CN109616556A - 一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法 - Google Patents
一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109616556A CN109616556A CN201811546703.9A CN201811546703A CN109616556A CN 109616556 A CN109616556 A CN 109616556A CN 201811546703 A CN201811546703 A CN 201811546703A CN 109616556 A CN109616556 A CN 109616556A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- laser
- annealing
- back side
- backside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 67
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 abstract description 4
- 208000014674 injury Diseases 0.000 abstract description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 206010061245 Internal injury Diseases 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/128—Annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，包括以下步骤：利用激光设备对硅片的背面进行激光开槽，将激光开槽后的硅片放入沉积设备中，向所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3以及N2进行沉积以在硅片的正面镀膜。本发明的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，将激光开槽移至正面镀膜之前进行，利用了PECVD的中高温无氧环境进行背面退火的同时还能实现正面镀膜同步完成，没有增加额外的退火工序；且该方法恢复和修复了背面高能量激光开槽后带来的热冲击、热损伤和晶格缺陷，进一步降低了激光后硅片受损表面的复合速率，还能对背面开槽（开窗）位置进行氢钝化，从而提高受激光损伤硅片的少子寿命，进一步提高太阳能电池效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及包括了该一体化方法的一种电池片的制备方法。
背景技术
随着光伏技术的不断发展，晶硅太阳能电池作为以一种将太阳能转化为电能的清洁能源产品得到了迅猛发展。
钝化和接触的匹配优化能不断提高晶硅太阳能电池效率，铝背场由整面的铝硅接触发展到目前广泛使用的PERC局部钝化铝硅接触，降低了硅片背面的复合速率，减少了少子复合从而提高电池效率。但局部钝化接触的开槽(开窗) 主要是通过高能量的激光轰击硅片背面钝化膜，这会对硅片背面带来严重的激光热冲击和损伤，破坏硅基体的晶格结构和应力集中从而导致电池效率损失和隐裂碎片增加。
发明内容
有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷，本发明的目的是提供一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，该方法能恢复和修复背面激光热损伤和晶格缺陷，且提高了太阳能电池效率和降低了电池片碎片率，同时还能和正面镀膜一体化，优化了工艺步骤。
为了达到上述目的，本发明采用以下的技术方案：
一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，包括以下步骤：利用激光设备对硅片的背面进行激光开槽，将激光开槽后的硅片放入沉积设备中，向所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3以及N2进行沉积以在硅片的正面镀膜。
优选地，所述硅片已经进行过清洗制绒、背面镀钝化膜和保护膜。
优选地，所述激光开槽中的激光参数为：激光百分率为50-100％，激光频率为200-1000kHz。
更加优选地，所述激光开槽中的激光参数为：激光百分率100％，激光频率为800kHz。
优选地，将硅片放入沉积设备中时将两片所述硅片的背面相贴固定在石墨舟卡槽里，然后放入所述沉积设备中。
更加优选地，相邻所述的硅片的背面之间的距离小于相邻所述的硅片的正面之间的距离。
优选地，所述沉积过程为在无氧低压且高温下进行。
更加优选地，所述沉积条件为：沉积温度为300-500℃，反应时间为 30-50min，压强为1000-3000mTorr。mTorr为压强单位，为微米汞柱的压强，即毫米汞柱压强的千分之一，1mTorr等于0.133Pa。
进一步优选地，所述沉积条件为：沉积温度为400℃，反应时间为40min，压强为2000mTorr。
本发明还提供了一种电池片的制备方法，所述制备方法包括如上所述的硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法。
具体的，所述制备方法包括准备硅片后进行制绒清洗、背面镀膜后进行背面激光开槽，之后在沉积设备中进行背面退火和正面镀膜，最后进行丝网印刷和烧结。
与现有技术相比，本发明的有益之处在于：本发明的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，该方法对传统的电池片制备工艺流程做出了调整，将激光开槽移至正面镀膜之前进行，利用了PECVD的中高温无氧环境进行背面退火的同时还能实现正面镀膜同步完成，没有增加额外的退火工序；且该方法恢复和修复了背面高能量激光开槽后带来的热冲击、热损伤和晶格缺陷。进一步降低了激光后硅片受损表面的复合速率，同时还能对背面开槽(开窗)位置进行氢钝化，从而提高受激光损伤硅片的少子寿命，进一步提高太阳能电池效率和降低了电池片碎片率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为对比例1的传统工艺中电池片的制备步骤流程框图；
图2为本发明优选实施例1中电池片的制备步骤流程框图；
图3为本发明优选实施例1中硅片插在石墨舟中的示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
以下实施例中，所采用的硅片可为单多晶硅片，购自中环股份有限公司；所采用的激光开槽设备型号为DR-Al-Y100,购自武汉帝尔激光科技有限公司；沉积设备型号为E2000HT 410-4，购自Centrotherm；检测硅片少子的仪器为 WCT120少子寿命测试仪；电池效率测试为Halm效率测试(少子寿命变高，电池效率越好)。
实施例1
参照图2至3，本实施例的一种电池片的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：准备材料
准备适宜电阻率的单多晶硅片，按电池工艺进行制绒清洗、背面镀膜等。
步骤S2：背面激光开槽
将步骤S1中经过制绒清洗、背面镀膜等工艺后的硅片放入激光设备中，在激光参数中设置激光百分率100％，激光频率800kHz，激光图形为相离点 500um的正六边形对称图形，激光打点图形尺寸155*155mm，设置合适的激光参数后，开始用高能量的激光束轰击硅片背面膜层，形成去除膜层和熔融硅表层的背面开槽(开窗)效果。
在其他的一些实施例中，激光百分率的范围可为50-100％，激光频率的范围可为200-1000kHz。
步骤S3：背面退火+正面镀膜
在步骤S2结束后将背面开槽(开窗)后的硅片按图3所示的形式背对背插入到石墨舟内，将插好片的石墨舟放入PECVD镀膜设备。即将开槽后的硅片在 PECVD设备中以背靠背的方式进行插片，相邻硅片的背面之间的距离小于相邻硅片的正面之间的距离，且两片硅片的背面朝里、正面朝外用于正面镀膜。
沉积过程为在无氧低压且高温下进行。具体的，在沉积腔中通入反应气体 SiH4、NH3和N2，其中SiH4的气体流量为3-9slm，NH3的气体流量为 700-1900sccm，N2的气体流量为7-10sccm。压强为2000mTorr，反应温度为 450℃，保温时间为30min。
通过在硅片正面形成氮化硅薄膜时背面也进行退火处理，修复了背面开槽 (开窗)激光带来的损伤和晶格缺陷，最终形成背面退火和正面镀膜一体化，进一步降低了激光后硅片受损表面的复合速率，同时还能对背面开槽(开窗) 位置进行氢钝化，从而提高受激光损伤硅片的少子寿命，进一步提高太阳能电池效率。
激光开槽对硅片的内部损伤可以通过高温退火来修复，而硅片表层的损伤是通过反应气体反应时产生的氢实现了修复。
在其他的一些实施例中，沉积温度的范围可为300-500℃，反应时间的范围可为30-50min，压强的范围可为1000-3000mTorr。
步骤S4：丝印烧结
将经过步骤S3后的硅片进行丝网印刷以及烧结，得到电池片。
即本实施例中在硅片背面镀膜和进行激光开槽后，在PECVD炉管里完成高温无氧条件下保持一定时间从而修复背面激光损伤，且同步完成硅片正面镀膜，简化了流程工艺，且提高受激光损伤硅片的少子寿命，进一步提高太阳能电池效率。
对比例1
参照图1，本对比例中的电池片按照传统的方法进行制备，即按照硅片清洗制绒、背面镀膜、正面镀膜、背面激光开槽以及丝网印刷并烧结后制得。
实施例2结果与讨论
将采用实施例1制作出的电池片与对比例1的传统工艺制作出的电池片进行的检测，其中，Eta为转化效率，Uoc为开路电压，Isc为短路电流，FF为填充因子， Rs为串联电阻，Rsh为并联电阻，IRev2为反向电流，Breakage为丝印碎片率，结果如下表：
表1测试结果
实施例1中将背面退火和正面镀膜结合一体化，通过退火修复晶格缺陷和热应力损伤，提高电池效率和降低隐裂碎片。从表1的电性能测试结果可以得出：实施例1中电池光电转换效率的增益来自于Uoc的改善，主要原因为激光损伤退火后，修复晶格损伤和氢钝化表面缺陷，减少表面复合和体复合，从而提高了光电转换效率和降低了电池片碎片率。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，包括以下步骤：利用激光设备对硅片的背面进行激光开槽，将激光开槽后的硅片放入沉积设备中，向所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3以及N2进行沉积。
2.根据权利要求1所述的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，所述硅片已经进行过清洗制绒、背面镀钝化膜和保护膜。
3.根据权利要求1所述的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，所述激光开槽中的激光参数为：激光百分率为50-100%，激光频率为200-1000kHz。
4.根据权利要求3所述的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，所述激光开槽中的激光参数为：激光百分率100%，激光频率为800kHz。
5.根据权利要求1所述的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，将硅片放入沉积设备中时将两片硅片的背面相贴固定在石墨舟相邻的卡槽里，然后放入所述沉积设备中。
6.根据权利要求1所述的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，所述沉积过程为在无氧低压且高温下进行。
7.根据权利要求6所述的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，所述沉积条件为：沉积温度为300-500℃，反应时间为30-50min，压强为1000-3000mTorr。
8.根据权利要求7所述的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，所述沉积条件为：沉积温度为400℃，反应时间为40min，压强为2000mTorr。
9.一种电池片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如权利要求1-8任意一项所述的硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法。
10.根据权利要求9所述的一种电池片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括准备硅片后进行制绒清洗、背面镀膜后进行背面激光开槽，之后在沉积设备中进行背面退火和正面镀膜，最后进行丝网印刷和烧结。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811546703.9A CN109616556A (zh) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811546703.9A CN109616556A (zh) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109616556A true CN109616556A (zh) | 2019-04-12 |
Family
ID=66009457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811546703.9A Pending CN109616556A (zh) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109616556A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110676349A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-10 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种电镀金属化电极的制备方法 |
| CN110739366A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-01-31 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种修复perc太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法 |
| CN113913788A (zh) * | 2021-08-25 | 2022-01-11 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种用于产业化生产的正背面镀膜设备及方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103456837A (zh) * | 2013-08-26 | 2013-12-18 | 镇江大全太阳能有限公司 | 局部背场钝化太阳能电池的制造方法 |
| CN105449042A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-03-30 | 浙江晶科能源有限公司 | 钝化发射极背表面电池的制备方法 |
| CN105914256A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-31 | 晋能清洁能源科技有限公司 | Perc晶体硅太阳能电池的制造方法 |
| CN106328765A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 一种高效perc晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺 |
| CN108336169A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-07-27 | 南通苏民新能源科技有限公司 | 一种背面钝化的p型晶体硅太阳能电池的制作方法 |
| CN108987531A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-12-11 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种类单晶perc太阳能电池制备方法 |
| US20200127149A1 (en) * | 2017-03-03 | 2020-04-23 | Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. | Bifacial p-type perc solar cell and module, system, and preparation method thereof |
-
2018
- 2018-12-18 CN CN201811546703.9A patent/CN109616556A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103456837A (zh) * | 2013-08-26 | 2013-12-18 | 镇江大全太阳能有限公司 | 局部背场钝化太阳能电池的制造方法 |
| CN105449042A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-03-30 | 浙江晶科能源有限公司 | 钝化发射极背表面电池的制备方法 |
| CN105914256A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-31 | 晋能清洁能源科技有限公司 | Perc晶体硅太阳能电池的制造方法 |
| CN106328765A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 一种高效perc晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺 |
| US20200127149A1 (en) * | 2017-03-03 | 2020-04-23 | Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. | Bifacial p-type perc solar cell and module, system, and preparation method thereof |
| CN108336169A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-07-27 | 南通苏民新能源科技有限公司 | 一种背面钝化的p型晶体硅太阳能电池的制作方法 |
| CN108987531A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-12-11 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种类单晶perc太阳能电池制备方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110676349A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-10 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种电镀金属化电极的制备方法 |
| CN110739366A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-01-31 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种修复perc太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法 |
| CN110739366B (zh) * | 2019-10-16 | 2021-06-25 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种修复perc太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法 |
| CN113913788A (zh) * | 2021-08-25 | 2022-01-11 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种用于产业化生产的正背面镀膜设备及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109802007B (zh) | 管式pecvd制备多晶硅钝化接触结构的方法 | |
| CN109216509A (zh) | 一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法 | |
| CN110571149A (zh) | 一种p型全接触钝化太阳能电池的制备方法 | |
| CN111987182A (zh) | TOPCon太阳能电池及其制造方法 | |
| JP5058184B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| CN114975643B (zh) | N-TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池 | |
| CN112510121B (zh) | 一种perc电池碱抛前后保护工艺 | |
| CN116885044B (zh) | 一种有效提升TOPCon电池组件功率的制备方法 | |
| US8969216B2 (en) | Method for single side texturing | |
| CN113206172A (zh) | 切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件 | |
| TWI722078B (zh) | 光電轉換裝置之製造方法 | |
| CN109616556A (zh) | 一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法 | |
| CN114284395A (zh) | 一种先制绒后吸杂的硅基异质结太阳能电池的制备方法 | |
| CN117766623A (zh) | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 | |
| CN115332390A (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| US8735201B2 (en) | Film-forming method for forming passivation film and manufacturing method for solar cell element | |
| JP4532008B2 (ja) | 反射防止膜の成膜方法 | |
| US9842956B2 (en) | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures | |
| CN107731951A (zh) | 一种n‑p‑p+结构电池的制备方法 | |
| CN114883453B (zh) | 一种双面多层钝化膜、制备方法及晶硅太阳能电池 | |
| CN110335919A (zh) | 一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法 | |
| CN110785856A (zh) | 高效太阳能电池的制造方法 | |
| CN109638110A (zh) | 一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法 | |
| CN112909132A (zh) | 增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN115621371A (zh) | 一种p型单晶太阳能电池的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190412 |