CN101766057B

CN101766057B - 有机电致发光装置的制造方法

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Publication number: CN101766057B
Application number: CN2008801009491A
Authority: CN
Inventors: 佐佐木诚; 森岛进一; 伊藤范人
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2007-07-31
Filing date: 2008-07-18
Publication date: 2012-11-28
Anticipated expiration: 2028-07-18
Also published as: US8354287B2; JP2009037813A; KR20100053534A; WO2009016978A1; GB201001528D0; CN101766057A; GB2464423A; DE112008002066T5; TW200917886A; GB2464423B; US20100210047A1

Abstract

本发明提供一种有机电致发光装置的制造方法，该方法当形成对有机EL元件进行密封的包含无机物层的被覆膜时，能够抑制对有机EL元件造成的损伤。有机EL元件(20)是在至少一方为透明或半透明的一对电极之间夹持包含发光层的有机EL层(22)而构成，密封层(30)含有与有机EL元件(20)接触的至少1层的无机物膜，且对该有机EL元件(20)进行密封。当在基板(10)上形成有机EL元件(20)与密封层(30)时，利用对置靶式溅射法来形成密封层(30)中的与有机EL元件(20)接触的第一密封膜(31)，利用对置靶式溅射法以外的其他成膜方法来形成密封层(30)中的其他无机物膜。

Description

有机电致发光装置的制造方法

技术领域

本发明是关于一种有机电致发光装置的制造方法。以下，存在将电致发光(Electro Luminescence)简称为EL的情形。

背景技术

有机EL元件具有如下的构造：在至少其中一方为透明或半透明的一对电极之间，夹持着包含发光层的有机EL层，该发光层是由有机发光材料形成的。若在具有此种构造的有机EL元件的一对电极之间施加电压，则电子自阴极注入至发光层，空穴(hole)自阳极注入至该发光层，该电子与空穴会在发光层中进行再结合。接着，利用此时产生的能量激发发光层中的发光材料，从而由发光层来发光。在本说明书中，将在基板上形成了有机EL元件的装置称为有机EL装置。例如，在平板状的基板上形成了有机EL元件的有机EL装置，可以用于面状光源、段式(segment)显示装置以及点阵(dottoatrix)式显示装置等。

若有机EL元件暴露于水蒸气或氧气中则会发生劣化。因此，例如在玻璃基板等的基板上，依次层叠阳极、包含发光层的有机EL层及阴极而形成有机EL元件之后，利用由氮化硅等形成的无机钝化膜(inorganicpassivation film)以及于无机钝化膜的表面上的由树脂形成的树脂密封膜，来覆盖整个有机EL元件，由此可防止因有机EL元件与水蒸气接触而引起的劣化(例如，参照专利文献1)。此处，无机钝化膜是通过等离子体化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法或溅射法(sputteringmethod)来形成的。

专利文献1：日本专利特开2000-223264号公报

然而，目前存在有用于形成无机钝化膜的各种溅射法，但一般使用成膜速度快的磁控溅射法(magnetron sputtering method)。如上所述，该磁控溅射法能够以高成膜速度形成无机钝化膜，但存在如下的问题，即，由于成膜时的等离子体等的影响，有机EL元件中的发光层会受到损伤(damage)。另外，目前的用于形成无机钝化膜的等离子体CVD法或热CVD法等的CVD法，也能够以高成膜速度形成无机钝化膜，但仍存在如下的问题，即，在成膜时，有机EL元件中的发光层会由于热量及等离子体而受到损伤。其结果，目前的无机钝化膜的形成方法存在会使发光层的发光特性劣化的问题。

发明内容

本发明定鉴于上述问题开发而成，目的在于提供一种有机EL装置的制造方法，该有机EL装置当形成将有机EL元件密封的包含无机物层的覆盖膜时，能够抑制对有机EL元件造成的损伤。

为了实现上述目的，本发明提供一种采用了下述构成的有机EL装置的制造方法。

[1]是一种有机电致发光装置的制造方法，所述有机电致发光装置是由有机电致发光元件搭载于支撑基板上，并且所述有机电致发光元件被所述支撑基板与至少包含第一无机物膜及第二无机物膜的密封层所围绕从而与外界隔断而形成的，

所述有机电致发光装置的制造方法包括：

利用对置靶式溅射法，并以覆盖所述搭载于支撑基板上的有机电致发光元件的露出面的方式来形成所述第一无机物膜的工序；以及

在形成所述第一无机物膜之后，利用与对置靶式溅射法不同的成膜方法来形成覆盖所述第一无机物膜的第二无机物膜的工序。

[2]如上述[1]所述的有机电致发光装置的制造方法，其中，所述与对置靶式溅射法不同的成膜方法为CVD法或者磁控溅射法。

[3]是一种有机电致发光装置的制造方法，所述有机电致发光装置是由有机电致发光元件搭载于支撑基板上，并且所述有机电致发光元件被所述支撑基板与至少包含第一无机物膜以及第二无机物膜的密封层所围绕从而与外界隔断而形成的，

所述有机电致发光装置的制造方法包括：

利用对置靶式溅射法，并以覆盖搭载于所述支撑基板上的有机电致发光元件的露出面的方式来形成所述第一无机物膜的工序；以及

在形成所述第一无机物膜之后，再利用与对置靶式溅射法不同的成膜方法来形成第二无机物膜的工序，所述第二无机物膜覆盖所述第一无机物膜且由与所述第一无机物膜相同的材料构成。

[4]如上述[3]所述的有机电致发光装置的制造方法，其中，与所述对置靶式溅射法不同的成膜方法为CVD法或磁控溅射法。

根据本发明，当形成对有机EL元件进行密封的密封膜时，与磁控溅射法或CVD法的情况相比较，能够将对有机EL元件造成的损伤抑制得较小，且能够抑制发光特性的变差，从而具有能够延长有机EL装置的寿命的效果。

附图说明

图1是表示应用了本发明的有机EL装置的构造的一例的部分剖面示意图。

图2-1是表示本发明的有机EL装置的制造方法的一例的部分剖面示意图(之一)。

图2-2是表示本发明的有机EL装置的制造方法的一例的部分剖面示意图(之二)。

图2-3是表示本发明的有机EL装置的制造方法的一例的部分剖面示意图(之三)。

图3是表示对置靶溅镀装置的构成的示意图。

图4-1是表示密封层的构造的一例的部分剖面图。

图4-2是表示密封层的构造的一例的部分剖面图。

图4-3是表示密封层的构造的一例的部分剖面图。

[符号说明]

10、10A：支撑基板

20：有机EL元件

21：阳极

22：有机EL层

23：阴极

30：密封层

31～25、23A、23B：密封膜

36A、36B、36C：无机物膜

37A、37B：有机物膜

38：最上位有机物膜

100：对置靶溅镀装置层

101：真空室

102：基板固持器

103：靶

104：靶固持器

105：真空泵

106：气体供给部

107：电极

108：电源

111：离子

112：溅射粒子

具体实施方式

以下，参照附图来对本发明的实施方式进行更详细的说明。再者，为了便于理解，存在附图中的各部件的缩小比例(scale)与实际不同的情形。另外，本发明并不限定于以下的记载，在不脱离本发明的宗旨的范围内，可适当地进行变更。在有机EL装置中，也存在电极的引线等部件，但由于在本发明的说明中无直接的需要，故而省略其记载。为了便于对层构造等进行说明，在下述所示的示例中，一并说明将基板配置于下方的图，但本发明的有机EL元件及搭载着该有机EL元件的有机EL装置不一定必需配置成该上下左右的朝向而进行制造或使用等，可适当地进行调整。

图1是本发明所应用的有机EL装置的构造的一例的剖面示意图。图1所示的有机EL装置包括支撑基板10、有机电致发光元件20以及密封层30。有机电致发光元件20包括一对电极(21、23)以及夹持于该一对电极(21、23)之间的有机EL层22。有机EL层22具有至少包含有机发光材料的有机发光层。在图1所示的有机EL装置中，通常在支撑基板10上形成有有机EL元件20，该有机EL元件20是依次层叠了阳极21、包含发光层的有机EL层22以及阴极23。图1所示的有机EL装置具有如下的构造：以覆盖形成在支撑基板10上的整个有机EL元件20的方式设置密封层30，并且有机EL元件20被包围于支撑基板10与密封层30之间从而与外界隔断。图1所示的有机EL元件是顶部发光(top emission)型有机EL装置，该装置从形成于支撑基板10上的有机EL元件20的与支撑基板10相反的一侧发射光。

此处，支撑基板10例如可使用玻璃基板、硅基板及塑胶基板等各种基板。另外，阳极21通常使用功函数(work function)相对较大的(优选功函数大于4.0eV)导电性的金属氧化物膜或半透明的金属薄膜等。作为具体例，可使用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，以下称为ITO)、氧化锡等金属氧化物；金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、铜(Cu)等金属或包含这些金属中的至少一种金属的合金；聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机透明导电膜等。另外，若有必要，阳极21也可由两层以上的层结构形成。阳极21的膜厚可考虑电导率(electric conductivity)(底部发光(bottomemission)型的情况下也考虑光的透射性)而适当地选择，该膜厚例如为10nm～10μm，较佳为20nm～1μm，更佳为50nm～500nm。阳极21的制作方法可列举真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法(ion plating method)、电镀法等。予以说明，在顶部发光型的情况下，也可在阳极21的下方设置反射膜，该反射膜用于使射至基板侧的光反射。

有机EL层22至少包含由有机物形成的发光层。该发光层具有发出萤光或磷光的有机物(低分子化合物或者高分子化合物)。予以说明，也可还含有掺杂材料。有机物例如可列举色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料等。另外，掺杂材料是根据需要而掺杂至有机物中的，目的在于提高有机物的发光效率或改变发光波长等。由这些有机物与根据需要而掺杂的掺杂材料所形成的发光层的厚度通常为

(色素系材料)

色素系材料例如可列举环戊胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉(pyrazoloquinoline)衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮(perinone)衍生物、苝衍生物、寡聚噻吩(oligothiophene)衍生物、trifumanylamine、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。

(金属络合物系材料)

金属络合物系材料例如可列举铟络合物、铂络合物等具有来自三重激发态的发光的金属络合物；以及羟基喹啉铝(alumiquinolinol)络合物、苯并羟基喹啉铍(benzoquinolinol beryllium)络合物、苯并噁唑锌(benzoxazolyl-zinc)络合物、苯并噻唑锌(benzothiazole-zinc)络合物、偶氮甲基锌(azomethyl-zinc)络合物、卟啉锌(porphyrin-zinc)络合物、铕络合物等之类的以铝(Al)、锌(Zn)、铍(Be)等或铽(Tb)、铕(Eu)、镝(Dy)等稀土类金属为中心金属且以噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉构造等为配位基的金属络合物等。

(高分子系材料)

高分子系材料例如可列举聚对亚苯基亚乙烯(poly para-phenylenevinylene)衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物以及使所述色素体及金属络合物系发光材料高分子化而成的物质等。

在发光性材料中，发出蓝色光的材料例如可列举二苯乙烯基亚芳基衍生物、噁二唑衍生物以及这些物质的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚对苯衍生物、聚芴衍生物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。其中，优选高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚对苯衍生物及聚芴衍生物等。

另外，发出绿色光的材料例如可列举喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物以及这些物质的聚合物、聚对苯乙烯衍生物、聚芴衍生物等。其中，优选高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯衍生物、聚芴衍生物等。

另外，发出红色光的材料例如可列举香豆素衍生物、噻吩环化合物、以及这些物质的聚合物、聚对亚苯基亚乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。其中，优选高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯衍生物、聚噻吩衍生物以及聚芴衍生物等。

(掺杂材料)

掺杂材料例如可列举苝衍生物、香豆素衍生物、红萤烯(rubrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、角鲨烯鎓(squarylium)衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯系色素、并四苯(tetracene)衍生物、吡唑酮衍生物、十环烯(decacyclene)、吩噁嗪酮(phenoxazone)等。

另外，在有机EL层22中，除了发光层以外，也可适当地设置设在该发光层与阳极21之间的层、以及设在该发光层与阴极23之间的层。首先，设在所述发光层与阳极21之间的层，可以列举改善来自阳极21的空穴注入效率的空穴注入层、和改善从阳极21或空穴注入层向发光层注入空穴的空穴输送层等。另外，设在所述发光层与阴极23之间的层，可以列举改善来自阴极23的电子注入效率的电子注入层、以及具有如下的功能的电子输送层等，该功能是指改善来自阴极23、电子注入层或靠近阴极23的电子输送层的电子注入。

(空穴注入层)

形成空穴注入层的材料可列举苯基胺系、星爆式(star burst)型胺系、酞花青系、氧化钒、氧化钼、氧化钌、氧化铝等氧化物、非晶形碳、聚苯胺、以及聚噻吩衍生物等。

(空穴输送层)

构成空穴输送层的材料可例示聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯)或其衍生物、或者聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯)或其衍生物等。

再者，当这些空穴注入层或者空穴输送层具有阻止电子的输送的功能时，有时也将这些空穴输送层或空穴注入层称为电子阻挡层。

(电子输送层)

构成电子输送层的材料可使用众所周知的材料，例如可列举噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮(fluorenone)衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喔喹啉或其衍生物、以及聚芴或其衍生物等。

(电子注入层)

作为电子注入层，根据发光层的种类，可设置由Ca层的单层构造所形成的电子注入层；或者设置由包含如下的层与Ca层的层叠构造所形成的电子注入层，所述层是由功函数为1.5～3.0eV且属于周期表IA族及IIA族中除了Ca以外的金属及该金属的氧化物、卤化物及碳氧化物中的任1种或2种以上所形成的层。作为功函数为1.5～3.0eV且属于周期表IA族的金属或其氧化物、卤化物、碳氧化物的示例，可列举锂、氟化锂、氧化钠、氧化锂、碳酸锂等。另外，作为功函数为1.5～3.0eV且属于周期表IIA族中除了Ca以外的金属或其氧化物、卤化物、碳氧化物的示例，可列举锶、氧化镁、氟化镁、氟化锶、氟化钡、氧化锶、碳酸镁等。

再者，当这些电子输送层或者电子注入层具备阻止空穴的输送的功能时，有时也将这些电子输送层或电子注入层称为空穴阻挡层。

阴极23优选功函数较小(优选小于4.0eV的功函数)且容易将电子注入至发光层的透明或半透明的材料。例如可使用：锂(L)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、铝(Al)、钪(Sc)、钒(V)、锌(Zn)、钇(Y)、铟(In)、铈(Ce)、钐(Sm)、铕(Eu)、铽(Tb)、镱(Yb)等金属，或所述金属中的2种以上的金属的合金，或者这些金属中的1种以上的金属与金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、锡(Sn)中的1种以上的金属的合金，或者石墨或石墨层间化合物、或者ITO、氧化锡等的金属氧化物等。

再者，也可将阴极23设为两层以上的层叠构造。该示例可列举所述金属、金属氧化物、氟化物、这些物质的合金，与Al、Ag、铬(Cr)等金属的层叠构造等。阴极23的膜厚可考虑电导率及耐久性而适当地选择，该膜厚例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，较优选为50nm～500nm。阴极23的制作方法可使用真空蒸镀法、溅射法、或对金属薄膜进行热压接合的层压法等。

可根据将要制造的有机EL装置所要求的性能，来适当地选择这些设在发光层与阳极21之间的层、及设在发光层与阴极23之间的层。例如，本发明中所使用的有机EL元件20的构造可具有下述(a)～(o)的层构成中的任一个。

(a)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

(b)阳极/发光层/电子输送层/阴极

(c)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(d)阳极/空穴注入层/发光层/阴极

(e)阳极/发光层/电子注入层/阴极

(f)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极

(g)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/阴极

(h)阳极/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极

(i)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极

(j)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/阴极

(k)阳极/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

(l)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

(m)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(n)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

(o)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

(此处，/表示各层相邻接而层叠。以下相同。)

予以说明，所述(a)至(o)所示的层构造例也可采用阳极设置于靠近基板侧的方式、以及阴极设置于靠近基板侧的方式中的任一种方式。

设置密封层30的目的在于，为了防止水蒸气或氧气等气体与有机EL元件20接触，而利用相对于所述气体具有高阻隔性的层来密封有机EL元件20。密封层包括无机物膜。在本实施方式中，密封层30包括第一无机物膜与第二无机物膜，并且至少第一无机物膜形成为与有机EL元件20接触。密封层30具有至少1层无机物膜，且优选为不具有针孔(pin hole)等缺陷的连续性致密膜。密封层30的无机物膜例如可使用SiN膜、SiO膜、SiON膜及Al₂O₃膜等单体膜及这些膜的层叠膜，或者这些膜与丙烯酸单体等有机物膜的层叠膜。在本例中，密封层30包括形成在支撑基板10侧的第一密封膜31(第一无机物膜)以及材料与第一密封膜31相同而形成方法与第一密封膜31不同的第二密封膜32(第二无机物膜)。另外，对于本实施方式的变形例而言，也可利用互不相同的材料来形成第一密封膜31与第二密封膜32。

其次，对具有此种构成的有机EL装置的制造方法进行说明。图2-1～图2-3是表示本发明的有EL装置的制造方法的一例的示意图。首先，利用先前已众所周知的方法，在玻璃基板等支撑基板10上，依次形成己图案化为规定形状的阳极21、包含发光层的有机EL层22以及阴极23，从而形成有机EL元件20(图2-1)。此时，例如当将有机EL装置用作点矩阵显示装置时，为了将发光区域划分为矩阵状而形成未图示的隔壁(bank)，在由该障壁围绕的区域中形成包含发光层的有机EL层22。

接着，在形成着有机EL元件20的支撑基板10上，利用对置靶式溅射法来形成规定厚度的第一密封膜31(图2-2)。对置靶式溅射法是溅射法的一种。所谓溅射法是指薄膜形成方法的一种，是使原子尺寸或分子尺寸的微粒冲撞至靶材料(薄膜的材料)，并以气相的方式释放出靶材料微粒，使该靶材料微粒以薄膜的形式堆积于该规定的基板表面上的方法。有时将使原子尺寸或分子尺寸的微粒冲撞至靶材料，并以气相的方式释放出靶材料微粒的过程称为(狭义的)溅射。

该第一密封膜31的厚度优选至少为50nm以上。其原因在于，若第一密封膜31的厚度小于50nm，则当利用对置靶式溅射法以外的成膜方法在该第一密封膜21上形成第二密封膜32时，会对有机EL元件20造成损伤，使得该有机EL元件20的寿命与现有的有机EL元件20的寿命程度相同。若第一密封膜31的厚度为50nm以上，则当利用对置靶式溅射法以外的磁控溅射法或CVD法等成膜方法在该第一密封膜31上形成第二密封膜32时，能够将对有机EL元件20造成的损伤抑制得较低，从而能够有效地改善元件的短寿命化。再者，也可使第一密封膜31厚于50nm，但在该情况下，由于对置靶式溅射法的特性会导致成膜较为耗时，因此，第一密封膜31的厚度是根据有机EL装置的制造所耗费的时间来适当选择的。

图3是表示对置靶溅镀装置的构成的示意图。如该图所示，对置靶溅镀装置100包括：基板固持器(holder)102，其在真空室101内保持支撑基板10(形成着有机EL元件20的支撑基板10A)；一对靶103，其由构成第一密封膜31的材料或该材料的一部分形成；靶固持器104，其以使各个靶103相对置的方式来保持靶103，并且具有在靶103之间施加直流磁场的永久磁铁；真空泵105，其以使真空室101内成为规定的真空度的方式进行排气；以及气体供给部106，其在成膜过程中将规定的气体供给至真空室101内。基板固持器102位于两个靶固持器104之间的区域的外侧，且配置为使基板面朝向相对置的靶固持器104之间的区域。另外，在各个靶固持器104的保持着靶103的一侧设置有电极107，靶固持器104与电极107连接于电源108。此处，例如，当由SiO膜来构成第一密封膜31时，将SiO或Si的块体(bulk)用作靶103。其中，当使用Si靶时，以使SiO膜堆积于基板固持器102所保持的支撑基板10A的表面的方式，将氧气等从气体供给部106供给至真空室101内。另外，当形成由其他材料构成的第一密封膜31时，也与所述情形相同。

在此种对置靶溅镀装置100中，将支撑基板10A保持于基板固持器102，并利用真空泵105使真空室101内达到规定的真空度之后，将氩气(也可根据需要而使用其他气体)从气体供给部106供给至真空室101内。此时，若利用电源108对靶固持器104与电极107之间施加规定的电压，则会在相对置地配置的靶103之间产生等离子体。利用在成膜过程中产生的电场与直流磁场，等离子体在相对置的靶103之间的狭窄区域中高密度地形成为柱状。利用施加于靶固持器104的电压对该等离子体中的离子111加速，该离子111冲撞至靶103，从而飞溅出靶构成粒子。接着，该溅射粒子112的一部分到达支撑基板10A的表面，并堆积于该表面上，由此在有机EL元件20上形成被覆膜(第一密封膜31)。

如上所述，在成膜过程中，等离子体封入于对置的靶103之间的区域中，因此，支撑基板10A不会暴露于等离子体中。其结果，有机EL元件20的发光层不会由于等离子体而受到损伤。

然后，利用CVD法或磁控溅射法等对置靶式溅射法以外的成膜法，在第一密封膜31上形成规定厚度的第二密封膜32(图2-3)。在形成该第二密封膜32时，使用与对置靶式溅射法相比成膜速度较高的成膜法。通过以上的工序来制造有机EL装置。再者，在图1与图2-3中，由于以不同的方法来形成第一密封膜31与第二密封膜32，故而分开描绘该第一密封膜31与第二密封膜32，但实际上，该第一密封膜31与第二密封膜32由相同的材料构成，因此并不存在如图所示的明确的边界。

在本实施形态所示的示例中，首先，利用对置靶式溅射法来形成规定厚度的第一密封膜，然后，利用通常使用的成膜速度快的对置靶式溅射法以外的成膜法，来形成由与第一密封膜相同的材料构成的第二密封膜，因此，能够减小成膜时对有机EL元件20造成的损伤。

再者，在所述说明中，列举了利用不同的制造方法来形成由一种材料构成的密封层30的情形，但本发明并不限定于该示例，也可利用其他方法来形成该密封层30。图4-1～图4-3是表示密封层的构造的一例的图。再者，在这些图中，对与所述图相同的构成要素标记相同的符号，并省略其说明。

图4-1是表示利用三层的无机物膜来构成密封层的情形的图。利用从支撑基板10(有机EL元件20)侧依次层叠有SiN膜33/SiO膜或SiON膜34/SiN膜35的三层的层叠构造，来形成该密封层30。其中，利用对置靶式溅射法来形成最下层的SiN膜33，通过CVD法或者磁控溅射法等的方法，来形成其他的SiO膜或SiON膜34、与形成在其上的SiN膜35。

图4-2是表示与图4-1同样地利用三层的无机物膜(33-35)来构成密封层的情形的图。该图表示了如下的情形，即，在该密封层30中，由第一SiN膜33A与第二SiN膜33B来构成图4-1的情形下的最下层的SiN膜33，该第一SiN膜33A由对置靶式溅射法而形成，该第二SiN膜33B利用CVD法或磁控溅射法等的方法而形成在所述第一SiN膜33A上。再者，对与图4-1相同的构成标记相同的符号，并省略其说明。

图4-3是表示利用无机物膜(36A～36C)与有机物膜(37A、37B以及38)的层叠构造来构成密封层的情形的图。该密封层30具有如下的构造：从支撑基板10(有机EL元件20)侧相互地依次形成无机物膜36A、36B、36C与有机物膜37A、37B，最上位有机物膜38形成在最上位的无机物膜36C上。此处，有机物膜37A、37B以及最上位有机物膜38填埋形成在无机物膜36A、36B、36C上的针孔等缺陷，具有提高阻隔性的功能。另外，所形成的有机物膜37A、37B的形成区域必需窄于无机物膜36A、36B、36C的形成区域。其原因在于，若使有机物膜37A、37B的端部与无机物膜36A、36B、36C相同，则有机物膜37A、37B的端部会露出于外部气体中，从而会导致这些有机物膜37A、37B自此处开始劣化。

利用所述对置靶式溅射法形成最下层的无机物膜36A，通过急骤蒸镀法(flash deposition)等形成有机物膜37A、37B以及最上位有机物膜38，并利用CVD法或磁控溅射法来形成其他的无机物膜36B、36C，由此来制造具有所述构造的密封层30。

在所述说明中，列举顶部发光型的有机EL装置进行了说明，但也可将本发明应用于底部发光型的有机EL装置，该底部发光型的有机EL装置从支撑基板10侧发出由有机EL层22产生的光。

另外，本发明的有机EL元件可用作面状光源、段式显示装置、以及点矩阵显示装置。

根据本实施方式，当形成用于使形成在支撑基板10上的有机EL元件20与外部气体隔断的密封层30时，首先利用对置靶式溅射法来形成规定厚度的第一密封膜31，并利用CVD法或磁控溅射法在该第一密封膜31上形成第二密封膜32，因此具有如下的效果，即，可以形成密封层30而不会对有机EL元件20造成损伤。另外，利用对置靶式溅射法来形成密封层30的一部分，并利用成膜速度快的CVD法或磁控溅射法等来形成该密封层30的其他部分，因此也具有如下的效果，即，与利用对置靶式溅射法来形成所有的密封层30的情况相比，生产效率得到了提高。

实施例

以下，参照实施例及比较例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。

(实施例)

首先，在作为基板(10)的玻璃基板上，利用溅射法形成膜厚约为150nm的ITO膜，并使用光刻技术与蚀刻技术使所述ITO膜图案化为规定形状，从而形成阳极(21)。接着，利用有机溶剂、碱性清洗剂以及超纯水对形成有阳极21的玻璃基板(10)进行清洗，使该玻璃基板(10)干燥，然后利用紫外线/臭氧清洗装置进行紫外线/臭氧清洗处理。

其次，利用直径为0.5μm的过滤器过滤聚(3，4)-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Baytron(注册商标)P TP AI 4083(商品名)、HC Starck-V公司制造)的悬浊液，利用旋涂法使过滤后的悬浊液在形成有阳极(21)的玻璃基板(10)上形成厚度为70nm的膜。然后，将玻璃基板(10)放置于加热板上，于大气环境下以200℃干燥10分钟，从而形成空穴注入层。

接着，使用以1∶1混合了二甲苯与苯甲醚而得的溶剂制作1.5重量％的高分子有机发光材料(Lumation GP1300(商品名)，Sumation公司制)的溶液。利用旋涂法使该溶液在形成有空穴注入层的玻璃基板(10)上形成膜厚为80nm的膜，从而形成发光层。然后，将玻璃基板(10)上的引出电极(extraction electrode)部及密封区域部分中的发光层除去，将玻璃基板(10)导入至真空室内，并移至加热室。予以说明，在以后的工序中，由于在真空中或者氮气环境中进行处理，故而处理过程中的有机EL装置不会暴露于大气中。

将玻璃基板(10)移动至加热室之后，使真空室内的加热室达到1×10^-4Pa以下的真空度，以约100℃的温度加热60分钟。接着，将玻璃基板(10)移动至蒸镀室，使阴极掩模与玻璃基板(10)对齐，以有机EL装置中的进行发光的区域即发光部、与引出电极部形成阴极(23)的方式进行蒸镀。在此，利用电阻加热法并以约

的蒸镀速度对金属Ba进行加热，并利用下述Ba膜与下述Al膜来形成阴极(23)，所述Ba膜是进行蒸镀直至膜厚达到为止而成的膜，所述Al膜是利用电子束蒸镀法并以约

的蒸镀速度来进行蒸镀，直至膜厚达到100A为止而成的膜。然后，将玻璃基板(10)移动至具有对置靶溅镀装置的真空室中，将氢气与氧气导入至真空室内，利用对置靶式溅射法来形成膜厚为的ITO膜。通过以上工序，在玻璃基板(10)上形成有机EL元件(20)。

然后，将具有对置靶溅镀装置的真空室内的溅镀靶由ITO更换为硅，将氩气与氮气导入至真空室内。接着，通过对置靶式溅射法，在已制得有机EL元件(20)的玻璃基板(10)上堆积

的作为第一密封膜(31)的氮化硅(SiN)膜。

然后，将玻璃基板(10)从具有对置靶溅镀装置的真空室移动至具有等离子体CVD装置的真空室。接着，将硅烷气体与氮气导入至具有等离子体CVD装置的真空室内，使用等离子体CVD法形成厚度为约2μm的作为第二密封膜(32)的SiN膜。通过以上的工序来制造有机EL装置。

(比较例)

为了与实施例中制得的有机EL装置进行比较对照，在本比较例中制造有机EL装置。予以说明，在玻璃基板(10)上形成有机EL元件(20)，并利用对置靶式溅射法在该有机EL元件(20)上形成厚度为的ITO膜，至此为止的工序与实施例相同。

然后，在使已制得有机EL元件(20)的玻璃基板(10)不暴露于大气中的情况下，将该玻璃基板(10)从具有对置靶溅镀装置的真空室移至具有等离子体CVD装置的真空室。接着，将硅烷气体与氮气导入至具有等离子体CVD装置的真空室内，利用等离子体CVD法来形成2μm的SiN膜。

对以上述方式在实施例与比较例中制得的有机EL装置的有机EL元件(20)施加10V的电压，测定并评价亮度，确认：与利用等离子体CVD法来形成整个密封层(30)的比较例的有机EL装置相比较，实施例的有机EL装置的亮度得到提高，该实施例的有机EL装置是利用对置靶式溅射法来制作密封层(30)的一部分且具有SiN膜。

产业上可利用性

如上所述，本发明的有机EL装置的制造方法可有效地用于将有机EL元件与水蒸气等气体相隔断的情况。

Claims

1.一种有机电致发光装置的制造方法，所述有机电致发光装置是由有机电致发光元件搭载于支撑基板上，并且所述有机电致发光元件被所述支撑基板与至少包含第一无机物膜以及第二无机物膜的密封层所围绕从而与外界隔断而形成的，

所述有机电致发光装置的制造方法包括：

在形成所述第一无机物膜之后，再利用与对置靶式溅射法不同的成膜方法并以比对置靶式溅射法更快的成膜速度来形成第二无机物膜的工序，所述第二无机物膜覆盖所述第一无机物膜且由与所述第一无机物膜相同的材料构成，

所述第一无机物膜以及第二无机物膜为SiN膜、SiO膜或SiON膜中的任一种单体膜。

2.如权利要求1所述的有机电致发光装置的制造方法，其中，

与所述对置靶式溅射法不同的成膜方法为CVD法或磁控溅射法。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置的制造方法，其中，

在形成所述第一无机物膜的工序中，通过对置靶式溅射法形成厚度至少为50nm的第一无机物膜。