CN100568525C - 有机发光显示装置及其构造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光显示装置及其构造方法，该有机发光显示装置能够防止密封基底的玻璃料的粘着强度劣化。根据本发明一个实施例的有机发光显示装置包括：第一基底，包括像素区域和非像素区域；有机发光像素的阵列，形成在第一基底的像素区域之上；第二基底，放置在第一基底之上，所述阵列置于第一基底和第二基底之间；电导线，形成在第一基底的非像素区域之上；玻璃料密封部分，置于第一基底和第二基底之间，并环绕所述阵列，使得阵列被第一基底、第二基底和玻璃料密封部分密封，其中，电导线包括与装置的部分中的玻璃料密封部分叠置的部分，使得当从第一基底观察时，电导线的部分基本上掩盖玻璃料密封部分。

Description

有机发光显示装置及其构造方法

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置。更具体地讲，本发明涉及封装有机发光显示装置。

背景技术

为了改善传统显示器比如阴极射线管的缺点，近来，平板显示器比如液晶显示器、有机发光显示装置、等离子体显示面板(PDP)等已经备受关注。

由于液晶显示器是无源型装置而不是发射型装置，所以难以制造亮度和对比度高、视角宽和大尺寸的屏幕。虽然PDP是发射型装置，但是与其它显示器相比，PDP质量重、能耗高，且需要复杂的制造过程。

同时，由于有机发光显示装置(OLED)是发射型装置，所以其视角宽、对比度高。此外，由于OLED不需要背光，所以可被制造得质量轻、小型化且节省功率。除此之外，OLED可以在低DC电压下驱动，并具有快速的响应速度，且OLED完全由固体材料形成。所以，OLED能够承受外部冲击和大范围的温度，可以以低成本通过简单的方法来构造OLED。

这部分的讨论目的在于提供对有机发光显示装置的总背景，并不构成对现有技术的陈述。

发明内容

本发明的一方面提供了一种有机发光显示装置。该装置包括：第一基底，包括像素区域和非像素区域；有机发光像素的阵列，形成在所述第一基底的所述像素区域之上；第二基底，放置在所述第一基底之上，所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间。所述装置还包括：电导线，形成在所述第一基底的所述非像素区域之上；玻璃料密封部分，置于所述第一基底和所述第二基底之间，并环绕所述阵列，使得所述阵列被所述第一基底、所述第二基底和所述玻璃料密封部分密封，其中，所述电导线包括与所述装置的部分中的玻璃料密封部分叠置的部分，使得当从所述第一基底观察时，所述电导线的部分基本上覆盖所述玻璃料密封部分。

在上述装置中，当从所述第一基底观察时，所述电导线的部分可以基本上完全覆盖所述玻璃料密封部分。所述玻璃料密封部分可接触所述电导线。在所述玻璃料密封部分和所述电导线之间可以基本上没有有机材料。所述装置还可包括位于所述电导线和所述第一基底之间的至少一层，所述至少一层包含有机材料。所述电导线还可包括没有与所述玻璃料密封部分叠置的部分。所述电导线可以沿着所述第一基底的外围边缘延伸，其中，所述玻璃料密封部分沿着所述第一基底的外围边缘延伸。所述电导线可以由金属制成。在所述装置的其它部分中，所述玻璃料密封部分还可包括非覆盖部分，当从所述第一基底观察时，所述非覆盖部分不被所述电导线覆盖。

仍然参照上述装置，所述玻璃料密封部分可具有沿着截面平面截取的宽度，所述电导线可具有沿着所述截面平面截取的宽度，其中，所述玻璃料密封部分的宽度基本上小于所述电导线的宽度。所述电导线可包括电连接到阵列的电源线。所述电导线可包括在基本上整个装置中与所述玻璃料密封部分叠置的部分，使得当从所述第一基底观察时，所述电导线的所述部分基本上覆盖所述玻璃料密封部分。

仍然参照上述装置，所述装置还可包括平坦化层，所述平坦化层形成在所述第一基底的所述非像素区域的至少部分之上，其中，所述玻璃料密封部分不接触所述平坦化层。所述装置还可包括有机平坦化层，所述有机平坦化层形成在所述第一基底的所述非像素区域的至少部分之上，其中，所述有机平坦化层包括暴露所述电导线的凹陷。所述装置还可包括置于所述第一基底和所述阵列之间的多个薄膜晶体管，其中，所述电导线由用在所述多个薄膜晶体管中的材料制成。

本发明的另一方面提供了一种制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括：提供未完成的装置，所述未完成的装置包括第一基底、形成在所述第一基底之上的有机发光像素的阵列、形成在所述第一基底之上并不与所述阵列叠置的电导线；进一步提供第二基底；将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间，使得所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间，且所述玻璃料环绕所述阵列，所述电导线的部分与所述装置的部分中的玻璃料叠置，由此，所述电导线的部分基本上覆盖所述装置的部分中的玻璃料。所述方法还包括将至少部分玻璃料熔化并重新固化，以通过玻璃料使所述未完成的装置与所述第二基底互连，其中，所述玻璃料连接到所述电导线，在所述玻璃料和所述电导线之间有或没有物质，其中，所述玻璃料连接到所述第二基底，在所述玻璃料和所述第二基底之间有或没有物质。

在上述方法中，所述将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间的步骤可包括：使得所述玻璃料与所述电导线的部分和所述第二基底接触。所述未完成的装置还可包括大体形成在所述电导线之上的平坦化层，所述平坦化层具有暴露所述电导线的部分的开口，其中，所述将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间的步骤包括使得所述玻璃料通过所述开口与所述电导线接触。提供所述未完成的装置包括：在所述电导线之上提供平坦化层；选择性地蚀刻所述平坦化层，以形成所述开口。所述熔化玻璃料的步骤可包括将激光束或红外线照射到玻璃料的至少部分。所述将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间的步骤可包括：在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个之上形成所述玻璃料；布置所述第一基底和所述第二基底，以将所述玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间。形成所述玻璃料的步骤可包括：将所述玻璃料的材料丝网印刷或分配到所述第一基底和所述第二基底的至少一个之上。所述未完成的装置还可包括有机发光像素的一个或多个附加阵列以及形成在所述第一基底之上的一条或多条附加的电导线；

仍然参照上述方法，所述方法还可包括：在所述第一基底和所述第二基底之间形成一个或多个附加的玻璃料，使得每个附加的玻璃料环绕所述附加的阵列中的一个，并接触一条附加的电导线中的部分。所述一条附加的电导线可基本上掩盖所述附加的玻璃料。所述方法还可包括将最终产品切割成两块或多块，其中，所述块中的一个包括置于所述第一基底和所述第二基底之间的所述玻璃料和所述阵列。

附图说明

将参照结合附图的本发明的特定的示例性实施例，描述本发明上述和其它特征，在附图中：

图1是根据实施例的有机发光显示装置的剖视图；

图2至图5是根据实施例的有机发光显示装置的剖视图；

图6是根据另一个实施例的有机发光显示装置的剖视图；

图7A是根据一个实施例的无源矩阵型有机发光显示装置的示意性分解图；

图7B是根据一个实施例的有源矩阵型有机发光显示装置的示意性分解图；

图7C是根据一个实施例的有机发光显示装置的示意性俯视平面图；

图7D是沿着图7C中的线D-D截取的有机发光显示装置的剖视图；

图7E是示出根据一个实施例的有机发光显示装置的批量生产的示意性透视图。

具体实施方式

下文中，现在将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的一些实施例。然而，本发明可以以不同的形式来实施，而不应该被理解为限于这里提出的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完全的，并将把本发明的范围充分传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层和区域的厚度。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。

有机发光显示装置(OLED)是一种包括有机发光二极管的阵列的显示装置。有机发光二极管是包含有机材料并当施加适合的电势时产生并发射光的固态器件。

根据设置有激励电流的配置，OLED可通常分为两种基本类型。图7A示意性地示出了无源矩阵型OLED 1000的简单结构的分解视图。图7B示意性地示出了有源矩阵型OLED 1001的简单结构。在这两种构造中，OLED 1000和1001包括形成在基底1002上方的OLED像素，OLED像素包括阳极1004、阴极1006和有机层1010。当向阳极1004施加适合的电流时，电流流过像素，从有机层发射可见光。

参照图7A，无源矩阵OLED(PMOLED)设计包括长条形的阳极1004、长条形的阴极1006以及位于它们之间的有机层，其中，阳极1004通常垂直于阴极1006排列。条形阴极1006和阳极1004的交叉限定了单独的OLED像素，在单独的OLED像素中，当适当地激发相应的条形的阳极1004和阴极1006时产生并发射光。PMOLED的优点在于构造相对简单。

参照图7B，有源矩阵OLED(AMOLED)包括布置在基底1002和OLED像素的阵列之间的驱动电路1012。AMOLED的单个的像素限定在公共阴极1006和与其它阳极电绝缘的阳极1004之间。每个驱动电路1012与OLED像素的阳极1004连接，并还与数据线1016和扫描线1018连接。在实施例中，扫描线1018提供选择驱动电路的行的选择信号，数据线1016提供用于特定驱动电路的数据信号。数据信号和扫描信号激励局部驱动电路1012，这样会激发阳极1004，从而从它们相应的像素发光。

在示出的AMOLED中，局部驱动电路1012、数据线1016和扫描线1018埋入平坦化层1014中，平坦化层1014置于像素阵列和基底1002之间。平坦化层1014提供其上形成有机发光像素阵列的平面的顶表面。平坦化层1014可由有机材料或无机材料形成，虽然示出的为单层，但是平坦化层可由两层或更多层形成。局部驱动电路1012通常形成有薄膜晶体管(TFT)并且在OLED像素阵列之下布置成栅格状或阵列形。局部驱动电路1012可以至少部分地由有机材料制成，局部驱动电路1012包括有机TFT。

AMOLED的优点是响应速度快，这提高了在显示数据信号的过程中对AMOLED的满意度。此外，AMOLED的优点是比无源矩阵OLED消耗的功率低。

参照PMOLED和AMOLED设计的共同特征，基底1002提供了用于OLED像素和电路的结构支撑。在各种实施例中，基底1002可包含刚性或柔性材料以及透明或不透明材料，比如塑料、玻璃和/或金属箔。如上所述，各OLED像素或二极管形成有阳极1004、阴极1006和设置在阳极1004和阴极1006之间的有机层1010。当适当的电流施加到阳极1004时，阴极1006注入电子，阳极1004注入空穴。在特定的实施例中，将阳极1004和阴极1006颠倒，即阴极形成在基底1002上，阳极相对地布置。

设置在阴极1006和阳极1004之间的是一个或多个有机层。更具体地讲，至少一个发射层或发光层置于阴极1006和阳极1004之间。发光层可包含一种或多种有机发光化合物。通常，发光层被构造为发射单一颜色(比如蓝色、绿色、红色或白色)的可见光。在示出的实施例中，一个有机层1010形成在阴极1006和阳极1004之间，用作发光层。可形成在阳极1004和阴极1006之间的其它的层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层。

空穴传输和/或空穴注入层可以设置在发光层1010和阳极1004之间。电子传输层和/或注入层可以设置在阴极1006和发光层1010之间。通过降低用于注入来自阴极1006的电子的逸出功，电子注入层有助于来自阴极1006的电子向着发光层1010注入。类似地，空穴注入层有助于来自阳极1004的空穴向着发光层1010注入。空穴传输层和电子传输层有助于从各电极注入的载流子向着发光层运动。

在一些实施例中，单个层既可起到电子注入又起到电子传输的作用，或者既起到空穴注入又起到空穴传输的作用。在一些实施例中，缺少这些层中的一个或多个。在一些实施例中，一个或多个有机层掺杂有一种或多种有助于载流子注入和/或传输的材料。在只有一个有机层形成在阴极和阳极之间的实施例中，有机层不仅可包含有机发光化合物还可包含特定的功能性材料，这些功能性材料有助于载流子在有机层内的注入或传输。

现已开发出许多用于这些层(包括发光层)中的有机材料。此外，正在开发许多其它用于这些层中的有机材料。在一些实施例中，这些有机材料可以是包括低聚物和聚合体的高分子。在一些实施例中，用于这些层的有机材料可以是相对小的分子。根据在特定设计中各个层的期望的功能和相邻层的材料，技术人员将能够选择适当的材料用于这些层中的每个层。

在操作中，电路提供阴极1006和阳极1004之间的适当的电势。这产生了通过置于其间的有机层从阳极1004流向阴极1006的电流。在一个实施例中，阴极1006向相邻的有机层1010提供电子。阳极1004向有机层1010注入空穴。空穴和电子在有机层1010中复合，产生称作“激子”的能量粒子。激子将其能量传递给有机层1010中的有机发光材料，这些能量用于从有机发光材料发射可见光。通过OLED 1000、1001产生和发射的光的光谱特性取决于有机层中的有机分子的性质和组成。可以选择一个或多个有机层的组成，以适合本领域普通技术人员特定实施的需要。

OLED器件也可基于光发射的方向来分类。在被称作“顶发射”类型的一种类型中，OLED器件穿过阴极或顶电极1006发射光并显示图像。在一些实施例中，阴极1006由相对于可见光来说透明或至少部分透明的材料来制成。在特定的实施例中，为了避免损失任何可以穿过阳极或顶电极1004的光，阳极可以由对可见光完全反射的材料制成。第二种类型的OLED器件穿过阳极或顶电极1004发光，这种类型被称作“底发射”类型。在底发射类型OLED器件中，阳极1004由相对于可见光来说至少部分透明的材料制成。通常，在底发射型OLED器件中，阴极1006由对可见光完全反射的材料制成。第三种类型的OLED器件在两个方向上发光，即穿过阳极1004发光又穿过阴极1006发光。根据光发射的方向，基底可以由对可见光来说透明、不透明或反射的材料形成。

在一些实施例中，包括多个有机发光像素的OLED像素阵列1021布置在基底1002上方，如图7C中所示。在实施例中，通过驱动电路(未示出)来控制阵列1021中的像素导通和截止，多个像素作为一个整体来在阵列1021上显示信息或图像。在特定的实施例中，OLED像素阵列1021根据其它组件(比如驱动和控制电子器件)来布置，以限定显示区和非显示区。在这些实施例中，显示区指基底1002中的形成有OLED像素阵列1021的区域。非显示区指基底1002的剩余的区域。在实施例中，非显示区可包含逻辑电路和/或电源电路。将理解的是，至少部分控制/驱动电路元件布置在显示区内。例如，在PMOLED中，导电组件将延伸到显示区中，以向阳极和阴极提供适当的电势。在AMOLED中，与驱动电路连接的数据/扫描线和局部驱动电路将延伸到显示区中，以驱动和控制AMOLED中的单个的像素。

OLED器件的一种设计和制造上的考虑在于OLED器件的特定的有机材料层会由于暴露于水、氧气或其它有害气体而遭受毁坏或加速劣化。因此，通常理解的是，将OLED器件密封或包封以防止暴露于制造或操作环境中存在的湿气和氧气或其它有害气体。图7D示意性地示出了沿图7C中的线D-D截取的具有图7C中的布局的包封的OLED器件1011的剖视图。在这个实施例中，通常平坦的顶板或顶部基底1061与密封剂1071接合，密封剂1071还与底板或底部基底1002接合以密闭或包封OLED像素阵列1021。在其它实施例中，在顶板1061或底板1002上形成一层或多层，密封剂1071经这样的层与底部基底1002或顶部基底1061结合。在示出的实施例中，密封剂1071沿着OLED像素阵列1021的外围或者底板1002或顶板1061的边缘延伸。

在实施例中，如将在下面进一步讨论的，密封剂1071由玻璃料材料制成。在各种实施例中，顶板1061和底板1002包含如塑料、玻璃和/或金属箔的材料，这些材料可以提供防止氧气和/或水通过的屏障，从而保护OLED像素阵列1021免于暴露给这些物质。在实施例中，顶板1061和底板1002中的至少一个由基本透明的材料制成。

为了延长OLED器件1011的寿命，通常期望密封剂1071以及顶板1061和底板1002提供对氧气和水气的基本不渗透的密封，并提供基本密封的密闭空间1081。在特定的应用中，示出与顶板1061和底板1002结合的玻璃料材料的密封剂1071提供少于每天大约10^-3cc/m²的氧气和少于每天10^-6g/m²的水的屏障。假定一些氧气和湿气可以渗透到密封空间1081，在一些实施例中，在密封空间1081内形成可以吸收氧气和/或湿气的材料。

密封剂1071具有宽度W，宽度W是平行于顶部基底1061或底部基底1002的表面的方向上的厚度，如图7D所示。该宽度在实施例中是不同的，并且范围从大约300μm至大约3000μm，可选地从大约500μm至大约1500μm。另外，在密封剂1071的不同位置，宽度可以变化。在一些实施例中，密封剂1071的宽度可以在密封剂1071与底部基底1002和顶部基底1061，或者形成在底部和顶部基底上的层中的一个接触的位置处最大。该宽度可以在与其它部分接触的位置最小。密封剂1071的单一截面中宽度的变化与密封剂1071的截面形状和其它设计参数有关。

密封剂1071具有高度H，高度H是垂直于顶部基底1061或底部基底1002的表面的方向上的厚度，如图7D所示。该高度在实施例中是不同的，并且范围从大约2μm至大约30μm，可选地从大约10μm至大约15μm。通常，该高度在密封剂1071的不同位置变化不明显。然而，在特定的实施例中，密封剂1071的高度可以在其不同的位置变化。

在示出的实施例中，密封剂1071具有一般的矩形截面。然而，在其它实施例中，密封剂1071可以具有其它的各种截面形状，如一般的方形截面、一般的梯形截面、具有一个或多个圆边的截面、或如由指定应用所需指示的其它构造。为了改进密封性，通常期望增大密封剂1071与底部基底1002或顶部基底1061或者形成在底部或顶部基底上的层直接接触的界面面积。在一些实施例中，可以设计密封剂的形状，使得界面面积可以增大。

密封剂1071可以紧邻OLED阵列1021布置，而在其它的实施例中，密封剂1071与OLED阵列1021隔开一定的距离。在特定的实施例中，密封剂1071包含一般的线性部分，这些线性部分连接在一起从而包围OLED阵列1021。在特定的实施例中，密封剂1071的这些线性部分可以通常平行于OLED阵列1021的各个边界延伸。在其它实施例中，密封剂1071的一个或多个线性部分相对于OLED阵列1021的各个边界以非平行关系布置。在其它实施例中，密封剂1071的至少一部分以曲线的方式在顶板1061和底板1002之间延伸。

如上所指出，在特定的实施例中，使用玻璃料材料或简称为“玻璃料”或“玻璃粉”(包括精细的玻璃颗粒)形成密封剂1071。玻璃料颗粒包括氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li₂O)、氧化钠(Na₂O)、氧化钾(K₂O)、氧化硼(B₂O₃)、氧化钒(V₂O₅)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P₂O₅)、氧化钌(Ru₂O)、氧化铷(Rb₂O)、氧化铑(Rh₂O)、氧化铁(Fe₂O₃)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO₂)、氧化钨(WO₃)、氧化铋(Bi₂O₃)、氧化锑(Sb₂O₃)、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐等中的一种或多种。在实施例中，这些颗粒的尺寸范围为大约2μm至大约30μm，可选地为大约5μm至大约10μm，尽管不仅限于此。这些颗粒可以和与玻璃料密封剂1071接触的顶部基底1061和底部基底1002或者在这些基底上形成的任何层之间的距离大约一样大。

用于形成密封剂1071的玻璃料材料还可以包括一种或多种填充剂或添加料。可以提供填充剂或添加料以调节密封剂1071的整体的热膨胀性能和/或调节密封剂1071对选择频率的入射的辐射能的吸收性能。填充剂或添加料还可以包括转化物(inversion)和/或附加的填充剂以调整玻璃料的热膨胀系数。例如，填充剂或添加料可包括过渡金属，如铬(Cr)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)和/或钒。用于填充剂或添加剂的其它材料包括ZnSiO₄、PbTiO₃、ZrO₂、锂霞石。

在实施例中，作为干的组分的玻璃料材料包含大约20-90wt％的玻璃颗粒，剩余的包括填充剂和/或添加剂。在一些实施例中，玻璃料糊包含大约10-30wt％的有机材料和大约70-90wt％的无机材料。在一些实施例中，玻璃料糊包含大约20wt％的有机材料和大约80wt％的无机材料。在一些实施例中，有机材料可包括大约0-30wt％的粘合剂和大约70-100wt％的溶剂。在一些实施例中，在有机材料中大约10wt％是粘合剂，大约90wt％是溶剂。在一些实施例中，无机材料可包括大约0-10wt％的添加剂、大约20-40wt％的填充剂和大约50-80wt％的玻璃粉。在一些实施例中，在无机材料中，大约0-5wt％是添加剂，大约25-30wt％是填充剂，大约65-75wt％是玻璃粉。

在形成玻璃料密封的过程中，向干的玻璃料材料中添加液体材料，以形成玻璃料糊。可以使用具有或不具有添加剂的任何有机或无机溶剂来作为液体材料。在实施例中，溶剂包括一种或多种有机化合物。例如，可使用的有机化合物为乙基纤维素、硝基纤维素、羟基丙基纤维素、二甘醇一丁醚乙酸酯、萜品醇、丁基溶纤剂、丙烯酸酯化合物。然后，可以应用由此形成的玻璃料糊在顶板1061和/或底板1002上形成密封剂1071的形状。

在一个示例性实施例中，密封剂1071的形状最初由玻璃料糊形成，并置于顶板1061和底板1002之间。在特定的实施例中，密封剂1071可以预固化或预烧结在顶板1061和底板1002之一上。随后用置于顶板和底板之间的密封剂1071装配顶板1061和底板1002，选择性地加热密封剂1071的部分，使得形成密封剂1071的玻璃料材料至少部分熔化。然后，使得密封剂1071重新凝固，以在顶板1061和底板1002之间形成牢固的接合点(secure point)，从而阻止密闭的OLED像素阵列1021暴露于氧气或水。

在实施例中，通过辐射光(如激光或定向的红外灯)来执行玻璃料密封部分的选择性加热。如前所述，形成密封剂1071的玻璃料材料可以与一种或多种添加剂或填充剂(如选择用于改进对辐射光的吸收的种类)结合，以有助于玻璃料材料的加热和熔化，从而形成密封剂1071。

在一些实施例中，OLED器件1011被批量生产。在图7E示出的实施例中，在公共底部基底1101上形成多个单独的OLED阵列1021。在示出的实施例中，每个OLED阵列1021被成形的玻璃料包围以形成密封剂1071。在实施例中，将公共顶部基底(未示出)放置在公共底部基底1101以及在公共底部基底1101上形成的结构的上方，从而OLED阵列1021和成形的玻璃料糊置于公共底部基底1101和公共顶部基底之间。如经先前描述的对单一OLED显示器件的封入过程，将OLED阵列1021包封并密封。得到的产品包括通过公共底部基底和公共顶部基底保持在一起的多个OLED器件。然后，将得到的产品切成多个，每个组成图7D中示出的OLED器件1011。在特定的实施例中，单个的OLED器件1011随后还需要其它的封装操作，以进一步改善由玻璃料密封剂1071以及顶部基底1061和底部基底1002形成的密封。

图1是根据实施例的有机发光显示装置的剖视图。参照图1，有机发光显示装置包括位于具有像素区域I和非像素区域II的基底100上的半导体层110、栅极绝缘层120、栅电极130a、扫描驱动器130b、中间绝缘层140以及源电极和漏电极150。此外，有机发光显示装置还包括由源互连(sourceinterconnection)和漏互连(drain interconnection)形成的公共电源线150b和第二电极电源线150a。

平坦化层160位于基底100的整个表面上。平坦化层160由有机材料比如丙烯酸基树脂(acryl-based resin)或聚酰亚胺基树脂(polyimide-based resin)形成。平坦化层160具有用于暴露公共电源线150b、第二电极电源线150a、源和/或漏电极150的通孔。公共电源线150b被部分地暴露，以加强利用玻璃料来密封基底时的粘着强度。

包括反射层170的第一电极171位于基底100上，像素限定层180位于基底100的整个表面上。包括至少发射层的有机层190位于第一电极171上，第二电极200位于有机层190上。包封基底210与基底100相对地设置，用玻璃料220对基底100和包封基底210进行密封，由此形成有机发光显示装置。

然而，在上述实施例中，有机发光显示装置包括位于密封基底的玻璃料之下的有机平坦化层，这使得由于激光束照射到玻璃料时产生的大量的热会导致有机平坦化层损坏。结果，会降低玻璃料附着到有机平坦化层的界面的附着强度。

图2至图5是根据另一个实施例的有机发光显示装置的剖视图。参照图2，提供了包括像素区域I和非像素区域II的基底300。基底300可以是绝缘的玻璃基底、塑料基底或导电基底。

缓冲层310形成在基底300的表面上。缓冲层310可以是氧化硅层、氮化硅层或者是氧化硅和氮化硅的复合层。在一个方面，缓冲层310起到钝化层的作用，用于防止杂质从基底300向外扩散。

在像素区域I中，半导体层320形成在缓冲层310上。半导体层320可以是非晶硅层或多晶硅层。栅极绝缘层330形成在基底300和半导体层320的表面上。栅极绝缘层330可以是氧化硅层、氮化硅层，或者是氧化硅和氮化硅的复合层。

在形成栅极绝缘层330之后，栅电极340a形成在位于半导体层320的一部分之上的栅极绝缘层330上。栅电极340a可以由Al、Cu和/或Cr组成。

中间绝缘层350形成在基底300和栅电极340a的表面上。中间绝缘层350可以是氧化硅层、氮化硅层，或者是氧化硅和氮化硅的复合层。

在像素区域I中的中间绝缘层350和栅极绝缘层330随后被蚀刻，以形成接触孔351和352，接触孔351和352用于暴露半导体层320。源电极360a和漏电极360b形成在像素区域I中的中间绝缘层350上，并通过接触孔351和352连接到半导体层320。源电极360a和漏电极360b可以由包括例如Mo、Cr、Al、Ti、Au、Pd和Ag的一种或多种材料形成。

此外，在形成源电极360a和漏电极360b的同时，电导线360d形成在非像素区域II中。电导线360d可以用作公共电源线。此外，也可以同时形成第二电极电源线360c。另外，在形成栅电极340a的同时，可以在非像素区域II中形成扫描驱动器线340b。

虽然在这个实施例中描述了顶部栅极薄膜晶体管构造，但是也可以形成栅电极位于半导体层之下的底部栅极薄膜晶体管。此外，虽然在这个实施例中，电导线与源电极和漏电极同时形成，但是电导线也可以与栅电极或第一电极同时形成。

参照图3，有机平坦化层370形成在基底300的表面上。可以利用有机材料比如丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂或苯环丁烯(benzocyclobutene，BCB)来形成有机平坦化层370。随后蚀刻有机平坦化层370，以形成通孔371a和371b，通孔371a和371b用于暴露非像素区域II中的第二电极电源线360c、像素区域I中的源电极360a和/或漏电极360b中的至少一个。

此外，通过蚀刻来去除非像素区域II中的有机平坦化层370设置有电导线360d的位置，以形成暴露电导线360d的凹陷。当利用玻璃料来密封基底时，用激光束来照射玻璃料以粘结基底。此时，如果有机平坦化层仍然存在于玻璃料之下，则会由于激光产生的大量的热而导致平坦化层损坏。结果，玻璃料会从与平坦化层的界面剥离，从而降低了玻璃料的粘着强度。因此，去除玻璃料将粘结在其上的基底300的边缘处的有机平坦化层，从而防止上述问题发生。

参照图4，在像素区域I中，包括反射层375的第一电极380形成在有机平坦化层370上。第一电极380位于通孔371a的底表面上，以与暴露的源电极360a和/或漏电极360b中的一个接触，并延伸到有机平坦化层370上。第一电极380可以由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。

在形成第一电极380之后，像素限定层390形成在包括至少第一电极380的基底300的表面上。将像素限定层形成为其厚度足以填充第一电极380位于其中的通孔371a。像素限定层390可以由有机层或无机层形成，优选地，可以由有机层形成。更优选地，像素限定层390由从包括BCB、丙烯酸基聚合物和聚酰亚胺的组中选择的一种形成。优选地，包括像素限定层390的材料具有很高的流动性，使得像素限定层可以均匀地形成在基底的整个表面上。

此时，蚀刻像素限定层390以形成开口395a和395b，开口395a用于暴露像素区域I中的第一电极380，开口395b用于暴露非像素区域II中的第二电极电源线360c的一部分。此外，也通过蚀刻来去除非像素区域II中像素限定层390的设置有电导线360d的位置。

在形成像素限定层390并蚀刻开口395a和395b之后，有机层400形成在通过开口395a暴露的第一电极380上。有机层400包括至少发射层，并还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

接着，第二电极410形成在基底300的表面上。第二电极410是透射型电极，并可由透明且逸出功低的Mg、Ag、Al、Ca或其合金形成。此时，蚀刻第二电极410以暴露非像素区域II中的电导线360d。

参照图5，提供与基底300相对的包封基底420。包封基底420可以由蚀刻的绝缘玻璃或没有蚀刻的绝缘玻璃形成。

在一个实施例中，将玻璃料430涂覆到与基底300相对的包封基底420的边缘。玻璃料430可以由从氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li₂O)、氧化钠(Na₂O)、氧化钾(K₂O)、氧化硼(B₂O₃)、氧化钒(V₂O₅)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P₂O₅)、氧化钌(Ru₂O)、氧化铷(Rb₂O)、氧化铑(Rh₂O)、氧化铁(Fe₂O₃)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO₂)、氧化钨(WO₃)、氧化铋(Bi₂O₃)、氧化锑(Sb₂O₃)、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐及它们的组合组成的组中选择的材料来形成。可以通过分配(dispense)法或丝网印刷法来涂覆玻璃料430。

在图5中示出的示例中，玻璃料430的宽度大于电导线360d的宽度。由于玻璃料430的宽度较大，所以粘着强度增加。因此，可以保护元件不受外部湿气或氧气影响。在这个实施例中，玻璃料430涂覆在包封基底420上。在其它实施例中，玻璃料430可以涂覆在基底300上，或者既涂覆在基底300上又涂覆在包封基底420上。

在涂覆玻璃料430之后，基底300和包封基底420彼此粘着且对齐。此时，玻璃料430与基底300上的电导线360d和中间绝缘层350接触。

在基底300通过玻璃料430与包封基底420接触之后，用激光束来照射玻璃料430。玻璃料430熔化并固化以粘着基底300和包封基底420，从而完成实施例的有机发光显示装置。

应该注意的是，虽然以上参照图2至图5描述的示例示出的是被包封的单个有机发光像素，但是可以用相同的程序来包封有机发光像素的阵列。此外，有机发光像素的多个阵列可以包封在单个基底300和单个包封基底420之间，并可以被附加的玻璃料430围绕(例如在批量生产的构造中)。多个阵列可以被切开，从而形成被基底300、包封基底420和玻璃料430包封的单独的阵列。

如上所述，如果有机平坦化层位于密封基底的玻璃料之下，则由于激光束照射到玻璃料时产生的大量的热会导致有机平坦化层损坏。结果，玻璃料会从与平坦化层的界面剥离，从而降低玻璃料的粘着强度。另一方面，可以去除在玻璃料的区域中的有机平坦化层，以防止玻璃料的粘着强度降低。

图6是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。参照图6，以与上面参照图2-5描述的实施例类似的方式来形成有机发光显示装置，玻璃料630涂覆在包封基底620上，基底500附于包封基底620。随后用激光束照射玻璃料630，使得玻璃料熔化并固化，从而完成有机发光显示装置。

在这个实施例中，玻璃料630的宽度等于或小于电导线560d的宽度。在图5中示出的实施例中，玻璃料430比电导线360d宽。在这个实施例的一方面中，当从基底500观察时，电导线560d基本上掩盖或者完全掩盖玻璃料630。虽然与玻璃料630相比，较宽的玻璃料430可以提供的粘着强度增加，但是根据实施例，较窄的玻璃料比如玻璃料630也会是足够的。此外，由于在玻璃料(玻璃料430或玻璃料630)之下不存在有机平坦化层，所以可以防止玻璃料430或630的粘着强度降低。

在这个实施例中，玻璃料630涂覆在包封基底620上。在其它实施例中，玻璃料630可以涂覆在基底500上，或者可以既涂覆在基底500上又涂覆在包封基底620上。

如上所述，在有机平坦化层位于密封基底的玻璃料之下的实施例中，由于激光束照射到玻璃料时产生的大量的热导致有机平坦化层会损坏。结果，玻璃料会从与平坦化层的界面剥离，从而降低了玻璃料的粘着强度。然而，在其它实施例中，去除在玻璃料之下的有机平坦化层，以防止玻璃料的粘着强度降低。因此，可以防止外部湿气或氧气的侵入，从而提高元件的可靠性。

虽然本发明的前述实施例示例性描述了位于基底两侧的和位于玻璃料之下的电导线，但是电导线可以位于基底之上或基底之下和位于玻璃料之下。

如从上述内容可以明白的，根据本发明的有机发光显示装置及其构造方法可以防止利用玻璃料来密封基底时，玻璃料的粘着强度降低，从而提高了可靠性。

虽然已经参照本发明的特定示例性实施例描述了本发明，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种更改和变化。

Claims (27)

1、一种有机发光显示装置，包括：

第一基底，包括像素区域和非像素区域；

有机发光像素的阵列，形成在所述第一基底的所述像素区域之上；

第二基底，放置在所述第一基底之上，所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间；

电导线，形成在所述第一基底的所述非像素区域之上；

玻璃料密封部分，置于所述第一基底和所述第二基底之间，并环绕所述阵列，使得所述阵列被所述第一基底、所述第二基底和所述玻璃料密封部分包封，其中，所述电导线包括与所述装置的一部分中的玻璃料密封部分叠置的部分，使得当从所述第一基底观察时，所述电导线的所述部分掩盖所述玻璃料密封部分；

平坦化层，形成在所述第一基底的所述非像素区域的至少部分之上，其中，所述玻璃料密封部分不接触所述平坦化层，

其中，在所述玻璃料密封部分和所述电导线之间没有物质。

2、如权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括位于所述电导线和所述第一基底之间的至少一层，所述至少一层包含有机材料。

3、如权利要求1所述的装置，其中，所述电导线还包括没有与所述玻璃料密封部分叠置的部分。

4、如权利要求1所述的装置，其中，所述电导线沿着所述第一基底的外围边缘延伸，其中，所述玻璃料密封部分沿着所述第一基底的外围边缘延伸。

5、如权利要求1所述的装置，其中，所述电导线由金属制成。

6、如权利要求1所述的装置，其中，在所述装置的其它部分中，所述玻璃料密封部分还包括非掩盖部分，当从所述第一基底观察时，所述非掩盖部分没有被所述电导线掩盖。

7、如权利要求1所述的装置，其中，所述玻璃料密封部分具有沿着与所述第一基底平行的截面平面截取的宽度，所述电导线具有沿着所述截面平面截取的宽度，其中，所述玻璃料密封部分的宽度小于所述电导线的宽度。

8、如权利要求1所述的装置，其中，所述电导线包括电连接到所述阵列的电源线。

9、如权利要求1所述的装置，其中，所述有机平坦化层包括暴露所述电导线的凹陷。

10、如权利要求1所述的装置，还包括置于所述第一基底和所述阵列之间的多个薄膜晶体管，其中，所述电导线由用在所述多个薄膜晶体管中的材料制成。

11、如权利要求1所述的装置，其中，所述玻璃料密封部分包含从由氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化硼、氧化钒、氧化锌、氧化碲、氧化铝、二氧化硅、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化铷、氧化铑、氧化铁、氧化铜、氧化钛、氧化钨、氧化铋、氧化锑、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐组成的组中选择的一种或多种材料。

12、一种有机发光显示装置，包括：

第一基底，包括像素区域和非像素区域；

有机发光像素的阵列，形成在所述第一基底的所述像素区域之上；

第二基底，放置在所述第一基底之上，所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间；

电导线，形成在所述第一基底的所述非像素区域之上；

玻璃料密封部分，置于所述第一基底和所述第二基底之间，并环绕所述阵列，使得所述阵列被所述第一基底、所述第二基底和所述玻璃料密封部分密封；

平坦化层，形成在所述第一基底之上，其中，所述玻璃料密封部分不接触所述平坦化层，

其中，在所述玻璃料密封部分和所述电导线之间没有物质。

13、如权利要求12所述的装置，其中，所述平坦化层包括开口，其中，所述玻璃料密封部分的至少部分延伸到所述开口中。

14、如权利要求12所述的装置，其中，所述平坦化层在所述像素区域的至少部分和所述非像素区域的至少部分之上延伸。

15、如权利要求12所述的装置，其中，所述平坦化层包含有机材料。

16、如权利要求12所述的装置，其中，所述平坦化层包含无机材料。

17、如权利要求12所述的装置，其中，所述电导线包括与所述装置的一部分中的所述玻璃料密封部分叠置的部分，使得当从所述第一基底观察时，所述电导线的部分掩盖所述玻璃料密封部分。

18、一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：

提供未完成的装置，所述未完成的装置包括第一基底、形成在所述第一基底之上的有机发光像素的阵列、形成在所述第一基底的非像素区域的至少部分之上的平坦化层、形成在所述第一基底之上并不与所述阵列叠置的电导线；

进一步提供第二基底；

将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间，使得所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间，且所述玻璃料环绕所述阵列，所述电导线的部分与所述装置的一部分中的玻璃料叠置，由此，所述电导线的所述部分覆盖所述装置的一部分中的玻璃料；

将至少部分玻璃料熔化并重新固化，以通过玻璃料使所述未完成的装置与所述第二基底互连，其中，所述玻璃料连接到所述第二基底，在所述玻璃料和所述第二基底之间有或没有物质，在所述玻璃料和所述电导线之间没有物质，并且所述玻璃料不接触所述平坦化层。

19、如权利要求18所述的方法，其中，所述将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间的步骤包括：使得所述玻璃料与所述电导线的部分和所述第二基底接触。

20、如权利要求18所述的方法，其中，所述平坦化层具有暴露所述电导线的部分的开口，其中，所述将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间的步骤包括使得所述玻璃料通过所述开口与所述电导线接触。

21、如权利要求20所述的方法，其中，提供所述未完成的装置包括：

选择性地蚀刻所述平坦化层，以形成所述开口。

22、如权利要求18所述的方法，其中，所述熔化玻璃料的步骤包括将激光束或红外线照射到所述玻璃料的至少部分。

23、如权利要求18所述的方法，其中，所述将玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间的步骤包括：

在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个之上形成所述玻璃料；

布置所述第一基底和所述第二基底，以将所述玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间。

24、如权利要求23所述的方法，其中，形成所述玻璃料的步骤包括：将所述玻璃料的材料丝网印刷到所述第一基底和所述第二基底的至少一个之上。

25、如权利要求18所述的方法，其中，所述未完成的装置还包括有机发光像素的一个或多个附加阵列以及形成在所述第一基底之上的一条或多条附加的电导线；

其中，所述方法还包括：在所述第一基底和所述第二基底之间形成一个或多个附加的玻璃料，使得每个附加的玻璃料环绕所述附加的阵列中的一个，并接触一条附加的电导线的部分。

26、如权利要求25所述的方法，其中，所述一条附加的电导线覆盖所述附加的玻璃料。

27、如权利要求25所述的方法，还包括将权利要求25中的最终产品切割成两块或多块，其中，所述块中的一个包括置于所述第一基底和所述第二基底之间的所述玻璃料和所述阵列。

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