CN101814569A - 发光器件封装 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光器件封装。所述发光器件封装包括:基板;在所述基板上的发光器件;在所述基板和所述发光器件之间的第一散热器,所述第一散热器至少部分设置在所述基板内以传递由所述发光器件产生的热;彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
Description
相关申请
本申请要求2009年2月23日提交的韩国专利申请10-2009-0014789的优先权,通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
实施方案涉及一种发光器件封装及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)已经广泛地用作发光器件。
LED包括依次相互堆叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层,使得根据对其施加的电压而将有源层所产生的光发出至外部。
发光器件封装可具有其中在硅(Si)基板上设置发光器件的结构。因为Si基板具有高的热阻,所以散热特性可能较差,因此发光器件的发光特性也可能劣化。
发明内容
实施方案提供一种具有新型结构的发光器件封装及其制造方法。
实施方案还提供一种具有改善的散热特性的发光器件封装及其制造方法。
在一个实施方案中,发光器件封装包括:基板;在所述基板上的发光器件;在所述基板和所述发光器件之间的第一散热器,所述第一散热器至少部分设置在所述基板内以传递由发光器件产生的热;彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
在另一实施方案中,发光器件封装包括:包括腔的基板;在所述腔内的发光器件;在所述发光器件和所述基板之间的第一散热器;和彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
在另一实施方案中,发光器件封装包括:基板;在所述基板上的发光器件;在所述发光器件下设置的散热器,其间具有基板,所述散热器至少部分埋于所述基板的下部中;和彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
在附图和以下的描述中将阐述一个或更多个实施方案的细节。其他特征将由说明书和附图以及由权利要求书而变得明显。
附图说明
图1~5是根据一个实施方案的发光器件和制造该发光器件的方法的视图。
图6是根据一个实施方案的发光器件的立体图。
具体实施方式
在以下描述中,应理解当层(或者膜)称为在另一层或者基板“上”时,其可以直接在该另一层或者基板上,或者也可存在中间层。此外,应理解当层称为在另一层“下”时,其可以直接在该另一层下,也可存在一个或更多个中间层。现在将详细说明本公开的实施方案,在附图中对其实例进行说明。在以下描述中,措辞“上”、“上方”、“一个”、“下”和“下方”均基于附图。
在附图中,对各层的厚度或者尺寸进行放大、省略或者示意地说明,以便于描述和清楚。而且,各元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
以下,将参考附图详细地描述根据一个实施方案的发光器件封装及其制造方法。
图1~5是根据一个实施方案的发光器件和制造该发光器件的方法的视图,图6是根据一个实施方案的发光器件的立体图。
参考图5和6,发光器件封装包括:基板10、设置在基板10上的绝缘层20、设置在基板10的上部上的第一散热器31、设置在基板10的下部上的第二散热器32、设置在基板10上并彼此电隔离的第一电极41和第二电极42、和电连接至所述第一电极41和第二电极42的发光器件50。
基板10可由导电材料或者绝缘材料形成。绝缘层20使基板10电绝缘。例如,基板10可由为绝缘材料的Si材料形成。绝缘层20可设置在基板10的表面上以防止电流泄漏。绝缘层20可包括其中由Si材料形成的基板被氧化的硅氧化物层。
在基板10的上表面中限定第一腔(见图1的附图标记11)。在第一腔11内限定第二腔(见图1的附图标记12)。将第一散热器31埋入第二腔12的至少一部分内。
在基板10的下表面中限定第三腔(见图1的附图标记13)。将第二散热器32埋入第三腔13的至少一部分内。例如,第一散热器31的上表面可与设置在第一腔11的下表面上的绝缘层20的上表面齐平。第二散热器32的下表面可与设置在基板10的下表面上的绝缘层20的下表面齐平。
例如,第一散热器31和第二散热器32可由具有优异导热性的铜(Cu)或者铝(Al)形成,但是不限于此。
第一散热器31和第二散热器32设置在彼此对应的位置处。即,第一散热器31和第二散热器32彼此垂直地交叠。因此,热可有效地从第一散热器31传递至第二散热器32。而且,可仅提供第一散热器31和第二散热器32中之一。
基板10可具有400μm~800μm的厚度。设置在第一散热器31下的基板10可具有10μm~20μm的厚度。即,当第一散热器31和第二散热器32均提供时,第一散热器31和第二散热器32之间的基板10可具有10μm~20μm的厚度。例如,设置在第一散热器31下的基板10可具有对应于基板10的最大厚度的1.25%~5%的厚度。
第一散热器31和第二散热器32之间的基板10可以不全部移除,而是部分保留。因此,当将第一散热器31和第二散热器32埋入第二腔12和第三腔13时,可防止产生空隙。
第一电极41和第二电极42可沿着基板10的侧表面从基板10的下表面延伸至基板10的上表面。而且,第一电极41和第二电极42可穿过基板以从基板10的下表面延伸至基板10的上表面。
第一电极41和第二电极42可设置在绝缘层20上。第一电极41可延伸到直至第一散热器31。
在此实施方案中,第一电极41可与第一散热器31和第二散热器32垂直交叠或者覆盖第一散热器31和第二散热器32的表面。例如,第一散热器31和第二散热器32可被第一电极41和绝缘层20包围。
因此,由发光器件50产生的热通过第一电极41传递至第一散热器31,传递至第一散热器31的热传递至与基板10和第一散热器31相邻的第二散热器32。传递至第二散热器32的热通过第一电极41有效地散发至外部。
发光器件50可为发光二极管(LED)。LED可具有各种结构,例如水平型和垂直型。
发光器件50通过导线51电连接至第一电极41和/或第二电极42。在此实施方案中,发光器件50具有直接接触第一电极41并电连接至第一电极41的一个侧面。而且,发光器件50通过导线51电连接至第二电极42。
而且,发光器件50可通过穿过基板10的导电通路连接至第一电极41和/或第二电极42。或者,发光器件50可利用倒装芯片方式连接至第一电极41和/或第二电极42。
发光器件50可设置在第一散热器31上。而且,发光器件50可与第一散热器31垂直交叠以有效地将由发光器件50发出的热传递至第一散热器31。
在第一腔11中可设置包含磷光体的模制构件14。而且,模制构件14可不包含磷光体。
将参考图1~5详细地描述根据一个实施方案的发光器件封装的制造方法。
参考图1,准备基板10。蚀刻基板10的上表面和下表面,以形成第一腔11、第二腔12和第三腔13。
可在基板10上形成掩模图案,然后可使用该掩模图案作为蚀刻掩模选择性地蚀刻基板10以形成第一腔11、第二腔12和第三腔13。例如,掩模图案可由氮化硅形成。
第二腔12和第三腔13用于形成第一散热器31和第二散热器32。此处,可仅形成第二腔12和第三腔13中之一。
参考图2,在基板10的表面上形成绝缘层20。绝缘层20可包括其中由Si材料形成的基板10被氧化的Si氧化物层。
参考图3,第一散热器31和第二散热器32分别形成在第二腔12和第三腔13中。
可在第二腔12和第三腔13中形成籽层,然后可对籽层实施镀敷工艺以形成第一散热器31和第二散热器32。
或者,可在第二腔12和第三腔13上沉积金属,以形成第一散热器31和第二散热器32。
因为基板10设置在第二腔12和第三腔13之间,所以可容易地形成籽层。而且,第一散热器31和第二散热器32可形成在籽层上,以减少第二腔12和第三腔13内的空隙。
参考图4,在基板10上形成彼此电隔离的第一电极41和第二电极42。
因为第一电极41和第二电极42从基板的下表面延伸至上表面,所以发光器件封装可容易地使用表面安装技术进行安装。
在第一腔11的下表面和侧表面上形成第一电极41和第二电极42。因此,第一电极41可覆盖第一散热器31的上表面。第一电极41和第二电极42可起到供电的作用以及反射由发光器件50发出的光以改善光效率的作用。
而且,第一电极41可接触第一散热器31,以将由发光器件50产生的热有效地传递至第一散热器31。
参考图5,在第一电极41上设置发光器件50。发光器件50和第二电极42利用导线51彼此电连接。
因为发光器件50形成在第一电极41上,所以由发光器件50产生的热可有效地传递至第一电极41和第一散热器31。
如上所述,在根据一个实施方案的发光器件封装及其制造方法中,在基板10上形成第二腔12和第三腔13中的至少一个,以形成由金属材料形成的第一散热器31和第二散热器32中的至少一个。因此,由发光器件50放出的热可利用第一散热器31和第二散热器32快速地放出至外部。
而且,第一散热器31和第二散热器32相对于基板10垂直地设置并且彼此垂直地交叠。因此,热可在第一散热器31和第二散热器32之间有效地传递。
根据一个实施方案的发光器件的制造方法可包括:蚀刻基板10以形成腔;在腔内形成由金属材料形成的散热器;在基板10上形成彼此电隔离的第一电极41和第二电极42;和在基板10上安装发光器件50以电连接发光器件50至第一电极41和第二电极42。
蚀刻基板10以形成腔可包括:形成在基板10上表面中的第二腔12和在基板10下表面中的第三腔13中的至少一个。
蚀刻基板10以形成腔可包括:在基板10上表面中形成第一腔11和在第一腔11内形成第二腔12。
散热器可包括埋在第二腔12中的第一散热器31和埋在第三腔13中的第二散热器32中的至少一个。第一散热器31和第二散热器32可彼此垂直交叠。
另一实施方案提供包括上述发光器件封装的照明系统。所述照明系统可包括灯、街灯、背光单元,但是不限于此。
实施方案可提供一种具有新型结构的发光器件封装及其制造方法。
实施方案还可提供一种具有改善的散热特性的发光器件封装及其制造方法。
在本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任何引用,表示与该实施方案相关描述的具体特征、结构或特性包括于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外,当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时,认为将这些特征、结构或特性与实施方案的其它特征、结构或特性相关联均在本领域技术人员的能力范围之内。
尽管已经参考许多说明性实施方案描述了实施方案,但是应理解本领域技术人员可以知道很多的其它改变和实施方案,这些也在本公开原理的精神和范围内。更具体地,在公开、附图和所附的权利要求的范围内,在本发明组合布置的构件和/或布置中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或布置的变化和改变之外,对本领域技术人员而言,可替代的用途也是明显的。
Claims (20)
1.一种发光器件封装,包括:
基板;
在所述基板上的发光器件;
在所述基板和所述发光器件之间的第一散热器,所述第一散热器至少部分设置在所述基板内以传递由所述发光器件产生的热;
彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
2.根据权利要求1所述的发光器件,包括设置在所述基板的表面上的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述基板包括硅基板,所述绝缘层包括硅氧化物层。
4.根据权利要求1所述的发光器件,包括设置在所述第一散热器下的第二散热器,所述第一散热器和所述第二散热器之间存在有所述基板。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第二散热器设置在所述基板内。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一散热器包括铜或铝。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一散热器的至少一部分与所述发光器件垂直交叠。
8.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第一散热器和所述第二散热器至少部分彼此垂直地交叠。
9.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第一散热器和所述第二散热器之间的距离为10μm~20μm。
10.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第一散热器和所述第二散热器之间的基板具有对应于所述基板的最大厚度的1.25%~5%的厚度。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极设置在所述第一散热器上,所述发光器件设置在置于所述第一散热器上的所述第一电极上。
12.一种发光器件封装,包括:
包括腔的基板;
在所述腔内的发光器件;
在所述发光器件和所述基板之间的第一散热器;和
彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
13.根据权利要求12所述的发光器件,包括在所述第一散热器下的第二散热器,所述第一散热器和所述第二散热器之间存在有所述基板。
14.根据权利要求12所述的发光器件,包括在所述第一电极和所述第二电极之间和在所述第一散热器和所述基板之间的绝缘层。
15.根据权利要求12所述的发光器件,其中所述腔包括第一腔和限定在所述第一腔的下表面中的第二腔,所述第一散热器设置在所述第二腔内。
16.根据权利要求13所述的发光器件,包括限定在所述基板的下表面中的第三腔,
其中所述第二散热器设置在所述第三腔内。
17.根据权利要求12所述的发光器件,其中所述第一散热器下的基板具有对应于所述基板的最大厚度的1.25%~5%的厚度。
18.根据权利要求12所述的发光器件,其中所述基板的厚度为400μm~800μm,在所述第一散热器下的基板的厚度为10μm~20μm。
19.一种发光器件封装,包括:
基板;
在所述基板上的发光器件;
设置在所述发光器件下的散热器,所述发光器件和所述散热器之间存在有所述基板,所述散热器至少部分埋在所述基板的下部中;和
彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
20.根据权利要求19所述的发光器件,其中在所述基板的上部中限定有腔,所述发光器件设置在所述腔内。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2009-0014789 | 2009-02-23 | ||
| KR1020090014789A KR101064098B1 (ko) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101814569A true CN101814569A (zh) | 2010-08-25 |
| CN101814569B CN101814569B (zh) | 2013-11-06 |
Family
ID=42262008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010121337XA Expired - Fee Related CN101814569B (zh) | 2009-02-23 | 2010-02-23 | 发光器件封装 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8358054B2 (zh) |
| EP (1) | EP2221889B1 (zh) |
| KR (1) | KR101064098B1 (zh) |
| CN (1) | CN101814569B (zh) |
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-
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- 2010-02-19 EP EP10154083.9A patent/EP2221889B1/en not_active Not-in-force
- 2010-02-22 US US12/709,973 patent/US8358054B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-23 CN CN201010121337XA patent/CN101814569B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-19 US US13/719,666 patent/US8569770B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2221889B1 (en) | 2017-04-05 |
| KR101064098B1 (ko) | 2011-09-08 |
| US20100213810A1 (en) | 2010-08-26 |
| KR20100095791A (ko) | 2010-09-01 |
| EP2221889A2 (en) | 2010-08-25 |
| US20140055981A1 (en) | 2014-02-27 |
| US8569770B2 (en) | 2013-10-29 |
| US8907551B2 (en) | 2014-12-09 |
| CN101814569B (zh) | 2013-11-06 |
| US20130105848A1 (en) | 2013-05-02 |
| US8358054B2 (en) | 2013-01-22 |
| EP2221889A3 (en) | 2010-09-01 |
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| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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| TR01 | Transfer of patent right |
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