CN109004067A - 一种n型太阳能电池制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种n型太阳能电池制备方法，在制作完成选择性发射极之后，会在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案，并在设置第一栅线时，先将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，从而将印刷网板与选择性发射极对位；再通过对位好的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线，从而通过上述第一标记图案与第二标记图案实现选择性发射极与第一栅线的精确定位，即通过设置第一标记图案与第二标记图案提高栅线与选择性发射极之间对位的精度。

Description

一种n型太阳能电池制备方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种n型太阳能电池制备方法。

背景技术

随着太阳能行业的不断发展，n型太阳能电池因具有较高的光电转化效率，较低的光致衰减，良好的稳定性和双面发电等特性而备受关注。为了进一步提升电池的光电转化效率，降低生产成本，越来越多的公司开始采用选择性发射极技术。

所谓选择性发射极，是在栅线与硅片接触的部位进行重掺杂，在栅线之间位置进行轻掺杂所构成的发射极。选择性发射极可降低掺杂层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少栅线与硅片的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。

通常情况下，会先在掺杂层中制作选择性发射极，再在制作有选择性发射极的掺杂层表面印刷并烧结成与选择性发射极对应的栅线，以最终制备而成太阳能电池。但是在制备过程中，经常出现栅线与选择性发射极之间发生错位，从而导致太阳能电池效率较低的情况。所以如何提高栅线与选择性发射极之间对位的精度是本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种n型太阳能电池制备方法，可以有效提高栅线与选择性发射极之间对位的精度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种n型太阳能电池制备方法，所述方法包括：

在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层；

在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极；

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案；

将预设在印刷网板的第二标记图案与所述第一标记图案对位，以将所述印刷网板与所述选择性发射极对位；

通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线；并在所述p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。

可选的，所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括：

通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案。

可选的，所述通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案包括：

通过所述激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案；其中，所述激光机的输出功率的取值范围为90W至105W之间，包括端点值。

可选的，所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极包括：

在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层；

通过刻蚀液刻蚀所述n型掺杂层表面的非预设栅线区域，以提高所述非预设栅线区域的方阻，制成所述选择性发射极；

在制成所述选择性发射极之后，去除所述保护层。

可选的，所述在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括：

在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布石蜡层；

所述去除所述保护层包括：

去除所述石蜡层。

可选的，在所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极之后，所述方法还包括：

在所述p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面沉积氧化铝层；

所述在所述p型掺杂层表面设置第二栅线包括：

在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线；其中，所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。

可选的，在所述在所述p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面沉积氧化铝层之后，所述方法还包括：

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面沉积第一氮化硅层，并在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面沉积第二氮化硅层；

所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括：

在所述第一氮化硅层表面设置所述第一标记图案；

所述通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线包括：

通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述第一氮化硅层表面设置与所述选择性发射极对位的所述第一栅线；其中，所述第一栅线与所述选择性发射极电连接；

所述在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线包括：

在所述第二氮化硅层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线；其中，所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。

可选的，所述第一标记图案为以下任意一项或任意组合：十字形图案、圆形图案、三角形图案。

可选的，所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括：

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案。

可选的，所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案包括：

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案；其中，所述印刷空白区位于所述n型太阳能电池四个顶角。

本发明所提供的一种n型太阳能电池制备方法，在制作完成选择性发射极之后，会在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案，并在设置第一栅线时，先将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，从而将印刷网板与选择性发射极对位；再通过对位好的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线，从而通过上述第一标记图案与第二标记图案实现选择性发射极与第一栅线的精确定位，即通过设置第一标记图案与第二标记图案提高栅线与选择性发射极之间对位的精度。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种n型太阳能电池制备方法的流程图；

图2为本发明实施例所提供的一种具体的n型太阳能电池制备方法的流程图；

图3为本发明实施例所提供的另一种具体的n型太阳能电池制备方法的流程图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种n型太阳能电池制备方法。在现有技术中，选择性发射极和与该选择性发射极相接触的栅线之间，对位精度通常不足，导致上述栅线通常并不会与选择性发射极中的重掺杂区完全重合，从而导致太阳能电池效率较低。

而本发明所提供的一种n型太阳能电池制备方法，在制作完成选择性发射极之后，会在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案，并在设置第一栅线时，先将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，从而将印刷网板与选择性发射极对位；再通过对位好的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线，从而通过上述第一标记图案与第二标记图案实现选择性发射极与第一栅线的精确定位，即通过设置第一标记图案与第二标记图案提高栅线与选择性发射极之间对位的精度。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1，图1为本发明实施例所提供的一种n型太阳能电池制备方法的流程图。

参见图1，在本发明实施例中，所述n型太阳能电池制备方法包括：

S101：在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层。

在本发明实施例中所提供的太阳能电池具体为n型太阳能电池，相应的在本发明实施例中所使用的衬底具体为n型衬底层。通常情况下，n型衬底层具体为n型硅衬底层，在n型衬底层中具有较多的电子。有关n型衬底层的具体结构以及材质可以参照现有技术，在本发明实施例中不做具体限定。

在本步骤中，会分别在n型衬底层的两个相对的表面设置n型掺杂层和p型掺杂层。具体的，在本发明实施例中，通常会先在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散，以制成所述p型掺杂层；再在所述n型衬底层与所述第一表面相对的第二表面进行磷扩散，以制成所述n型掺杂层。由于硼扩散的温度通常高于磷扩散的温度，所以在通常情况下，会先进行硼扩散制备p型掺杂层，再进行磷扩散制备n型掺杂层。在制备p型掺杂层之后，通常会通过单面刻蚀将扩散到n型衬底层第二表面的BSG(硼硅玻璃)清除；在制备n型掺杂层之后，通常会通过等离子体刻蚀将扩散到n型衬底层侧边的结清除，防止漏电情况的发生。。

需要说明的是，在本步骤中，通常会通过磷扩散形成重掺杂n型掺杂层，即n⁺掺杂层，以便后续制备选择性发射极。

S102：在n型掺杂层表面设置选择性发射极。

在本步骤中，会在n型掺杂层中设置选择性发射极。所谓选择性发射极即轻掺杂区与重掺杂区交替排列的发射极结构，而下述设置在n型掺杂层表面的第一栅线会与选择性发射极中的重掺杂区相重叠。有关设置选择性发射极的具体步骤将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

S103：在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案。

在本步骤中，会在已经设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案。具体的，在本步骤中，通常会通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案，即通过激光机所发出的激光在n型掺杂层表面刻蚀出第一标记图案。通常情况下，在本步骤中会将激光机的额定功率设置在300W，并将激光机的输出功率设定为额定功率的30％至35％，即通常情况下，在本步骤中会将激光机的输出功率的取值范围设置在90W至105W之间，包括端点值。当然，在本发明实施例中可以将激光机的输出功率设定为其他的数值，有关激光机的具体输出功率在本发明实施例中并不做具体限定。当然，在本步骤中还可以采用其他的方法在n型掺杂层表面设置第一标记图案，有关第一标记图案具体的设置方法在本发明实施例中同样不做具体限定。

上述第一标记图案可以是十字形图案、圆形图案、三角形图案中的任意一种或任意组合而成的复合图案；所谓复合图案，即在本步骤中可以在n型掺杂层表面设置多个标记图案，而多个标记图案共同构成上述第一标记图案。当然，在本发明实施例中也可以使用其他形状的图案作为第一标记图案，有关第一标记图案的具体形状在本发明实施例中并不作具体限定。

S104：将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，以将印刷网板与选择性发射极对位。

在本发明实施例中，会预先在印刷网板表面设置第二标记图案，上述第二标记图案与第一标记图案可以相同也可以不同，但是上述第二标记图案需要与第一标记图案匹配，从而可以通过让第一标记图案与第二标记图案对位实现印刷网板与选择性发射极之间的对位。

S105：通过与选择性发射极对位的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线；并在p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成n型太阳能电池。

在S104中，已经实现了印刷网板与选择性发射极之间的对位，在本步骤中，会通过在S104中对位好的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线，其中第一栅线通常与选择性发射极中的重掺杂区重叠。

在本步骤中，还会在p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成n型太阳能电池。需要说明的是，在具体设置上述第一栅线以及第二栅线的过程中，通常是先通过印刷网板在n型掺杂层表面印刷对应上述第一栅线的导电浆料，并在p型掺杂层表面印刷对应上述第二栅线的导电浆料；最后烧结上述导电浆料，从而形成上述第一栅线和第二栅线。有关具体丝网印刷与烧结最终制成第一栅线和第二栅线的具体步骤可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。

本发明实施例所提供的一种n型太阳能电池制备方法，在制作完成选择性发射极之后，会在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案，并在设置第一栅线时，先将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，从而将印刷网板与选择性发射极对位；再通过对位好的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线，从而通过上述第一标记图案与第二标记图案实现选择性发射极与第一栅线的精确定位，即通过设置第一标记图案与第二标记图案提高栅线与选择性发射极之间对位的精度。同时通过上述方法可以免去了丝网印刷反复调试的过程，极大程度地减少了丝网印刷的时间，同时提高了印刷质量。

有关本发明所提供的一种n型太阳能电池制备方法的具体步骤将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图2，图2为本发明实施例所提供的一种具体的n型太阳能电池制备方法的流程图。

参见图2，在本发明实施例中，所述n型太阳能电池制备方法包括：

S201：在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层。

在本步骤之前，通常会在n型衬底层的表面制绒，以提高n型太阳能电池对外界光线的吸收。在本步骤中，所述n型掺杂层具体为重掺杂n型掺杂层，即n⁺掺杂层。本步骤的其余内容与上述发明实施例中S101基本一致，详细内容已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

S202：在n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层。

在本发明实施例中，在n型掺杂层表面会预先划分有预设栅线区域和非预设栅线区域，其中在预设栅线区域表面会在后续步骤中设置第一栅线。在本步骤中，会在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层，以通过保护层保护n型掺杂层表面的预设栅线区域不会被刻蚀。

通常情况下，在本步骤中，会通过INK技术在n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层。具体的，在本步骤中会在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布石蜡层，即通过INK技术在在n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布石蜡，以形成上述保护层。石蜡的成本很低，在后续步骤中容易清除，同时可以起到良好的保护作用。

S203：通过刻蚀液刻蚀n型掺杂层表面的非预设栅线区域，以提高非预设栅线区域的方阻，制成选择性发射极。

在本步骤中，具体会通过SPH技术，利用刻蚀液刻蚀整个n型掺杂层；其中被上述保护层覆盖的预设栅线区域不会被刻蚀，而未被上述保护层覆盖的非预设栅线区域会被刻蚀液刻蚀。被刻蚀液刻蚀后，上述n型掺杂层中的非预设栅线区域的方阻会升高，从而由原本的重掺杂n型掺杂层转变为轻掺杂n型掺杂层，从而制成选择性发射极。需要说明的是，上述刻蚀液的具体成分可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。

S204：在制成选择性发射极之后，去除保护层。

在本步骤中在制成选择性发射极之后，需要去除上述保护层，以暴露n型掺杂层表面的预设栅线区域，以便在后续步骤中在预设栅线区域设置第一栅线。具体的，若在S202中所述保护层为石蜡层，那么在本步骤中，在制成选择性发射极之后，需要去除石蜡层。

S205：在p型掺杂层背向n型衬底层一侧表面沉积氧化铝层。

在本步骤中，通常会通过ALD(原子层沉积)技术在p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面沉积一层氧化铝层，以通过该氧化铝层起到对p型掺杂层的钝化作用。有关该氧化铝层具体的钝化原理可以参考现有技术，在本发明实施例中并不做赘述。在本步骤中，上述氧化铝层的厚度通常在8nm左右。

S206：在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面沉积第一氮化硅层，并在氧化铝层背向n型衬底层一侧表面沉积第二氮化硅层。

在本步骤中，通常会通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)技术，在n型掺杂层表面沉积第一氮化硅层，并在氧化铝层表面沉积第二氮化硅层。所述第一氮化硅层与第二氮化硅层均同样起到钝化作用，有关该第一氮化硅层与第二氮化硅层具体的钝化原理可以参考现有技术，在本发明实施例中并不做赘述。

当然，在本发明实施例中，上述氧化铝层、第一氮化硅层与第二氮化硅层可以都不设置在n型太阳能电池中，也可以仅仅设置其中一个，还可以设置其中的任意两个，通常情况下在n型太阳能电池中均需要设置上述三个膜层。需要说明的是，若不设置上述氧化铝层，那么上述第二氮化硅层则位于所述p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面。

S207：在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案。

具体的，若在本发明实施例中设置有上述第一硅层时，在本步骤中具体会在所述第一氮化硅层表面设置所述第一标记图案。本步骤的其余内容与上述发明实施例中S103基本一致，详细内容已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

S208：将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，以将印刷网板与选择性发射极对位。

本步骤与上述发明实施例中S104基本一致，详细内容已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

S209：通过与选择性发射极对位的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线；并在p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成n型太阳能电池。

具体的，在本发明实施例中若设置有上述第一氮化硅层，则在本步骤中，具体会通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述第一氮化硅层表面设置与所述选择性发射极对位的所述第一栅线；其中，所述第一栅线与所述选择性发射极电连接。通常情况下，通过上述印刷网板在第一氮化硅层表面印刷的导电浆料中含有腐蚀液成分，在烧结过程中会刻蚀上述第一氮化硅层，从而使得烧结而成的第一栅线与选择性发射极相接触。

具体的，若在本发明实施例中仅仅设置有上述氧化铝层而没有设置上述第二氮化硅层，则在本步骤中，具体会在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线；其中，所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。通常情况下，在氧化铝层表面印刷的导电浆料中含有腐蚀液成分，在烧结过程中会刻蚀上述氧化铝层，从而使得烧结而成的第二栅线与p型掺杂层相接触。

具体的，若在本发明实施例中设置有上述第二氮化硅层，则在本步骤中，具体会在在所述第二氮化硅层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线；其中，所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。通常情况下，在第二氮化硅层表面印刷的导电浆料中含有腐蚀液成分，在烧结过程中会刻蚀上述第二氮化硅层，从而使得烧结而成的第二栅线与p型掺杂层相接触。

本发明实施例所提供的一种n型太阳能电池制备方法，具体通过设置保护层以及刻蚀的步骤可以实现选择性发射极的制作，同时通过上述氧化铝层、第一氮化硅层以及第二氮化硅层可以有效对n型太阳能电池进行钝化，从而有效提高n型太阳能电池的转换效率。

有关上述第一标记图案的具体制作步骤将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图3，图3为本发明实施例所提供的另一种具体的n型太阳能电池制备方法的流程图。

参见图3，在本发明实施例中，所述n型太阳能电池制备方法包括：

S301：在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层。

S302：在n型掺杂层表面设置选择性发射极。

在本发明实施例中，S301以及S302分别与上述发明实施例中S101以及S102基本相同，详细内容请参考上述发明实施例，在此不再进行赘述。

S303：在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面的印刷空白区设置第一标记图案。

在本步骤中，具体会在n型掺杂层表面的印刷空白区设置第一标记图案。所谓印刷空白区，即在n型掺杂层表面中不会被设置第一栅线的区域。在印刷空白区域设置上述第一标记图案，可以避免第一标记图案对第一栅线的结构造成影响，从而避免了第一标记图案影响n型太阳能电池中电流的收集。

具体的，在本步骤中，所述印刷空白区通常位于所述n型太阳能电池四个顶角。通常情况下，n型太阳能电池为矩形结构，该n型太阳能电池通常具有四个顶角，而n型太阳能电池的四个顶角通常为上述印刷空白区。需要说明的是，在本步骤中，可以在n型太阳能电池任意数量的顶角中设置预设的标记图案，通过该标记图案构成设置上述第一标记图案。通过在n型太阳能电池的顶角设置第一标记图案，可以尽可能的降低第一标记图案对n型太阳能电池表面的影响，从而避免第一标记图案对n型太阳能电池转换效率的影响。

S304：将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，以将印刷网板与选择性发射极对位。

S305：通过与选择性发射极对位的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线；并在p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成n型太阳能电池。

在本发明实施例中，S304以及S305分别与上述发明实施例中S104以及S105基本相同，详细内容请参考上述发明实施例，在此不再进行赘述。

本发明实施例所提供的一种n型太阳能电池制备方法，在n型掺杂层表面的印刷空白区设置第一标记图案，可以避免第一标记图案对第一栅线的结构造成影响，从而避免了第一标记图案影响n型太阳能电池中电流的收集。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种n型太阳能电池制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层；

在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极；

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案；

将预设在印刷网板的第二标记图案与所述第一标记图案对位，以将所述印刷网板与所述选择性发射极对位；

通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线；并在所述p型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括：

通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案包括：

通过所述激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案；其中，所述激光机的输出功率的取值范围为90W至105W之间，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极包括：

在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层；

通过刻蚀液刻蚀所述n型掺杂层表面的非预设栅线区域，以提高所述非预设栅线区域的方阻，制成所述选择性发射极；

在制成所述选择性发射极之后，去除所述保护层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括：

在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布石蜡层；

所述去除所述保护层包括：

去除所述石蜡层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极之后，所述方法还包括：

在所述p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面沉积氧化铝层；

所述在所述p型掺杂层表面设置第二栅线包括：

在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线；其中，所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述在所述p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面沉积氧化铝层之后，所述方法还包括：

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面沉积第一氮化硅层，并在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面沉积第二氮化硅层；

所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括：

在所述第一氮化硅层表面设置所述第一标记图案；

所述通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线包括：

通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述第一氮化硅层表面设置与所述选择性发射极对位的所述第一栅线；其中，所述第一栅线与所述选择性发射极电连接；

所述在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线包括：

在所述第二氮化硅层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线；其中，所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一标记图案为以下任意一项或任意组合：十字形图案、圆形图案、三角形图案。

9.根据权利要求1至8任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括：

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案包括：

在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案；其中，所述印刷空白区位于所述n型太阳能电池四个顶角。