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CN101184811A - 高分子组合物以及高分子发光元件 - Google Patents

高分子组合物以及高分子发光元件 Download PDF

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CN101184811A CNA2006800189695A CN200680018969A CN101184811A CN 101184811 A CN101184811 A CN 101184811A CN A2006800189695 A CNA2006800189695 A CN A2006800189695A CN 200680018969 A CN200680018969 A CN 200680018969A CN 101184811 A CN101184811 A CN 101184811A
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Abstract

本发明提供一种含有1～99重量％下述共聚物(A)以及99～1重量％共聚物(B)的高分子组合物，在将该高分子组合物用作发光元件的发光材料时，可以提供发光效率高、寿命更长等高性能的发光元件。共聚物(A)：含有重复单元(a)和重复单元(b)，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaA(％)时，100＞XaA＞5，在固体状态下具有荧光，聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的共聚物；共聚物(B)：含有重复单元(a)和重复单元(b)，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaB(％)时，满足XaB≤XaA－5的关系，在固体状态下具有荧光，聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的共聚物。

Description

高分子组合物以及高分子发光元件
技术领域
本发明涉及一种高分子组合物以及高分子发光元件(以下有时称为高分子LED。)。
背景技术
作为发光元件中使用的高分子量的发光材料，已对共聚物进行了探讨，作为其例子，公开有含有作为N，N-二苯基-N-二基-氨基或者四苯基苯二胺二基的重复单元和作为芴-二基的重复单元的共聚物(特开2002-338665)。
但是，在将上述公知的共聚物用作发光元件的发光材料时，该发光元件的性能在实用上未必充分。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在用作发光元件的发光材料时发光效率高、寿命更长等高性能的发光元件的高分子组合物。
即，本发明提供一种含有1～99重量％下述共聚物(A)和99～1重量％共聚物(B)的高分子组合物。
共聚物(A)：含有重复单元(a)和重复单元(b)，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaA(％)时，100＞XaA＞5，在固体状态下具有荧光，聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的共聚物；
共聚物(B)：含有重复单元(a)和重复单元(b)，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaB(％)时，满足XaB≤XaA-5的关系，在固体状态下具有荧光，聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的共聚物。
具体实施方式
本发明的高分子组合物含有所述的共聚物(A)及(B)。而且，共聚物(A)及共聚物(B)均含有重复单元(a)和重复单元(b)。
作为构成本发明的高分子组合物的共聚物中的重复单元(a)，优选为空穴注入性或者空穴输送性的重复单元的情况。
在此，作为空穴注入性或者空穴输送性的重复单元，可以举出从作为空穴输送性材料的低分子化合物衍生而成的2价的基团等，作为其例子，可以举出从咔唑或其衍生物、硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、苯胺或其衍生物、噻吩或其衍生物、吡咯或其衍生物、对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、或者2，5-亚噻嗯及亚乙烯基或其衍生物中除去2个氢原子得到的2价的基团。
其中，作为重复单元(a)，优选具有芳胺结构的2价的基团(从芳胺衍生物除去氢原子得到的2价的基团)，特别优选举出下述式(1)表示的重复单元。
Figure S2006800189695D00021
[在此，Ar1、Ar3以及Ar5分别独立地表示芳烯基或2价的杂环基。Ar2以及Ar4分别独立地表示芳基或1价的杂环基，t表示0～3的整数。分别存在多个Ar4以及Ar5的情况下，它们可相同或不同。]
作为式(1)中的芳基，可以举出苯基、萘基、蒽基、稠环化合物基等。
作为苯基，可以举出下述结构。
Figure S2006800189695D00022
作为萘基，可以举出下述结构。
Figure S2006800189695D00031
作为蒽基，可以举出下述结构。
Figure S2006800189695D00032
作为稠环化合物基，可以举出下述结构。
Figure S2006800189695D00033
在此，作为R，可以举出氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、羟基、氨基、羧基、醛基、氰基。
在上图中，在一个基团中具有多个R，但它们相同或不同。
在此，烷基可以为直链、分支或环状的任意一种，碳原子数通常为1～20左右，具体而言，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基等。
烷氧基可以为直链、分支或环状的任意一种，碳原子数通常为1～20左右，具体而言，可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基等。
烷硫基可以为直链、分支或环状的任意一种，碳原子数通常为1～20左右，具体而言，可以举出甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、月桂硫基等。
烷基甲硅烷基可以为直链、分支或环状的任意一种，碳原子数通常为1～60左右，具体而言，可以举出甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基、丙基甲硅烷基、异丙基甲硅烷基、丁基甲硅烷基、异丁基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基、戊基甲硅烷基、己基甲硅烷基、环己基甲硅烷基、庚基甲硅烷基、辛基甲硅烷基、2-乙基己基甲硅烷基、壬基甲硅烷基、癸基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基甲硅烷基、月桂基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、异丙基二甲基甲硅烷基、丁基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基等。
烷基氨基可以为直链、分支或环状的任意一种，可以为一烷基氨基或二烷基氨基，碳原子数通常为1～40左右，具体而言，可以举出甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、月桂基氨基等。
其中，优选烷基、烷氧基、羟基、氨基、羧基、醛基，进而优选正烷基、异烷基、仲烷基、烷氧基、羟基、氨基、羧基、醛基，进而更优选正烷基、异烷基、仲烷基、烷氧基。
在式(1)中，1价的杂环基是指从杂环化合物除去1个氢原子所得的残余的原子团，碳原子数通常为4～60左右，优选为4～20。其中，在1价的杂环基的碳原子数中不含有取代基的碳原子数。
在此，杂环化合物是指具有环式结构的有机化合物中构成环的元素不仅有碳原子而且在环内含有氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。
作为1价的杂环基，可以举出含有氮作为杂原子的1价的杂环基，含有硅、氮、氧、硫、硒等作为杂原子、具有芴结构的的基团，含有硫、氧、氮、硅、硒等作为杂原子的5员环杂环基，含有氮、氧、硫、硅、硒等作为杂原子的具有5员环或6员环杂环的缩合杂环基，作为含有硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5员环杂环基而在该杂原子的α位结合成为2聚体或寡聚物的基团，作为含有硅、氮、氧、硫、硒等作为杂原子的5员环杂环基而在该杂原子的α位与苯基结合的基团等。
作为含有氮作为杂原子的1价杂环基，例如可以举出下述基团。
Figure S2006800189695D00061
在此，图中的R表示与上述相同的意义。
作为含有硅、氮、氧、硫、硒等作为杂原子且具有芴结构的基团，可以举出下述基团。
在此，图中的R表示与上述相同的意义。
作为含有硫、氧、氮、硅、硒等作为杂原子的5员环杂环基，可以举出下述结构。
Figure S2006800189695D00081
在此，图中的R表示与上述相同的意义。
作为具有含有氮、氧、硫、硅、硒等作为杂原子的5员环或6员环杂环的缩合杂环基，可以举出下述结构。
在此，图中的R表示与上述相同的意义。
作为含有硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5员环杂环基的该杂原子的α位结合成为2聚体或寡聚物的基团，可以举出下述基团。
Figure S2006800189695D00101
在此，图中的R表示与上述相同的意义。
作为含有氮、氧、硫、硅、硒等作为杂原子的5员环杂环基的该杂原子的α位与苯基结合的基团，可以举出下述结构。
Figure S2006800189695D00102
在此，图中的R表示与上述相同的意义。
在式(1)中，芳烯基是从芳香族烃除去2个氢原子所残余的原子团，也包括2个以上独立的苯环或稠环直接或借助亚乙烯基等基团结合的基团。
芳烯基的碳原子数通常为6～60左右，作为芳烯基，具体而言，可以举出亚苯基、亚联苯基、亚联三苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、戊搭烯二基、茚二基、庚搭烯二基、苯并二茚二基、苯并菲二基、联二萘二基、苯基亚萘基二基、芪二基、芴二基、3，3’-烷氧基芪二基等。其中，在芳烯基的碳原子数中不含有取代基的碳原子数。
作为芳烯基的具体例，可以举出将所述式(1)中的芳基的具体例的1个任意R作为连结键(結合手)的基团。
在式(1)中，2价的杂环基是指从杂环化合物除去2个氢原子得到的残余的原子团，碳原子数通常为4～60左右，优选4～20。其中，在1价的杂环基的碳原子数中不含有取代基的碳原子数。
在此，杂环化合物是指具有环式结构的有机化合物中构成环的元素不仅有碳原子而且在环内含有氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。
作为2价杂环基的具体例，可以举出将后述的1价杂环基的具体例的1个任意R作为连结键的基团。
作为所述式(1)的重复单元的具体结构，可以例示以下结构。
Figure S2006800189695D00111
在此，图中的R表示与上述相同的意义。
作为构成本发明的高分子组合物的共聚物中的重复单元(b)，优选为电子注入性或电子输送性的重复单元的情况。
在此，作为电子注入性或电子输送性的重复单元，可以举出从作为电子注入性或电子输送性材料的低分子化合物衍生而成的2价基团等，可以举出从噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯(diphenyldicyanoethylene)或其衍生物、联对苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、喹啉或其衍生物、喹喔啉或其衍生物、芴或其衍生物除去2个氢原子得到的2价基团。
作为构成在本发明中使用的共聚物的重复单元(b)，在上述例子中，优选为用具有SP2轨道的碳共轭连结的结构的情况。
作为重复单元(b)，其中，特别优选下述式(2)表示的情况。
Figure S2006800189695D00121
[式中，X表示-CR3R4-、-O-、-S-、-Se-或-SiR5R6-，p及q分别独立地表示0～3的整数，R1及R2分别独立地表示烷基、芳基或1价的杂环基。两个以上R1及R2可以连接形成环结构。R3、R4、R5及R6分别独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基甲硅烷基、芳基氨基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷基甲硅烷基、芳基烷基氨基、1价的杂环基或氰基。
分别存在多个R1及R2的情况下，它们相同或不同。进而，R1、R2、R3、R4、R5及R6为含有烷基的基团的情况下，该烷基可以被含有杂原子的基团中断(中断)。]
其中，两个以上R1及R2连接形成环结构即可，环结构为饱和或不饱和。另外，两个以上R1连接形成环结构的情况以及两个以上R2连接形成环结构的情况下，环结构均为饱和或不饱和。
在此，作为杂原子，可以例示氧原子、硫原子、氮原子等。
作为含有杂原子的基团，例如可以举出以下基团。
Figure S2006800189695D00131
在此，作为R’，例如可以举出氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为6～60的芳基、碳原子数为4～60的1价杂环基。
上述式(2)的R1、R2分别独立地表示氢原子、烷基、芳基或1价的杂环基。R3、R4、R5及R6分别独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基甲硅烷基、芳基氨基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷基甲硅烷基、芳基烷基氨基、1价的杂环基或氰基。
在此，对于烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基，如上所述。
芳氧基的碳原子数为通常为6～60左右，具体而言，可以例示苯氧基、C1～C12烷氧基苯氧基、C1～C12烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基等，优选C1～C12烷氧基苯氧基、C1～C12烷基苯氧基。
芳基甲硅烷基的碳原子数通常为6～60左右，可以例示苯基甲硅烷基、C1～C12烷氧基苯基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基甲硅烷基、1-萘基甲硅烷基、2-萘基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等，优选C1～C12烷氧基苯基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基甲硅烷基。
芳基氨基的碳原子数通常为6～60左右，可以例示苯胺基、二苯胺基、C1～C12烷氧基苯胺基、二(C1～C12烷氧基苯基)氨基、二(C1～C12烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基等，优选C1～C12烷基苯基氨基、二(C1～C12烷基苯基)氨基。
芳烷基的碳原子数通常为7～60左右，具体而言，可以例示苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基、1-萘基-C1～C12烷基、2-萘基-C1～C12烷基等，优选C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基。
芳基烷氧基的碳原子数通常为7～60左右，具体而言，可以例示苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷氧基、1-萘基-C1～C12烷氧基、2-萘基-C1～C12烷氧基等，优选C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷氧基。
芳基烷基甲硅烷基的碳原子数通常为7～60左右，具体而言，可以例示苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、1-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、2-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基二甲基甲硅烷基等，优选C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基。
作为芳基烷基氨基，碳原子数通常为7～60左右，具体而言，可以例示苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基)氨基、二(C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基)氨基、1-萘基-C1～C12烷基氨基、2-萘基-C1～C12烷基氨基等，优选C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基氨基、二(C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基)氨基。
作为芳基链烯基，碳原子数通常为8～60左右，具体而言，可以例示苯基-C1～C12链烯基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12链烯基、C1～C12烷基苯基-C1～C12链烯基、1-萘基-C1～C12链烯基、2-萘基-C1～C12链烯基等，优选C1～C12烷氧基苯基-C1～C12链烯基、C1～C12烷基苯基-C1～C12链烯基。
芳基炔基的碳原子数通常为8～60左右，具体而言，可以例示苯基-C1～C12炔基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12炔基、C1～C12烷基苯基-C1～C12炔基、1-萘基-C1～C12炔基、2-萘基-C1～C12炔基等，优选C1～C12烷氧基苯基-C1～C12炔基、C1～C12烷基苯基-C1～C12炔基。
在所述式(2)中，p及q分别独立地为0～3的整数。q为2以上的情况下，多个R2相同或不同。p为2以上的情况下，多个R1相同或不同。另外，R1～R6中两个以上可以连接形成环。R1～R6为含有烷基的基团的情况下，该烷基也可以被杂原子中断。
在所述式(2)所示的结构中，特别优选R1及R2的任意一个或者两个的p、q≥2，它们形成芳香环的情况。具体而言，举出p＝2、q＝0，两个R1形成芳香环的下述结构。
Figure S2006800189695D00151
作为所述式(2)表示的结构的具体例，可以举出下述结构。
Figure S2006800189695D00161
Figure S2006800189695D00171
式(2)中，优选下述结构。
进而优选下述结构。
Figure S2006800189695D00173
在本发明的高分子组合物中使用的共聚物(A)中，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaA(％)时，100＞XaA＞5。
在共聚物(B)中，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaB(％)时，满足XaB≤XaA-5的关系。
这样，作为发光材料，通过使用含有两种以上含有重复单元(a)和(b)且重复单元(a)与(b)的含有比不同的共聚物的本发明的高分子组合物，与使用一种含有重复单元(a)和(b)的共聚物的情况相比，可以得到发光效率、寿命出色的元件。
在此，优选XaA在5～50％的范围，而且XaB≤XaA-10。
其中，优选一种所述式(1)的重复单元与一种所述式(2)的重复单元构成的共聚物、两种所述式(1)的重复单元与一种所述式(2)的重复单元构成的共聚物、一种所述式(1)的重复单元与两种所述式(2)的重复单元构成的共聚物、一种所述式(1)的重复单元与一种2价杂环基构成的共聚物、两种所述式(1)的重复单元与一种2价杂环基构成的共聚物、一种所述式(1)的重复单元与两种2价杂环基构成的共聚物，更优选一种所述式(1)的重复单元与一种所述式(2)的重复单元构成的共聚物、两种所述式(1)的重复单元与一种所述式(2)的重复单元构成的共聚物、一种所述式(1)的重复单元与两种所述式(2)的重复单元构成的共聚物，最优选一种所述式(1)的重复单元与一种所述式(2)的重复单元构成的共聚物。
本发明的高分子组合物含有1～99重量％上述共聚物(A)以及99～1重量％共聚物(B)，优选含有5～95重量％共聚物(A)、95～5重量％共聚物(B)的情况。
本发明的高分子组合物在不损坏向溶剂的溶解性、玻璃化温度、寿命或亮度等成为元件时的特性等的范围内，也可以含有上述共聚物(A)及共聚物(B)以外的其他高分子化合物。作为可含有的高分子化合物的具体例，可以举出特开2001-247861号、特开2001-507511号、特开2001-504533号、特开2001-278958号、特开2001-261796号、特开2001-226469号、专利第3161058等中记载的高分子化合物。作为该高分子化合物的种类，可以举出聚芴系化合物、聚芴系共聚物、聚芳烯烯化合物、聚芳烯系共聚物、聚芳烯亚乙烯基(polyarylenevinylene)系化合物、聚芳烯亚乙烯基(polyarylenevinylene)系共聚物、聚芪系化合物、聚芪系共聚物、聚芪亚乙烯基(polystilbenevinylene)系化合物、聚芪亚乙烯基(polystilbenevinylene)系共聚物、聚吡啶二基(polypyridinediyl)系化合物、聚吡啶二基(polypyridinediyl)系共聚物、烷氧基聚噻吩(alkoxypolythiophene)系化合物、烷氧基聚噻吩(alkoxypolythiophene)系共聚物等，优选聚芴系共聚物、聚芳烯系共聚物、聚芳烯亚乙烯基(polyarylenevinylene)系共聚物、聚芪系共聚物、聚芪亚乙烯基(polystilbenevinylene)系共聚物。
作为本发明的共聚物的制造方法，例如可以例示使用对应重复单元的单体(monomer)，利用铃木(Suzuki)偶合反应聚合的方法(化学综述(Chemical Review)(Chem.Rev.)，第95卷，2457页(1995年))；利用格林尼亚(Grignard)反应聚合的方法(共立出版，高分子功能材料系列第2卷，高分子的合成与反应(2)，432-3页)；利用山本偶合反应等零价镍配位化合物聚合的方法(聚合物科学进展(Progressive PolymerScience)(Prog.Polym.Sci.)，第17卷，1153-1205页，1992年)；利用FeCl3等氧化剂聚合的方法；电化学氧化聚合的方法(丸善，实验化学讲座第4版，28卷，339-340页)等。
其中，根据需要，也可以使用两种以上对应相同重复单元的单体。
其中，从结构控制容易的角度出发，优选利用铃木铃木偶合反应等镍催化剂或钯催化剂聚合的方法；利用格林尼亚反应聚合的方法；利用山本偶合反应等零价镍配位化合物缩聚的方法。
更具体地对反应条件进行描述。
铃木反应的情况下，作为催化剂，例如使用钯[四(三苯基膦)]、乙酸钯类等，相对单体加入当量以上、优选1～10当量碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钡等无机碱，三乙胺等有机碱，氟化铯等无机盐，使其反应。也可以将无机盐作为水溶液，以2相系使其反应。作为溶剂，可以例示N，N-二甲替甲酰胺、甲苯、二甲氧基乙烷、四氢呋喃等。根据使用的溶剂而不同，但优选使用50～160℃左右的温度。也可以升温至溶剂的沸点附近，使其回流。反应时间为1小时～200小时左右。
对使用零价镍配位化合物的情况进行说明。作为零价镍配位化合物，包括使用零价镍配位化合物的方法；和在还原剂的存在下使镍盐反应，在系统内产生零价镍的方法。
作为零价镍配位化合物，可以例示双(1，5-环辛二烯)镍(0)、(乙烯)双(三苯基膦)镍(0)、四(三苯基膦)镍等，其中，从通用性且低廉的观点出发，优选双(1，5-环辛二烯)镍(0)。
另外，从提高收率的观点出发，优选添加中性配位基。
在此，中性配位基是指不具有阴离子或阳离子的配位基，可以例示2，2，-二吡啶基、1，10-邻二氮杂菲、亚甲基双噁唑啉(methylenebisoxazoline)、N，N’-四甲基乙二胺等含氮配位基；三苯膦、三甲苯膦、三丁基膦、三苯氧基膦等叔膦配位基等，从通用性、低廉的点出发，优选含氮配位基，从高反应性、高收率的点出发，特别优选2，2’-二吡啶基。从提高聚合物的收率的点出发，特别优选向含有双(1，5-环辛二烯)镍(0)的系统中加入2，2’-二吡啶基作为中性配位基的系统。在系统内产生零价镍的方法中，作为镍盐，可以举出氯化镍、醋酸镍等。作为还原剂，可以举出锌、氢氧化钠、肼及其衍生物、氢化铝锂等，根据需要，作为添加物，可以使用碘化铵、碘化锂、碘化钾等。
作为与缩聚反应相关的取代基所优选的取代基，根据聚合反应的种类而不同，例如在山本偶合反应等使用零价镍配位化合物的情况下，可以举出卤原子、烷基磺酸盐基、芳基磺酸盐基或芳基烷基磺酸盐基。在利用格林尼亚反应聚合的情况下，可以举出卤原子，另外在铃木偶合反应等使用镍催化剂或钯催化剂的情况下，可以举出卤原子、硼酸酯基、硼酸基等。
作为本发明的共聚物的制造中使用的有机溶剂，根据使用的化合物或反应而不同，通常为了抑制副反应，优选对使用的溶剂充分地实施脱氧处理，在惰性气氛化下使反应进行。另外，同样优选进行脱水处理。不过，在铃木偶合反应之类在与水的2相系中反应的情况下，不限于此。
另外，为了使聚合反应进行，适当地添加碱或适当的催化剂。它们只要根据使用的反应进行选择即可。该碱或催化剂优选充分地溶解于反应中使用的溶剂。作为混合碱或催化剂的方法，可以例示在氩或氮等惰性气氛下边搅拌反应液边缓慢地添加碱或催化剂，或者相反，向碱或催化剂的溶液中缓慢地添加反应液的方法。
聚合时间根据聚合的种类而不同，通常为5分钟～200小时左右，从制造成本的点出发，优选10小时以内。
聚合温度根据聚合的种类而不同，通常为-50～160℃左右，从高收率、低加热费的点出发，优选20～100℃。
将本发明的高分子组合物用于高分子LED的情况下，由于其纯度会给发光特性等元件的性能带来影响，所以优选在利用蒸馏、升华纯化、再结晶等以及柱色谱的方法对聚合前的单体进行纯化之后聚合。另外，优选在聚合后，利用酸洗、碱洗、中和、水洗、有机溶剂清洗、再沉淀、离心分离、抽提、柱色谱、透析等惯用的分离操作、纯化操作、干燥的其他操作进行纯化处理。
本发明的墨液组合物的特征在于含有上述本发明的高分子组合物。
作为墨液组合物，除了本发明的高分子组合物以外，也可以含有空穴输送材料、电子输送材料、发光材料、溶剂、稳定剂等添加剂。
本发明的高分子组合物在该墨液组合物中的比例，相对除了溶剂以外的组合物的全部重量，为20wt％～100wt％，优选为40wt％～100wt％。
另外，在墨液组合物中含有溶剂的情况下，溶剂的比例相对组合物的全部重量，为1wt％～99.9wt％，优选为60wt％～99.9wt％，进而优选为80wt％～99.5wt％。
墨液组合物的浓度根据印刷法而不同，而在喷墨印刷法等墨液组合物中经由喷出装置的情况下，为了防止喷出时的堵塞或飞跃曲线，在25℃下，优选粘度为1～20mPa·s的范围。
作为在墨液组合物中使用的溶剂，没有特别限制，优选可以使构成该墨液组合物的溶剂以外的材料溶解或均一地分散的溶剂。构成该墨液组合物的材料在非极性溶剂中可溶的情况下，作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂，丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯等酯系溶剂。
接着对本发明的高分子组合物的用途进行说明。
本发明的高分子组合物通常在固体状态下具有荧光或磷光，可以用作高分子发光体(高分子量的发光材料)。使用该高分子发光体的高分子LED为可以低电压、高效率地驱动的高性能的高分子LED。因而，该高分子LED可以优选用于液晶显示器的背光灯、另外作为照明用的曲面状或平面状的光源、图段(segment)的显示元件、点阵的平板显示器等装置。
另外，本发明的高分子组合物可以用作激光用色素、有机太阳电池用材料、有机晶体管用有机半导体、导电性薄膜、有机半导体薄膜等传导性薄膜用材料。
进而，也可以用作发出荧光或磷光的发光性薄膜材料。
本发明的高分子LED的特征在于，从由阳极以及阴极构成的电极之间，具有发光层，该发光层含有本发明的高分子组合物。
本发明的高分子LED也包括在至少一方的电极与发光层之间与该电极邻接设置含有导电性高分子的层的高分子发光元件、在至少一方的电极与发光层之间与该电极邻接设置绝缘层的高分子发光元件。
另外，作为本发明的高分子LED，可以举出在阴极与发光层之间设置电子输送层的高分子LED、在阳极与发光层之间设置空穴输送层的高分子LED、在阴极与发光层之间设置电子输送层而且在阳极与发光层之间设置空穴输送层的高分子LED等。
作为本发明的高分子LED的结构，具体地例示以下a)～d)结构。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极
c)阳极/发光层/电子输送层/阴极
d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
(在此，/表示各层相邻层叠。以下相同。)
在此，发光层是指具有发光功能的层，空穴输送层是指具有输送空穴的功能的层，电子输送层是指具有输送电子的功能的层。其中，将电子输送层和空穴输送层总称为电荷输送层。
发光层、空穴输送层、电子输送层可以分别独立地使用2层以上。
另外，在与电极邻接设置的电荷输送层中，具有改善来自电极的电荷注入效率的功能、具有降低元件的驱动电压的效果的层通常被称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。
进而，为了提高与电极的粘附性或改善从电极的电荷注入，也可以与电极邻接设置上述电荷注入层或绝缘层，另外，为了提高界面的粘附性或防止混合等，也可以在电荷输送层或发光层的界面中插入薄的绝缘层。
对于层叠的层的顺序或数目以及各层的厚度，可以考虑发光效率或元件寿命适当地使用。
在本发明中，作为设置电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的高分子LED，可以举出与阴极邻接设置电荷注入层的高分子LED、与阳极邻接设置电荷注入层的高分子LED。
例如可以具体地举出以下e)～p)结构。
e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极
f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极
g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极
h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极
i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极
j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极
k)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/阴极
l)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
作为电荷注入层的具体例，可以例示含有导电性高分子的层、在阳极与空穴输送层之间设置的含有具有阳极材料与空穴输送层中含有的空穴输送材料的中间值的电离电势的材料的层、在阴极与电子输送层之间设置的含有具有阴极材料与电子输送层中含有的电子输送材料的中间值的电子亲和力的材料的层等。
在上述电荷注入层为含有导电性高分子的层的情况下，该导电性高分子的电导率优选为10-5S/cm以上103S/cm以下，为了减少发光像素间的漏泄电流，更优选为10-5S/cm以上102S/cm以下，进而优选为10-5S/cm以上101S/cm以下。
通常为了使该导电性高分子的电导率为10-5S/cm以上103S/cm以下，在该导电性高分子中掺杂适量的离子。
掺杂的离子的种类在空穴注入层时为阴离子，在电子注入层时为阳离子。作为阴离子的例子，可以例示磺化聚苯乙烯离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子的例子，可以例示锂离子、钠离子、钾离子、四丁铵离子等。
作为电荷注入层的膜厚，例如1nm～100nm，优选2nm～50nm。
电荷注入层中使用的材料只要根据与电极或邻接的层的材料的关系适当地选择即可，可以例示聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯基乙烯(polyphenylenevinylene)及其衍生物、聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链含有芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(酞菁铜等)、碳等。
绝缘层是具有使电荷注入变得容易的功能的层。作为上述绝缘层的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料。作为设置绝缘层的高分子LED，可以举出与阴极邻接设置绝缘层的高分子LED、与阳极邻接设置绝缘层的高分子LED。作为绝缘层的平均膜厚，例如为10nm以下，优选为0.1～10nm，更优选为0.3～8nm，进而优选为0.5～5nm。
例如可以具体地举出以下q)～ab)结构。
q)阳极/绝缘层/发光层/阴极
r)阳极/发光层/绝缘层/阴极
s)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极
t)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极
u)阳极/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极
v)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极
w)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/阴极
x)阳极/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极
y)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极
z)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极
ab)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极
发光层含有本发明的共聚物或高分子组合物，但也可以在发光层中混合使用上述共聚物以外的发光材料。另外，在本发明的高分子LED中，含有上述高分子荧光物质以外的发光材料的发光层也可以与含有上述共聚物的发光层层叠。
作为该荧光材料，可以使用公知的材料。在低分子化合物中，例如可以使用萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、聚甲炔系、氧杂蒽系、香豆素系、花青苷系等色素类、8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯或其衍生物或者四苯基丁二烯或其衍生物等。
具体而言，例如可以使用特开昭57-51781号、特开昭59-194393号公报中记载的材料等公知的材料。
对发光层的成膜方法没有限制，例如可以例示利用从溶液成膜的方法。
作为从溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、铸塑(casting)法、微凹板印刷法、凹板印刷法、棒涂法、辊涂法、拉丝锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂敷法。
作为从溶液成膜中使用的溶剂，可以例示甲苯、二甲苯、氯仿。四氢呋喃。
作为发光层的膜厚，根据使用的材料而最佳值不同，只要选择成使驱动电压和发光效率成为适当的值即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进而优选为5nm～200nm。
在本发明的高分子LED具有空穴输送层的情况下，作为使用的空穴输送材料，可以例示聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对苯基乙烯)(poly(p-phenylenevinylene))或其衍生物、聚(2，5-噻吩乙烯)(poly(2，5-thienylenevinylene))或其衍生物等。
具体而言，作为该空穴输送材料，可以例示特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记载的材料等。
其中，作为空穴输送层中使用的空穴输送材料，优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对苯基乙烯)(poly(p-phenylenevinylene))或其衍生物、聚(2，5-噻吩乙烯)(poly(2，5-thienylenevinylene))或其衍生物等高分子空穴输送材料，进而优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在为低分子空穴输送材料时，优选使其在高分子粘合剂中分散使用。
聚乙烯基咔唑或其衍生物例如可以通过阳离子聚合或自由基聚合从乙烯单体得到。
作为聚硅烷或其衍生物，可以例示在化学综述(Chemical Review)(Chem.Rev.)，第89卷，1359页(1989年)；英国专利GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法也可以使用其中记载的方法，但特别优选使用Kipping法。
聚硅氧烷或其衍生物由于在硅氧烷骨架结构中几乎没有空穴输送性，所以可以优选使用在侧链或主链具有上述低分子空穴输送材料结构的材料。特别可以例示在侧链或主链具有空穴输送性的芳香族胺的材料。
对空穴输送层的成膜方法没有限制，在低分子空穴输送材料中，可以例示利用从与高分子粘合剂的混合溶液成膜的方法。另外，在高分子空穴输送材料中，可以例示利用从溶液成膜的方法。
作为从溶液成膜中使用的溶剂，只要是使空穴输送材料溶解的溶剂即可，没有特别限定。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂，丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯等酯系溶剂。
作为从溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、铸塑法、微凹板印刷法、凹板印刷法、棒涂法、辊涂法、拉丝锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂敷法。
作为混合的高分子粘合剂，优选不会极端地妨碍电荷输送的粘合剂，另外，还可以优选使用对可见光的吸收不强烈的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以例示聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
作为空穴输送层的膜厚，根据使用的材料而最佳值不同，只要选择成使驱动电压和发光效率成为适当的值即可，但至少必需为不发生气泡的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压变高，不优选。因而，作为该空穴输送层的膜厚，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进而优选为5nm～200nm。
在本发明的高分子LED具有电子输送层的情况下，作为使用的电子输送材料，可以使用公知的材料，可以例示噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯(diphenyldicyanoethylene)或其衍生物、联对苯醌衍生物或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
具体而言，可以例示特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记载的材料等。
其中，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，进而优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子输送层的成膜法，没有特别限制，在为低分子电子输送材料时，可以例示利用从粉末的真空蒸镀法或者从溶液或熔融状态成膜的方法，而在为高分子电子输送材料时，可以例示利用从溶液或熔融状态的成膜的方法。从溶液或熔融状态成膜时，也可以并用高分子粘合剂。
作为从溶液成膜中使用的溶剂，只要是使电子输送材料及/或高分子粘合剂溶解的溶剂即可，没有特别限制。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂，丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯等酯系溶剂。
作为从溶液或熔融状态成膜的方法，可以使用旋涂法、铸塑法、微凹板印刷法、凹板印刷法、棒涂法、辊涂法、拉丝锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂敷法。
作为混合的高分子粘合剂，优选不会极端地妨碍电荷输送的粘合剂，另外，还可以优选使用对可见光的吸收不强烈的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以例示聚(N-乙酰基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对苯基乙烯)或其衍生物、聚(2，5-亚噻蒽乙烯)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、或者聚硅氧烷等。
作为电子输送层的膜厚，根据使用的材料而最佳值不同，只要选择成使驱动电压和发光效率成为适当的值即可，但至少必需为不发生气泡的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压变高，不优选。因而，作为该电子输送层的膜厚，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进而优选为5nm～200nm。
形成本发明的高分子LED的基板只要是形成电极、形成有机物的层时不发生变化的基板即可，例如可以例示玻璃、塑料、高分子薄膜、硅基板等。在为不透明的基板的情况下，优选相反的电极为透明或半透明。
通常由阳极或阴极构成的电极的至少一方为透明或半透明，优选阳极侧为透明或半透明。作为该阳极的材料，可以使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等。具体而言，可以使用用氧化铟、氧化锌、氧化锡以及作为它们的复合体的铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等构成的导电性玻璃作成的膜(NESA等)或者金、铂、银、钢等，优选ITO、铟·锌·氧化物、氧化锡。作为制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀敷法等。另外，作为该阳极，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等的有机透明导电膜。
阳极的膜厚可以考虑光的透过性和电导率适当地选择，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进而优选为50nm～500nm。
另外，为了容易注入电荷，也可以在阳极上设置酞菁衍生物、导电性高分子、碳等构成的层或者金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平均膜厚为4nm以下的层。
作为本发明的高分子LED中使用的阴极的材料，优选功函数小的材料。例如可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，以及它们中的2种以上的合金或者它们中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的一种以上的合金，石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。也可以使阴极成为2层以上的层叠结构。
阴极的膜厚可以考虑电导率或耐久性适当地选择，例如10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进而优选为50nm～500nm。
作为阴极的制作方法，可以使用真空蒸镀法、溅射法、或热压接金属薄膜的层叠法等。另外，也可以在阴极与有机物层之间设置由导电性高分子构成的层或者由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平均膜厚4nm以下的层，在制作阴极之后，也可以安装保护该高分子LED的保护层。为了长期稳定地使用该高分子LED，为了从外部保护元件，优选安装保护层及/或保护外包层。
作为该保护层，可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。另外，作为保护外包层，可以使用玻璃板、在表面实施低透水率处理的塑料板等，优选使用用热固化树脂或光固化树脂使该外包层与元件基板贴合从而密闭的方法。如果使用间隔件维持空间，则容易防止元件受伤。如果在该空间中密封氮或氩之类的惰性气体，则可以防止阴极的氧化，进而通过在该空间内设置氧化钡等干燥剂，抑制在制造工序中吸附的水分给元件带来损伤变得容易。其中，优选任意1个以上的对策。
本发明的高分子发光元件可以用作面状光源、图段显示装置、点阵显示装置、液晶显示装置的背光灯等。
为了使用本发明的高分子LED得到面状的发光，只要重合配置面状的阳极和阴极即可。另外，为了得到图案状的发光，包括在所述面状的发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩模的方法、极度厚地形成非发光部的有机物层从而实际上成为非发光的方法、使阳极或阴极的任意一方或者双方电极形成为图案状的方法。在其中的任意一种方法中，通过形成图案，将几个电极配置成可以独立地开/关(On/OFF)，可以得到能够显示数字或文字、简单的符号等的图段显示元件。进而，为了成为点阵元件，只要将阳极和阴极均形成为条纹状进而正交配置即可。利用分涂多种发光色不同的高分子发光体的方法或使用滤色片或荧光转换滤色镜，部分彩色显示、多色显示成为可能。点阵元件可以进行被动驱动，也可以与TFT等组合进行主动驱动。这些显示元件可以例如被用于电脑、电视机、便携终端、便携电话、导航仪、摄影机的取景器等显示装置。
进而，所述面状的发光元件为自发光薄型，可以优选用作液晶显示装置的背光灯用的面状光源或者面状的照明用光源。另外，如果使用柔软的基板，则可以用作曲面状的光源或显示装置。
以下为了更详细地说明本发明而显示实施例，但本发明不被它们所限定。
利用SEC求得聚苯乙烯换算的数均分子量。
使用柱：TOSOH TSKgel SuperHM-H(2根)+TSKgel SuperH2000(4.6mm I.d.×15cm)、检测器：RI(SHIMADZU RID-10A)。移动相使用四氢呋喃(THF)。
合成例1
<共聚物1的合成>
将2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.99g，1.8mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-(双-4-正丁基苯基)-1，4-苯二胺(0.041g，0.06mmol)以及2，2’-联二吡啶(0.53g，3.4mmol)溶解于已脱水的四氢呋喃40mL之后，用氮鼓泡，将系统内置换成氮。在氮气氛下，在该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(0.92g，3.3mmol)，升温至60℃，边搅拌边使其反应3小时。反应之后，将该反应液冷却至室温(约25℃)，向25％氨水4mL/甲醇40mL/离子交换水40mL混合溶液中滴注并搅拌，然后过滤已析出的沉淀，减压干燥2小时，然后使其溶解于甲苯40mL后进行过滤，使滤液通过氧化铝柱来纯化，加入4％氨水约40mL，搅拌2小时后除去水层。在有机层中加入离子交换水约40mL，搅拌1小时，然后除去水层。将有机层滴注到甲醇约120mL中，搅拌1小时，过滤，减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物1)的产量为0.25g。聚苯乙烯换算的数均分子量以及重均分子量分别为Mn＝8.6×104、Mw＝1.8×105。
合成例2
<共聚物2的合成>
将2，7-二溴-9，9-二辛基芴(5.8g，10.5mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-(双-4-正丁基苯基)-1，4-苯二胺(3.1g，4.5mmol)以及2，2’-联二吡啶(6.6g，42mmol)溶解于已脱水的四氢呋喃400mL之后，用氮鼓泡，将系统内置换成氮。在氮气氛下，在该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(12g，44mmol)，升温至60℃，边搅拌边使其反应3小时。反应之后，将该反应液冷却至室温(约25℃)，向25％氨水100mL/甲醇200mL/离子交换水300mL混合溶液中滴注并搅拌，然后过滤已析出的沉淀，减压干燥，加温至50℃，然后使其溶解于甲苯350mL。然后，使其通过氧化铝柱来纯化，加入4％氨水约400mL，搅拌2小时后除去水层。在有机层中加入离子交换水约400mL，搅拌1小时，然后除去水层。将有机层滴注到醇约1200mL中，搅拌1小时，过滤，减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物2)的产量为3.5g。
共聚物2的聚苯乙烯换算的数均分子量为3.4×104、重均分子量为2.0×105。
合成例3
<共聚物3的合成>
将2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.65g，1.2mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-(双-4-正丁基苯基)-1，4-苯二胺(0.09g，0.13mmol)以及2，2’-联二吡啶(0.51g，3.3mmol)溶解于已脱水的四氢呋喃40mL之后，用氮鼓泡，将系统内置换成氮。在氮气氛下，在该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(0.91g，3.3mmol)，升温至60℃，边搅拌边使其反应3小时。反应之后，将该反应液冷却至室温(约25℃)，向25％氨水4mL/甲醇40mL/离子交换水40mL混合溶液中滴注并搅拌，然后过滤已析出的沉淀，减压干燥2小时，然后使其溶解于甲苯40mL，之后进行过滤，使滤液通过氧化铝柱来纯化，加入4％氨水约40mL，搅拌2小时后除去水层。在有机层中加入离子交换水约40mL，搅拌1小时，然后除去水层。将有机层滴注到甲醇约120mL中，搅拌1小时，过滤，减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物3)的产量为0.20g。聚苯乙烯换算的数均分子量以及重均分子量分别为Mn＝1.3×105、Mw＝7.3×105。
合成例4
<共聚物4的合成>
将下述化合物A(4.8g，7.9mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺(0.31g，0.42mmol)以及2，2’-联二吡啶(3.5g，23mmol)溶解于已脱水的四氢呋喃211mL之后，用氮鼓泡，将系统内置换成氮。在氮气氛下，将该溶液升温至60℃，在60℃中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(6.2g，23mmol)，边搅拌边使其反应3小时。反应之后，将该反应液冷却至室温(约25℃)，向25％氨水30mL/甲醇200mL/离子交换水200mL混合溶液中滴注并搅拌，然后过滤已析出的沉淀，减压干燥2小时，然后使其溶解于甲苯250mL，之后进行过滤，使滤液通过氧化铝柱来纯化，加入4％氨水约250mL，搅拌2小时后除去水层。在有机层中加入离子交换水约250mL，搅拌1小时，然后除去水层。
向有机层中滴注甲醇约50mL，搅拌1小时，用倾析除去上清液。将得到的沉淀物溶解于甲苯100mL，滴注到甲醇约200mL，搅拌1小时，过滤，减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物4)的产量为3.1g。聚苯乙烯换算的数均分子量以及重均分子量分别为Mn＝1.3×105、Mw＝4.6×105。
(化合物A)
Figure S2006800189695D00331
合成例5
<共聚物5的合成>
将上述化合物A(7.3g，12mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺(0.19g，0.25mmol)以及2，2’-联二吡啶(9.3g，34mmol)溶解于已脱水的四氢呋喃450mL之后，用氮鼓泡，将系统内置换成氮。在氮气氛下，将该溶液升温至60℃，在60℃中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(9.3g，34mmol)，边搅拌边使其反应3小时。反应之后，将该反应液冷却至室温(约25℃)，向25％氨水45mL/甲醇450mL/离子交换水450mL混合溶液中滴注并搅拌，然后过滤已析出的沉淀，减压干燥2小时，然后使其溶解于甲苯700mL，之后进行过滤，使滤液通过氧化铝柱来纯化，加入4％氨水约700mL，搅拌2小时后除去水层。在有机层中加入离子交换水约700mL，搅拌1小时，然后除去水层。
向有机层中滴注甲醇约150mL，搅拌1小时，用倾析除去上清液。将得到的沉淀物溶解于甲苯300mL，滴注到甲醇约600mL，搅拌1小时，过滤，减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物5)的产量为4.7g。聚苯乙烯换算的数均分子量以及重均分子量分别为Mn＝7.6×104、Mw＝6.6×105。
合成例6
<共聚物6的合成>
将上述化合物A(13g，22mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺(6.7g，9.0mmol)以及2，2’-联二吡啶(12g，75mmol)溶解于已脱水的四氢呋喃1100mL之后，用氮鼓泡，将系统内置换成氮。在氮气氛下，将该溶液升温至60℃，在60℃中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(21g，75mmol)，边搅拌边使其反应3小时。反应之后，将该反应液冷却至室温(约25℃)，向25％氨水150mL/甲醇500mL/离子交换水500mL混合溶液中滴注并搅拌，然后过滤已析出的沉淀，减压干燥2小时，然后使其溶解于甲苯750mL，之后进行过滤，使滤液通过氧化铝柱来纯化，加入4％氨水约750mL，搅拌2小时后除去水层。在有机层中加入离子交换水约750mL，搅拌1小时，然后除去水层。
向有机层中滴注甲醇约1500mL，搅拌1小时，过滤，减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物6)的产量为8.5g。聚苯乙烯换算的数均分子量以及重均分子量分别为Mn＝2.0×104、Mw＝7.7×104。
实施例1
利用溅射法，在以150nm的厚度附着ITO膜的玻璃基板上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/磺化聚苯乙烯的溶液(拜耳公司，BaytronP)，利用旋涂器，以70nm的厚度成膜，在热板上以200℃干燥10分钟。接着，使用将共聚物1和共聚物2的8∶2(重量比)混合物配置成1.5wt％的甲苯溶液，利用旋涂器，以1200rpm的转速成膜。进而，在减压下、90℃将其干燥1小时，然后将氟化锂蒸镀成约4nm，作为阴极，将钙蒸镀成约5nm，接着，将铝蒸镀成约70nm，制作EL元件。其中，真空度到达1×10-4Pa以下之后，开始蒸镀金属，作成得到的元件，通过向其施加电压，以2.4cd/A的最大发光效率得到EL发光。另外，在该元件中流电流，以初始亮度1016nit使其发光，检查亮度的衰减，在18.4小时之后，亮度劣化至60％。
比较例1
在实施例1中，代替共聚物1和共聚物2的8∶2(重量比)混合物，使用共聚物3，作成元件，在该元件中流电流，以初始亮度1011nit使其发光，检查亮度的衰减，在11.8小时之后，亮度劣化至60％。
实施例2
在实施例1中，代替共聚物1和共聚物2的8∶2(重量比)混合物，使用表1的聚合物，除此以外，进行相同的实验，最大发光效率以及初始亮度如表所示，检查使其发光时的亮度的衰减。
[表1]
运行 聚合物   最大发光效率(cd/A)   初始亮度(nit)   60％劣化时间(hr)
1   共聚物4/共聚物6(80∶20) 2.7 2950 16.8
2   共聚物5/共聚物6(71∶29) 2.8 990 91.1
合成例7
<共聚物7的合成>
将化合物A(1.78g，3.0mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺(0.24g，0.32mmol)以及2，2’-联二吡啶(1.39g，9.1mmol)溶解于已脱水的四氢呋喃83mL之后，用氩鼓泡，将系统内置换成氩。升温至60℃，然后在氮气氛下，在该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(2.45g，9.1mmol)，边搅拌边使其反应3小时。将该反应液冷却至室温，向25％氨水12mL/甲醇83mL/离子交换水83mL混合溶液中滴注并搅拌1小时，然后过滤已析出的沉淀，减压干燥2小时。然后使其悬浮于甲苯90g，之后进行过滤，使滤液通过氧化铝柱来纯化，接着加入2.9％氨水约195mL，搅拌2小时后除去水层。进而，在有机层中加入离子交换水约195mL，搅拌1小时，然后除去水层。向有机层中加入甲醇45mL，收集用倾析析出的沉淀物，将其溶解于甲苯99mL，然后将其滴注到甲醇约300mL，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物7)的产量为0.95g。聚苯乙烯换算的数均分子量以及重均分子量分别为Mn＝1.8×105、Mw＝6.3×105。
合成例8
<共聚物8的合成>
Figure S2006800189695D00361
化合物B
在反应容器中加入上述化合物B0.45g(0.75mmol)和N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-正丁基苯基)-1，4-苯二胺0.012g(0.018mmol)以及2，2’-联二吡啶0.20g(1.3mmol)之后，用氮气置换反应系统内。向其中加入已预先用氩气鼓泡从而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)20ml。接着，在该混合溶剂中，加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)0.36g(1.3mmol)，在60℃下使其反应3小时。其中，反应是在氮气气氛中进行的。反应之后，冷却该溶液，然后，注入到25％氨水10ml/甲醇120ml/离子交换水50ml混合溶液中，搅拌约1小时。接着，通过过滤回收产生的沉淀。用乙醇清洗该沉淀，然后减压干燥2小时。接着，将该沉淀溶解于甲苯30mL，加入1N盐酸30mL，搅拌1小时，除去水层，向有机层加入4％氨水30mL，搅拌1小时后，除去水层。向甲醇150mL中滴注有机层，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，使其溶解于甲苯30mL。然后，通过氧化铝柱(氧化铝量20g)进行纯化，将回收的甲苯溶液滴注到甲醇100mL，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，使其减压干燥2小时。得到的共聚物(以后称为共聚物8)的产量为0.24g。聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×105，聚苯乙烯换算重均分子量为5.4×105。
合成例9
<共聚物9的合成>
在反应容器中加入化合物B(10.8g，18mmol)和N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-正丁基苯基)-1，4-苯二胺(5.1g，7.7mmol)以及2，2’-联二吡啶(11.0g，71mmol)之后，用氮气置换反应系统内。向其中加入已预先用氩气鼓泡从而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)800g。接着，在该混合溶剂中，加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)(20.0g，66mmol)，在室温下搅拌10分钟，在60℃下使其反应3小时。其中，反应是在氮气气氛中进行的。
反应之后，冷却该溶液，然后，注入25％氨水150ml/乙醇500ml/离子交换水1000ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，通过过滤回收产生的沉淀。减压干燥该沉淀之后，溶解于甲苯。过滤该溶液，除去不溶物，然后用1当量盐酸清洗该甲苯溶液，然后分液，回收甲苯溶液。接着，用约3％氨水清洗该甲苯溶液，然后分液，回收甲苯溶液。接着，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，纯化。接着，通过在搅拌下向该甲苯溶液加入甲醇，进行再沉淀纯化。
接着，回收产生的沉淀，减压干燥该沉淀，得到聚合物6.0g。将该聚合物称为高分子化合物。得到的高分子化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量为1.1×105，数均分子量为2.1×104。
合成例10
<共聚物10的合成>
在反应容器中加入化合物B0.50g(0.84mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-正丁基苯基)-1，4-苯二胺0.063g(0.093mmol)以及2，2’-联二吡啶0.30g(1.9mmol)之后，用氮气置换反应系统内。向其中加入已预先用氩气鼓泡从而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)20ml。接着，在该混合溶剂中，加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)0.54g(1.9mmol)，在60℃下使其反应3小时。其中，反应是在氮气气氛中进行的。反应之后，冷却该溶液，然后，注入到25％氨水10ml/甲醇120ml/离子交换水50ml混合溶液中，搅拌约1小时。接着，通过过滤回收产生的沉淀。用乙醇清洗该沉淀，然后减压干燥2小时。接着，将该沉淀溶解于甲苯30mL，加入1N盐酸30mL，搅拌1小时，除去水层，向有机层加入4％氨水30mL，搅拌1小时后，除去水层。向甲醇150mL中滴注有机层，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，使其溶解于甲苯30mL。然后，通过氧化铝柱(氧化铝量20g)进行纯化，将回收的甲苯溶液滴注到甲醇100mL，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，使其减压干燥2小时。得到的共聚物10的产量为0.16g。
共聚物10的聚苯乙烯换算的数均分子量为8.1×104，聚苯乙烯换算重均分子量为1.4×105。
合成例11
<共聚物11的合成>
Figure S2006800189695D00381
化合物C
在反应容器中加入上述化合物C0.60g(1.05mmol)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺0.040g(0.054mmol)以及2，2’-联二吡啶0.47g(3.0mmol)之后，用氮气置换反应系统内。向其中加入已预先用氩气鼓泡从而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)30ml。接着，在该混合溶剂中，加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)0.84g(3.0mmol)，在60℃下使其反应3小时。其中，反应是在氮气气氛中进行的。反应之后，冷却该溶液，然后，注入到25％氨水10ml/甲醇120ml/离子交换水50ml混合溶液中，搅拌约1小时。接着，通过过滤回收产生的沉淀。用乙醇清洗该沉淀，然后减压干燥2小时。接着，将该沉淀溶解于甲苯50mL，加入1N盐酸50mL，搅拌1小时，除去水层，向有机层加入4％氨水50mL，搅拌1小时后，除去水层。向甲醇120mL中滴注有机层，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，使其溶解于甲苯30mL。然后，通过氧化铝柱(氧化铝量20g)进行纯化，将回收的甲苯溶液滴注到甲醇100mL，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，使其减压干燥2小时。得到的共聚物11的产量为0.24g。
共聚物11的聚苯乙烯换算的数均分子量为7.3×104，聚苯乙烯换算重均分子量为2.7×105。
合成例12
<共聚物12的合成>
在反应容器中加入化合物C(6.12g，11mmol)和N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺(3.32g，4.5mmol)以及2，2’-联二吡啶(6.42g，41mmol)之后，用氮气置换反应系统内。向其中加入已预先用氩气鼓泡从而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)400g。接着，在该混合溶剂中，加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)(11.7g，38mmol)，在室温下搅拌10分钟，然后在60℃下使其反应3小时。其中，反应是在氮气气氛中进行的。
反应之后，冷却该溶液，然后，注入25％氨水50ml/甲醇200ml/离子交换水200ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，通过过滤回收产生的沉淀。减压干燥该沉淀之后，溶解于甲苯。过滤该溶液，除去不溶物，然后接着，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，纯化。接着，用1当量盐酸清洗该甲苯溶液，然后分液，回收甲苯溶液。接着，用约3％氨水清洗该甲苯溶液，然后分液，回收甲苯溶液。接着，用离子交换水清洗该甲苯溶液之后，分液，回收甲苯溶液。接着，通过向甲醇中注入该甲苯溶液，进行再沉淀纯化。
接着，通过过滤回收产生的沉淀。减压干燥该沉淀，得到的聚合物12的产量为4.5g。共聚物12的聚苯乙烯换算的重均分子量为7.6×104，数均分子量为2.8×104。
合成例13
<共聚物13的合成>
在反应容器中加入化合物C0.60g(1.0mmol)和N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺0.080g(0.11mmol)以及2，2’-联二吡啶0.50g(3.2mmol)之后，用氮气置换反应系统内。向其中加入已预先用氩气鼓泡从而脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)32ml。接着，在该混合溶剂中，加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)0.85g(3.2mmol)，在60℃下使其反应3小时。其中，反应是在氮气气氛中进行的。反应之后，冷却该溶液，然后，注入到25％氨水10ml/甲醇120ml/离子交换水50ml混合溶液中，搅拌约1小时。接着，通过过滤回收产生的沉淀。用乙醇清洗该沉淀之后，减压干燥2小时。接着，将该沉淀溶解于甲苯50mL，然后加入1N盐酸50mL，搅拌1小时，向有机层加入4％氨水50mL，搅拌1小时后，除去水层。向甲醇120mL中滴注有机层，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，减压干燥2小时，使其溶解于甲苯30mL。然后，通过氧化铝柱(氧化铝量20g)进行纯化，将回收的甲苯溶液滴注到甲醇100mL，搅拌1小时，过滤析出的沉淀，使其减压干燥2小时。得到的共聚物13的产量为0.25g。
共聚物13的聚苯乙烯换算的数均分子量为4.6×104，聚苯乙烯换算重均分子量为2.2×105。
比较例2
在实施例2中，代替共聚物4和共聚物6的8∶2(重量比)混合物，使用共聚物7(F018-A061＝9-1)，作成元件，通过向其施加电压，得到EL发光为2.6cd/A的最大发光效率。在该元件中流电流，以初始亮度2900nit使其发光，检查亮度的衰减，在7.8小时之后，亮度劣化至60％。
实施例3
在实施例1中，代替共聚物1和共聚物2的8∶2(重量比)混合物，使用共聚物8和共聚物9的71∶29(重量比)混合物，作成元件，通过向其施加电压，得到EL发光为2.7cd/A的最大发光效率。在该元件中流电流，以初始亮度100nit使其发光，检查亮度的衰减，在4.3小时之后，亮度劣化至60％。
比较例3
在实施例3中，代替共聚物8和共聚物9的71∶29(重量比)混合物，使用共聚物10，作成元件，通过向其施加电压，得到EL发光为2.8cd/A的最大发光效率。在该元件中流电流，以初始亮度98nit使其发光，检查亮度的衰减，在1.2小时之后，亮度劣化至60％。
实施例4
在实施例1中，代替共聚物1和共聚物2的8∶2(重量比)混合物，使用共聚物11和共聚物12的80∶20(重量比)混合物，作成元件，通过向其施加电压，得到EL发光为3.4cd/A的最大发光效率。在该元件中流电流，以初始亮度102nit使其发光，检查亮度的衰减，在5.8小时之后，亮度劣化至60％。
比较例4
在实施例4中，代替共聚物11和共聚物12的80∶20(重量比)混合物，使用共聚物13，作成元件，通过向其施加电压，得到EL发光为3.2cd/A的最大发光效率。在该元件中流电流，以初始亮度100nit使其发光，检查亮度的衰减，在1.6小时之后，亮度劣化至60％。
产业上的可利用性
本发明的高分子组合物用作发光元件的发光材料时，可以提供发光效率高、寿命更长等高性能的发光元件。

Claims (13)

1.一种高分子组合物，其是含有1～99重量％下述共聚物(A)和99～1重量％共聚物(B)的高分子组合物，其中，
共聚物(A)是：含有重复单元(a)和重复单元(b)，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaA(％)时，100＞XaA＞5，在固体状态下具有荧光，聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的共聚物；
共聚物(B)是：含有重复单元(a)和重复单元(b)，在将重复单元(a)的摩尔数相对重复单元(a)和(b)的总摩尔数的比例设为XaB(％)时，满足XaB≤XaA-5的关系，在固体状态下具有荧光，聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的共聚物。
2.根据权利要求1所述的高分子组合物，其特征在于，重复单元(a)为空穴注入性或者空穴输送性。
3.根据权利要求1或2所述的高分子组合物，其特征在于，重复单元(b)为电子注入性或者电子输送性。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的高分子组合物，其特征在于，重复单元(b)是共轭以具有SP2轨道的碳连结的结构。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的高分子组合物，其特征在于，重复单元(a)为下式(1)表示的重复单元，
式中，Ar1、Ar3以及Ar5分别独立地表示芳烯基或2价的杂环基，Ar2以及Ar4分别独立地表示芳基或1价的杂环基，t表示0～3的整数，分别存在多个Ar4以及Ar5的情况下，它们可相同或不同。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的高分子组合物，其特征在于，重复单元(b)为下式(2)表示的重复单元，
式中，X表示-CR3R4-、-O-、-S-、-Se-或-SiR5R6-，p及q分别独立地表示0～3的整数，R1及R2分别独立地表示烷基、芳基或1价的杂环基，两个以上R1及R2可以连接形成环结构，R3、R4、R5及R6分别独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基甲硅烷基、芳基氨基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷基甲硅烷基、芳基烷基氨基、1价的杂环基或氰基，分别存在多个R1及R2的情况下，它们可相同或不同，进而，R1、R2、R3、R4、R5及R6为含有烷基的基团的情况下，该烷基可以被含有杂原子的基团中断。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的高分子组合物，其特征在于，含有5～95重量％共聚物(A)、95～5重量％共聚物(B)。
8.一种墨液组合物，其特征在于，
含有权利要求1～7中任意一项所述的高分子组合物。
9.一种高分子发光元件，其特征在于，
在阳极以及阴极构成的电极之间具有发光层，该发光层含有权利要求1～7中任意一项所述的高分子组合物。
10.一种面状光源，其特征在于，
含有权利要求9所述的高分子发光元件。
11.一种图段显示装置，其特征在于，
含有权利要求9所述的高分子发光元件。
12.一种点阵显示装置，其特征在于，
含有权利要求9所述的高分子发光元件。
13.一种液晶显示装置，其特征在于，
将权利要求9所述的高分子发光元件作为背光灯。
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