间层，可能也是优选的。适合于此目的的是例如碱金属或碱土金属氟化物，也可以是相应的氧化物(例如LiF，Li2O，BaF2，MgO，NaF等)。该层的层厚度优选在1到10nm之间。
阳极优选包含具有高的功函数的材料。阳极优选具有相对于真空高于4.5eV的电位。适合于此目的的一方面是具有高的氧化还原电位的金属，例如Ag、Pt或Au。另一方面，金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiOx，Al/PtOx)也可以是优选的。对于某些应用来说，至少一个电极必须是透明的，以便确保有机材料的辐照(O-SC)或光的耦合输出(OLED/PLED，O-laser)。优选的结构使用透明阳极。这里优选的阳极材料是导电性的混合金属氧化物。特别优选的是含有含氟基团的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。此外，优选导电的掺杂有机材料，特别是导电的掺杂聚合物，它们优选含有如上定义的含氟基团。
适合用作阳极上的空穴注入层的是各种不同的掺杂的导电聚合物。取决于应用，优选导电率＞10-8S/cm的聚合物。层的电位优选为相对于真空4到6eV。层厚度优选在10到500nm之间，特别优选在20到250nm之间。特别优选的是使用聚噻吩的衍生物(特别是聚(3，4-亚乙基二氧基-2，5-噻吩)(PEDOT)和聚苯胺(PANI))。其它优选的(固有)导电聚合物是聚噻吩(PTh)，聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)，聚二乙炔，聚乙炔(PAc)，聚吡咯(PPy)，聚异硫茚(PITN)，聚亚杂芳基亚乙烯(PArV)，其中亚杂芳基可以是例如噻吩、呋喃或吡咯，聚对亚苯基(PpP)，聚对亚苯基硫醚(PPS)，聚周萘(PPN)，尤其是聚酞菁(PPc)，以及它们的衍生物(例如从侧链或侧基取代的单体形成的)，它们的共聚物和它们的物理混合物。掺杂一般通过酸或通过氧化物来进行。掺杂优选利用结合聚合物的质子酸来进行。为此目的，特别优选的是结合聚合物的磺酸，特别是聚(苯乙烯-磺酸)和聚(乙烯磺酸)。用于电荷注入层的导电聚合物优选含有含氟基团，在从溶液施加并移除溶剂后，通过发生内聚性F-F相互作用引起层的固定。
除了发射重复单元之外，发射体层的聚合物优选还包含其它重复单元，它们同样优选含有含氟基团或取代基。这可以是单一的聚合化合物，或两种或多种聚合化合物的掺混物，或一种或多种聚合化合物与一种或多种低分子量有机化合物的掺混物。有机发射体层优选可以通过从溶液涂覆或通过各种不同的印刷方法、特别是通过喷墨印刷方法来施加。聚合化合物和/或其它化合物优选含有含氟基团。取决于应用，有机半导体的层厚度优选为10到500nm，特别优选为20到250nm。
在发射体层的聚合物中优选的重复单元是例如下面显示的化合物，但不限于此：
Figure GPA00001113365700151
在这些式中，Rf表示通式为CxHyFz的氟化基团，其中x≥0，y≥0且z≥1，并且无、一个或多个也可以是相邻的CH2基团，可以被O、S、Se、Te、Si(R1)2、Ge(R1)2、NR1、PR1、CO、P(R1)O取代，其中R1和R在每次出现时、相同或不同的是直链、支链或环状烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、芳基烯基、芳基炔基、杂芳基或杂烷基，此外，其中非芳香性的结构部分的一个或多个非相邻的C原子可以被O、S、CO、COO或OCO替代，前提是两个基团R1也可以彼此形成环体系。优选的基团包括例如F、CF3、C2F5、CF3(CH2)aS、CF3CF2S和(CF3-(CH2)a)2N，其中a优选表示从0到5的整数。
用于本发明目的的优选的聚合物或含氟聚合物(或含有氟化或全氟化的侧基的聚合物)是共轭聚合物或部分共轭的聚合物，其在主链中含有sp2杂化碳原子，它也可以被相应的杂原子替代。此外，如果例如芳基胺单元和/或某些杂环(即通过N、O或S原子共轭)和/或有机金属络合物(即通过金属原子共轭)位于主链中，则术语共轭同样也用于本发明的目的。可以在例如PLED或O-SC中使用的共轭聚合物的典型代表是聚对亚苯基亚乙烯基(PPV)，聚芴，聚螺二芴，聚菲，聚二氢菲，聚茚并芴，在最广义上基于聚对亚苯基(PPP)的体系，以及这些结构的衍生物，特别是含有含氟基团的衍生物。
根据本发明，特别优选的聚合物含有另外的结构要素，因此应该被称为共聚物。这里，还应该特别参考WO 02/077060、WO 2005/014689以及在这些说明书中引用的参考文献中可能的结构要素的相对广泛的列举。这些其它的结构单元可以源自于例如下面描述的类别：
第一组：代表聚合物骨架的结构单元。
第二组：增强聚合物的空穴注入和/或传输性能的结构单元。
第三组：增强聚合物的电子注入和/或传输性能的结构单元。
第四组：具有来自第二组和第三组的单个单元的组合的结构单元。
第五组：影响产生的聚合物的形态和/或发射颜色的结构单元。
第六组：改变发射特性的结构单元，所述改变的程度使得可以获得电致磷光而不是电致发光。
第七组：改进从单线态向三线态跃迁的结构单元。
用于上述组的适合和优选的单元在下面进行描述，其中它们优选含有本发明定义的含氟基团。
第一组——代表聚合物骨架的结构单元：
具体来说，来自第一组的优选单元是含有具有6到40个C原子的芳香族或碳环结构的单元。适合和优选的单元尤其是例如在EP0842208、WO 99/54385、WO 00/22027、WO 00/22026和WO 00/46321中公开的芴衍生物，在例如EP 0707020、EP 0894107和WO 03/020790中公开的茚并芴以及螺二芴衍生物，在例如WO 2005/014689中公开的菲衍生物或二氢菲衍生物。也可以使用两种或多种这些单体单元的组合，例如在WO 02/077060中描述的。用于聚合物骨架的优选单元尤其是螺二芴、茚并芴、菲和二氢菲衍生物。
来自第一组的特别优选的单元是下列式的二价单元，其中虚线表示与相邻单元的连接：
Figure GPA00001113365700171
其中，各个基团具有下面的含义：
YY是Si或Ge，
VV是O、S或Se，
并且其中各个式也可以另外在自由位置中被一个或多个取代基R2取代，R2具有下面的含义：
R2在每次出现时，相同或不同的是H，具有1到22个C原子的直链、支链或环状烷基或烷氧基链，此外，其中一个或多个非相邻的C原子可以被O、S、CO、O-CO、CO-O或O-CO-O替代，此外，其中一个或多个H原子可以被氟、具有5到40个C原子的芳基或芳氧基替代，此外其中一个或多个C原子可以被O、S或N替代，它们也可以被一个或多个非芳香性基团R2或F、CN、N(R3)2或B(R3)2替代，并且
R3在每次出现时，相同或不同的是H，具有1到22个C原子的直链、支链或环状烷基链，此外，其中一个或多个非相邻的C原子可以被O、S、CO、O-CO、CO-O或O-CO-O替代，此外，其中一个或多个H原子可以被氟或任选取代的具有5到40个C原子的芳基替代，此外其中一个或多个C原子可以被O、S或N替代。
第二组——增强聚合物的空穴注入和/或传输性能的结构单元：
它们一般是芳香胺或富电子的杂环，例如取代或未取代的三芳基胺、联苯胺、四亚芳基对苯二胺、吩噻嗪、吩噁嗪、二氢吩嗪、噻蒽、二苯并对二噁英、phenoxathiyne、咔唑、甘菊环、噻吩、吡咯、呋喃，以及其它具有高HOMO(HOMO＝最高已占分子轨道)的含有O、S或N的杂环。但是，例如在WO 2005/017065 A1中描述的三芳基膦，在此也是合适的。
来自第二组的特别优选的单元是下列式的二价单元，其中虚线表示与相邻单元的连接：
Figure GPA00001113365700191
其中R11具有上面对R2指出的含义之一，此外，各个式在自由位置上也可以被一个或多个取代基R11取代，并且符号和下标具有下面的意义：
n在每次出现时，相同的或不同的是0、1或2，
p在每次出现时，相同的或不同的是0、1或2，优选为0或1，
o在每次出现时，相同的或不同的是1、2或3，优选为1或2，
Ar11、Ar13在每次出现时，相同的或不同的是具有2到40个C原子的芳香性或杂芳性环体系，其可以被R11单取代或多取代，也可以是未取代的；这里可能的取代基R11可以潜在地位于任何自由位置，
Ar12、Ar14在每次出现时，相同的或不同的是Ar11、Ar13或取代或未取代的亚茋基或亚二苯乙炔基单元，
Ar15在每次出现时，相同的或不同的是如Ar11所描述的体系，或具有9到40个芳香性原子(C或杂原子)的芳香性或杂芳性环体系，其可以被R11单取代或多取代，或者是未取代的，其由至少两个稠合的环组成；这里可能的取代基R11可以潜在地位于任何自由位置。
第三组——增强聚合物的电子注入和/或传输性能的结构单元：
它们一般是缺电子的芳香化合物或杂环，例如取代或未取代的吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、芘、二萘嵌苯、蒽、苯并蒽、噁二唑、喹啉、喹喔啉、吩嗪、苯并咪唑、酮、氧化膦、亚砜或三嗪，但是也可以是具有低LUMO(LUMO＝最低未占分子轨道)的化合物，例如三芳基硼烷和其它含有O、S或N的杂环，以及二苯甲酮及其衍生物，正如在WO 05/040302中公开的。
来自第三组的特别优选的单元是下列式的二价单元，其中虚线表示与相邻单元的连接：
其中各个式可以在自由位置上被一个或多个上面定义的取代基R11取代。
第四组——具有第二组和第三组的独立单元的组合的结构单元：
对于聚合物来说，还可以含有如下的单元，在所述单元中增加空穴迁移率和电子迁移率或二者的结构彼此直接结合在一起。但是，这些单元中的一些将发射颜色迁移到黄色或红色。因此，它们在本发明的用于产生蓝色或绿色发射的光电子器件中的应用是较不优选的。
如果聚合物中存在这种来自第四组的单元，它们优选选自下列式的二价单元，其中虚线表示与相邻单元的连接：
Figure GPA00001113365700221
Figure GPA00001113365700231
其中各个式可以在自由位置上被一个或多个取代基R11取代，符号R11、Ar11、p和o具有上面指出的意义，Y在每次出现时相同或不同的是O、S、Se、N、P、Si或Ge。
第五组——影响所形成的聚合物的形态和/或发射颜色的结构单元：
除了上面提到的单元之外，它们是具有至少一个其它的芳香性或另一个共轭结构的单元，所述结构不在上面提到的组的范围内，即对电荷-载体迁移率仅有很小的影响，它们不是有机金属络合物或对单线态-三线态跃迁没有影响。这种类型的结构要素可能影响形态，但是也可能影响所形成的聚合物的发射颜色。因此，取决于单元，它们也可以用作发射体。在这里，优选的是具有6到40个C原子的取代或未取代的芳香性结构，或者还优选二苯乙炔、茋或双苯乙烯基亚芳基衍生物，它们各自可以被一个或多个基团R11取代。这里，特别优选的是并入1，4-亚苯基，1，4-亚萘基，1，4-或9，10-亚蒽基，1，6-、2，7-或4，9-亚芘基，3，9-或3，10-亚二萘嵌苯基，4，4′-亚联苯基，4，4″-亚三联苯基，4，4′-双-1，1′-亚萘基，4，4′-亚二苯乙炔基，4，4′-亚茋基或4，4″-双苯乙烯基亚芳基的衍生物。
非常特别优选的是下列式的取代或未取代结构，其中虚线表示与相邻单元的连接：
Figure GPA00001113365700241
Figure GPA00001113365700251
其中各个式可以在自由位置上被一个或多个如上面定义的取代基R11取代。
第六组——改变发射特性达到这样的程度的结构单元，所述改变的程度使得可以获得电致磷光而不是电致发光：
它们尤其是即使在室温下也能够高效地从三线态发射光，即表现出电致磷光而不是电致发光的单元，这通常引起能量效率的增加。适合于此目的的首先是含有原子序数大于36的重原子的化合物。特别适合的化合物是含有满足上述条件的d-或f-过渡金属的化合物。在这里，非常特别优选的是含有第8到10族元素(Ru，Os，Rh，Ir，Pd，Pt)的相应结构单元。这里，适合用于聚合物的结构单元，是例如描述在例如WO 02/068435、WO 02/081488、EP 1239526和WO 04/026886中的多种络合物。相应的单体描述在WO 02/068435和WO 2005/042548A1中。
来自第六组的优选单元是下列式的单元，其中虚线表示与相邻单元的连接：
Figure GPA00001113365700261
其中M代表Rh或Ir，Y具有上面提到的含义，各个式可以在自由位置上被一个或多个上面定义的取代基R11取代。
第七组——改进从单线态向三线态跃迁的结构单元：
它们尤其是改进从单线态向三线态的跃迁的单元，并且其用于支持第六组的结构要素，改进这些结构要素的磷光性能。适合于此目的的尤其是咔唑和桥接的咔唑二聚体单元，正如在例如WO 04/070772和WO 04/113468中描述的。还适合于此目的的是酮、氧化膦、亚砜和类似化合物，正如在例如WO 2005/040302A1中描述的。
还可以同时存在超过一种来自第一到第七组中的一组的结构单元。
此外，聚合物同样可以包含金属络合物，它们一般由结合到主链或侧链中的一个或多个配体和一个或多个金属中心构成。
优选另外还包含一个或多个选自第一组到第七组的单元的聚合物。
同样优选所述聚合物含有改进电荷传输或电荷注入的单元，即来自第二和/或第三组的单元；1到30mol％比例的这些单元是特别优选的；2到10mol％比例的这些单元是非常特别优选的。
所述聚合物进一步特别优选含有来自第一组的单元，来自第二组和/或第三组的单元，以及来自第五组的单元。
聚合物优选含有10到10,000个、特别优选20到5000个，特别是50到2000个重复单元。应区别这些聚合物与本发明含有3到9个重复单元的氟化低聚物。此外，所述低聚物也可以包含所有上面定义的重复单元，包括发射体。
尤其通过不同重复单元上的取代基确保了聚合物必需的溶解性。
聚合物可以是直链、支链或交联的。本发明的共聚物可以具有无规的、交替的或类嵌段的结构，或者也可以具有交替排列的多个这些结构。可以获得具有类嵌段结构的共聚物的方法，以及特别优选用于此目的的其它结构要素，详细描述在例如WO 2005/014688中。该说明书通过引用并入到本申请中。
聚合物一般通过单体的一种或多种类型的聚合反应制备。适合的聚合反应对于本领域的技术人员来说是公知的，并描述在文献中。特别适合和优选的均导致C-C连接的聚合和偶联反应，是SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、NEGISHI、SONOGASHIRA或HIYAMA反应。
可以通过这些方法进行聚合的方式，以及然后可以从反应介质中分离聚合物并纯化的方式，对于本领域的技术人员来说是公知的，并详细描述在文献中，例如在WO 2003/048225和WO 2004/037887中。
C-C连接反应优选选自SUZUKI偶联、YAMAMOTO偶联和STILLE偶联。
为了合成所述聚合物，需要相应的单体。从第一到第七组的单元的合成，对于本领域的技术人员来说是公知的，并在文献中有描述，例如在WO 2005/014689中。该文献以及在其中引用的文献通过引用并入到本申请中。
为了获得聚合物的部分氟化，单体可以用上面提到的通式CxHyFz的基团改性，并使其作为共聚物的成分共聚合。
此外，可以优选使用不是作为纯的物质，而是作为与其它任何所需类型的聚合物、低聚物、树枝状的或低分子量物质一起的混合物(掺混物)的聚合物。它们可以例如改进电学性质或本身可以发射。因此，本发明还涉及这种类型的掺混物。
本发明还涉及在一种或多种溶剂中含有本发明的一种或多种含氟聚合物和/或含氟掺混物和/或氟化小分子(如上所定义)的溶液和制剂。可用于制备聚合物溶液或小分子溶液的方式，对于本技术领域的专业人员来说是公知的，并描述在例如WO 02/072714、WO 03/019694及其中引用的文献中。所述溶液和制剂可以任选地包含一种或多种添加剂。
特别是在本发明的方法中可以使用这些溶液以产生薄的聚合物层，例如通过表面涂层方法(例如旋涂)或通过印刷方法(例如喷墨印刷)。
本发明还涉及用于生产光电子器件的方法，包括生产含有含氟基团的聚合物的层。
该方法优选包括下列步骤
a)向基材施加第一层，以及
b)施加至少一个第二层。
第一层优选是部分氟化的空穴注入层，该层由部分氟化的共聚物组成，所述部分氟化的共聚物是在沉积前已经通过与氟化单体共聚或类似聚合物的氟化作用而制备的。
在优选实施方案中，使用的电极是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。这可以通过借助于CF4等离子体处理来改性，以另外产生与随后的氟化层的黏附性相互作用。
同样地，第一层优选是发射体层本身，该发射体层预先通过使用氟化单体被功能化，并施加到PANI或PEDOT层或空穴注入中间层上。此外，随后可以从其它容易或甚至从相同的溶剂施加电子传输或空穴阻挡层。
本发明使用的基材是玻璃或聚合物膜，优选为玻璃。
在另外的优选实施方案中，电极是导电聚合物，并在将电极施加到基材上之前将含氟基团导入到导电聚合物中。使用的导电聚合物优选为上面定义的共轭聚合物PEDOT或PANI之一，它们优选被提供有含氟基团。在导电聚合物的情况下，氟化通过现有技术中的方法进行，例如通过聚合氟化单体或通过氟化最终的聚合物。含有含氟基团的成分优选为部分氟化的聚合物或含有氟化或全氟化侧基的聚合物，含有氟化基团的低聚体，氟化的分子，或其组合。
优选通过从含有聚合物的溶液涂覆来施加第二层，例如通过旋涂或刮涂。对于第二层来说，使用部分氟化的聚合物，含有全氟化侧基的聚合物，含有氟化基团的低聚物或氟化的分子。此外，第二层优选具有电荷注入功能、发射体功能、阻挡层功能或所述功能的组合。为此，可以例如使用上面定义的具有相应功能的共轭聚合物，或使用相应的低聚物或分子。上面定义的发射体同样可以用于本发明的方法中。
然后可以向施加的层上施加一个或多个附加层，而不会使固定的层部分溶解或溶胀。通过强的分子间相互作用，该层的含氟基团防止了施加材料的脱离，这相当于交联反应的作用。
此外，通过这种方式可以产生较厚的层，它们起到例如空穴注入层或电子阻挡层的作用，并且这些层可以在颜色和效率方面最优化。此外，可以通过改进的电子阻挡层功能(在下面的层中较少的隧道效应，特别是在用于PEDOT的情况下)而增加这种类型的层的寿命。
当已经相继施加了所有的附加层后，通过现有技术已知的方法来进一步施加阴极。最后，施加封装以保护器件抵抗外部影响，例如水蒸气、氧气等。
具体实施方式
现在，将参考一些说明性实施方案并参考图1和2对本发明进行更详细的解释，这些说明性实施方案不被认为是对本发明范围的限制。
说明性实施方案：
实施例1：
如图1所示，通过相继的旋涂，产生了氟化聚合物的层。为此，购买了由Technoprint预先制造的在整个区域涂覆有ITO的基材。在清洁室中使用去离子水和去污剂(Deconex 15PF)清洁涂覆ITO的基材，然后通过UV/臭氧等离子体处理进行活化。然后通过在清洁室中进行旋涂，施加了厚度为80nm的PEDOT层(PEDOT是来自H.C.Starck，Goslar的聚噻吩衍生物(Baytron(现在称为“Clevios”)P VAI4083sp.))，并在180℃加热10分钟进行干燥，以便移除残留的水。然后在手套箱中在氩气气氛下通过旋涂施加20nm的聚合物IL1。
该聚合物是部分氟化的共聚物。所述聚合物通过Suzuki聚合作用，按照WO 03/048225A2中的描述，使用下面给出的单体(百分率数据＝mol％)来制备。由于其高的三苯胺含量，该聚合物适合于在溶液加工的OLED中作为中间层，即它用作缓冲的PEDOT/PSSH和在后续步骤中沉积的聚合物P1或P2之间的中间层，并确保从PEDOT向该(或另一个)其它聚合物层的有效的空穴注入。
聚合物IL1：
Figure GPA00001113365700321
通过从浓度为5mg/ml的溶液在玻璃基材上旋涂聚合物，而确定20nm的层厚度所需的转速。为此，在手套箱中，在器件的生产条件下，通过旋涂来施加膜，然后在180℃加热1小时进行干燥。使用表面光度仪(来自Veeco Instruments的Dektak 3ST表面仿形工具机)进行层厚度的测量，它借助于在使用解剖刀在膜中制造的切口上移动的针而测量层厚度，并通过力测量来测量其深度。
用于聚合物IL1的转速是：
IL1(5mg/ml在甲苯中)：对于在玻璃上20nm的层来说，2400rpm。
比较例2：
类似于实施例1，通过相继旋涂产生了层。
但是，使用相应的未氟化共聚物IL2代替部分氟化的聚合物。该聚合物也通过Suzuki聚合作用，按照WO 03/048225A2中的描述，使用下面给出的单体(百分率数据＝mol％)来制备。由于其高的三苯胺含量，该聚合物也适合于在溶液加工的OLED中作为中间层，即它用作缓冲的PEDOT/PSSH与在后续步骤中沉积的聚合物P1或P2之间的中间层，并确保从PEDOT向该(或另一个)其它聚合物层的有效的空穴注入。
聚合物IL2：
产生20nm层厚度所必需的转速类似于实施例1进行确定。对于聚合物IL2来说，它是：IL2(5mg/ml在甲苯中)：对于在玻璃上20nm的层来说，1810rpm。
对用于聚合物IL1和IL2的转速的比较表明，溶液IL1的内聚力明显高于IL2的内聚力，因为IL1所需的转速明显高于IL2所需的转速。
实施例3
因为在实施例1和2中使用的中间层聚合物是不含可化学交联基团(例如环氧丙烷基团)的聚合物，因此在图2中所示的层结构的进一步构建，将导致首先施加的中间层至少部分地被再次洗掉。为了对聚合物IL1和IL2检验这一点，使用对于玻璃确定的转速在PEDOT上产生了层，并再次在180℃加热1小时进行干燥。两种聚合物都给出(归因于不同的转速)同样的15nm的层厚度。
IL1(5mg/ml在甲苯中)，2400rpm在PEDOT上：15nm
IL2(5mg/ml在甲苯中)，1810rpm在PEDOT上：15nm
随后，通过在1000rpm旋涂用甲苯(纯溶剂)覆盖涂覆所述的层。然而，由于强的氟-氟相互作用，部分氟化的聚合物IL1的表现如同被物理交联一样，并因此不能被再次溶解，超过50％的IL2被洗掉。
在PEDOT上的15nm的IL1，使用甲苯通过以1000rpm旋涂进行覆盖涂覆：15nm
在PEDOT上的15nm IL2，使用甲苯通过以1000rpm旋涂进行覆盖涂覆：6nm
这清楚地表明，由于链之间的内聚性相互作用，在进一步的涂覆步骤中，部分氟化聚合物的膜不再能够被部分溶解或洗掉，而同样的未氟化聚合物的膜可以非常容易地被部分溶解或洗掉。
实施例4：
现在的目的是测试是否通过氟-氟相互作用的物理交联方法也适合于从相同溶剂(甲苯)一层叠着另一层地沉积多个层。
为此，如图2所示，将80nm的聚合物P1和P2各自涂覆在制得的IL1和IL2膜(从甲苯，5mg/ml，上述的转速，180℃下1小时)之上。按照WO 03/048225A2中的描述，使用下面给出的单体(百分率数据＝mol％)通过Suzuki聚合反应制备聚合物。
聚合物P1：
聚合物P2：
由于共轭的聚对亚苯基骨架和低百分比的三芳基胺发射体，这些聚合物P1和P2是发射蓝光的聚合物。它们同样通过Suzuki聚合反应，按照WO 03/048225A2中的描述进行制备。制备了浓度为8mg/ml的在甲苯中的溶液，并确定了在玻璃上用于80nm聚合物层厚度的转速。然后在制得的IL1和IL2膜上使用溶液涂覆层。在涂覆后，将膜在180℃加热10分钟进行干燥。
测定下面的总层厚度：
IL1与P1：95nm层厚度(15nm IL1加80nm P1)
IL1与P2：95nm层厚度(15nm IL1加80nm P2)
IL2与P1：86nm层厚度(6nm IL2加80nm P1)
IL2与P2：86nm层厚度(6nm IL2加80nm P2)
在前两种情况下，其中聚合物P1或P2被施加到中间层IL1(部分氟化共聚物)上，获得对应于中间层(15nm)加P1或P2聚合物层的层厚度(80nm)的和的总层厚度。
在后两种情况下，其中聚合物P1或P2被施加到中间层IL2(未氟化的共聚物)上，获得小于中间层的厚度(15nm)与P1或P2聚合物层的厚度(80nm)之和的总层厚度，即，至少一部分中间层在施加聚合物层的过程中已经被部分溶解或洗掉，使用纯溶剂通过旋涂进行覆盖涂覆时的情况也是这样。
实施例5：
如实施例3中所述，使用纯甲苯以1000rpm通过旋涂再次对实施例4中获得的层进行覆盖涂覆，以再次测试部分氟化膜的物理交联。
测定了用甲苯处理之前和用甲苯处理之后的总层厚度。结果显示在下面的表中：
  实施例   层的顺序   之前   之后
  5a   IL1与P1   95nm(15+80nm)   76nm(15+61nm)
  实施例   层的顺序   之前   之后
  5b   IL1与P2   95nm(I5+80nm)   16nm(15+01nm)
  5c   IL2与P1   86nm(6+80nm)   67nm(06+61nm)
  5d   IL2与P2   86nm(6+80nm)   03nm(03+00nm)
正如表中所示，由于产生“物理交联”的氟-氟相互作用，在实施例5a和5c中只有少部分的聚合物层被洗掉。这再一次强调了下述事实，即不论下面的中间层如何，在每种情况下移除了相同量的氟化聚合物P1(在每种情况下是19nm)。
相反，在实施例5b和5d中，由于缺乏氟-氟相互作用，几乎整个或整个聚合物层被洗掉了。此外，在实施例5d中，另外还洗掉了一部分的未氟化中间层。
实施例6：
如实施例1和2中所示，不同的转速(对于相同的浓度来说)表明了链的不同内聚力，因此表明了溶液的不同粘度。相反地，然后在同样的旋转条件下涂覆两种溶液。
获得了下面的层厚度：
IL1(5mg/ml在甲苯中)：2400rpm＝＞20nm，在玻璃上
IL2(5mg/ml在甲苯中)：2400rpm＝＞15nm，在玻璃上
正如结果所示，在未氟化聚合物IL2的情况下，与部分氟化聚合物IL1的情况下相比，明显更多的材料被旋涂掉了，在后一种情况下氟-氟相互作用阻止了这种现象的发生。

Claims (31)

1.光电子器件，其包含至少一个包含如下聚合物的层，该聚合物含有含氟基团，其中至少在所述层的一些含氟基团之间存在内聚性氟-氟相互作用。
2.权利要求1的光电子器件，其特征在于所述层包含具有电荷注入和/或电荷传输功能的聚合物。
3.权利要求1或2的光电子器件，其特征在于所述层包含具有发射体功能的聚合物。
4.权利要求1到3的一项或多项的光电子器件，其特征在于所述聚合物是两种或多种聚合物的掺混物。
5.权利要求1到4的一项或多项的光电子器件，其包含至少一个其它的层。
6.权利要求5的光电子器件，其特征在于所述其它的层包含具有空穴注入功能、空穴传输功能、空穴阻挡功能、发射体功能、电子注入功能、电子阻挡功能和/或电子传输功能的聚合物。
7.权利要求5或6的光电子器件，其特征在于所述其它的层包含含有含氟基团的聚合物。
8.权利要求6或7的光电子器件，其特征在于所述聚合物具有发射体功能。
9.权利要求8的光电子器件，其特征在于所述具有发射体功能的聚合物发射多种波长的光。
10.权利要求6或7的光电子器件，其特征在于所述器件包含多个具有发射体功能的聚合物的层。
11.权利要求10的光电子器件，其特征在于所述多个具有发射体功能的聚合物的层各自发射不同波长的光。
12.权利要求9到11的一项或多项的光电子器件，其特征在于所述多种波长的光累加在一起形成白色。
13.权利要求9到12的一项或多项的光电子器件，其特征在于所述器件包含三个具有原色红、绿和蓝的层。
14.权利要求9到13的一项或多项的光电子器件，其特征在于至少一个层包含单线态发射体，但是至少一个其它的层包含三线态发射体。
15.权利要求2到14的一项或多项的光电子器件，其特征在于所述器件含有多个具有空穴传输功能的聚合物的层(所谓的空穴导体)，其中空穴导体具有能量不同的最高已占分子轨道(HOMO)。
16.权利要求15的光电子器件，其特征在于最后施加的具有空穴传输功能的聚合物层具有能量高的最低未占分子轨道(LUMO)。
17.权利要求16的光电子器件，其特征在于最后施加的具有空穴传输功能的聚合物层是电子阻挡层。
18.权利要求1到17的一项或多项的光电子器件，其特征在于所述器件包含多个具有电子传输功能的聚合物的层(所谓的电子导体)，其中电子导体具有能量不同的最低未占分子轨道(LUMO)。
19.权利要求18的光电子器件，其特征在于最先施加的具有电子传输功能的聚合物层具有能量低的最高已占分子轨道(HOMO)。
20.权利要求19的光电子器件，其特征在于最先施加的具有电子传输功能的聚合物层是空穴阻挡层。
21.权利要求1到20的一项或多项的光电子器件，其特征在于所述器件包含含有小分子或低聚物的层。
22.权利要求1到21的一项或多项的光电子器件，其特征在于在第一层和至少一个其它层的一些含氟基团之间存在黏附性氟-氟相互作用。
23.权利要求1到22的一项或多项的光电子器件，其特征在于所述器件包含阴极和阳极。
24.权利要求23的光电子器件，其特征在于所述阳极是铟锡氧化物(ITO)层或铟锌氧化物(IZO)层。
25.权利要求23的光电子器件，其特征在于所述阴极和/或阳极是导电聚合物。
26.权利要求23的光电子器件，其特征在于所述阳极由铟锡氧化物(ITO)层或铟锌氧化物(IZO)层和导电聚合物的层构成。
27.权利要求1到24的一项或多项所述的光电子器件作为有机或聚合物发光二极管、作为有机太阳能电池、作为有机场效应晶体管、作为有机集成电路、作为有机场淬灭元件、作为有机光放大器、作为有机激光二极管、作为有机光感受器或作为有机光电二极管的用途。
28.权利要求27的用途，所述用途是在显示器、在有色、多色或全色显示器中作为OLED，在液晶显示器(LCD)中作为发光元件或作为背光。
29.权利要求28的用途，其特征在于所述OLED是发射白光的OLED。
30.用于生产权利要求1到26的一项或多项的光电子器件的方法，其包括生产含有含氟基团的聚合物的层。
31.制剂，其包含在一种或多种溶剂中的一种或多种含氟聚合物和/或含氟掺混物和/或氟化的小分子。
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