CN101800242B - 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 - Google Patents
用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101800242B CN101800242B CN 200910077678 CN200910077678A CN101800242B CN 101800242 B CN101800242 B CN 101800242B CN 200910077678 CN200910077678 CN 200910077678 CN 200910077678 A CN200910077678 A CN 200910077678A CN 101800242 B CN101800242 B CN 101800242B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nano
- electrode
- coulomb island
- electron device
- nanometers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 26
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 title abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003855 HfAlO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 206010020751 Hypersensitivity Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在衬底上制作一对纳米电极，在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，库仑岛上生长的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质上的电极作为栅电极。该纳米电子器件及其制作方法具有简单、稳定可靠、工艺步骤少、与传统CMOS工艺兼容的优点。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及纳米电子器件及纳米加工技术，特别是一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。
背景技术
以互补性金属-氧化物-半导体(CMOS)器件为主流技术的集成电路一直遵循着摩尔定律迅速发展，在2004年集成电路已进入90纳米技术节点。随着特征尺寸进入到纳米级，传统的CMOS技术面临着越来越严重的挑战，因此，基于新原理的纳米电子器件成为研究的热点。
单电子晶体管是一种典型的纳米电子器件，具有尺寸小、速度快、功耗低、可大规模集成等优点，而且具有十分广阔的应用前景，如可用来制作单电子存储器、单电子逻辑电路、电流标准、电阻标准、温度标准、超灵敏静电计、微波或红外探测器等。因此，单电子晶体管已经成为未来替代MOS晶体管的重要侯选器件之一。
一般情况下，单电子晶体管由一个库仑岛结构构成。如图1所示，图1为库仑岛结构的示意图。库仑岛结构包括源101、漏102、库仑岛103、隧道结104和隧道结105，还可以进一步包括侧栅106和侧栅107，其核心部分是库仑岛103、隧道结104和隧道结105。库仑岛103由极微小金属或半导体量子点颗粒构成，它在某一方向上分别通过两侧的隧道结104和105与源101、漏102相连接。源101和漏102位于库仑岛103的两侧。隧道结104和105一般由绝缘层、异质结势垒、以及由界面态或外加电压等引起的势场构成。栅起到调节岛的电化学势从而控制岛中的电子数的作用。源101、漏102、侧栅106和107一般由金属或掺杂半导体构成，与外部连接。
单电子晶体管要正常工作必须满足库仑岛的充电能大于热能的条件，即e2/2C＞＞kBT，其中kB为玻尔兹曼常数，因此必须通过降低岛的电容C来提高单电子晶体管的工作温度T，这样就必须通过尽量缩小隧道结面积特别是库仑岛尺寸来实现。因此，如何获得小尺寸的库仑岛结构是制作高温甚至常温单电子器件的关键。
目前，在制作单电子晶体管的库仑岛结构时大多采用电子束光刻和刻蚀直接加工或进一步利用氧化方法获得和减小库仑岛的尺寸，但用这种方法制备的器件的工作温度不高，而且一般都存在制作工艺复杂、制作成本高等缺点。
发明内容
(一)要解决的技术问题
针对上述现有技术存在的不足，本发明的一个目的在于提供一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，以简化器件结构，提高可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性。
本发明的另一个目的在于提供一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件的制作方法，以简化制作工艺、降低制作成本和提高制作效率。
(二)技术方案
为达到上述目的的一个方面，本发明提供了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，该纳米电子器件由源、漏、栅、库仑岛、栅介质构成，利用衬底上的一对纳米电极作为源和漏电极，利用纳米电极之间的纳米晶作为库仑岛，利用纳米电极上生长的绝缘介质作为栅介质，利用绝缘介质上生长的电极作为栅电极。
上述方案中，所述衬底为平整、洁净的绝缘衬底，包括SiO2、Si3N4、Al2O3、MgO、CaO和聚酰亚胺中的一种，或者为平整、洁净的本征半导体衬底，包括Si、Ge、GaAs、GaN、GaSb、GaP、AlAs、InAs、InP、InSb、SiC、ZnO、ZnS、CdS、CdTe和金刚石中的一种。
上述方案中，所述纳米电极的间距为5纳米至100纳米，纳米电极的厚度为20纳米至50纳米，纳米电极的材料为Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr和ITO中的一种。
上述方案中，所述纳米晶的材料为Si、Ni、Cu、Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr和WTi中的一种，纳米晶的直径为2至20纳米。
上述方案中，所述生长的绝缘介质为SiO2、Si3N4、HfO2、HfAlO和HfSiON中的一种，厚度为5至20纳米。
上述方案中，所述栅电极材料为多晶硅、TaN和IrO2中的一种，栅电极的厚度为20至100纳米。
为达到上述目的的另一个方面，本发明提供了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件的制作方法，该方法包括：
在绝缘衬底上制备金属纳米电极；
在金属纳米电极之间生长一层纳米薄膜，然后退火形成纳米晶材料；
在库仑岛上生长绝缘介质作为栅介质，在绝缘介质上生长栅电极。
上述方案中，所述在绝缘衬底上制备金属纳米电极的步骤中，是采用电子束光刻、金属淀积和剥离工艺实现的。
上述方案中，所述在金属纳米电极之间生长一层纳米薄膜的步骤中，是在纳米电极之间利用溅射、蒸发、原子层沉积方法中的一种生长一层厚度为1纳米至3纳米的Si、Ni、Cu、Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr、WTi薄膜中的一种。
上述方案中，所述退火形成纳米晶材料，是在氮气中在600℃至1300℃温度下退火10秒至30秒形成纳米晶材料。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、利用本发明，通过一对纳米电极作为源和漏电极，利用生长的纳米晶作为库仑岛，从而使器件结构简单、与传统CMOS工艺兼容性好。
2、利用本发明提供的制作用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件的方法，大大简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了制作效率，非常有利于本发明的广泛推广和应用。
3、本发明采用的电子束光刻技术是一种有效的纳米加工手段，具有纳米级的分辨率，特别是在原子序数相对较小的衬底上，分辨率更高。本发明利用电子束光刻技术制备出的纳米电极的间距具有纳米尺度，最小可达到5纳米，非常适合于制作纳米电子器件。
4、本发明采用生长的纳米晶颗粒作为库仑岛，直径很小，最小可以达到2纳米，从而提高了纳米电子器件的工作温度。
附图说明
图1是现有技术中库仑岛的结构示意图；
图2是本发明提供的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件的制作方法流程图；
图3至图11是依照本发明实施例制作用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图2所示，图2是本发明提供的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件的制作方法流程图，该方法包括：
步骤201：采用电子束光刻、金属淀积和剥离工艺在绝缘衬底上制备金属纳米电极；
步骤202：在纳米电极之间利用溅射、蒸发、原子层沉积方法中的一种生长一层厚度为1纳米至3纳米的Si、Ni、Cu、Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr、WTi薄膜中的一种，然后在氮气中在600℃至1300℃温度下退火10秒至30秒形成纳米晶材料；
步骤203：在库仑岛上生长绝缘介质作为栅介质，在绝缘介质上生长栅电极。
图3至图11示出了依照本发明实施例制作用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件的工艺流程图。需要说明的是，本发明提供优选实施例，但不应该被认为仅限于再次阐述的实施例。在图中，为了清楚放大了层和区域的厚度，但作为示意图不应该被认为严格反应了几何尺寸的比例关系。
如图3所示，在表面平整、洁净的绝缘衬底1上用匀胶机涂敷一层厚度为100纳米至500纳米的高分辨正性电子抗蚀剂2，如PMMA、ZEP520、KRS、UV-III、P(SI-CMS)等。然后对上述涂敷好的电子抗蚀剂2采用烘箱或热板进行一定时间和一定温度的前烘。
如图4所示，对正性抗蚀剂2的区域3和区域4进行电子束直写曝光，区域5、6不曝光。区域3和区域4的间隔即未曝光的区域5的宽度为5至100纳米。电子束曝光的加速电压为50或100KeV，电子束流小于或等于500pA。采用KRS、UV-III这两种化学放大抗蚀剂时还需在曝光后在显影前采取后烘步骤。
如图5所示，对曝光过的正性抗蚀剂进行显影和定影，去除曝光区域的电子抗蚀剂，形成用于淀积电极材料薄膜的抗蚀剂掩模9、10。显影后得到凹槽图形7、8。
如图6所示，采用蒸发或溅射方法沉积Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr、ITO等导电的电极材料薄膜11、12、13，电极薄膜11、12、13的厚度低于电子抗蚀剂掩模9、10的厚度，电极薄膜不连续，一部分(13)沉积于电子抗蚀剂掩模9、10之上，另一部分(11、12)沉积于绝缘介质1之上，形成所需的纳米电极11、12。
如图7所示，采用丙酮浸泡、超声剥离抗蚀剂掩模9、10及其上方的金属电极薄膜13，完成在绝缘介质1上的间隔仅为5纳米至100纳米的纳米电极11、12的制备。图8为纳米电极11、12的顶视图，电极尖端的宽度为5纳米至100纳米。
如图9所示，利用溅射、蒸发、原子层沉积等方法生长一层厚度为1纳米至3纳米的Si、Ni、Cu、Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr、WTi薄膜，并对上述生长的薄膜在氮气中在600℃至1300℃温度下退火10秒至30秒形成纳米晶材料14，其中位于纳米电极11、12之间的纳米晶颗粒15用作库仑岛。
如图10所示，利用化学气相沉积、溅射、原子层沉积等方法在库仑岛15之上生长SiO2、Si3N4、HfO2、HfAlO、HfSiON等绝缘栅介质16，栅介质的厚度为5纳米至20纳米。
如图11所示，利用化学气相沉积、溅射、原子层沉积等方法在绝缘栅介质16之上生长多晶硅、TaN、IrO2等栅电极17，栅电极17的厚度为20纳米至100纳米。
下面以使用ZEP520正性电子抗蚀剂、蒸发Cr/Au双层金属电极薄膜为例，再次结合图3至图11进一步说明本发明的详细工艺方法和步骤，其中：
如图3所示，在二氧化硅绝缘衬底1上用匀胶机涂敷单层ZEP520正性电子抗蚀剂2，涂敷转速为2000rpm，涂敷时间为60秒，抗蚀剂厚度为485纳米。然后用烘箱在180℃下前烘20分钟。
如图4所示，对ZEP520抗蚀剂2的区域3和区域4进行电子束直写曝光，区域5、6不曝光。区域3和区域4的宽度为350纳米，区域3和区域4的间隔即未曝光的区域5的宽度为50纳米。电子束曝光可采用JEOLJBX-6300FS电子束光刻系统，加速电压为100KeV，电子束流为500pA，曝光剂量为170μC/cm2。
如图5所示，用乙酸戊酯显影液显影2分钟，立即用甲基异丁基酮(MIBK)定影液定影15秒，形成电极材料薄膜淀积的抗蚀剂掩模9、10。显影、定影后得到凹槽图形7、8。
如图6所示，蒸发50纳米厚的Cr/Au金属电极材料薄膜11、12、13，其中Au层较厚，主要利用其良好的导电性；Cr层较薄，起增强Au与SiO2介质的粘附性的作用。Cr/Au总厚度低于ZEP520抗蚀剂掩模9、10的厚度，Cr/Au薄膜不连续，一部分Cr/Au薄膜(13)沉积于ZEP520抗蚀剂掩模9、10之上，另一部分沉积于SiO2衬底1之上，形成所需的Cr/Au纳米电极11、12。
如图7所示，采用丙酮浸泡、超声剥离ZEP520抗蚀剂掩模9、10及其之上的Cr/Au金属电极薄膜13，完成在绝缘介质1上的Cr/Au纳米电极11、12的制备。图8为Cr/Au纳米电极11、12的顶视图，电极尖端的宽度小于100纳米，纳米电极的间隔小于100纳米。
如图9所示，利用电子束蒸发方法沉积一层厚度为2纳米的Au薄膜，并对生长的Au薄膜在氮气中在900℃温度下退火10秒，在SiO2绝缘衬底1表面上形成Au纳米晶材料14，其中位于纳米电极11、12之间的Au纳米晶颗粒15用作库仑岛。
如图10所示，利用原子层沉积方法在库仑岛15之上生长一层HfSiON绝缘栅介质16，栅介质16的厚度为10纳米。
如图11所示，利用溅射方法在栅介质16之上生长TaN栅电极17，栅电极17的厚度为60纳米。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，其特征在于，该纳米电子器件由源、漏、栅、库仑岛、栅介质构成，利用衬底上的一对纳米电极作为源和漏电极，利用纳米电极之间的纳米晶作为库仑岛，利用纳米电极上生长的绝缘介质作为栅介质，利用绝缘介质上生长的电极作为栅电极；其中，所述纳米晶的材料为Si、Ni、Cu、Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr和WTi中的一种；库仑岛的直径达到2纳米，提高了纳米电子器件的工作温度。
2.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，其特征在于，所述衬底为平整、洁净的绝缘衬底，包括SiO2、Si3N4、Al2O3、MgO、CaO、聚酰亚胺中的一种，或者为平整、洁净的本征半导体衬底，包括Si、Ge、GaAs、GaN、GaSb、GaP、AlAs、InAs、InP、InSb、SiC、ZnO、ZnS、CdS、CdTe、金刚石中的一种。
3.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，其特征在于，所述纳米电极的间距为5纳米至100纳米，纳米电极的厚度为20纳米至50纳米，纳米电极的材料为Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr和ITO中的一种。
4.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，其特征在于，所述生长的绝缘介质为SiO2、Si3N4、HfO2、HfAlO和HfSiON中的一种，厚度为5至20纳米。
5.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，其特征在于，所述栅电极材料为多晶硅、TaN和IrO2中的一种，栅电极的厚度为20至100纳米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910077678 CN101800242B (zh) | 2009-02-11 | 2009-02-11 | 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910077678 CN101800242B (zh) | 2009-02-11 | 2009-02-11 | 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101800242A CN101800242A (zh) | 2010-08-11 |
| CN101800242B true CN101800242B (zh) | 2013-03-06 |
Family
ID=42595824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200910077678 Active CN101800242B (zh) | 2009-02-11 | 2009-02-11 | 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101800242B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102208340B (zh) * | 2011-05-23 | 2014-04-23 | 中国科学院半导体研究所 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 |
| CN102956759B (zh) * | 2011-08-22 | 2015-04-01 | 山东浪潮华光光电子有限公司 | 一种剥离制备ito图形的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7098092B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-08-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Single electron device, method of manufacturing the same, and method of simultaneously manufacturing single electron device and MOS transistor |
| CN1979768A (zh) * | 2005-12-08 | 2007-06-13 | 中国科学院微电子研究所 | 采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法 |
| CN101122006A (zh) * | 2006-08-10 | 2008-02-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 |
| US7419849B2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing single electron semiconductor element |
| CN101542700A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-09-23 | 忠北大学校产学协力团 | 室温运行的单电子器件及其制造方法 |
-
2009
- 2009-02-11 CN CN 200910077678 patent/CN101800242B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7098092B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-08-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Single electron device, method of manufacturing the same, and method of simultaneously manufacturing single electron device and MOS transistor |
| CN1979768A (zh) * | 2005-12-08 | 2007-06-13 | 中国科学院微电子研究所 | 采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法 |
| US7419849B2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing single electron semiconductor element |
| CN101122006A (zh) * | 2006-08-10 | 2008-02-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 |
| CN101542700A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-09-23 | 忠北大学校产学协力团 | 室温运行的单电子器件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101800242A (zh) | 2010-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107342345B (zh) | 一种基于铁电栅介质和薄层二硫化钼沟道的光电晶体管 | |
| CN103311276B (zh) | 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN103606564B (zh) | 一种电编程-紫外光擦除的存储器件结构及其制备方法 | |
| CN107482014B (zh) | 一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法 | |
| CN106129257B (zh) | 一种钙钛矿薄膜光电晶体管及其制备方法 | |
| Wang et al. | Top-gate electric-double-layer IZO-based synaptic transistors for neuron networks | |
| Li et al. | Precise Patterning of Large‐Scale TFT Arrays Based on Solution‐Processed Oxide Semiconductors: A Comparative Study of Additive and Subtractive Approaches | |
| CN101783364B (zh) | 一种纳米电子器件的制作方法 | |
| CN101692463B (zh) | 一种混合纳米晶存储器的电容结构及其制备方法 | |
| CN103117226A (zh) | 一种合金氧化物薄膜晶体管的制备方法 | |
| CN109545966A (zh) | 一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器及其制备方法 | |
| CN102110777B (zh) | 一种有机浮栅场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN101800242B (zh) | 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 | |
| CN110098256A (zh) | 场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN100477095C (zh) | 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法 | |
| WO2023082652A1 (zh) | 薄膜晶体管存储器及其制备方法 | |
| Mishra et al. | Ferroelectric and switching properties of spray deposited NaNO2: PVA composite films on porous silicon | |
| Kumar et al. | Kink effect in TiO2 embedded ZnO quantum dot‐based thin film transistors | |
| CN109326713A (zh) | 一种基于光调控的有机场效应多阶晶体管存储器及其制备方法 | |
| KR100736850B1 (ko) | 금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는플래시 메모리 소자의 제조방법 | |
| CN101090134A (zh) | 一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法 | |
| CN100466204C (zh) | 一种纳米级库仑岛结构的制备方法 | |
| CN104505435A (zh) | 用于制造太阳能电池的图形化掩膜方法 | |
| Teng et al. | Ferroelectric controlled interfacial effect on the electronic properties of PZT gated IGZO channel thin-film transistors | |
| CN100492664C (zh) | 一种soi基顶栅单电子晶体管的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211222 Address after: 230000 China (Anhui) pilot Free Trade Zone, Hefei, Anhui Province a1205-a1208, future center, Institute of advanced technology, University of science and technology of China, No. 5089, Wangjiang West Road, high tech Zone, Hefei Patentee after: Hefei Zhongke microelectronics Innovation Center Co.,Ltd. Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Patentee before: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences |