CN101266999B - 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 - Google Patents

Abstract

一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，该Al_xIn_yGa_zN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。

Description

氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是指一种使用双氮化铝插入层的氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及其制作方法，可以显著改善材料二维电子气的输运性能，有效限制沟道电子向势垒层和缓冲层泄漏，抑制电流崩塌效应和提高沟道二维电子气迁移率。

背景技术

氮化镓作为第三代宽禁带半导体的典型代表，具有优良的热稳定性及化学稳定性、高击穿电压、高电子饱和漂移速度及优良的抗辐射性能，特别适合制备具有高温、高频、大功率和抗辐照特性的异质结场效应晶体管。氮化镓基异质结场效应晶体管在无线通讯、航天航空、雷达、高温辐射环境、石油勘探、自动化控制、汽车电子等领域具有广阔的应用前景。

氮化镓基异质结场效应晶体管的工作原理：由于组成异质结的两种材料禁带宽度不同，在氮化镓和铝(铟)镓氮异质结界面处形成了势阱和势垒，由于极化效应或调制掺杂产生的自由电子，积累在非掺杂的氮化镓层靠近界面的三角形势阱中，形成二维电子气，由于使势阱中的这些电子与势垒中的电离杂质空间分离，大大降低了库仑散射，从而显著提高了材料的迁移率。研制成器件后，通过栅电极可控制异质结界面处的二维电子气浓度，在一定的直流偏压下，可对高频微波信号进行放大。

铟镓氮或氮化镓沟道双异质结场效应晶体管结构是一种极具应用前景的新型异质结场效应晶体管结构，将AlGaN/GaN单异质结构的三角势阱变为AlGaN/(In)GaN/AlGaN或AlGaN/InGaN/GaN结构的方型势阱，增大了势垒与沟道间的导带差，提高了势阱深度，可显著提高结构对二维电子气的限制作用，降低了二维电子气从沟道向势垒层和缓冲层泄漏，可减少异质结场效应晶体管功率器件的低频噪声，抑制电流崩塌效应，提高异质结场效应晶体管的稳定性和可靠性。

在本发明以前，为了提高缓冲层的势垒高度，(铟)镓氮沟道双异质结场效应晶体管结构通常将沟道层生长在铝镓氮缓冲层上面，与氮化镓缓冲层相比，铝镓氮与衬底(蓝宝石，碳化硅，硅)之间存在着更大的晶格失配，很难直接在衬底上直接外延出高质量的铝稼氮缓冲层，因此需要在铝稼氮层下方首先生长厚的氮化镓缓冲层作为过渡层，导致在铝镓氮缓冲层和厚的氮化镓层的界面容易形成附加导电沟道，影响器件的性能；同时铝镓氮为三元合金，晶体质量较差，界面合金无序和粗糙度散射会对沟道二维电子气的输运性能产生不利影响。因此，目前已有双异质场效应晶体管结构，通过铝镓氮缓冲层的引入，虽然提高了缓冲层一侧的势垒高度，增强了缓冲层对沟道二维电子气的限制作用，但同时导致外延生长更加困难，在目前工艺条件下，很难得到高质量(铟)镓氮沟道双异质结场效应晶体管结构材料，这是导致目前双异质结场效应晶体管结构未能充分发挥该结构优势的重要原因，需要进一步采取措施对双异质结场效应晶体管结构进行进一步优化设计。

发明内容

本发明的第一个目的是提供一种氮化镓基双异质结场效应晶体管，具有更低的缺陷密度和更高的晶体质量。

本发明的第二个目的是提供一种氮化镓基双异质结场效应晶体管，可更加有效限制沟道电子向缓冲层、势垒层和表面泄漏。

本发明的第三个目的是提供一种氮化镓基双异质结场效应晶体管，具有更高的二维电子气输运性能。

本发明的第四个目的是该结构还可以有效抑制电流崩塌效应，提高器件的稳定性和可靠性；

本发明的第五个目的是提供一种氮化镓基双异质结场效应晶体管及制作方法，具有工艺合理、成品率高的优点。

为达到上述目的，本发明提供一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，其特征在于，其中包括：

一衬底；

一低温氮化镓或高温氮化铝层，该低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；

一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；

一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；

一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；

一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；

一非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，该Al_xIn_yGa_zN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。

其中所述的衬底为蓝宝石衬底或碳化硅或硅衬底。

其中低温氮化镓或高温氮化铝层的厚度为0.01-0.50μm，低温氮化镓层的优选值为0.03-0.30μm，高温氮化铝层的优选值为0.01-0.20μm。

其中非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的厚度为1-5μm。

其中非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的室温电阻率大于1×106Ω.cm，优选值大于1×108Ω.cm。

其中氮化铝第一插入薄层的厚度为0.3-5nm。

其中所述的非有意掺杂氮化镓基沟道层为高迁移率氮化镓沟道层，或铟镓氮沟道层，或氮化铟沟道层。

其中非有意掺杂氮化镓基沟道层的厚度为0.001-0.5μm，高迁移率氮化镓层的优选值为0.03-0.5μm，铟镓氮或氮化铟层的优选值为0.001-0.2μm。

其中所述的非有意掺杂氮化镓基沟道层为非有意掺杂高迁移率氮化镓，室温迁移率大于500cm²/Vs，优选值大于700cm²/Vs。

其中氮化铝第二插入薄层的厚度为0.3-5nm。

其中Al_xIn_yGa_zN层为非有意掺杂的或n型掺杂的，厚度为10-50nm，其中x+y+z＝1，0＜x≤1，0≤y＜1，0≤z＜1。

其中AlxInyGazN层为y＝0时的非有意掺杂的或n型掺杂的铝镓氮层，厚度为10-50nm，优选值范围为15-35nm，铝组分在0.05-0.5之间。

本发明提供一种氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：选择一衬底；

步骤2：在衬底上生长一层低温氮化镓或高温氮化铝成核层；

步骤3：在低温氮化镓或高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；

步骤4：在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长氮化铝第一插入薄层；

步骤5：在氮化铝第一插入薄层上生长非有意掺杂氮化镓基沟道层；

步骤6：在非有意掺杂氮化镓基沟道层上生长氮化铝第二插入薄层；

步骤7：最后在氮化铝第二插入薄层上生长非有意掺杂的或n型掺杂的Al_xIn_yGa_zN层。

其中所述的衬底为蓝宝石衬底或碳化硅或硅衬底。

其中所述的方法为金属有机物化学气相沉积法、分子束外延和气相外延，优先采用金属有机物化学气相沉积法。

其中所述的成核层为低温氮化镓时，生长温度为500-600℃，生长压力为53.34-80.01kPa，生长厚度为0.01-0.50μm，优选值为0.03-0.30μm。

其中所述的成核层为高温氮化铝时，生长温度为800-1200℃，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.01-0.50μm，优选值为0.01-0.20μm。

其中所述的非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的生长温度为900-1100℃，优选值范围为1020-1100℃，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为1-5μm。

其中所述的非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的生长速率为3-5μm/h。

其中所述的非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的室温电阻率大于1×106Ω.cm，优选值大于1×108Ω.cm。

其中所述的氮化铝第一插入薄层的生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.8-3nm。

其中所述的非有意掺杂氮化镓基沟道层为高迁移率氮化镓时，生长温度在900-1100℃，生长压力为40.00-80.00kPa，生长厚度为0.001-0.5μm，优选值为0.03-0.30μm。

其中所述的非有意掺杂高迁移率氮化镓沟道层的生长速率为2-3μm/h。

其中所述的非有意掺杂高迁移率氮化镓沟道层的室温迁移率大于500cm²/Vs，优选值大于700cm²/Vs。

其中所述的非有意掺杂氮化镓基沟道层为铟镓氮或氮化铟时，生长温度在500-900℃，生长压力为6.67-40.00kPa，生长厚度为0.001-0.5μm，优选值为0.001-0.2μm。

其中所述的氮化铝第二插入薄层的生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.8-3nm。

其中所述的非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为10-50nm。

其中所述的非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，为y＝0时的非有意掺杂的或n型掺杂的铝镓氮层，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为10-50nm，优选值范围为15-35nm，铝组分在0.05-0.5之间。

本发明的使用双氮化铝插入层的氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，在氮化稼基沟道层上下两个方向，在氮化镓基沟道层和铝(铟)镓氮势垒层之间，以及氮化镓基沟道层和氮化镓高阻缓冲层之间，分别引入氮化铝插入薄层，形成双异质场效应晶体管结构，通过精确控制生长条件，如温度、压力、V/III比，生长出高品质氮化镓基双异质结场效应晶体管结构材料。双氮化铝插入薄层可进一步提高沟道层两侧的势垒高度，可以更好的将二维电子气限制在沟道层之内。具体来说，氮化铝插入薄层的第一个作用是利用二元化合物将沟道电子和多元化合物铝(铟)镓氮势垒层隔开，减少了电子散射，进一步提高了沟道二维电子气迁移率；氮化铝插入薄层的另一个作用是利用其禁带宽度大于氮化镓的特点，有效限制了电子向铝(铟)镓氮势垒层和氮化镓缓冲层的泄漏，可有效抑制电流崩塌效应。此外，在氮化镓基沟道层和氮化镓高阻缓冲层之间引入的氮化铝第一插入薄层，与传统双异质场效应晶体管在氮化镓基沟道层和氮化镓高阻缓冲层之间引入的铝镓氮厚膜相比，对材料整体结构的晶格匹配影响很小，容易获得高质量的双异质场效应晶体管结构材料，同时避免了附加导电沟道形成的可能性。

附图说明

为进一步说明本发明的内容，以下结合具体实施方式对本发明作一详细的描述，其中：

图1为本发明的氮化镓基双异质结场效应晶体管的典型结构示意图；

图2为本发明的氮化镓基双异质结场效应晶体管的另一典型结构示意图；

图3为本发明的氮化镓基双异质结场效应晶体管结构的电子迁移率及二维电子气浓度随温度的变化曲线。

具体实施方式

本发明为一种使用双氮化铝插入层的氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，该结构的特点为，在氮化稼基沟道层上下两个方向，在氮化镓基沟道层和铝(铟)镓氮势垒层之间，以及氮化镓基沟道层和氮化镓高阻缓冲层之间，分别引入氮化铝插入薄层，形成双异质场效应晶体管结构，通过精确控制生长条件，如温度、压力、V/III比，生长出高品质氮化镓基双异质结场效应晶体管结构材料。双氮化铝插入薄层可进一步提高沟道层两侧的势垒高度，可以更好的将二维电子气限制在沟道层之内，有效限制了电子向铝(铟)镓氮势垒层和氮化镓缓冲层的泄漏，可有效抑制电流崩塌效应。同时氮化铝为二元化合物，将沟道电子和多元化合物铝(铟)镓氮势垒层隔开，减少了电子散射，进一步提高了沟道二维电子气迁移率。本发明的沟道层为高迁移率氮化镓层时，沟道层的晶体质量进一步提高，为二维电子气提供了一个良好的通道，可更加显著的提高沟道二维电子气迁移率。此外，在氮化镓基沟道层和氮化镓高阻缓冲层之间引入的氮化铝第一插入薄层，与传统双异质场效应晶体管在氮化镓基沟道层和氮化镓高阻缓冲层之间引入的铝镓氮厚膜相比，对材料整体结构的晶格匹配影响很小，容易获得高质量的双异质场效应晶体管结构材料，同时避免了附加导电沟道形成的可能性。

请参阅图1和图2所示，本发明一种氮化镓基双异质结场效应晶体管的结构，其特征在于，其中包括：

一衬底10，该衬底10材料包括蓝宝石衬底、碳化硅和硅衬底，也包括适合氮化镓基异质结场效应晶体管材料外延的其他衬底；

一低温氮化镓或高温氮化铝成核层20，该低温氮化镓或高温氮化铝成核层20制作在衬底10的上面，厚度为0.01-0.50μm；

一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层30，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层30制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层20的上面，厚度为1-5μm；

该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的室温电阻率大于1×106Ω.cm，优选值大于1×108Ω.cm。

一氮化铝第一插入薄层40，该氮化铝插入薄层40制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层30的上面，厚度为0.3-5nm。

一非有意掺杂高迁移率氮化镓沟道层50或非有意掺杂(铟)镓氮沟道层50’，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层40的上面，厚度为0.001-0.5μm；

该非有意掺杂高迁移率氮化镓层50的室温迁移率大于500cm²/Vs，优选值大于700cm²/Vs。

一氮化铝第二插入薄层60，该氮化铝第二插入薄层60制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层50的上面，厚度为0.8-3nm；

-非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层70，该Al_xIn_yGa_zN层70制作在氮化铝第二插入薄层60的上面，厚度为10-50nm，其中x+y+z＝1，0＜x≤1，0≤y＜1，0≤z＜1。

该铝(铟)镓氮(AlxInyGazN)层一较佳实施结构为非有意掺杂的或n型掺杂的铝镓氮结构(y＝0)，厚度为10-50nm，优选值范围为15-35nm，铝组分在0.05-0.5之间。

根据需要，可在铝(铟)镓氮层上面再生长氮化镓、或铝镓氮、或铝铟镓氮盖帽层，该层可以为非有意掺杂、n型或p型，厚度为1-20nm。

请再参阅图1和图2所示，本发明一种氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，包括如下步骤：

选择-衬底10，该衬底10的材料包括蓝宝石衬底、碳化硅和硅衬底，也包括适合氮化镓基异质结场效应晶体管材料外延的其他衬底。

采用金属有机物化学气相沉积法，首先在衬底上生长一层低温氮化镓或高温氮化铝成核层20，所述的成核层20为低温氮化镓时，生长温度为500-600℃，生长压力为53.34-80.01kPa，生长厚度为0.01-0.50μm，优选值为0.03-0.30μm；所述的成核层20为高温氮化铝时，生长温度为800-1200℃，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.01-0.20μm；

然后在低温氮化镓或高温氮化铝成核层20上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层30，生长温度在900-1100℃之间，优选值范围为1020-1100℃，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为1-5μm；

该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层30的生长速率为3-5μm/h，室温电阻率大于1×106Ω.cm，优选值大于1×108Ω.cm。

该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层一种较佳高阻形成方式为非故意掺杂高阻氮化镓层，该层通过综合和精确控制生长温度、生长压力、III-V比、生长速率、载气种类和流量等生长条件来引入晶格缺陷，从而形成高阻氮化镓外延层。

然后在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层30上生长氮化铝第一插入薄层40，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.3-5nm。

改变生长条件，在氮化铝第一插入薄层40上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓沟道层50，或非有意掺杂(铟)镓氮沟道层50’。

该非有意掺杂高迁移率氮化镓层50的生长温度在900-1100℃之间，生长压力为40.00-80.00kPa，生长厚度为0.001-0.5μm，优选值为0.03-0.30μm；

该非有意掺杂高迁移率氮化镓层50的生长速率为2-3μm/h。

该非有意掺杂高迁移率氮化镓层50的室温迁移率大于500cm²/Vs，优选值大于700cm²/Vs。

该非有意掺杂高迁移率氮化镓层50高迁移率实现，通过综合调控生长温度、生长压力、III-V比、生长速率、载气种类和流量等来实现，其中生长压力调节是非常重要的一个因素。

该非有意掺杂铟(镓)氮沟道层50’的生长温度在500-900℃，生长压力为6.67-40.00kPa，生长厚度为0.001-0.5μm，优选值为0.001-0.2μm。

改变生长条件，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层50或非有意掺杂铟(镓)氮沟道层50’上生长氮化铝第二插入薄层60，该氮化铝第二插入薄层60的生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.8-3nm。

最后在氮化铝第二插入薄层60上生长非有意掺杂的或n型掺杂的Al_xIn_yGa_zN层70，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为10-50nm。

该非有意掺杂或n型掺杂A1_xIn_yGa_zN层70，包括非有意掺杂的或n型掺杂的铝镓氮结构(y＝0)，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为10-50nm，优选值范围为15-35nm，铝组分在0.05-0.5之间。

根据需要，可在组分阶变铝(铟)镓氮层60上面再生长氮化镓、或铝镓氮、或铝铟镓氮盖帽层，该层可以为非有意掺杂、n型或p型，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-40.00kPa，厚度为1-20nm。

本发明氮化镓基异质结场效应晶体管结构的各生长层具体生长温度，生长压力及生长厚度如表1所示：

表1

对图1所示具体实施例结构获得的样品进行测试分析，其中样品衬底10为蓝宝石衬底，成核层20为低温氮化镓层，高阻氮化镓缓冲层30为非有意掺杂，铝(铟)镓氮层70为非有意掺杂铝镓氮层。测试结果证明用此方法生长获得的氮化镓基异质结场效应晶体管材料具有很高的晶体质量和二维电子气迁移率。变温霍耳测试结果证明该材料的室温二维电子气迁移率大于1900cm²/V.s，二维电子气浓度大于10×1013/cm²，同时所研制的结构对沟道电子有非常好的限制作用，在整个测试温度范围内二维电子气浓度基本保持不变(图3)。原子力显微镜测试结果证实该材料5μm×5μm  样品的表面粗糙度为0.241nm。

本发明降低了工艺难度，减少了工艺步骤，获得了具有更高迁移率和更好晶体质量的氮化镓基双异质结场效应晶体管结构材料；该材料结构可显著改善材料二维电子气的输运性能，更加有效限制沟道电子向缓冲层和势垒层泄漏，从而对电流崩塌效应有着良好的抑制作用。因此，本发明可显著改善和提高氮化镓基高温、高频、大功率器件和电路的性能。

Claims (13)

1.一种氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：选择一衬底；

步骤2：在衬底上生长一层低温氮化镓或高温氮化铝成核层，该成核层为低温氮化镓时，生长温度为500-600℃，生长压力为53.34-80.01kPa，生长厚度为0.01-0.50μm，该成核层为高温氮化铝时，生长温度为800-1200℃，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.01-0.50μm；

步骤3：在低温氮化镓或高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的生长温度为900-1100℃，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为1-5μm；

步骤4：在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长氮化铝第一插入薄层；

步骤5：在氮化铝第一插入薄层上生长非有意掺杂氮化镓基沟道层；

步骤6：在非有意掺杂氮化镓基沟道层上生长氮化铝第二插入薄层；

步骤7：最后在氮化铝第二插入薄层上生长非有意掺杂的或n型掺杂的Al_xIn_yGa_zN层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的衬底为蓝宝石衬底或碳化硅或硅衬底。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的方法为金属有机物化学气相沉积法、分子束外延和气相外延。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的生长速率为3-5μm/h。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的室温电阻率大于1×10⁶Ω.cm。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的氮化铝第一插入薄层的生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.8-3nm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂氮化镓基沟道层为高迁移率氮化镓时，生长温度在900-1100℃，生长压力为40.00-80.00kPa，生长厚度为0.001-0.5μm。

8.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂高迁移率氮化镓沟道层的生长速率为2-3μm/h。

9.根据权利要求7所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂高迁移率氮化镓沟道层的室温迁移率大于500cm²/Vs。

10.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂氮化镓基沟道层为铟镓氮或氮化铟时，生长温度在500-900℃，生长压力为6.67-40.00kPa，生长厚度为0.001-0.5μm。

11.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的氮化铝第二插入薄层的生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为0.8-3nm。

12.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为10-50nm。

13.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其中所述的非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，为y＝0时的非有意掺杂的或n型掺杂的铝镓氮层，生长温度在850-1150℃之间，生长压力为5.33-26.67kPa，生长厚度为10-50nm，铝组分在0.05-0.5之间。

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