[go: up one dir, main page]

CN109932326B - 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法 - Google Patents

一种量子点表面配体覆盖率的测定方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109932326B
CN109932326B CN201711354388.5A CN201711354388A CN109932326B CN 109932326 B CN109932326 B CN 109932326B CN 201711354388 A CN201711354388 A CN 201711354388A CN 109932326 B CN109932326 B CN 109932326B
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
ligand
measuring
solution
coverage rate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711354388.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109932326A (zh
Inventor
覃辉军
叶炜浩
杨一行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN201711354388.5A priority Critical patent/CN109932326B/zh
Publication of CN109932326A publication Critical patent/CN109932326A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109932326B publication Critical patent/CN109932326B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)

Abstract

本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法。通过氧化还原法测定量子点表面含巯基的有机配体的覆盖率Ki,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10‑10mol/cm2,则量子点质量欠佳,需将Ki值提高后再进行溶液或墨水配置等应用。采用本方法确定量子点表面配体覆盖率,结果准确,操作简单,进一步,通过本发明的方法能保证量子点表面配体含量的稳定性,能保证不同批次的量子点的溶解性,避免量子点溶液制备成膜时因干燥速率不同导致的咖啡环效应,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的均一性。

Description

一种量子点表面配体覆盖率的测定方法
技术领域
本发明涉及量子点技术领域,尤其涉及一种量子点表面配体覆盖率的测定方法。
背景技术
量子点,是指几何尺寸小于其激子波尔半径的半导体纳米晶。量子点由于具有吸收带宽、荧光发射带窄、量子效率高、光稳定性好等优异的光学性质,在生物医学、环境能源、照明显示等领域中有巨大的潜在应用性。基于量子点发光的显示技术近年来受到显示行业的高度重视,与液晶显示和有机发光显示相比,量子点发光色域更广、色纯度更高、结构更简单,稳定性更高,被认为是新一代显示技术。
量子点显示器件的制备技术包括旋涂、喷墨打印等。这两种方法的具体过程是将量子点溶液喷射在基体材料上,干燥后在特定位置形成量子点薄膜。量子点溶液的黏度、表面张力和电荷运输能力决定了器件制备过程中量子点液滴的润湿能力、干燥速率、咖啡环效应和薄膜的光电性能,因此,量子点溶液的质量对器件制备起着至关重要的作用。而在量子点溶液的配制过程中,量子点表面配体对量子点溶液有着重要影响,表面配体不仅影响量子点本身的光电性能,还会影响量子点溶液的溶解性和稳定性。常见的量子点表面配体为羧酸、胺、烷基磷、烷基氧膦、烷基磷酸、硫醇等。表面配体对量子点自身光学性能的影响表现为:量子点的平均粒径小于激子波尔半径,激子在一定程度上暴露在表面,表面容易受到影响而降低其光学性能;当量子点表面原子数增多时,表面悬挂键也会急剧增多,原子配位不足导致量子点表面存在许多缺陷,电子或者空穴等缺陷的存在增加了非辐射复合的概率,导致正常辐射复合的复合效率大大降低。当加入适当的表面配体时,能有效减少量子点表面悬挂键,使激子不再暴露在表面,提高量子点的光学性能。表面配体对量子点溶解性和稳定性的影响表现为:量子点表面悬挂键的增多会使其表面自由能非常大,表面变得异常活泼,这也导致了系统不稳定,量子点会趋向于聚集以减小表面积,这会导致量子点溶液溶解性降低。引入表面配体后,配体的一端连接在量子点表面原子上,一端与溶液相溶,能减小量子点的表面能,提高量子点的溶解性,有效抑制量子点溶液产生沉淀。
因此,量子点的溶解性对器件的制备及性能影响很大。而量子点的溶解性除了与量子点本身及配体种类以外,另一个重要影响因素是量子点表面配体的覆盖率。若量子点表面覆盖率低,则量子点的溶解性差,量子点溶液的均匀性差,并且量子点溶液的干燥速率和咖啡环效应影响了发光层薄膜的质量,这直接导致了打印出的面板质量不均匀、像素分辨率低、启亮电压、光电效率不均一等问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,为了保障后期利用量子点墨水制备QLED器件成膜质量的稳定性,本发明首先提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法。
一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,其中,包括:
提供样品颗粒,所述样品颗粒中的单个颗粒包括量子点和结合在所述量子点表面的含巯基的有机配体,所述量子点中不含硫元素;
测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径;
将所述样品颗粒与氧化剂混合,使所述量子点表面的含巯基的有机配体氧化生成二氧化硫,将生成的所述二氧化硫通入吸收液,得到待测溶液;
将待测溶液与显色剂混合形成混合液后显色,测定所述混合液的吸光度;
提供硫浓度的吸光度标准曲线,对照所述标准曲线,获得待测溶液中硫浓度,换算成样品颗粒中S元素质量,计算得到量子点表面配体覆盖率Ki
本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法。通过氧化还原法测定量子点表面含巯基的有机配体的覆盖率Ki,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10-10mol/cm2,则量子点质量欠佳,需将Ki值提高后再进行溶液或墨水配置等应用。采用本方法确定量子点表面配体覆盖率,结果准确,操作简单,进一步,通过本发明的方法能保证量子点表面配体含量的稳定性,能保证不同批次的量子点的溶解性,避免量子点溶液制备成膜时因干燥速率不同导致的咖啡环效应,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的均一性。
具体实施方式
本发明提供一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,其中,包括:
S10提供样品颗粒,所述样品颗粒中的单个颗粒包括量子点和结合在所述量子点表面的含巯基的有机配体,所述量子点中不含硫元素;
S20测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径;
S30将所述样品颗粒与氧化剂混合,使所述量子点表面的含巯基的有机配体氧化生成二氧化硫,将生成的所述二氧化硫通入吸收液,得到待测溶液;
S40将待测溶液与显色剂混合形成混合液后显色,测定所述混合液的吸光度;
S50提供硫浓度的吸光度标准曲线,对照所述标准曲线,获得待测溶液中硫的浓度,换算成样品颗粒中S元素质量,计算得到量子点表面配体覆盖率Ki
本发明提出一种量子点表面配体覆盖率的测定方法。通过氧化还原法测定量子点表面含巯基的有机配体的覆盖率Ki,可用于对量子点的质量评定。若Ki小于2*10-10mol/cm2,则量子点质量欠佳,需将Ki值提高后再进行溶液或墨水配置等应用。采用本方法确定量子点表面配体覆盖率,结果准确,操作简单,进一步,通过本发明的方法能保证量子点表面配体含量的稳定性,能保证不同批次的量子点的溶解性,避免量子点溶液制备成膜时因干燥速率不同导致的咖啡环效应,能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮电压、光电效率的均一性。
所述的量子点表面配体覆盖率测试计算原理为:
所述样品颗粒为若干单个颗粒的集合,所述单个颗粒包括量子点和结合在量子点表面的配体,本发明中的配体为含巯基的有机配体。本发明中表面配体覆盖率Ki是指量子点表面单位面积内结合表面配体的物质的量,表面配体通过特殊官能团直接与量子点结合,通过与量子点结合的特殊基团中的特征元素的物质的量,可计算得到表面配体覆盖率Ki。表面配体覆盖率Ki通过表面可通过如下公式得到:
Ki=ml/(0.74MlmQSqQVq)(式1)
规定样品颗粒中,量子点表面配体中特殊官能团(本发明为巯基)中特殊原子(本发明为硫元素)的质量为ml,摩尔分子质量为Ml,样品颗粒的总质量为mQ,密度为ρQ,样品颗粒中单个颗粒表面积Sq,体积为Vq,样品颗粒呈密堆积,空间利用率为0.74,假设颗粒为球形,颗粒平均粒径为d。
其中,单个颗粒体积
Figure GDA0001581810710000031
单个颗粒的表面积
Figure GDA0001581810710000032
代入公式后计算得到
Ki=mlρQd/4.44MlmQ(式2)当所述有机配体为多齿配体时,需除去配体齿数,例如为二硫醇时,配体齿数为2。
上述式2中,ρQ可根据查找相关物质密度或利用阿基米德原理测试得到,d可根据TEM测试量子点尺寸得到。因此需要采用合适的方法测试得到ml/mQ即可得到量子点表面的配体覆盖率。
本发明步骤S10中,选用的量子点可以自一元量子点、二元量子点或三元量子点。
例如,所述一元量子点可选自Au、Ag、Cu、Pt或C量子点,但不限于此;
所述二元量子点可选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、ZnO、MgO、CeO2、NiO、TiO2、InP或CaF2量子点,但不限于此;
所述三元量子点可选自CdZnSe、NaYF4、NaCdF4、ZnCdTe、CdZnSe/ZnSe、CdSe/CdZnSe/CdZnSe/ZnSe或CdZnSe/CdZnSe/ZnSe量子点,但不限于此。
结合在所述量子点表面的含含巯基的有机配体可以相同也可以不同,所述含巯基的有机配体选自一硫醇、二硫醇、巯基醇、巯基胺和巯基酸中的一种或多种。
优选的,所述的一硫醇选自己硫醇、辛硫醇、壬硫醇、癸硫醇、十一硫醇、十二硫醇、十三硫醇、十四硫醇、十六硫醇和十八硫醇中的一种或多种;
优选的,所述的二硫醇选自1,2-乙二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇和1,10-癸二硫醇中的一种或多种;
优选的,所述的巯基醇包括2-巯基乙醇、3-巯基-1-丙醇、4-巯基-1-丁醇、5-巯基-1-戊醇、6-巯基-1-己醇或8-巯基-1-辛醇;
优选的,所述的巯基酸包括2-巯基乙酸、3-巯基丙酸、4-巯基丁酸、巯基丁二酸、6-巯基己酸、4-巯基苯甲酸和半胱氨酸中的一种或多种;
优选的,所述的巯基胺包括2-巯基乙胺、3-巯基丙胺、4-巯基丁胺、5-巯基戊胺、6-巯基己胺、2-氨基-3-巯基丙酸、2-氨基苯硫酚和巯基十一烷胺中的一种或多种。
在其中一种实施方式中,本发明步骤S20中,可以采用透射电镜分析仪测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径。
具体的,采用透射电镜分析仪测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径的测试条件为:加速电压为200-300kV,发射电流为7-20μA,工作距离为10-20mm,死时间为20%-40%。
采用透射电镜分析仪测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径的步骤包括:取样品颗粒溶于非极性溶剂中制备浓度为1-5mg/mL的量子点溶液,待溶液完全溶解后,取少量量子点溶液滴5-10滴在铜网上,将铜网置于透射电镜分析仪中进行测试分析d。具体地,先对样品进行放大分析,放大倍数为70000-150000倍,取量子点集中且分散均匀的区域进行聚焦得到TEM图片,然后用软件对TEM图片进行分析,先设置标尺长度,再取30-80个量子点进行标定,最后计算得到样品颗粒的平均粒径d。
本发明采用所述氧化还原法测定样品颗粒中硫元素的质量ml。采用氧化还原法测试原理为利用强氧化剂将量子点表面含巯基配体中的硫元素氧化生成二氧化硫,二氧化硫溶于水生成亚硫酸,然后利用吸收液与亚硫酸反应,反应产物与显色剂发生显色反应,利用显色反应产物吸光度的变化确定硫的质量,从而得到S元素占量子点的含量比。
具体的,在一种实施方式中,所述步骤S30中可选用甲醛、四氯汞钾或三乙醇胺中配制得到吸收液。具体的,所述吸收液可选子10-20%甲醛溶液、0.03-0.05mol/L四氯汞钾或0.08-1mol/L三乙醇胺溶液。为了使二氧化硫溶于水生成的亚硫酸与吸收液反应,且不会发生其它副反应,吸收液的p值为6-8。在一种具体的实施方式中,可以通过向吸收液中加入缓冲剂调节吸收液的pH值,所述的缓冲剂选自邻苯二甲酸氢钾或0.3-0.4g乙二胺四乙酸二钠。
进一步的,需要选用强氧化剂对所述样品颗粒进行氧化处理量子点表面含巯基有机配体中的硫元素氧化生成二氧化硫,因为使用的是强氧化剂,本发明检测样品颗粒中的量子点中不能含有硫元素,如果量子点中含有硫元素,则也会被强氧化剂氧化生成二氧化硫,影响检测结果。优选的,所述氧化剂选自高氯酸、浓硝酸和王水中的一种或多种。含巯基有机配体中的硫元素氧化生成二氧化硫后将被通入所述吸收液制备成待测溶液,用于后续的检测分析。
所述步骤S40中,反应待测溶液与显色剂发生显色反应,利用显色反应产物吸光度的变化确定硫的质量,具体的,将待测溶液与显色剂形成的混合溶液移入比色管,以水为参比,测定比色管吸光度,获取570nm处吸光度。优选的,作为举例显色剂选自盐酸副玫瑰苯胺,但不限此。
在一种实施方式中,所述步骤S50中,所述标准曲线可以通过如下方式绘制得到:称取0.2g亚硫酸钠溶于新煮沸并冷却的水中配置得到亚硫酸钠溶液,然后将所述的吸收液与亚硫酸钠溶液稀释成不同浓度的标准液,向不同浓度的标准液中加入0.4-1g的碱性调节剂,所述的碱性调节剂可选自氢氧化钠、氢氧化钾但不限于此,溶液混合均匀后,移入比色管,加入显色剂(优选为盐酸副玫瑰苯胺溶液),立即盖塞颠倒混匀,放置5~20min显色。以水为参比,测定各比色管吸光度,以570nm处吸光度为横坐标,S浓度为纵坐标,绘制标准曲线。
进一步的,根据所述步骤S40中获得的吸光度,比照S50中的标准曲线,可以获得待测溶液中S浓度,换算成样品颗粒中S元素质量,根据Ki=mlρQd/4.44MlmQ计算得到量子点表面配体覆盖率Ki
经研究发现,所述的量子点表面配体覆盖率Ki若小于2*10-10mol/cm2,则量子点溶解性欠佳,影响后续制备成薄膜的薄膜质量。需将Ki值提高后再进行溶液或墨水配置等应用。提高Ki值可采用配体再交换法进行。具体过程为:先将量子点溶于非极性溶剂,然后加入同种表面配体在25-150℃下进行交换。所述的非极性溶剂包括氯仿、正己烷、庚烷、辛烷、甲苯、氯苯、二氯苯、四氯化碳、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、环癸烷、环十一烷、十八烯等。所述的配体再交换过程中所加入的配体的量不得小于(2*10-10-K1)n1/K1(式3,K0代表目标量子点表面配体覆盖率,K1代表首次测得的量子点配体覆盖率,n1为量子点制备过程中首次加入的配体量)。利用此过程将Ki值提高到大于2*10-10mol/cm2即可将量子点进行其他溶液性应用。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,包括:
(1)确定颗粒的平均尺寸d,提供若干样品颗粒,所述颗粒包括CdSe量子点及结合在CdSe量子点表面的辛硫醇配体。将样品颗粒溶于正己烷溶液中,制备的5mg/ml的溶液,待溶液完全溶解后,取少量样品颗粒溶液滴5滴在铜网上,将铜网置于透射电镜分析仪中进行测试分析。设置加速电压为200kV,发射电流在10μA,工作距离设置为15mm,死时间20%。对样品颗粒进行放大分析,先设置放大倍数为70000倍,取样品颗粒集中且分散均匀的区域进行聚焦分析,拍摄其TEM图片。对TEM图片进行分析,先设置标尺长度,再取30-80个样品颗粒进行标定,计算得到样品颗粒的平均尺寸d为7.98nm;
(2)利用氧化还原法确定量子点表面硫醇配体覆盖率,包括:
①吸收液的配制,称取一定量甲醛溶于水中,混合得到100ml的质量分数为10%甲醛溶液,然后再在吸收液中加入1.58g邻苯二甲酸氢钾和0.3g乙二胺四乙酸二钠,调节吸收液pH值为中性;
②标准液的配制,称取0.2g亚硫酸钠溶于新煮沸并冷却的水中,然后用步骤①所述的吸收液将亚硫酸钠溶液稀释成不同浓度的标准液;
③标准曲线的绘制,向步骤②中不同浓度的标准液中加入0.4g氢氧化钠。溶液混合均匀后,加入盐酸副玫瑰苯胺溶液,立即盖塞颠倒混匀,放置5min显色。以水为参比,测定上述溶液的吸光度,以570nm处吸光度为横坐标,SO3 2-浓度为纵坐标,绘制标准曲线。
④样品采集,称取5mg样品颗粒于烧瓶中,加入王水,反应产生气体,用一定体积的吸收液收集挥发气体;
⑤样品测定,将步骤④中收集气体后的吸收液移入比色管。按照③所述测得吸光度,并根据标准曲线得到SO3 2-的浓度,并根据溶液的体积换算得到硫元素质量,计算得到所取样品颗粒中S元素的含量比为3.8%。
⑥计算量子点表面配体覆盖率Ki,CdSe量子点的密度为5.2g/cm3,根据上述测试结果,CdSe量子点尺寸为7.98nm,量子点中硫醇配体中S元素所占配体质量比为3.8%,计算出K为1.1*10-9mol/cm2。K值大于2*10-10mol/cm2,可不进行配体再交换,直接应用即可。
实施例2
一种量子点配体覆盖率的测定方法,包括:
(1)确定颗粒的平均尺寸d,提供若干样品颗粒,所述颗粒包括CdSe量子点及结合在CdSe量子点表面的辛硫醇配体。将样品颗粒溶于正辛烷溶液中,制备的5mg/ml的溶液,待溶液完全溶解后,取少量样品颗粒溶液滴8滴在铜网上,将铜网置于透射电镜分析仪中进行测试分析,设置加速电压为300kV,发射电流在20μA,工作距离设置为20mm,死时间30%,对样品颗粒进行放大分析,先设置放大倍数为100000倍,取样品颗粒集中且分散均匀的区域进行聚焦分析,拍摄其TEM图片。对TEM图片进行分析,先设置标尺长度,再取30-80个样品颗粒进行标定,计算得到样品颗粒的平均粒径d为8.9nm;
(2)利用氧化还原法确定量子点表面配体覆盖率,包括:
①吸收液的配制,称取一定量三乙醇胺溶于水中,混合得到0.09mol/L的三乙醇胺吸收液。然后再在吸收液中加入2.95g邻苯二甲酸氢钾和0.38g乙二胺四乙酸二钠,调节吸收液pH值为中性;
②标准液的配制,称取0.2g亚硫酸钠溶于新煮沸并冷却的水中,然后用步骤①所述的吸收液将亚硫酸钠溶液稀释成不同浓度的标准液;
③标准曲线的绘制,向步骤②中不同浓度的标准液中加入0.8g氢氧化钾。溶液混合均匀后,加入盐酸副玫瑰苯胺溶液,立即盖塞颠倒混匀,放置5~20min显色。以水为参比,测定各管吸光度,以570nm处吸光度为横坐标,SO3 2-浓度为纵坐标,绘制标准曲线;
④样品采集,称取30mg量子点样品于烧瓶中,加入高氯酸进行反应,反应产生气体,用一定体积的吸收液收集挥发气体;
⑤样品测定,将步骤④中收集气体后的吸收液移入比色管,按照(3)所述过程测得吸光度,并对照标准曲线得到SO3 2-的含量,再根据吸收液的体积换算得到S元素的含量比为0.28%;
⑥计算量子点表面配体覆盖率K1,ZnO量子点的密度为5.9g/cm3,根据上述测试结果,ZnO量子点尺寸为8.9nm,量子点中硫醇配体中S元素所占配体质量比为0.28%,计算出K为1.03*10-10mol/cm2。K1值小于2*10-10mol/cm2,需进行配体再交换;
⑦量子点表面配体再交换,已知ZnO在制备过程中加入己硫醇为4mmol,则在配体在交换过程中,己硫醇的加入量不得少于3.88mmol。取ZnO量子点溶于正己烷溶液中,加入4mmol己硫醇到ZnO正己烷溶液中,40℃加热搅拌4h,清洗后得到配体再交换后的量子点。将配体再交换后的ZnO经过上述2过程再检测分析表面配体的含量,得到K2为2.03*10-10mol/cm2。因此,ZnO经过配体再交换后可用于配置墨水溶液。
以上对本发明实施例所提供的一种量子点表面配体覆盖率的测定方法进行了详细介绍,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制,凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,包括:
提供样品颗粒,所述样品颗粒中的单个颗粒包括量子点和结合在所述量子点表面的含巯基的有机配体,所述量子点中不含硫元素;
测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径;
将所述样品颗粒与氧化剂混合,使所述量子点表面的含巯基的有机配体氧化生成二氧化硫,将生成的所述二氧化硫通入吸收液,得到待测溶液;
将待测溶液与显色剂混合形成混合液后显色,测定所述混合液的吸光度;
提供硫浓度的吸光度标准曲线,对照所述标准曲线,获得待测溶液中硫浓度,换算成样品颗粒中S元素质量,计算得到所述量子点表面配体覆盖率Ki,其中,量子点表面配体覆盖率Ki为量子点表面单位面积内结合表面配体的物质的量,Ki=ml/(0.74MlmQSqQVq),量子点表面的含巯基的有机配体中硫元素的质量为ml,量子点表面的含巯基的有机配体中硫元素的摩尔分子质量为Ml,样品颗粒的总质量为mQ,样品颗粒的密度为ρQ,样品颗粒中单个颗粒表面积为Sq,样品颗粒中单个颗粒体积为Vq
2.根据权利要求1所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,所述量子点为一元量子点、二元量子点或三元量子点。
3.根据权利要求2所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,所述一元量子点选自Au、Ag、Cu、Pt或C量子点;
所述二元量子点选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、ZnO、MgO、CeO2、NiO、TiO2、InP或CaF2量子点;
所述三元量子点选自CdZnSe、NaYF4、NaCdF4、ZnCdTe、CdZnSe/ZnSe、CdSe/CdZnSe/CdZnSe/ZnSe或CdZnSe/CdZnSe/ZnSe量子点。
4.根据权利要求1所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,所述含巯基的有机配体选自一硫醇、二硫醇、巯基醇、巯基胺和巯基酸中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,
所述的一硫醇选自己硫醇、辛硫醇、壬硫醇、癸硫醇、十一硫醇、十二硫醇、十三硫醇、十四硫醇、十六硫醇和十八硫醇中的一种或多种;
所述的二硫醇选自1,2-乙二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇和1,10-癸二硫醇中的一种或多种;
所述的巯基醇包括2-巯基乙醇、3-巯基-1-丙醇、4-巯基-1-丁醇 、5-巯基-1-戊醇、6-巯基-1-己醇和8-巯基-1-辛醇中的一种或多种;
所述的巯基酸包括2-巯基乙酸、3-巯基丙酸、4-巯基丁酸、巯基丁二酸、6-巯基己酸、4- 巯基苯甲酸和半胱氨酸中的一种或多种;
所述的巯基胺包括2-巯基乙胺、3-巯基丙胺、4-巯基丁胺、5-巯基戊胺、6-巯基己胺、2-氨基-3-巯基丙酸、2-氨基苯硫酚和巯基十一烷胺中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,所述的吸收液选自10-20%甲醛溶液、0.03-0.05mol/L四氯汞钾或0.08-1mol/L三乙醇胺溶液中的一种,所述吸收液的pH值为6-8。
7.根据权利要求6所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,所述的吸收液通过如下方法制备得到:通过向10-20%甲醛溶液、0.03-0.05mol/L四氯汞钾或0.08-1mol/L三乙醇胺溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和/或乙二胺四乙酸二钠,调节pH值为6-8,制备得到所述吸收液。
8.根据权利要求1所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,所述显色剂为盐酸副玫瑰苯胺。
9.根据权利要求1所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,所述氧化剂选自高氯酸、浓硝酸和王水中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,采用透射电镜分析仪测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径。
11. 根据权利要求10所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,采用透射电镜分析仪测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径的测试条件为:加速电压为200-300kV,发射电流为7-20μA,工作距离为10-20 mm,死时间为20%-40%。
12.根据权利要求10或11所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,采用透射电镜分析仪测定所述样品颗粒中颗粒的平均粒径的步骤包括:对样品进行放大分析,放大倍数为70000-150000倍,取样品颗粒集中且分散均匀的区域进行聚焦得到样品颗粒的TEM图片,用软件对所述TEM图片进行分析,取30-80个量子点进行标定,计算得到样品颗粒的平均粒径。
13.根据权利要求1至11任一项所述量子点表面配体覆盖率的测定方法,其特征在于,提供硫元素的吸光度标准曲线,对照所述标准曲线,获得待测溶液中硫元素的浓度,换算成样品颗粒中S元素质量,计算得到量子点表面配体覆盖率Ki,若Ki小于2*10-10mol/cm2,还包括步骤:采用配体再交换法提高量子点表面配体覆盖率。
CN201711354388.5A 2017-12-15 2017-12-15 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法 Active CN109932326B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711354388.5A CN109932326B (zh) 2017-12-15 2017-12-15 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711354388.5A CN109932326B (zh) 2017-12-15 2017-12-15 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109932326A CN109932326A (zh) 2019-06-25
CN109932326B true CN109932326B (zh) 2022-05-24

Family

ID=66980610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711354388.5A Active CN109932326B (zh) 2017-12-15 2017-12-15 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109932326B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111398277A (zh) * 2020-04-03 2020-07-10 四川师范大学 一种面膜分析检测方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104411780A (zh) * 2012-05-04 2015-03-11 帝国革新有限公司 纳米颗粒的生产方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104411780A (zh) * 2012-05-04 2015-03-11 帝国革新有限公司 纳米颗粒的生产方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Functionalization of Cadmium Selenide Quantum Dots with Poly(ethylene glycol): Ligand Exchange, Surface Coverage, and Dispersion Stability";Whitney Nowak Wenger et al.;《Langmuir》;20170802;第8239-8245页 *
"基于纳米材料的植物激素免疫检测及受体分离分析新方法研究";周国华;《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》;20170615;全文 *
"水溶性ZnSe量子点的缺陷与杂质荧光调控";王彦斌;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》;20160815;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN109932326A (zh) 2019-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. A novel sulfur quantum dot for the detection of cobalt ions and norfloxacin as a fluorescent “switch”
Sheng et al. One-step growth of high luminescence CdTe quantum dots with low cytotoxicity in ambient atmospheric conditions
CN109932326B (zh) 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法
CN114518358A (zh) 农药残留检测用三色传感探针及其制备方法、应用和深度学习的视觉智能监测装置及方法
US12351454B2 (en) Method for preparing nanocrystal with core-shell structure
CN109932325B (zh) 颗粒表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法
TWI884413B (zh) 由AgAuS系多元化合物所構成的半導體奈米粒子
CN109932476B (zh) 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法
CN109932405B (zh) 量子点表面配体含量的测定方法及量子点墨水的配制方法
CN109932267B (zh) 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法
Tian et al. Thinning shell thickness of CuInS2@ ZnS quantum dots to boost detection sensitivity
Li et al. Stable water-soluble quantum dots capped by poly (ethylene glycol) modified dithiocarbamate
CN109932373B (zh) 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法
CN109794618A (zh) 丝胶蛋白包裹的铜纳米簇的制备及荧光探针
Deng et al. Chronopotentiometric synthesis of quantum dots with efficient surface-derived near-infrared electrochemiluminescence for ultrasensitive microchip-based ion-selective sensing
Santos et al. Semiconductor Quantum Dots in Chemical Analysis: From Binary to Multinary Nanocrystals
CN109932285B (zh) 量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法
CN109932357B (zh) 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法
CN109932378B (zh) 一种量子点表面配体覆盖率的测定方法
CN109946331B (zh) 量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法
Chomoucka et al. Synthesis of Glutathione Coated Quantum Dots
US20210017449A1 (en) Preparation method for quantum dots
CN101704507A (zh) 一种在水相中合成具有核-壳-壳结构的量子点的方法
CN109932358B (zh) 量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法
Zhang et al. Facile Preparation of Ternary Cd0. 9Pb0. 1Se Quantum Dots Toward Photoelectrochemical Photodetectors

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL Corp.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant