[go: up one dir, main page]

CN109378350A - 一种太阳能电池及其组装工艺 - Google Patents

一种太阳能电池及其组装工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN109378350A
CN109378350A CN201811476402.3A CN201811476402A CN109378350A CN 109378350 A CN109378350 A CN 109378350A CN 201811476402 A CN201811476402 A CN 201811476402A CN 109378350 A CN109378350 A CN 109378350A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
line electrode
grid line
silicon solar
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811476402.3A
Other languages
English (en)
Inventor
皇韶峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd
Original Assignee
JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd filed Critical JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd
Priority to CN201811476402.3A priority Critical patent/CN109378350A/zh
Publication of CN109378350A publication Critical patent/CN109378350A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121The active layers comprising only Group IV materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20Electrodes
    • H10F77/206Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/215Geometries of grid contacts
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种太阳能电池及其组装工艺,包括一种太阳能电池,其中太阳能电池包括硅太阳能电池片和固定连接在硅太阳能电池片表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极,所述主栅线电极与副栅线电极的表面均电镀有铟金属层,所述铟金属层的厚度为15‑30微米,所述硅太阳能电池片为矩形板状接,且硅太阳能电池片除主栅线电极和副栅线电极外的表面上固接有绝缘透明层,所述绝缘透明层的厚度为2‑15微米。该一种太阳能电池及其组装工艺,既能降低银材质的主栅线电极和副栅线电极的氧化速度,使保证导电的效率的同时提高了太阳能电池的生产安装质量,又能够降低了复合物的接触电阻,提高导电的效率。

Description

一种太阳能电池及其组装工艺
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池及其组装工艺。
背景技术
太阳能电池是一种基于光生伏特效应而将太阳能直接转化为电能的器件,是一个半导体光电二极管,当太阳光照到光电二极管上时,光电二极管就会把太阳的光能转化为电能,产生电流。当许多个电池串联或并联起来就可以成为有比较大的输出功率的太阳能电池方阵了。太阳能电池可以大中小并举,大到百万千瓦的中型电站,小到只供一户用的太阳能电池组,组合方式灵活,这是其它电源无法比拟的。
太阳能电池一般包括硅太阳能电池片和栅线电极,而栅线电极主要是由银电镀而成,在太阳能电池的整体安装或者使用的过程中,由于银材质的栅线电极与空气的接触,从而导致了栅线电极的氧化,使表面覆盖一种淡黄色或黑色的物质,影响了栅线电极的导电效率,更严重的是安装过程中降低了生产的质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其组装工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种太阳能电池,包括硅太阳能电池片和固定连接在硅太阳能电池片表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极,所述主栅线电极与副栅线电极的表面均电镀有铟金属层,所述铟金属层的厚度为15-30微米。
优选的,所述硅太阳能电池片为矩形板状接,且硅太阳能电池片除主栅线电极和副栅线电极外的表面上固接有绝缘透明层,所述绝缘透明层的厚度为2-15微米。
优选的,所述主栅线电极和副栅线电极分别设在硅太阳能电池片的上下两表面上,且主栅线电极和副栅线电极均为长方条形状,其覆盖在主栅线电极和副栅线电极表面的铟金属层也为长方条结构。
优选的,所述主栅线电极在硅太阳能电池片的上下表面均镜像设置有两组,所述副栅线电极在硅太阳能电池片的上下表面均匀间隔设置有多组,且多组所述副栅线电极与主栅线电极在硅太阳能电池片的一侧面垂直交错连通。
优选的,所述绝缘透明层为硅胶层或绝缘高分子材料膜层。
一种太阳能电池及其组装工艺,包括以下步骤:
S1,装模,在硅太阳能电池片的上表面上压装一组与所需主栅线电极和副栅线电极相适配的栅格模架,并使该栅格模架的底面紧贴电池片表面;
S2,涂布,在栅格模架外侧的硅太阳能电池片上表面上和四侧面涂覆绝缘透明材料,并保证绝缘透明材料涂覆的均匀;
S3,拆模,拆除栅格模架,使硅太阳能电池片的上表面形成除绝缘透明材料覆盖的栅格线路;
S4,烘干,对硅太阳能电池片上表面和侧面进行烘干处理,使绝缘透明层与硅太阳能电池片固接结在一起;
S5,初步电镀,采用电镀法在栅格线路上镀上作为主栅线电极和副栅线电极的导电材料,形成太阳能电池栅线电极,且该栅线电极底端面与硅太阳能电池片的上表面紧挨设置;
S6,再次电镀,在主栅线电极和副栅线电极上采用电镀法再次电镀上一层铟金属层,使铟金属层覆盖主栅线电极和副栅线电机,且铟金属层的两侧底端设在绝缘透明层上;
S7,组装完成,在硅太阳能电池片的背面重复上述步骤S1-S6,使硅太阳能电池片的上下表面均完成涂覆与电镀,形成完成的太阳能电池。
优选的,步骤S2中,绝缘透明材料为硅胶或绝缘高分子材料,步骤S5中,初步电镀的材料为金属银。
本发明的技术效果和优点:该一种太阳能电池及其组装工艺,通过在主栅线电极和副栅线电极的表面电镀一层铟金属层,铟金属层通过电镀的方法将主栅线电极和副栅线电极覆盖,既保证了主栅线电极和副栅线电极的密封性,从而降低银材质的主栅线电极和副栅线电极的氧化速度,保证了主栅线电极和副栅线电机极无论是在安装太阳能电池整体还是在使用过程中,都能够保证导电的效率,既提高太阳能电池的生产安装质量,同时又能够提高硅太阳能电池片使用效率,且电镀铟金属层还能够将铟金属与银形成铟金属的混合物,进一步降低了复合物的接触电阻,提高导电的效率。
附图说明
图1为本发明的太阳能电池主视图;
图2为本发明的太阳能电池俯视图。
图中:1硅太阳能电池片、2绝缘透明层、3副栅线电极、4主栅线电极、5铟金属层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供了如图1-2所示的一种太阳能电池,包括硅太阳能电池片1和固定连接在硅太阳能电池片1表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅线电极4和副栅线电极3,所述主栅线电极4与副栅线电极3的表面均电镀有铟金属层5,所述铟金属层5的厚度为15-30微米。
具体的,所述硅太阳能电池片1为矩形板状接,且硅太阳能电池片1除主栅线电极4和副栅线电极3外的表面上固接有绝缘透明层2,所述绝缘透明层2的厚度为2-15微米。
具体的,所述主栅线电极4和副栅线电极3分别设在硅太阳能电池片1的上下两表面上,且主栅线电极4和副栅线电极3均为长方条形状,其覆盖在主栅线电极4和副栅线电极3表面的铟金属层5也为长方条结构。
具体的,所述主栅线电极4在硅太阳能电池片1的上下表面均镜像设置有两组,所述副栅线电极3在硅太阳能电池片1的上下表面均匀间隔设置有多组,且多组所述副栅线电极3与主栅线电极4在硅太阳能电池片1的一侧面垂直交错连通。
具体的,所述绝缘透明层2为硅胶层或绝缘高分子材料膜层。
一种太阳能电池及其组装工艺,包括以下步骤:
S1,装模,在硅太阳能电池片1的上表面上压装一组与所需主栅线电极4和副栅线电极3相适配的栅格模架,并使该栅格模架的底面紧贴电池片表面;
S2,涂布,在栅格模架外侧的硅太阳能电池片1上表面上和四侧面涂覆绝缘透明材料,并保证绝缘透明材料涂覆的均匀;
S3,拆模,拆除栅格模架,使硅太阳能电池片1的上表面形成除绝缘透明材料覆盖的栅格线路;
S4,烘干,对硅太阳能电池片1上表面和侧面进行烘干处理,使绝缘透明层2与硅太阳能电池片1固接结在一起;
S5,初步电镀,采用电镀法在栅格线路上镀上作为主栅线电极4和副栅线电极3的导电材料,形成太阳能电池栅线电极,且太阳能电池栅线电极底端面与硅太阳能电池片1的上表面紧挨设置;
S6,再次电镀,在主栅线电极4和副栅线电极3上采用电镀法镀上一层铟金属层5,使铟金属层5覆盖主栅线电极4和副栅线电机,且铟金属层5的两侧底端设在绝缘透明层2上;
S7,组装完成,在硅太阳能电池片1的背面重复上述步骤S1-S6,使硅太阳能电池片1的上下表面均完成涂覆与电镀,形成完成的太阳能电池。
具体的,步骤S2中,绝缘透明材料为硅胶或绝缘高分子材料,步骤S5中,初步电镀的材料为金属银。
具体的,该一种太阳能电池及其组装工艺,在组装过程中,首先按照装模涂布的的步骤,将绝缘透明层2覆盖在硅太阳能电池片1的表面,且不会对后续的主栅线电极4和副栅线电极3的电镀产生影响,再通过两次电镀,初次电镀将金属银电镀成主栅线电极4和副栅线电极3,在将铟金属层5电镀覆盖在主栅线电极4和副栅线电极3的表面,形成密封,然后再将硅太阳能电池片1的另一侧面重复步骤,完成一个整体循环。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种太阳能电池,包括硅太阳能电池片(1)和固定连接在硅太阳能电池片(1)表面的栅线电极,其特征在于:所述栅线电极包括主栅线电极(4)和副栅线电极(3),所述主栅线电极(4)与副栅线电极(3)的表面均电镀有铟金属层(5),所述铟金属层(5)的厚度为15-30微米。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池,其特征在于:所述硅太阳能电池片(1)为矩形板状接,且硅太阳能电池片(1)除主栅线电极(4)和副栅线电极(3)外的表面上固接有绝缘透明层(2),所述绝缘透明层(2)的厚度为2-15微米。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池,其特征在于:所述主栅线电极(4)和副栅线电极(3)分别设在硅太阳能电池片(1)的上下两表面上,且主栅线电极(4)和副栅线电极(3)均为长方条形状,其覆盖在主栅线电极(4)和副栅线电极(3)表面的铟金属层(5)也为长方条结构。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池,其特征在于:所述主栅线电极(4)在硅太阳能电池片(1)的上下表面均镜像设置有两组,所述副栅线电极(3)在硅太阳能电池片(1)的上下表面均匀间隔设置有多组,且多组所述副栅线电极(3)与主栅线电极(4)在硅太阳能电池片(1)的一侧面垂直交错连通。
5.根据权利要求2所述的一种太阳能电池,其特征在于:所述绝缘透明层(2)为硅胶层或绝缘高分子材料膜层。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种太阳能电池及其组装工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S1,装模,在硅太阳能电池片(1)的上表面上压装一组与所需主栅线电极(4)和副栅线电极(3)相适配的栅格模架,并使该栅格模架的底面紧贴电池片表面;
S2,涂布,在栅格模架外侧的硅太阳能电池片(1)上表面上和四侧面涂覆绝缘透明材料,并保证绝缘透明材料涂覆的均匀;
S3,拆模,拆除栅格模架,使硅太阳能电池片(1)的上表面形成除绝缘透明材料覆盖的栅格线路;
S4,烘干,对硅太阳能电池片(1)上表面和侧面进行烘干处理,使绝缘透明层(2)与硅太阳能电池片(1)固接结在一起;
S5,初步电镀,采用电镀法在栅格线路上镀上作为主栅线电极(4)和副栅线电极(3)的导电材料,形成太阳能电池栅线电极,且太阳能电池栅线电极底端面与硅太阳能电池片(1)的上表面紧挨设置;
S6,再次电镀,在主栅线电极(4)和副栅线电极(3)上采用电镀法镀上一层铟金属层(5),使铟金属层(5)覆盖主栅线电极(4)和副栅线电机,且铟金属层(5)的两侧底端设在绝缘透明层(2)上;
S7,组装完成,在硅太阳能电池片(1)的背面重复上述步骤S1-S6,使硅太阳能电池片(1)的上下表面均完成涂覆与电镀,形成完成的太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的一种太阳能电池及其组装工艺,其特征在于:步骤S2中,绝缘透明材料为硅胶或绝缘高分子材料,步骤S5中,初步电镀的材料为金属银。
CN201811476402.3A 2018-12-03 2018-12-03 一种太阳能电池及其组装工艺 Pending CN109378350A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811476402.3A CN109378350A (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种太阳能电池及其组装工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811476402.3A CN109378350A (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种太阳能电池及其组装工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109378350A true CN109378350A (zh) 2019-02-22

Family

ID=65375727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811476402.3A Pending CN109378350A (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种太阳能电池及其组装工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109378350A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060238A1 (en) * 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
CN101834230A (zh) * 2010-04-30 2010-09-15 中山大学 一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法
CN102800763A (zh) * 2012-09-07 2012-11-28 泉州市博泰半导体科技有限公司 太阳能电池及其栅线电极的制作方法
CN206098402U (zh) * 2016-07-27 2017-04-12 福建金石能源有限公司 一种异质结太阳能电池及其模组

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060238A1 (en) * 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
CN101834230A (zh) * 2010-04-30 2010-09-15 中山大学 一种采用掩模制备保护太阳电池细栅线金属电极的彩色薄膜的方法
CN102800763A (zh) * 2012-09-07 2012-11-28 泉州市博泰半导体科技有限公司 太阳能电池及其栅线电极的制作方法
CN206098402U (zh) * 2016-07-27 2017-04-12 福建金石能源有限公司 一种异质结太阳能电池及其模组

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《矿产资源工业要求手册》编委会编: "《矿产资源工业要求手册 2014修订版》", 31 January 2014, 地质出版社 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022247057A1 (zh) 一种背接触太阳能电池串及制备方法、组件及系统
CN218414596U (zh) 一种背接触电池及光伏组件
CN115295637A (zh) 无主栅背接触太阳能电池片、光伏电池组件及其制备方法
CN108922973A (zh) 一种基于钙钛矿太阳能电池的光伏组件及其封装方法
CN115295651A (zh) 无主栅ibc电池组件单元及制作方法、电池组件、电池组串
CN103325875A (zh) 一种新型太阳能电池片的电流汇集装置及其制备工艺
CN114864721A (zh) 一种无主栅的光伏组件及其制备方法、焊带焊接方法
CN221861672U (zh) 一种背接触电池片和电池串
CN107958943A (zh) 一种基于ibc电池封装的光伏组件及制作方法
CN110071186B (zh) 一种薄膜光伏组件内联结构及生产工艺
CN214753809U (zh) 一种背接触太阳能电池串、组件及系统
CN106847944A (zh) P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN102800763B (zh) 太阳能电池及其栅线电极的制作方法
CN105140310B (zh) 一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺
CN212113733U (zh) 一种二分之一片ibc电池串连接组件
CN112086520A (zh) 太阳能电池组件及制备方法
CN214898458U (zh) 一种背接触太阳能电池串、组件及系统
CN115188836A (zh) 一种高密度无主栅的光伏组件及其制备方法
CN109378350A (zh) 一种太阳能电池及其组装工艺
CN210156394U (zh) 一种背接触太阳能电池光伏组件
CN204303828U (zh) 高效率太阳能发电组件
CN108365043B (zh) 一种光伏电池片组件的互联结构
CN206961853U (zh) 一种异质结太阳能电池模组
CN216849965U (zh) 异质结光伏组件
CN109449236A (zh) 一种异质结太阳电池间的互联模式

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190222

RJ01 Rejection of invention patent application after publication