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CN109346560A - 一种太阳能电池芯的制备方法 - Google Patents

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CN109346560A
CN109346560A CN201811428775.3A CN201811428775A CN109346560A CN 109346560 A CN109346560 A CN 109346560A CN 201811428775 A CN201811428775 A CN 201811428775A CN 109346560 A CN109346560 A CN 109346560A
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CN
China
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preparation
terminal structure
base terminal
solar battery
solar cell
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Pending
Application number
CN201811428775.3A
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English (en)
Inventor
张进
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Tuozheng Maoyuan New Energy Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Tuozheng Maoyuan New Energy Co Ltd
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Publication date
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • HELECTRICITY
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

本发明公开了一种太阳能电池芯的制备方法,所述制备方法如下:经由粘接剂在太阳能电池的电极上配置接合线的配置工序,将所述接合线和测定所述太阳能电池的电特性的测定器连接,进行所述太阳能电池的电特性测定的测定工序,基极端子结构基极接触结构直接电接触,将被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到基极端子结构上,基极端子结构的薄膜在高纯氛围中原位快速退火,自然冷却到室温取出,本发明一种太阳能电池芯的制备方法,能够简易且正确地进行电特性的测定的太阳能电池的输出,能够有效调整光学能隙、吸收率高、抗辐射能力强和长期的稳定性等优点。

Description

一种太阳能电池芯的制备方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池芯的制备方法,涉及一种太阳能电池生产技术。
背景技术
太阳能电池时的问题在于其高的制造成本。在制造标准太阳能电池时所使用的银膏在制造成本中占有大量份额。
在现有技术中通过限制银的消耗来降低太阳能电池的制造成本的方法措施,但是光学能隙调整、吸收率如何提高、抗辐射能力和稳定性如何提供等问题仍需要进一步改善。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,本发明提供一种太阳能电池芯的制备方法,能够简易且正确地进行电特性的测定的太阳能电池的输出,能够有效调整光学能隙、吸收率高、抗辐射能力强和长期的稳定性等优点。
进一步的,一种太阳能电池芯的制备方法,所述制备方法如下:
(a)经由粘接剂在太阳能电池的电极上配置接合线的配置工序;
(b)将所述接合线和测定所述太阳能电池的电特性的测定器连接,进行所述太阳能电池的电特性测定的测定工序;
(c)基极端子结构基极接触结构直接电接触;
(d)将被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到基极端子结构上;
(e)基极端子结构的薄膜在高纯氛围中原位快速退火,自然冷却到室温取出即得。
进一步的,所述粘接剂为树脂。
进一步的,所述基极端子结构由镍、镍合金、锡合金制成。
进一步的,所述退火参数,时间15~25分钟,退火气压为4.5~5.5Pa,退火温度450~500℃。
有益效果:本发明能够简易且正确地进行电特性的测定的太阳能电池的输出,能够有效调整光学能隙、吸收率高、抗辐射能力强和长期的稳定性等优点。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明做进一步详细说明。
实施例1
一种太阳能电池芯的制备方法,所述制备方法如下:
(a)经由粘接剂在太阳能电池的电极上配置接合线的配置工序;
(b)将所述接合线和测定所述太阳能电池的电特性的测定器连接,进行所述太阳能电池的电特性测定的测定工序;
(c)基极端子结构基极接触结构直接电接触;
(d)将被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到基极端子结构上;
(e)基极端子结构的薄膜在高纯氛围中原位快速退火,自然冷却到室温取出即得。
进一步的,所述粘接剂为树脂。
所述的基极端子结构由镍、镍合金、锡合金制成。
所述的退火参数,时间15分钟,退火气压为4.5Pa,退火温度450℃。
实施例2
一种太阳能电池芯的制备方法,所述制备方法如下:
(a)经由粘接剂在太阳能电池的电极上配置接合线的配置工序;
(b)将所述接合线和测定所述太阳能电池的电特性的测定器连接,进行所述太阳能电池的电特性测定的测定工序;
(c)基极端子结构基极接触结构直接电接触;
(d)将被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到基极端子结构上;
(e)基极端子结构的薄膜在高纯氛围中原位快速退火,自然冷却到室温取出即得。
进一步的,所述粘接剂为树脂。
所述的基极端子结构由镍、镍合金、锡合金制成。
所述的退火参数,时间20分钟,退火气压为5Pa,退火温度480℃。
实施例3
一种太阳能电池芯的制备方法,所述制备方法如下:
(a)经由粘接剂在太阳能电池的电极上配置接合线的配置工序;
(b)将所述接合线和测定所述太阳能电池的电特性的测定器连接,进行所述太阳能电池的电特性测定的测定工序;
(c)基极端子结构基极接触结构直接电接触;
(d)将被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到基极端子结构上;
(e)基极端子结构的薄膜在高纯氛围中原位快速退火,自然冷却到室温取出即得。
进一步的,所述粘接剂为树脂。
所述的基极端子结构由镍、镍合金、锡合金制成。
所述的,退火参数,时间25分钟,退火气压为5.5Pa,退火温度500℃。

Claims (4)

1.一种太阳能电池芯的制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
(a)经由粘接剂在太阳能电池的电极上配置接合线的配置工序;
(b)将所述接合线和测定所述太阳能电池的电特性的测定器连接,进行所述太阳能电池的电特性测定的测定工序;
(c)基极端子结构基极接触结构直接电接触;
(d)将被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到基极端子结构上;
(e)基极端子结构的薄膜在高纯氛围中原位快速退火,自然冷却到室温取出即得。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池芯的制备方法,其特征在于,所述粘接剂为树脂。
3.如权利要求1所述的一种太阳能电池芯的制备方法,其特征在于,所述基极端子结构由镍、镍合金、锡合金制成。
4.如权利要求1所述的一种太阳能电池芯的制备方法,其特征在于,所述退火参数,时间15~25分钟,退火气压为4.5~5.5Pa,退火温度450~500℃。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102169908A (zh) * 2011-02-25 2011-08-31 上海太阳能电池研究与发展中心 CdTe太阳能电池的复合透明导电薄膜及制备方法
CN104170248A (zh) * 2012-03-16 2014-11-26 迪睿合电子材料有限公司 太阳能电池模块的制造方法、太阳能电池的输出测定方法及太阳能电池的输出测定夹具
CN104185904A (zh) * 2011-12-01 2014-12-03 威廉·施泰因 太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法
CN104428904A (zh) * 2012-07-10 2015-03-18 迪睿合电子材料有限公司 太阳能电池模块及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102169908A (zh) * 2011-02-25 2011-08-31 上海太阳能电池研究与发展中心 CdTe太阳能电池的复合透明导电薄膜及制备方法
CN104185904A (zh) * 2011-12-01 2014-12-03 威廉·施泰因 太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法
CN104170248A (zh) * 2012-03-16 2014-11-26 迪睿合电子材料有限公司 太阳能电池模块的制造方法、太阳能电池的输出测定方法及太阳能电池的输出测定夹具
CN104428904A (zh) * 2012-07-10 2015-03-18 迪睿合电子材料有限公司 太阳能电池模块及其制造方法

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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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