CN107706194A - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板，包括：基板薄膜层；设置在基板薄膜层上的有机薄膜层；设置在有机薄膜层上的平坦层，依次形成在平坦层上的功能层，功能层至少包括阳级膜层，其中：阳级膜层和平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层，无机绝缘膜层与平坦层的图形一致。本发明还公开了一种显示装置。实施本发明的显示面板和显示装置，避免阳极膜层刺破下方有机薄膜层，提高阳极膜层与下方膜层的附着力，保证显示区域外电路正常驱动，画面正常显示。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
柔性显示技术是下一代的主流显示技术。现有技术中柔性显示面板主要采用有源矩阵低温多晶硅薄膜晶体管进行驱动，在制作过程中，为保证显示面板阳极膜层的附着力，需要在显示区域外阳极膜层上制作等距离圆形或方形孔。
现有的柔性显示面板的封装结构存在的技术问题是：容易导致后续封装过程中阳极膜层刺破下方有机薄膜层，进而阳极膜层与源漏极层短接，造成驱动电路无法正常工作，整个显示面板画面显示异常。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种显示面板和显示装置，避免阳极膜层刺破下方有机薄膜层，提高阳极膜层与下方膜层的附着力，保证显示区域外电路正常驱动，画面正常显示。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种显示面板，包括：基板薄膜层；设置在基板薄膜层上的有机薄膜层；设置在有机薄膜层上的平坦层，依次形成在平坦层上的功能层，功能层至少包括阳级膜层，其中：阳级膜层和平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层，无机绝缘膜层与平坦层的图形一致。
其中，无机绝缘膜层和平坦层上的图形通过光罩和干法刻蚀技术而成。
其中，有机薄膜层包括：依次形成在基板薄膜层上的缓冲层、有源层、栅级绝缘层以及第一金属层；其中：缓冲层的厚度尺寸范围为200~300nm、有源层的厚度尺寸范围为40~50nm、栅级绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、第一金属层的材料为金属Mo，其厚度尺寸范围为150~250nm。
其中，有机薄膜层还包括：依次形成在第一金属层上的第二绝缘层和第二金属层；其中：第二绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、第二金属层的材料为金属Mo，其厚度尺寸范围为150~250nm，第二绝缘层和第二金属层通过光刻和干法刻蚀技术进行图案化。
其中，有机薄膜层还包括：依次形成在第二金属层上的层间绝缘层、源漏极金属层，其中：层间绝缘层的厚度尺寸范围为500~700nm，源漏极金属层连接在平坦层的下方，源漏极金属层使用的材料为钛和/或铝，其的厚度尺寸范围为400~600nm。
其中，功能层结构还包括：依次形成在阳极膜层上的像素定义层、发光层和阴极层。
其中，无机绝缘膜层使用的材料为氧化硅，其厚度尺寸范围为50~200nm。
其中，阳极膜层使用的材料为氧化铟和银，阳极膜层的厚度尺寸范围为100~250nm，平坦层使用的材料为聚酰亚胺，其厚度尺寸范围为1.5~3um。
其中，基板薄膜层的材料为聚酰亚胺，其厚度尺寸范围为10~20um。
本发明还公开了一种显示装置。
实施本发明所提供的显示面板、显示装置，具有如下有益效果：
第一、阳级膜层的下方和平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层，无机绝缘膜层与平坦层的图形一致，无机绝缘膜层保持一定的耐压性，能够消除阳极膜层刺破有机薄膜层造成阳极膜层与其它功能层短接的不良。
第二、无机绝缘膜层上的图形通过平坦层图形光罩和干法刻蚀技术而成，能够实现保护柔性显示面板在封装过程中阳极膜层不会刺破下方有机薄膜层，非显示区外围电路不被损坏，保证驱动电路正常工作及整个显示面板画面正常显示。
第三，能够提高阳极膜层与下方膜层的附着力及显示装置产出良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，为本发明显示面板结构的实施例一。
本实施例中的显示面板，包括：基板100；设置在基板100上的基板薄膜层101；设置在基板薄膜层101上的平坦层110，依次形成在平坦层110上的功能层，功能层结构至少包括：阳级膜层112，其中：阳级膜层112和平坦层110图形之间还设有无机绝缘膜层111，无机绝缘膜层111与平坦层110的图形一致。无机绝缘膜层111的作用是：保持一定的耐压性，以消除阳极膜层112刺破基板薄膜层101造成阳极膜层112与其它功能层短接的不良，提高阳极膜层112与下方功能层结构的附着力。
具体实施时，基板100为玻璃基板，基板薄膜层101涂覆在玻璃基板上，制成后，起支撑作用的玻璃基板100将被取走，基板薄膜层101作为显示面板的基板。本实施例中，基板薄膜层101由聚酰亚胺材料制成，其厚度尺寸范围为10~20um。
进一步的，有机薄膜层包括：依次形成在基板薄膜层101上的缓冲层102、有源层103、栅级绝缘层104以及第一金属层105；其中：缓冲层102的厚度尺寸范围为200~300nm、有源层103的厚度尺寸范围为40~50nm、栅级绝缘层104的厚度尺寸范围为50~200nm、第一金属层105由金属Mo材料制成，其厚度尺寸范围为150~250nm。
进一步的，有机薄膜层还包括：依次形成在第一金属层105上的第二绝缘层106和第二金属层107；其中：第二绝缘层106的厚度尺寸范围为50~200nm、第二金属层107的材料为金属Mo，其厚度尺寸范围为150~250nm，第二绝缘层106和第二金属层107通过光刻和干法刻蚀技术进行图案化。
进一步的，有机薄膜层还包括：功能层结构还包括：依次形成在第二金属层107上的层间绝缘层108、源漏极金属层109，其中：层间绝缘层108的厚度尺寸范围为500~700nm，源漏极金属层109连接在平坦层110的下方，源漏极金属层109使用的材料为钛和/或铝，其的厚度尺寸范围为400~600nm。
进一步的，阳级膜层112和平坦层110图形之间还设有无机绝缘膜层111，无机绝缘膜层111与平坦层110的图形一致，无机绝缘膜层111保持一定的耐压性，以消除阳极膜层112刺破有机薄膜层造成阳极膜层112与其它功能层短接的不良，提高阳极膜层112与下方功能层结构，例如：平坦层110，层间绝缘层108、源漏极金属层109等的附着力。
其中：阳极膜层112使用的材料为氧化铟和银，阳极膜层112的厚度尺寸范围为100~250nm。平坦层110使用的材料为聚酰亚胺，其厚度尺寸范围为1.5~3um。
本实施例中，无机绝缘膜层111上的图形通过平坦层110图形光罩和干法刻蚀技术而成，用以保护柔性显示面板在封装过程中阳级膜层112不会刺破下方的功能层结构。
优选的，功能层结构还包括：依次形成在阳极膜层112上的像素定义层113和PS层114；其中：像素定义层113使用的材料为聚酰亚胺，其厚度尺寸范围为1.5~3um，PS层114使用的材料为聚酰亚胺，其厚度尺寸范围为1.5~3um。
本实施例中在阳级膜层112的下方和平坦层110图形之间增添无机绝缘膜层111的作用是：由于无机绝缘膜层与平坦层的图形一致，且无机绝缘膜层111能够保持一定的耐压性，可以消除阳极膜层刺破有机薄膜层造成阳极膜层与其它功能层短接的不良；此外，无机绝缘膜层111还具有提高阳极膜层112与下方功能层结构附着力意想不到的技术效果。
本发明还公开了一种具有上述显示面板的显示装置，显示装置的具体实施方式与上述显示面板的实施方式相同，不再赘述。
实施本发明所提供的显示面板和显示装置，具有如下有益效果：
第一、阳级膜层和平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层，无机绝缘膜层与平坦层的图形一致，无机绝缘膜层保持一定的耐压性，能够消除阳极膜层刺破有机薄膜层造成阳极膜层与其它功能层短接的不良。
第二、无机绝缘膜层上的图形通过平坦层图形光罩和干法刻蚀技术而成，能够实现保护柔性显示面板在封装过程中阳极膜层不会刺破下方有机薄膜层，非显示区外围电路不被损坏，保证驱动电路正常工作及整个显示面板画面正常显示。
第三，能够提高阳极膜层与下方膜层的附着力及显示装置产出良率。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板薄膜层；
设置在所述基板薄膜层上的有机薄膜层；
设置在所述有机薄膜层上的平坦层；
形成在所述平坦层上的功能层，所述功能层至少包括阳级膜层，其中：
所述阳级膜层和所述平坦层图形之间还设有无机绝缘膜层，所述无机绝缘膜层与所述平坦层的图形一致。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述无机绝缘膜层和所述平坦层上的图形通过光罩和干法刻蚀技术而成。
3.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述有机薄膜层包括：依次形成在所述基板薄膜层上的缓冲层、有源层、栅级绝缘层以及第一金属层；其中：
所述缓冲层的厚度尺寸范围为200~300nm、所述有源层的厚度尺寸范围为40~50nm、所述栅级绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、所述第一金属层的材料为金属Mo，其厚度尺寸范围为150~250nm。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有机薄膜层还包括：依次形成在所述第一金属层上的第二绝缘层和第二金属层；其中：
所述第二绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm、所述第二金属层的材料为金属Mo，其厚度尺寸范围为150~250nm，所述第二绝缘层和所述第二金属层通过光刻和干法刻蚀技术进行图案化。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述有机薄膜层还包括：
依次形成在所述第二金属层上的层间绝缘层、源漏极金属层，其中：所述层间绝缘层的厚度尺寸范围为500~700nm，所述源漏极金属层连接在所述平坦层的下方，所述源漏极金属层使用的材料为钛和/或铝，其的厚度尺寸范围为400~600nm。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述功能层结构还包括：
依次形成在所述阳极膜层上的像素定义层、发光层和阴极层。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述无机绝缘膜层使用的材料为氧化硅，其厚度尺寸范围为50~200nm。
8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极膜层使用的材料为氧化铟和银，所述阳极膜层的厚度尺寸范围为100~250nm；
所述平坦层使用的材料为聚酰亚胺，其厚度尺寸范围为1.5~3um。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板薄膜层的材料为聚酰亚胺，其厚度尺寸范围为10~20um。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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| WO (1) | WO2019056512A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110571241A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030094615A1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN100466285C (zh) * | 2002-09-11 | 2009-03-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法 |
| US20110315969A1 (en) * | 2001-05-22 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device and process of manufacturing the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW519853B (en) * | 2001-10-17 | 2003-02-01 | Chi Mei Electronic Corp | Organic electro-luminescent display and its packaging method |
| KR100484109B1 (ko) * | 2002-12-14 | 2005-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판 제조방법, 이 기판제조방법을 이용한 유기 전계발광표시장치의 제조방법 및 유기 전계 발광 표시장치 |
| KR101308200B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2013-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR102022395B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2019-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| JP6232277B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機ｅｌ素子構造、その製造方法及び発光パネル |
-
2017
- 2017-09-21 CN CN201710861551.0A patent/CN107706194A/zh active Pending
- 2017-11-06 WO PCT/CN2017/109498 patent/WO2019056512A1/zh not_active Ceased
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110315969A1 (en) * | 2001-05-22 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device and process of manufacturing the same |
| US20030094615A1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN100466285C (zh) * | 2002-09-11 | 2009-03-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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