CN108137618B

CN108137618B - D-a型化合物及其应用

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Publication number: CN108137618B
Application number: CN201680059797.XA
Authority: CN
Inventors: 何锐锋; 舒鹏; 王俊; 潘君友
Original assignee: Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd
Current assignee: Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd
Priority date: 2015-12-04
Filing date: 2016-10-13
Publication date: 2020-09-15
Anticipated expiration: 2036-10-13
Also published as: US20180366653A1; WO2017092508A1; CN108137618A

Abstract

一种D‑A型化合物及应用，该D‑A型化合物具有如下通式(1)，

其中，L是连接单元，‑L‑选自单键、双键、三键、碳原子数为6～40的芳香基团或碳原子数为3～40的芳杂基团。Ar为碳原子数为6～20的芳香基团或碳原子数为3～20的芳杂基团。Z₁、Z₂、Z₃分别独立表示单键、N(R)、B(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂。X₁、X₂、X₃分别独立可选地表示N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂。

Description

D-A型化合物及其应用

技术领域：

本发明涉及电致发光材料领域，尤其涉及一种D-A型化合物及其应用。

背景技术：

有机半导体材料具有结构多样性、制造成本相对较低、光电性能优越等特性，在发光二极管(OLED)等光电器件(例如平板显示器和照明)方面的应用具有巨大的潜力。

为了提高有机发光二极管的发光性能，推进有机发光二极管大范围产业化进程，各类新型结构的有机光电性能材料体系已被广泛地开发。其中，给体-受体(D-A)型的光电材料，由于具有良好的双载流子传输性能和光电性能，在光电器件中得到了广泛的应用。特别是含氮类的给体，如三苯胺、咔唑、吲哚咔唑等，由于氮原子上的孤对电子，赋予该类给体基团具有良好的供电子性能；但到目前，含氮类给体的D-A型的光电材料的性能还不能达到使用的要求，特别是当它作为主体时，其稳定性尚需提高。含氮类给体也被用来构造D-A型热激发延迟荧光发光(TADF)材料，但含有此类TADF材料的器件的寿命仍然很低。

发明内容：

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一类新型的D-A型化合物，包含该D-A型化合物的混合物和组合物、及其在有机电子器件中的应用，旨在解决现有的D-A型材料及相关的有机电子器件寿命低的问题。

一种D-A型化合物，其特征在于，具有如下通式(1)，

其中，L是连接单元，L选自单键、双键、三键、碳原子数为6～40的芳香基团或碳原子数为3～40的芳杂基团；

Ar为碳原子数为6～20的芳香基团或碳原子数为3～20的芳杂基团；

Z₁、Z₂、Z₃分别独立表示单键、N(R)、B(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂；

X₁、X₂、X₃分别独立可选地表示N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂；

R、R₁、R₂、R₃分别独立表示H、D、F、CN、芳烷基、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、羟基、碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数为6～60芳香族烃基、碳原子数为3～60的芳香族杂环基。

一种高聚物，所述高聚物的重复单元中包含了上述D-A型化合物。

一种混合物，所述混合物包括上述D-A型化合物以及有机功能材料，或者，所述混合物包括上述高聚物以及有机功能材料；

所述的有机功能材料可选自空穴注入材料、空穴传输材料、电子注入材料、电子传输材料、空穴阻挡材料、电子阻挡材料、发光材料、主体材料和有机染料中的至少一种。

一种组合物，包括上述D-A型化合物以及至少一种有机溶剂；

或者，包括上述高聚物以及至少一种有机溶剂；

或者，包括上述的混合物以及至少一种有机溶剂。

一种上述D-A型化合物或者上述高聚物在电子器件中的应用。

一种电子器件，包括上述D-A型化合物、上述高聚物或上述混合物。

上述D-A型化合物用于OLED中，特别是作为发光层材料，能提供较高的量子效率和器件寿命。其可能的原因如下，但不限于此，该类D-A型的化合物，具有良好的电子和空穴双极性传输性质，较高的荧光量子效率和结构稳定性，这为提高相关器件的光电性能及器件稳定性提供了可能。

具体实施方式

本发明提供一种新型的D-A型有机化合物，包含该D-A型化合物的混合物，组合物、及其在有机电子器件中的应用，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明中，组合物和印刷油墨，或油墨具有相同的含义，它们之间可以互换。主体材料，基质材料，Host或Matrix材料具有相同的含义，它们之间可以互换。金属有机络合物，金属有机配合物，有机金属配合物具有相同的含义，可以互换。

一实施方式的D-A型化合物，具有如下通式(1)，

其中，L是连接单元，L选自单键、双键、三键、碳原子数为6～40的芳香基团或碳原子数为3～40的芳杂基团。

Ar为碳原子数为6～20的芳香基团或碳原子数为3～20的芳杂基团。

Z₁、Z₂、Z₃分别独立表示单键、N(R)、B(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂。

X₁、X₂、X₃分别独立可选地表示N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂。

在一个实施例中，X₁、X₂以及X₃还可以不存在，即无。表示X₁、X₂以及X₃所示的位置没有原子也没有键的连接，但X₁、X₂、X₃至少有一个不是无。

R、R₁、R₂、R₃分别独立表示H、氘、F、CN、芳烷基、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、羟基、碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数为6～60芳香族烃基、碳原子数为3～60的芳香族杂环基。

具体的，芳香基团指至少包含一个芳环的烃基，包括单环基团和多环的环系统。芳杂基团指包含至少一个杂芳环的烃基(含有杂原子)，包括单环基团和多环的环系统。这些多环的环可以具有两个或多个环，其中两个碳原子被两个相邻的环共用，即稠环。多环的这些环中，至少一个是杂芳族的。对于本发明的目的，芳香族或杂芳香族环系不仅包括芳香基或杂芳香基的体系，而且，其中多个芳基或杂芳基也可以被短的非芳族单元间断(＜10％的非H原子，进一步为选小于5％的非H原子，比如C、N或O原子)。因此，比如9，9′-螺二芴，9，9-二芳基芴，三芳胺，二芳基醚等体系，对于该发明目的同样认为是芳香族环系。

具体的，芳香基团的例子有：苯、萘、蒽、菲、二萘嵌苯、并四苯、芘、苯并芘、三亚苯、苊、芴、及其衍生物。

具体的，芳杂基团的例子有：呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、吡咯、吡唑、三唑、咪唑、噁唑、噁二唑、噻唑、四唑、吲哚、咔唑、吡咯并咪唑、吡咯并吡咯、噻吩并吡咯、噻吩并噻吩、呋喃并吡咯、呋喃并呋喃、噻吩并呋喃、苯并异噁唑、苯并异噻唑、苯并咪唑、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、喹啉、异喹啉、邻二氮萘、喹喔啉、菲啶、伯啶、喹唑啉、喹唑啉酮、及其衍生物。

在一个实施方式中，通式(1)中所示的L选自碳原子数为6～30的芳香基团或碳原子数为3～30的芳杂基团。进一步的，L选自碳原子数为6～25的芳香基团或碳原子数为3～25的芳杂基团。更进一步的，L选自碳原子数为6～20的芳香基团或碳原子数为3～20的芳杂基团。

合适的可作为L的芳杂基团的例子有，但不限于，苯、萘、蒽、菲、芘、吡啶、嘧啶、三嗪、芴、硫芴、硅芴、咔唑、噻吩、呋喃、噻唑、三苯胺、三苯基氧磷，四苯基硅、螺芴、螺硅芴等基团。

更进一步的，通式(1)中所示的L选自单键、苯、吡啶、嘧啶、三嗪或咔唑等基团。

合适的可作为R₁、R₂、R₃的例子：甲基、苯、萘、蒽、菲、芘、吡啶、嘧啶、三嗪、芴、硫芴、硅芴、咔唑、噻吩、呋喃、噻唑、三苯胺、三苯基氧磷，四苯基硅、螺芴、螺硅芴等基团。

更进一步的，通式(1)中所示的R₁、R₂、R₃选自苯、吡啶、嘧啶、三嗪、咔唑等基团。

在一个实施方式中，上述的连接单元L可选自如下结构单元中的一种，或者选自如下结构基团被取代得到的取代基团，

其中，X₄、X₅、X₆分别独立可选地表示N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂。具体的，X₄、X₅、X₆中的R的定义可参见通式(1)中R的描述。

在一个实施例中，X₄、X₅以及X₆还可以不存在，即无。表示X₄、X₅以及X₆所示的位置没有原子也没有键的连接，但X₅和X₆至少有一个不是无。

在一个实施例中，通式(1)中所示的Ar为碳原子数为6～22的芳香环或碳原子数为3～22的杂芳环。进一步的，Ar为碳原子数为6～20的芳香环或碳原子数为3～20的杂芳环。更进一步的，Ar为碳原子数为6～15的芳香环或碳原子数为3～15的杂芳环。

具体的，所述的Ar可选自如下结构基团中的一种：

其中，X是CR¹或N；Y选自CR²R³，SiR²R³，NR²或，C(＝O)，S，或O。R¹，R²，R³是H，或氘，或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅烷基基团，或具有1至20个C原子的取代的酮基基团，具有2至20个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至20个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团(-CN)，氨基甲酰基基团(-C(＝O)NH₂)，卤甲酰基基团(-C(＝O)-A其中A代表卤素原子)，甲酰基基团(-C(＝O)-H)，异氰基基团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF₃基团，Cl，Br，F，可交联的基团或者具有5至40个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中R¹，R²，R³可以彼此和/或与所述基团键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系。

更进一步的，Ar可选于如下结构基团中的一种。或者如下结构基团被被取代得到的取代基团。

其中，Ar基团的链接位置可在所选基团上的任意相邻的C原子上。

具体的，按照本发明的D-A型化合物，可以由下述化学式(2)～(4)中之任一表示：

其中，L、Z₁、Z₂、Z₃、X、X₁、X₂、X₃及R、R₁、R₂、R₃同以上所定义。

在一个实施方案中，Z₁、Z₂、Z₃选自单键、N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、S。

更具体的，按照本发明的D-A型化合物选自如下结构式中的一个：

其中R₁、R₂、R₃、Z₁、Z₂、Z₃、X₁、X₂、X₃含义如上所述。

X₁、X₂、X₃的选取可以有多种方式。在一个具体的实施方案中，合适的可作为X₁、X₂、X₃的例子：N(R)、C(R)₂、O、S或无，但至少有一个不是无。

更进一步的，按照本发明的化合物选自如下结构式中的一个：

其中R₁、R₂、R₃、Z₁、Z₂、Z₃、Ar含义如上所述。

上述D-A型化合物，可以作为功能材料应用于电子器件中。有机功能材料可分为空穴注入材料(HIM)，空穴传输材料(HTM)，电子传输材料(ETM)，电子注入材料(EIM)，电子阻挡材料(EBM)，空穴阻挡材料(HBM)，发光体(Emitter)，体材料(Host)或有机染料。具体的，上述D-A型化合物可作为主体材料，或电子传输材料，或空穴传输材料。更具体的，上述D-A型化合物可作为磷光主体材料。

一般作为磷光主体材料必须有适当的三线态能级，即T₁。在某些实施例中，D-A型化合物的T₁≥2.2eV，较好是≥2.4eV，更好是≥2.6eV，更更好≥2.65eV，最好是≥2.7eV。

通常，有机化合物的三线态能级T₁取决于化合物中具有最大共轭体系的分结构。一般地，T₁随共轭体系的增大而递减。具体的，D-A型化合物的化学式(1)中的分结构如通式(1a)所示的，具有最大的共轭体系。

在某些实施例中，按照通式(1a)的分结构在去除取代基的情况下，具体的，其环原子数不超过36个，进一步的其环原子数不超过30个，再进一步的其环原子数不超过26个，更具体的，其环原子数不超过20个。

具体的，按照通式(1a)的分结构，其T₁≥2.3eV，较好是≥2.5eV，更好是≥2.7eV，最好是≥2.75eV。

具体的，上述D-A型化合物的玻璃化温度Tg≥100℃，在一些实施例中，进一步的，Tg≥120℃，在一些实施例中，进一步的，Tg≥140℃，在一些实施例中，进一步的，Tg≥160℃，在一些实施例中，进一步的，Tg≥180℃。说明上述D-A型化合物很好的热稳定性，可作为磷光主体材料。

具体的，上述D-A型化合物的单线态和三线态能级差Δ(S₁-T₁)≤0.30eV，在一些实施例中，进一步的，Δ(S₁-T₁)≤0.25eV，在一些实施例中，进一步的，Δ(S₁-T₁)≤0.20eV，在一些实施例中，进一步的，Δ(S₁-T₁)≤0.15eV，在一些实施例中，进一步的，Δ(S₁-T₁)≤0.10eV。说明上述D-A型化合物具有较小的单线态和三线态能级差Δ(S₁-T₁)。

上述D-A型化合物的合成，一般可以先把含N的稠杂环合成出来，再跟含L的基团进行偶联，然后在链接上含硼的基团，最后再进行关环，就可以目标化合物。

下面举例出按照本发明的D-A型化合物的非限制性例子。

在一个实施例中，按照本发明的D-A型化合物是一种小分子材料。

本文中所定义的术语“小分子”是指不是聚合物，低聚物，树枝状聚合物，或共混物的分子。特别是，小分子中没有重复结构。小分子的分子量≤3000克/摩尔，较好是≤2000克/摩尔，最好是≤1500克/摩尔。

本发明还涉及一种高聚物，包含一个重复单元，其重复单元包含至少一个如通式(1)所示的结构单元。在某些实施例中，所述的高聚物是非共轭高聚物，其中如通式(1)所示的结构单元在侧链上。在另一个实施例中，所述的高聚物是共轭高聚物。

高聚物，即Polymer，包括均聚物(homopolymer)，共聚物(copolymer)，镶嵌共聚物(block copolymer)。另外在本发明中，高聚物也包括树状物(dendrimer)，有关树状物的合成及应用请参见[Dendrimers and Dendrons，Wiley-VCH Verlag GmbH&Co.KGaA，2002，Ed.George R.Newkome，Charles N.Moorefield，Fritz Vogtle.]。

共轭高聚物(conjugated polymer)是一高聚物，它的主链backbone主要是由C原子的sp2杂化轨道构成，著名的例子有：聚乙炔polyacetylene和poly(phenylenevinylene)，其主链上的C原子的也可以被其他非C原子取代，而且当主链上的sp2杂化被一些自然的缺陷打断时，仍然被认为是共轭高聚物。另外在本发明中共轭高聚物也包括主链上包含有芳基胺(aryl amine)、芳基磷化氢(aryl phosphine)及其他杂环芳烃(heteroarmotics)、有机金属络合物(organometallic complexes)等。

此外，本发明进一步涉及一种混合物，包含至少一种按照本发明的有机化合物或高聚物，及至少另一种的有机功能材料。

这里所述另一种的有机功能材料，包含空穴(也称电洞)注入或传输材料(HIM/HTM)，空穴阻挡材料(HBM)，电子注入或传输材料(EIM/ETM)，电子阻挡材料(EBM)，有机基质材料(Host)，单重态发光体(荧光发光体)，热激活延迟荧光发光材料(TADF)，三重态发光体(磷光发光体)，特别是发光金属有机配合物，和有机染料。例如在WO2010135519A1，US20090134784A1和WO 2011110277A1中对各种有机功能材料有详细的描述，特此将此3专利文件中的全部内容并入本文作为参考。

有机功能材料可以是小分子或高聚物材料。

在一某些实施例中，按照本发明的混合物中，所述的D-A型化合物或者由该D-A型化合物形成的高聚物的在混合物中的含量为50wt％至99.9wt％。进一步为60wt％至97wt％，再进一步为70wt％至95wt％，最好的是更进一步为70wt％至90wt％。

在一个实施方案中，按照本发明的混合物包含一种按照本发明的化合物或高聚物和一种磷光发光材料。

在另一个实施方案中，按照本发明的混合物包含一种按照本发明的化合物或高聚物和一种TADF材料。

在另一个实施方案中，按照本发明的混合物包含一种按照本发明的化合物或高聚物，一种磷光发光材料和一种TADF材料。

在某些实施方案中，按照本发明的混合物包含一种按照本发明的化合物或高聚物和一种荧光发光材料。

具体的，混合物包括的单重态发光体，磷光发光材料或三重态发光体和TADF材料，未作特别说明时，可采用本领域中常用的任意上述材料。

下面对荧光发光材料或单重态发光体，磷光发光材料或三重态发光体和TADF材料作一些较详细的描述(但不限于此)。

1.单重态发光体(Singlet Emitter)

单重态发光体往往有较长的共轭π电子系统。迄今，已有许多例子，例如在JP2913116B和WO2001021729A1中公开的苯乙烯胺及其衍生物，和在WO2008/006449和WO2007/140847中公开的茚并芴及其衍生物。

在一个优先的实施方案中，单重态发光体可选自一元苯乙烯胺，二元苯乙烯胺，三元苯乙烯胺，四元苯乙烯胺，苯乙烯膦，苯乙烯醚和芳胺。

一个一元苯乙烯胺是指一化合物，它包含一个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个二元苯乙烯胺是指一化合物，它包含二个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个三元苯乙烯胺是指一化合物，它包含三个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个四元苯乙烯胺是指一化合物，它包含四个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个优选的苯乙烯是二苯乙烯，其可能会进一步被取代。相应的膦类和醚类的定义与胺类相似。芳基胺或芳香胺是指一种化合物，包含三个直接联接氮的无取代或取代的芳香环或杂环系统。这些芳香族或杂环的环系统中至少有一个优先选于稠环系统，并最好有至少14个芳香环原子。其中优选的例子有芳香蒽胺，芳香蒽二胺，芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺。一个芳香蒽胺是指一化合物，其中一个二元芳基胺基团直接联到蒽上，最好是在9的位置上。一个芳香蒽二胺是指一化合物，其中二个二元芳基胺基团直接联到蒽上，最好是在9，10的位置上。芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺的定义类似，其中二元芳基胺基团最好联到芘的1或1，6位置上。

基于乙烯胺及芳胺的单重态发光体的例子，也是优选的例子，可在下述专利文件中找到：WO 2006/000388，WO 2006/058737，WO 2006/000389，WO 2007/065549，WO 2007/115610，US 7250532 B2，DE 102005058557 A1，CN 1583691 A，JP 08053397 A，US 6251531B1，US 2006/210830 A，EP 1957606 A1和US 2008/0113101 A1特此上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。

基于均二苯乙烯极其衍生物的单重态发光体的例子有US5121029。

进一步的优选的单重态发光体可选于茚并芴-胺和茚并芴-二胺，如WO 2006/122630所公开的，苯并茚并芴-胺和苯并茚并芴-二胺，如WO 2008/006449所公开的，二苯并茚并芴-胺和二苯并茚并芴-二胺，如WO2007/140847所公开的。

其他可用作单重态发光体的材料有多环芳烃化合物，特别是如下化合物的衍生物：蒽如9，10-二(2-萘并蒽)，萘，四苯，氧杂蒽，菲，芘(如2，5，8，11-四-t-丁基苝)，茚并芘，苯撑如(4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1’-联苯)，二茚并芘，十环烯，六苯并苯，芴，螺二芴，芳基芘(如US20060222886)，亚芳香基乙烯(如US5121029，US5130603)，环戊二烯如四苯基环戊二烯，红荧烯，香豆素，若丹明，喹吖啶酮，吡喃如4(二氰基亚甲基)-6-(4-对二甲氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃(DCM)，噻喃，双(吖嗪基)亚胺硼化合物(US 2007/0092753A1)，双(吖嗪基)亚甲基化合物，carbostyryl化合物，噁嗪酮，苯并恶唑，苯并噻唑，苯并咪唑及吡咯并吡咯二酮。一些单重态发光体的材料可在下述专利文件中找到：US20070252517 A1，US 4769292，US 6020078，US 2007/0252517 A1，US 2007/0252517 A1。特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。

在下面的表中列出一些合适的单重态发光体的例子：

2.热激活延迟荧光发光材料(TADF)：

传统有机荧光材料只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间穿越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达到100％。但磷光材料昂贵，材料稳定性差，器件效率滚降严重等问题限制了其在OLED中的应用。热激活延迟荧光发光材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态-三线态能级差(ΔE_st)，三线态激子可以通过反系间穿越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子。器件内量子效率可达到100％。

TADF材料需要具有较小的单线态-三线态能级差，一般是ΔE_st＜0.3eV，较好是ΔE_st＜0.2eV，更好是ΔE_st＜0.1eV，最好是ΔE_st＜0.05eV。在一个优先的实施方案中，TADF有较好的荧光量子效率。一些TADF发光的材料可在下述专利文件中找到：CN103483332(A)，TW201309696(A)，TW201309778(A)，TW201343874(A)，TW201350558(A)，US20120217869(A1)，WO2013133359(A1)，WO2013154064(A1)，Adachi，et.al.Adv.Mater.，21，2009，4802，Adachi，et.al.Appl.Phys.Lett.，98，2011，083302，Adachi，et.al.Appl.Phys.Lett.，101，2012，093306，Adachi，et.al.Chem.Commun.，48，2012，11392，Adachi，et.al.NaturePhotonics，6，2012，253，Adachi，et.al.Nature，492，2012，234，Adachi，et.al.J.Am.Chem.Soc，134，2012，14706，Adachi，et.al.Angew.Chem.Int.Ed，51，2012，11311，Adachi，et.al.Chem.Commun.，48，2012，9580，Adachi，et.al.Chem.Commun.，48，2013，10385，Adachi，et.al.Adv.Mater.，25，2013，3319，Adachi，et.al.Adv.Mater.，25，2013，3707，Adachi，et.al.Chem.Mater.，25，2013，3038，Adachi，et.al.Chem.Mater.，25，2013，3766，Adachi，et.al.J.Mater.Chem.C.，1，2013，4599，Adachi，et.al.J.Phys.Chem.A.，117，2013，5607，特此将上述列出的专利或文章文件中的全部内容并入本文作为参考。

在下面的表中列出一些合适的TADF发光材料的例子：

3.三重态发光体(Triplet Emitter)

三重态发光体也称磷光发光体。在一个优先的实施方案中，三重态发光体是有通式M(L)_n的金属络合物，其中M是一金属原子，L每次出现时可以是相同或不同，是一有机配体，它通过一个或多个位置键接或配位连接到金属原子M上，n是一个大于1的整数，较好选是1，2，3，4，5或6。可选地，这些金属络合物通过一个或多个位置联接到一个聚合物上，最好是通过有机配体。

在一个优先的实施方案中，金属原子M选于过渡金属元素或镧系元素或锕系元素，优先选择Ir，Pt，Pd，Au，Rh，Ru，Os，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Re，Cu或Ag，特别优先选择Os，Ir，Ru，Rh，Re，Pd或Pt。

优先地，三重态发光体包含有螯合配体，即配体，通过至少两个结合点与金属配位，特别优先考虑的是三重态发光体包含有两个或三个相同或不同的双齿或多齿配体。螯合配体有利于提高金属络合物的稳定性。

有机配体的例子可选自苯基吡啶衍生物，7，8-苯并喹啉衍生物，2(2-噻吩基)吡啶衍生物，2(1-萘基)吡啶衍生物，或2苯基喹啉衍生物。所有这些有机配体都可能被取代，例如被含氟或三氟甲基取代。辅助配体可优先选自乙酸丙酮或苦味酸。

在一个优先的实施方案中，可用作三重态发光体的金属络合物有如下形式：

其中M是一金属，选于过渡金属元素或镧系元素或锕系元素；

Ar¹每次出现时可以是相同或不同，是一个环状基团，其中至少包含有一个施主原子，即有一孤对电子的原子，如氮或磷，通过它环状基团与金属配位连接；Ar²每次出现时可以是相同或不同，是一个环状基团，其中至少包含有一个C原子，通过它环状基团与金属连接；Ar¹和Ar²由共价键联接在一起，可各自携带一个或多个取代基团，它们也可再通过取代基团联接在一起；L每次出现时可以是相同或不同，是一个辅助配体，优选于双齿螯合配体，最好是单阴离子双齿螯合配体；m是1，2或3，优先地是2或3，特别优先地是3；n是0，1，或2，优先地是0或1，特别优先地是0；

一些三重态发光体的材料极其应用的例子可在下述专利文件和文献中找到：WO200070655，WO 200141512，WO 200202714，WO 200215645，EP 1191613，EP 1191612，EP1191614，WO 2005033244，WO 2005019373，US 2005/0258742，WO 2009146770，WO2010015307，WO 2010031485，WO 2010054731，WO 2010054728，WO 2010086089，WO2010099852，WO 2010102709，US 20070087219 A1，US 20090061681 A1，US 20010053462A1，Baldo，Thompson et al.Nature 403，(2000)，750-753，US 20090061681 A1，US20090061681 A1，Adachi et al.Appl.Phys.Lett.78(2001)，1622-1624，J.Kido etal.Appl.Phys.Lett.65(1994)，2124，Kido et al.Chem.Lett.657，1990，US 2007/0252517A1，Johnson et al.，JACS 105，1983，1795，Wrighton，JACS 96，1974，998，Ma et al.，Synth.Metals 94，1998，245，US 6824895，US 7029766，US 6835469，US 6830828，US20010053462 A1，WO 2007095118 A1，US 2012004407A1，WO 2012007088A1，WO2012007087A1，WO 2012007086A1，US 2008027220A1，WO 2011157339A1，CN 102282150A，WO 2009118087A1。特此将上述列出的专利文件和文献中的全部内容并入本文作为参考。

在下面的表中列出一些合适的三重态发光体的例子：

此外，本发明进一步涉及一种组合物或印刷油墨，其中，包含一种如上所述的化合物或高聚物或混合物，及至少一种有机溶剂。具体的，该组合物包括至少一种上述任一实施方式的D-A型化合物以及至少一种有机溶剂；或者，该组合物包括至少一种上述任一实施方式的高聚物以及至少一种有机溶剂；或者，该组合物包括至少一种上述任一实施方式的混合物以及至少一种有机溶剂。

本发明进一步提供一种从溶液中制备包含有按照本发明的化合物或高聚物的薄膜。

用于印刷工艺时，油墨的粘度，表面张力是重要的参数。合适的油墨的表面张力参数适合于特定的基板和特定的印刷方法。

在一个实施例中，按照本发明的油墨在工作温度或在25℃下的表面张力约在19dyne/cm到50dyne/cm范围；更好是在22dyne/cm到35dyne/cm范围；最好是在25dyne/cm到33dyne/cm范围。

在另一个实施例中，按照本发明的油墨在工作温度或25℃下的粘度约在1cps到100cps范围；较好是在1cps到50cps范围；更好是在1.5cps到20cps范围；最好是在4.0cps到20cps范围。如此配制的组合物将适合于喷墨印刷。

粘度可以通过不同的方法调节，如通过合适的溶剂选取和油墨中功能材料的浓度。按照本发明的包含有所述地化合物或高聚物的油墨可方便人们将印刷油墨按照所用的印刷方法在适当的范围调节。一般地，按照本发明的组合物包含的功能材料的重量比为0.3％～30wt％范围，较好的为0.5％～20wt％范围，更好的为0.5％～15wt％范围，更更好的为0.5％～10wt％范围，最好的为1％～5wt％范围。

在一些实施例中，按照本发明的油墨，所述的至少一种的有机溶剂选自基于芳族或杂芳族的溶剂，特别是脂肪族链/环取代的芳族溶剂、或芳族酮溶剂，或芳族醚溶剂。

适合本发明的溶剂的例子有，但不限于：基于芳族或杂芳族的溶剂：对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1，4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三戊苯、戊基甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1，2，3，4-四甲苯、1，2，3，5-四甲苯、1，2，4，5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异丙基苯、1-甲氧基萘、环己基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1，2，4-三氯苯、1，3-二丙氧基苯、4，4-二氟二苯甲烷、1，2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α，α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1，1-双(3，4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、二苄醚等；基于酮的溶剂：1-四氢萘酮，2-四氢萘酮，2-(苯基环氧)四氢萘酮，6-(甲氧基)四氢萘酮，苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、及它们的衍生物，如4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙酮、2-甲基苯丙酮，异佛尔酮、2，6，8-三甲基-4-壬酮、葑酮、2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2，5-己二酮、佛尔酮、二正戊基酮；芳族醚溶剂：3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、苄基丁基苯、对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1，2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1，4-苯并二噁烷、1，3-二丙基苯、2，5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1，2，4-三甲氧基苯、4-(1-丙烯基)-1，2-二甲氧基苯、1，3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1，2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚、戊醚c己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚；酯溶剂：辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、苯乙酸烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、马来酸烷酯、烷内酯、油酸烷酯等。

进一步，按照本发明的油墨，所述的至少一种的有溶剂可选自：脂肪族酮，例如，2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2，5-己二酮、2，6，8-三甲基-4-壬酮、佛尔酮、二正戊基酮等；或脂肪族醚，例如，戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等。

在另一些实施例中，所述的印刷油墨进一步包含有另一种有机溶剂。另一种有机溶剂的例子，包含(但不限于)：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1，4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1，2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2，2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。

在一个实施方案中，按照本发明的组合物是一溶液。

在另一个实施方案中，按照本发明的组合物是一悬浮液。

本发明还涉及所述组合物作为印刷油墨在制备有机电子器件时的用途，特别是通过打印或涂布的制备方法。

其中，适合的打印或涂布技术包含(但不限于)喷墨打印，喷印(NozzlePrinting)，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，喷印刷(Nozzle printing)，狭缝型挤压式涂布等。首选的是喷墨印刷，狭缝型挤压式涂布，喷印刷及凹版印刷。溶液或悬浮液可以另外包含一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。有关打印技术，及其对有关溶液的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等，的详细信息请参见Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册：技术和生产方法》(Handbook of Print Media：Technologies and Production Methods)，ISBN 3-540-67326-1。

基于上述有机化合物，本发明还提供一种如上所述的化合物或高聚物在有机电子器件的应用。所述的有机电子器件可选于，但不限于，有机发光二极管(OLED)，有机光伏电池(OPV)，有机发光电池(OLEEC)，有机场效应管(OFET)，有机发光场效应管，有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon EmittingDiode)等，特别优选的是OLED。本发明实施例中，优选地将所述有机化合物用于OLED器件的发光层中。

本发明进一步涉及一种有机电子器件，至少包含一种如上所述的化合物或高聚物。一般的，此种有机电子器件至少包含一个阴极，一个阳极及至少一个位于阴极和阳极之间的功能层，其中所述的功能层中至少包含一种如上所述的化合物或高聚物。所述的有机电子器件可选于，但不限自，有机发光二极管(OLED)，有机光伏电池(OPV)，有机发光电池(OLEEC)，有机场效应管(OFET)，有机发光场效应管，有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)。

在一个较为优选的实施例中，所述的有机电子器件是电致发光器件，特别是OLED，其中包含一基片，一阳极，一阴极，至少一位于阳极和阴极之间的发光层，选择性的还可包含一空穴传输层和/或电子传输层。在某些实施例中，所述的空穴传输层中包含一按照本发明的化合物或高聚物。在另一些实施例中，所述的电子传输层中包含一按照本发明的化合物或高聚物。在一个实施方案中，所述的发光层中包含一按照本发明的化合物或高聚物，更加具体的，在所述的发光层中包含一按照本发明的化合物或高聚物，及至少一种发光材料，发光材料可优先选于荧光发光体，磷光发光体，TADF材料或发光量子点。

下面对电致发光器件的器件结构做一描述，但不限于。

基片可以是不透明或透明。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见，Bulovic等Nature 1996，380，p29，和Gu等，Appl.Phys.Lett.1996，68，p2606。基片可以是刚性的或弹性的。基片可以是塑料，金属，半导体晶片或玻璃。最好是基片有一个平滑的表面。无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中，基片是柔性的，可选于聚合物薄膜或塑料，其玻璃化温度Tg为150℃以上，较好是超过200℃，更好是超过250℃，最好是超过300℃。合适的柔性基板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2，6-萘)(PEN)。

阳极可包含一导电金属或金属氧化物，或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)或发光层中。在一个的实施例中，阳极的功函数和发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包含但不限于：Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO、铝掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适的阳极材料是已知的，本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。在某些实施例中，阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到，并且可以用来制备根据本发明的器件。

阴极可包含一导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。在一个的实施例中，阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。原则上，所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。阴极材料的例子包含但不限于：Al、Au、Ag、Ca、Ba、Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO等。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。

OLED还可以包含其他功能层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)。适合用于这些功能层中的材料在前面有详细的描述。

在一个实施例中，按照本发明的发光器件中，其发光层包含本发明的有机金属配合物或高聚物，并且通过溶液加工的方法制备而成。

按照本发明的发光器件，其发光波长在300到1000nm之间，较好的是在350到900nm之间，更好的是在400到800nm之间。

本发明还涉及按照本发明的有机电子器件在各种电子设备中的应用，包含，但不限于，显示设备，照明设备，光源，传感器等等。

下面将结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。

具体实施例

1.化合物的合成

实施例1

化合物(2-2)的合成

氮气环境下，将(28.7g，100mmol)的1-硼酸-9-苯基咔唑和(20.2g，100mmol)的2-溴硝基苯，(3.5g，3mmol)四(三苯基磷)钯，(3.3g，10mmol)四丁基溴化铵，(8g，200mmol)氢氧化钠，(10mL)水和(100mL)甲苯加入250mL的三口瓶中，加热80℃搅拌反应12小时，结束反应，将反应液旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率80％。

氮气环境下，将(18.2g，50mmol)的化合物2-2-4和(20.2g，200mmol)的三乙基磷加入150mL两口瓶中，加热190℃搅拌反应12小时，结束反应，将反应液减压蒸馏掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率85％。

氮气环境下，将上一步得到的(6.6g，20mmol)的化合物2-2-6，(6g，20mmol)的化合物2-2-7，(0.13g，2mmol)铜粉，(5.5g，40mmol)碳酸钾和(0.53g，1mmol)18-冠醚-6和(50mL)邻二氯苯加入到100mL的两口瓶中，加热150℃搅拌反应24个小时，结束反应，将反应液减压蒸馏掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率60％。

将(5g，10mmol)的化合物2-2-8，(1.7g，10mmol)的化合物2-2-9，(2.7g，20mmol)碳酸钾，和30mLN，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入100mL两口瓶中，加热100℃搅拌反应12个小时，结束反应，将反应液加入到400mL水中，抽滤，滤渣用二氯甲烷/乙醇混合溶液重结晶，产率90％。

氮气环境下，将(4g，6mmol)的化合物2-2-10和20mL的无水四氢呋喃加入到50mL的两口瓶中，-78℃下滴加(15mmol)的正丁基锂，搅拌反应1.5小时，再加入(7.2g，6mmol)化合物2-2-11的四氢呋喃溶液，将反应液缓慢升到室温继续反应12小时，结束反应，加水淬灭反应，将反应液旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率70％。

实施例2

化合物(3-2)的合成：

氮气环境下，将(36.9g，100mmol)的(3-2-1)和(20.2g，100mmol)的2-溴硝基苯，(3.5g，3mmol)四(三苯基磷)钯，(3.3g，10mmol)四丁基溴化铵，(8g，200mmol)氢氧化钠，(10mL)水和(100mL)甲苯加入250mL的三口瓶中，加热80℃搅拌反应12小时，结束反应，将反应液旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率75％。

氮气环境下，将(18.2g，50mmol)的化合物(3-2-2)和(20.2g，200mmol)的三乙基磷加入150mL两口瓶中，加热190℃搅拌反应12小时，结束反应，将反应液减压蒸馏掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率80％。

氮气环境下，将上一步得到的(6.6g，20mmol)的化合物3-2-3，(6.38g，20mmol)的化合物2-2-7，(0.13g，2mmol)铜粉，(5.5g，40mmol)碳酸钾和(0.53g，1mmol)18-冠醚-6和(50mL)邻二氯苯加入到100mL的两口瓶中，加热150℃搅拌反应24个小时，结束反应，将反应液减压蒸馏掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率50％。

将(5.23g，10mmol)的化合物3-2-4，(3.4g，20mmol)的化合物2-2-9，(2.7g，20mmol)碳酸钾，和30mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入100mL两口瓶中，加热100℃搅拌反应12个小时，结束反应，将反应液加入到400mL水中，抽滤，滤渣用二氯甲烷/乙醇混合溶液重结晶，产率85％。

氮气环境下，将(5g，6mmol)的化合物3-2-5和40mL的无水四氢呋喃加入到100mL的两口瓶中，-78℃下滴加(24mmol)的正丁基锂，搅拌反应1.5小时，再加入(7.2g，6mmol)化合物3-2-6的四氢呋喃溶液，将反应液缓慢升到室温继续反应12小时，结束反应，加水淬灭反应，将反应液旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶过柱进行纯化，产率65％。

2.有机化合物的能量结构

有机材料的能级可通过量子计算得到，比如利用TD-DFT(含时密度泛函理论)通过Gaussian03W(Gaussian Inc.)，具体的模拟方法可参见WO2011141110。首先用半经验方法“Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1”(Charge O/Spin Singlet)来优化分子几何结构，然后有机分子的能量结构由TD-DFT(含时密度泛函理论)方法算得“TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91”与基组“6-31G(d)”(Charge O/Spin Singlet)。HOMO和LUMO能级按照下面的校准公式计算，S1和T1直接使用。

HOMO(eV)＝((HOMO(G)×27.212)-0.9899)/1.1206

LUMO(eV)＝((LUMO(G)×27.212)-2.0041)/1.385

其中HOMO(G)和LUMO(G)是Gaussian 03W的直接计算结果，单位为Hartree。结果如表1所示。

表1：

材料	HOMO[eV]	LUMO[eV]	T1[eV]	S1[eV]
					HATCN	-9.04	-5.08	2.32	3.17
NPB	-6.72	-2.85	2.97	3.46
					TCTA	-5.34	-2.20	2.73	3.42
2-2	-5.50	-2.82	2.75	2.84
					3-2	-5.52	-2.80	2.83	2.94
Ir(ppy)<sub>3</sub>	-5.30	-2.35	2.70	2.93
					B3PYMPM	-5.33	-2.20	2.72	3.28

3.OLED器件的制备及表征

在本实施例中，用化合物(2-2)和(3-2)作为主体材料，Ir(ppy)₃作为发光材料，HATCN作为空穴注入材料，NPB和TCTA作为空穴传输材料，B3PYMPM作为电子传输材料，构造成器件结构为ITO/HATCN/NPB/TCTA/主体材料：Ir(ppy)₃(15％)/B3PYMPM/LiF/Al的电致发光器件。

上述材料HATCN、NPB、TCTA、B3PYMPM、Ir(ppy)₃均是可商业购得，如吉林奥莱德(Jilin OLED Material Tech Co.，Ltd，WWW.jl-oled.com)，或其合成方法均为现有技术，详见现有技术中的参考文献，在此不再赘述。

下面通过具体实施例来详细说明采用上述的OLED器件的制备过程，OLED器件(如表2)的结构为：ITO/HATCN/NPB/TCTA/主体材料：Ir(ppy)₃/B3PYMPM/LiF/Al，制备步骤如下：

a、ITO(铟锡氧化物)导电玻璃基片的清洗：使用各种溶剂(例如氯仿、丙酮或异丙醇中的一种或几种)清洗，然后进行紫外臭氧处理；

b、HATCN(5nm)，NPB(40nm)，TCTA(10nm)，主体材料：15％Ir(ppy)₃(15nm)，B3PYMPM(40nm)，LiF(1nm)，Al(100nm)在高真空(1×10^-6毫巴)中热蒸镀而成；

c、封装：器件在氮气手套箱中用紫外线硬化树脂封装。

表2

OLED器件	主体材料
		OLED1	(2-2)
OLED2	(3-2)
		OLED3	Ref1

各OLED器件的电流电压(J-V)特性通过表征设备来表征，同时记录重要的参数如效率，寿命及外部量子效率。经检测，OLED1，OLED2和Ref OELD1都发绿光，外部量子效率分别为13.4％，15.6％和8.1％。同时OLED1和OLED2的寿命分别是Ref OELD1的6.5倍和10.4倍。可见，采用本发明的有机化合物制备的OLED器件，其效率和寿命得到大大提高。

Claims

1.一种D-A型化合物，其特征在于，所述D-A型化合物的结构由如下述式(2)或式(4)任一化学式表示：

其中，L是连接单元，L选自单键；

Z₁、Z₃分别独立表示单键，Z₂表示NR；R选自苯基、萘基、蒽基、菲基、二萘嵌苯基、并四苯基、芘基、苯并芘基、三亚苯基、苊基、芴基中的任意一种；

X₁、X₂分别独立表示O或无，但至少有一个不是无；X₃表示无；

R₁、R₂、R₃分别独立表示H、D或碳原子数1～30的烷基；

X是CR¹，其中R¹是H、D或碳原子数1～30的烷基。

2.根据权利要求1所述的D-A型化合物，其特征在于，所述D-A型化合物的三线态能级T₁≥2.2eV。

3.根据权利要求1所述的D-A型化合物，其特征在于，所述D-A型化合物的玻璃化温度Tg≥100℃。

4.根据权利要求1所述的D-A型化合物，其特征在于，所述D-A型化合物的单线态和三线态能级差Δ(S₁-T₁)≤0.30eV。

5.一种高聚物，所述高聚物的重复单元的单体对应的化合物包含了如权利要求1～4中任一项所述的D-A型化合物。

6.根据权利要求5所述的高聚物，其特征在于，所述高聚物为非共轭高聚物，如权利要求1～4中任一项所述的D-A型化合物位于所述高聚物的侧链上。

7.根据权利要求5所述的高聚物，其特征在于，所述高聚物为共轭高聚物。

8.一种混合物，其特征在于，所述混合物包括如权利要求1～4中任一项所述的D-A型化合物以及有机功能材料，或者，所述混合物包括如权利要求5～7中任一项所述的高聚物以及有机功能材料；

所述的有机功能材料可选自空穴注入材料、空穴传输材料、电子注入材料、电子传输材料、空穴阻挡材料、电子阻挡材料、发光材料和有机染料中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的混合物，其特征在于，所述D-A型化合物或者所述高聚物在所述混合物中的含量为50wt％～99.9wt％。

10.一种组合物，其特征在于，所述组合物包括如权利要求1～4中任一项所述的D-A型化合物以及至少一种有机溶剂；

或者，所述组合物包括如权利要求5～7中任一项所述的高聚物以及至少一种有机溶剂；

或者，所述组合物包括如权利要求8～9中任一项所述的混合物以及至少一种有机溶剂。

11.一种如权利要求1～4中任一项所述的D-A型化合物或者如权利要求5～7中任一项所述的高聚物在电子器件中的应用。

12.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求1～4中任一项所述的D-A型化合物、如权利要求5～7中任一项所述的高聚物或如权利要求8～9中任一项所述的混合物。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其特征在于，所述的电子器件选自有机发光二极管、有机光伏电池、有机场效应管(OFET)、有机发光场效应管、有机传感器及有机等离激元发射二极中的一种。

14.根据权利要求12所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件为电致发光器件，所述电子器件包含一阳极，一阴极，及至少一个位于阳极和阴极之间的发光层；

所述的发光层包括至少一种如权利要求1～4中任一项所述的D-A型化合物以及一种发光材料；

或者，所述的发光层包括至少一种如权利要求5～7中任一项所述的高聚物以及一种发光材料；

或者，所述的发光层包括至少一种如权利要求8～9中任一项所述的混合物以及一种发光材料；

所述的发光材料选自荧光发光体，磷光发光体或发光量子点。

15.根据权利要求14所述的电子器件，其特征在于，所述荧光发光体选自TADF材料。