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CN106604976A - 荧光体成分、包括荧光体成分的发光元件封装和照明系统 - Google Patents

荧光体成分、包括荧光体成分的发光元件封装和照明系统 Download PDF

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CN106604976A
CN106604976A CN201580045645.XA CN201580045645A CN106604976A CN 106604976 A CN106604976 A CN 106604976A CN 201580045645 A CN201580045645 A CN 201580045645A CN 106604976 A CN106604976 A CN 106604976A
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light
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文智煜
金亨真
任仓满
闵凤杰
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LG Innotek Co Ltd
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Abstract

实施例提供荧光体成分和包括该荧光体成分的发光元件封装，其中该荧光体成分包括绿色荧光体、黄色荧光体和红色荧光体，黄色荧光体由化学式Li(m‑2X)Si(12‑m‑n)Al(m+n)OnN(16‑n):Eu2+表示(其中，2≤m≤5，2≤n≤10，以及0.01≤X≤1)，并且该实施例的发光元件封装能够显示具有改进的亮度和显色指数的白色光。

Description

荧光体成分、包括荧光体成分的发光元件封装和照明系统
技术领域
本公开涉及具有多个荧光体的荧光体成分以及包括荧光体成分的发光器件封装。
背景技术
由于薄膜生长技术和发光器件材料的开发，诸如发光二极管和激光二极管的使用III-V组或者II-VI组化合物半导体的发光器件可以实现各种颜色，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线等等。有效的白色光可以通过使用荧光材料或者色彩合成来实现。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，诸如发光二极管和激光二极管的发光器件可以具有低功耗、半永久性的寿命、快速响应速度、安全和环境友好。
实现白色光的方法可以包括：以单个芯片方式在蓝色或者紫外线UV发光二极管芯片上涂荧光材料的方法，以及形成莹光芯片和蓝色或者紫色UV发光二极管芯片，并且以多芯片方式将它们彼此合并来产生白色光的方法。
就多芯片方式而言，存在制造和合并RGB(红色、绿色、蓝色)的三个类型的芯片的典型的方法。就此而言，然而，因为RGB芯片的工作电压是不均匀的，或者由于周围的条件，RGB芯片的输出是不同的，其色坐标变化。
此外，为了以单个芯片方式实现白色光，使用从蓝色LED发射的光激发至少一个荧光体。
在使用这样的荧光体成分的白色光的实施方式中，存在改进亮度和显色指数(CRI)的持续尝试。然而，其可能不便于实现无需降低光通量具有高显色指数值的白色光。
发明内容
技术问题
本公开提供具有改进的亮度和高显色指数的、包括绿色荧光体、琥珀色荧光体(amber phosphor)和红色荧光体的荧光体成分，以及包括该荧光体成分的发光器件封装。
解决方案
在一个方面中，提供了一种包括绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体的荧光体成分，其中琥珀色荧光体被表示为化学式Lim-2XSi12-m-nAlm+nOnN16-n:Eu2+，其中2≤m≤5，2≤n≤10，0.01≤X≤1。
在一个实施例中，琥珀色荧光体可以具有大约570nm至600nm的光发射波长。
在一个实施例中，绿色荧光体可以包括从由LuAG:Ce3+、Sr2SiO4:Eu2+、K2SiF6:Mn、La3Si6N11:Ce、Ba2Si5N8:Eu和Ba2SiO4:Eu2+组成的组中选择的至少一个。
在一个实施例中，绿色荧光体可以具有大约510nm至550nm的光发射波长。
在一个实施例中，红色荧光体可以包括从由CaAlSiN3:Eu2+、SrAlSiN3:Eu2+和Sr2Si5N8:Eu2+组成的组中选择的至少一个。
在一个实施例中，红色荧光体可以具有大约600nm至660nm的光发射波长。
在一个实施例中，绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体中的至少一个可以具有300nm至500nm的激发波长。
在一个实施例中，绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体之间的质量比可以在0.5至0.8:0.1至0.4:0.01至0.1的范围中。
在另一个方面中，提供一种包括绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体的荧光体成分，其中琥珀色荧光体包括具有α相位的基于SiAlON的荧光体，其中绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体之间的质量比是在0.5至0.8:0.1至0.4:0.01至0.1的范围中。
在又一个方面中，提供了一种发光器件封装，包括：封装主体；布置在封装主体上的发光器件；布置在封装主体上以便围绕发光器件的模制部分(molding portion)；以及如以上限定的荧光体成分，其中使用来自发光器件的光发射来激发该荧光体成分。
在一个实施例中，荧光体成分可以散布在模制部分中。
在一个实施例中，荧光体成分可以被层叠在发光器件上并接触发光器件。
在一个实施例中，荧光体成分可以被层叠在发光器件的外表面、封装主体的暴露的顶表面、以及模制部分的外表面中的至少一个上。
在一个实施例中，发光器件可以被配置为发射蓝色光。
在一个实施例中，来自发光器件封装的光发射可以具有色坐标：Cx＝0.328±0.02和Cy＝0.344±0.02。
在一个实施例中，发光器件发射第一光发射，并且荧光体成分使用第一光发射经由其激发来发射第二光发射，其中第一光发射和第二光发射之间的混合物具有在70至99且包括70和99的范围中的显色指数。在又一个方面中，提供了一种照明装置，包括：基板，发光器件封装；以及光学构件，该光学构件被配置为将从封装发射的光束的传播路径转向(divert)，其中封装被布置在基板上，其中封装包括：封装主体；布置在封装主体上的发光器件；布置在封装主体上以便围绕发光器件的模制部分；以及如以上限定的荧光体成分，其中使用来自发光器件的光发射来激发荧光体成分。
有益效果
根据本公开，荧光体成分和包括该荧光体成分的发光器件封装可以通过在其中包含基于Li-SiAlON的琥珀色荧光体来实现具有改进的亮度和高显色指数的白色光。
附图说明
图1是图示琥珀色荧光体的一个当前示例的光学特征的图。
图2是根据本公开的发光器件封装的一个实施例的示意图。
图3是根据本公开的发光器件的一个实施例的示意图。
图4a至图4b是图示按照本公开的发光器件封装的光学特征的图。
图5至图6是根据本公开的发光器件封装的另外实施例的示意图。
具体实施方式
各种实施例的示例在下面进一步图示和描述。应该理解，在此处的描述不旨在限制描述的特定实施例的权利要求。
应该理解，当元素或者层被称为“连接到”，或者“耦合到”另一个元素或者层时，其可以直接地连接到或者耦合到另一个元素或者层，或者可能存在一个或多个插入元素或者层。此外，还应该理解，当单元或者层被称为在两个元素或者层“之间”时，其可以是在两个单元或者层之间的单个元素或者层，或者也可能存在一个或多个插入元素或者层。为了便于解释，可以在此处使用空间地相对术语，诸如“在…下方”、“在...下面”、“低于”、“在…之下”、“在...上方”、“高于”等等以描述如在附图中图示的一个元素或者特点对另一个元素或者特点的关系。应该理解，除了在附图中描述的方向之外，该空间地相对术语在使用或在工作中旨在包含器件不同的方向。当元素A被布置在元素B“之上”或者“之下”时，这指的是另一个元素C可以或者可以不布置在元素A和元素B之间。
应该理解，虽然可以在此处使用术语“第一”、“第二”、“第三”等等以描述各种元素、部件、区域、层和/或部分，这些元素、部件、区域、层和/或部分不应该受到这些术语的限制。这些术语用于区别一个元素、部件、区域、层或者部分与另一个元素、部件、区域、层或者部分。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，如下所述的第一元素、部件、区域、层或者部分可以称为第二元素、部件、区域、层或者部分。
为简单和清楚说明起见，在附图中的元素不一定按比例绘制。在不同的附图中相同的参考数字表示相同的或者类似的元素，并且由此执行类似的功能。此外，为了描述的简单起见，不包括公知的步骤和单元的描述和细节。
在一个实施例中，荧光体成分可以包括绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体，其中琥珀色荧光体可以表示为以下的化学式1：
[化学式1]
Lim-2XSi12-m-nAlm+nOnN16-n:Eu2+(2≤m≤5,2≤n≤10,0.01≤X≤1).
表示为化学式1的琥珀色荧光体可以是具有α相位的基于SiAlON的荧光体，并且可以使用蓝色或者可见光激发以发射琥珀色光。例如，表示为化学式1的琥珀色荧光体可以具有400nm至500nm的激发波长。
图1是示出在比较示例琥珀色荧光体和表示为化学式1的琥珀色荧光体的光学特征之间比较的图。在附图中，A表示比较示例琥珀色荧光体，其采用Ca-α-SiAlON荧光体，而B表示表示为化学式1的当前示例琥珀色荧光体。
在图1中，“激发”表示激发波长频谱，而“发射”表示光发射波长峰值。就比较示例A和当前示例B而言，激发波长可以落在350nm至500nm内。在当前示例B中的激发能量高于比较示例A。
另外，就光发射波长峰值而言，在当前示例B中，发光中心波长移动到短波长。此外，在当前示例B中，在发光中心波长上的亮度高于在比较示例A中的发光中心波长上的亮度。
以下的表1示出比较示例A和当前示例B的琥珀色荧光体的光学特征值。光学特征值可以包括光发射峰值波长(Wp)和FWHM(半峰全宽)以及相对亮度值(％)。具体地，就相对的亮度值而言，当使用450nm波长光激发荧光体时，比较示例A的亮度值被设置为100％。
【表1】
相对亮度％ Wp nm FWHM nm
比较示例A 100 595 85
当前示例B 103.1 583 84
参考表1，在比较示例A中发光中心波长(Wp)是595nm，而在当前示例B中发光中心波长(Wp)是583nm，并且因此，移动至更短的波长。具有化学式1的当前示例B的琥珀色荧光体可以具有84nm的FWHM(半峰全宽)。另外，与比较示例A相比，在当前示例B中亮度可以改进大约3％。
当前荧光体成分可以包括LuAG:Ce3+、Sr2SiO4:Eu2+、K2SiF6:Mn、La3Si6N11:Ce、Ba2Si5N8:Eu和Ba2SiO4:Eu2+中的任何一个绿色荧光体。就此而言，绿色荧光体可以具有510nm至550nm的光发射波长。
另外，当前的荧光体成分可以包括CaAlSiN3:Eu2+、SrAlSiN3:Eu2+和Sr2Si5N8:Eu2+中的至少一个红色荧光体。当前的红色荧光体可以具有600nm至660nm的光发射波长。
也就是说，当前的荧光体成分可以包括红色、绿色和琥珀色荧光体，其中琥珀色荧光体可以是表示为化学式1的Li-α-SiAlON荧光体。此荧光体成分可以使用从发光器件发射的光激发以实现白色光。
由于当前荧光体成分包括具有化学式1的琥珀色荧光体，当前荧光体成分可以在包含传统琥珀色荧光体的荧光体成分上具有改进的亮度，如图1和表1所示。
然而，就表示为化学式1的琥珀色荧光体而言，发光中心波长移动到更短的波长，并且因此，包含其的荧光体成分可能不足以实现更长的波长。因此，为了抑制由于发光中心波长移动到更短的波长的色域的降低，荧光体成分可以进一步包含红色荧光体。
以这种方法，由当前荧光体成分实现的白色光可以具有改进的光通量，以及良好的显色指数值。此外，由当前荧光体成分实现的白色光可以具有类似于由传统的荧光体成分实现的色坐标。
在当前的荧光体成分中，在绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体之间的质量比可以是在0.5至0.8:0.1至0.4:0.01至0.1的范围中。例如，绿色荧光体可以是质量的65％，表示为化学式1的琥珀色荧光体可以是质量的31％，并且红色荧光体可以是质量的4％。
当质量比没有落在以上限定的范围内时，来自当前示例的白色光发射可以具有不同于来自传统的荧光体成分色坐标值的色坐标值。
在下文中，将参考附图描述包括以上限定的当前荧光体成分的发光器件封装的一个实施例。
图2示出根据本公开的发光器件封装的第一实施例200A。
发光器件封装200A可以包括封装主体100、布置在封装主体100上的发光器件110、布置在封装主体100上，并且围绕发光器件110的模制部分190。在这个实施例中，如上所述的当前荧光体成分170可以被结合在模制部分190中。
封装主体100可以由硅材料、合成树脂材料或者金属材料制成，并且可以由具有极好的热传导性的陶瓷材料制成。
封装主体100可以包括用于与发光器件电连接的引线框(未示出)。当在封装主体100中形成引线框时，引线框可以由诸如铜的导电材料制成。在一个示例中，引线框可以实施为金(Au)编织。引线框也可以反射从发光器件110发射的光。
发光器件110可以实施为光发射二极管。
图3示出根据本公开的发光器件110的一个实施例。发光器件110可以包括衬底10、第一导电型半导体层22、有源层24、第二导电型半导体层26、第一电极42和第二电极44。
在发光器件110中，衬底10可以由诸如载体晶片的适用于半导体材料生长的材料形成。衬底10可以由具有极好的热传导性的材料制成。衬底10可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底10可以由下述中的至少一个制成：蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、砷化镓、GaN、氧化锌、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3。此外，衬底10可以在其表面上包括粗糙以提高光提取效率。
缓冲层(未示出)可以被布置在衬底10和导电型半导体层22和26之间。可以放置缓冲层(未示出)以减轻导电型半导体层22、26和衬底10材料之间的在晶格失配和热膨胀系数方面的差别。缓冲层可以以3-5组或者2-6组的化合物半导体制成，并且可以包括例如GaN、InN、AlN、InGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一个。
光发射结构20包括第一导电型半导体层22和有源层24以及第二导电型半导体层26。
第一导电型半导体层22可以由诸如III-V组或者II-VI组的化合物半导体形成，并且可以掺杂有第一导电型掺杂物。第一导电型半导体层22可以由具有AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)、AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP的成分公式的至少一个半导体材料制成。
当第一导电型半导体层22是N型半导体层时，第一导电型掺杂物可以包括N型掺杂物，诸如，Si、Ge、Sn、Se、Te等等。第一导电型半导体层22可以形成为单层或者多层，但是，本公开不受限于此。
有源层24可以夹在第一导电型半导体层22和第二导电型半导体层26之间。有源层24可以指在其中从第一导电型半导体层22射入的电子遇到从第二导电型半导体层26射入的空穴，从而基于有源层24的材料的能量带发射光束的层。有源层24可以包括单个量子阱、多个量子阱、量子点或者量子线中的任何一个。
有源层24可以包括多个量子阱。就此而言，可以使用Ⅲ-Ⅴ组化合物半导体材料将有源层24实施为多个阱层和多个势垒层的垂直交替。例如，一对阱层/势垒层可以包括AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs InGaAs/AlGaAs、GaP InGaP/AlGaP。然而，本公开不受限于此。阱层可以具有比势垒层更小的能量带间隙。
第二导电型半导体层26可以由半导体化合物形成。第二导电型半导体层26可以由诸如III-V组或者II-VI组的化合物半导体形成，并且可以掺杂有第二导电型掺杂物。第二导电型半导体层26可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)、AlGaN、GaNAlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP的成分公式的至少一个半导体材料制成。例如，第二导电型半导体层26可以由AlxGa1-xN形成。
当第二导电型半导体层26是p型层时，第二导电型掺杂物可以是p型掺杂物，诸如，Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等等。第二导电型半导体层26可以形成为单层或者多层，但是，本公开不受限于此。
发光器件110可以在其一个表面上包括多个电极42和44。多个电极42和44可以实施为第一电极42和第二电极44。第一电极42和第二电极44可以分别地位于发光器件110的两个表面上，其中第一电极42可以被布置在以台面(mesa)形式蚀刻的第一导电型半导体层22上，而第二电极44可以被布置在半导体层26上。
光透射导电层30可以进一步被布置在发光器件110的第二导电型半导体层26上，使得可以在宽的区域上均匀地从第二电极极板44向第二导电型半导体层26提供电流。例如，光透射导电层30可以由下述中的至少一个制成：ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟锌铝氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(锌铝氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、ZnO(氧化锌)、IrOx(氧化铱)、RuOx(氧化钌)、NiO(氧化镍)、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au(Gold)。
虽然在图3中示出的发光器件110的示例是水平发光器件的示例，除了在图3中示出的水平发光器件之外，垂直发光器件和/或倒装型发光器件可以被布置在如图2所示的封装中。
发光器件110可以发射具有第一波长范围的光。第一波长范围可以是蓝光或者紫外光。
发光器件110可以经由导线160被电连接到封装主体100或者引线框。导线160可以由导电材料制成。在一个示例中，导线160可以由金(Au)制成，并且具有大约0.8至1.6毫米的直径。如果其太薄，导线160可能被外力切断。如果其太厚，材料成本可能增加，并且其可能变成从光发射器件110发射的光的前进的障碍。
如图2所示，模制部分190可以被布置在封装主体100上，以便在发光器件封装200A的实施例中围绕发光器件110。
模制部分190可以是圆顶状的。可替选地，部分190可以用不同的形状形成以控制来自发光器件封装的发光角度。模制部分190可以围绕和保护发光器件110，并且充当透镜以改变从发光器件110发射的光路径。
模制部分190可以由树脂层制成。就此而言，树脂层可以包括从由包含基于硅树脂的树脂、基于环氧的树脂和/或基于丙烯酸的树脂或者其合成物的混合物组成的组中选择的树脂。
在图2所示的发光器件封装的示例中，荧光体成分170可以被包括在模制部分190中。例如，荧光体成分170可以散布在模制部分190的树脂层中。
图4a至图4b是图示包括根据本公开的当前荧光体成分的发光器件封装的光学特征的图形。
图4a示出图示包括荧光体成分的比较示例发光器件封装的光学特征的图，该荧光体成分包括两个不同的荧光体。图4b示出图示根据本公开的包括荧光体成分的当前发光器件封装的光学特征的图，该荧光体成分包括三种不同的荧光体。
在图4a中，比较示例1可以指示包括荧光体成分的比较示例发光器件封装的光学特征，该荧光体成分包括两种不同的传统荧光体：基于LuAG的绿色荧光体和Ca-α-SiAlON琥珀色荧光体。另外，比较示例2可以表示包括荧光体成分的比较示例发光器件封装的光学特征，该荧光体成分包括两种不同的传统荧光体：基于LuAG的绿色荧光体和具有化学式1的Li-α-SiAlON琥珀色荧光体。
参考图4a，与包含Ca-α-SiAlON琥珀色荧光体的比较示例1相比，包含表示为化学式1的琥珀色荧光体的比较示例2具有改进的亮度。
以下的表2分别地表示用于根据比较示例1和比较示例2的发光器件封装的光学特征值。
用于发光器件封装的光学特征可以包括发光强度和色彩特征。发光强度可以表示为相对亮度％，其中比较示例1可以具有作为参考的100％相对亮度。色彩特征可以表示为CIE(Commission International de I'Eclairage)色坐标值和显色指数(CRI)。
【表2】
相对亮度％ CIE Cx CIE Cy CRI
比较示例1 100 0.327 0.344 73
比较示例2 103.8 0.330 0.345 67
参考表2，虽然与比较示例1相比，比较示例2具有改进的亮度，比较示例2的显色指数值低于比较示例1的显色指数值。
参考表2，包括包括具有化学式1的Li-α-SiAlON琥珀色荧光体的荧光体成分的比较示例发光器件封装的亮度高于包括包括Ca-α-SiAlON琥珀色荧光体的荧光体成分的比较示例发光器件封装的亮度。由此，其可以确认采用具有化学式1的荧光体作为允许光发射的波长移动到更短的波长的琥珀色荧光体，并且因此与传统的比较示例1相比，允许示例2具有改进的亮度。
虽然比较示例2的光通量比具有传统荧光体成分的比较示例1的光通量大3.8％，由于光发射波长朝向更短的波长的方向移动，显色指数(CRI)值从73(比较示例1)减小到67(比较示例2)。
图4b和以下的表3分别地表示根据当前示例和比较示例1的发光器件封装的光学特征，其中，当前荧光体成分包括绿色、琥珀色和红色荧光体。
换句话说，除了用于比较示例2的荧光体成分之外，根据当前示例的荧光体成分包括红色荧光体。就此而言，红色荧光体可以是CaAlSiN:Eu2+。
【表3】
相对亮度％ CIE Cx CIE Cy CRI
比较示例1 100 0.327 0.344 73
当前示例 104.1 0.330 0.342 72
参考图4b和表3，其不仅确认与比较示例1相比，包括绿色、琥珀和红色荧光体的当前示例发光器件封装具有改进的亮度，而且确认色彩特征，即，色坐标值和显色指数值可以大体上等于在比较示例1中的色坐标值和显色指数值。
也就是说，就当前示例发光器件封装而言，传统的琥珀色荧光体被用具有化学式1的Li-αSiAlON琥珀色荧光体替换，并且进一步，增加红色荧光体。以这种方法，可以改进诸如亮度的光学特征，同时保持色彩特征。
在下文中，在当前的荧光体成分中，绿色荧光体可以被称为A，琥珀色荧光体可以被称为B，并且红色荧光体被称为C。在一个示例中，A可以是LuAG:Ce3+，B可以是Lim-2XSi12-m- nAlm+nOnN16-n:Eu2+(2≤m≤5，2≤n≤10，0.01≤X≤1)，并且C可以是CaAlSiN3:Eu2+。
另外，在比较示例1中，荧光体成分包括绿色荧光体和琥珀色荧光体。就此而言，绿色荧光体A可以是LuAG:Ce3+，并且琥珀色荧光体B`可以是CaSiAlON:Eu2+荧光体。
另外，在当前示例中，当荧光体成分具有100的质量时，荧光体A、B和C之间的质量比可以如下：A:B:C＝50至80:10至40:1至10。
以下的表4表示在用于比较示例1和当前示例(例如，当前示例1至3)的荧光体成分中荧光体A、B和C之间的质量比。
以下的表5表示用于比较示例1和如在表4中限定的当前示例的光学特征。表5的光学特征值可以应用于在图2中示出的实施例的发光器件封装200A。但是，本公开不受限于此。表5的光学特征值同样地可以应用于稍后描述的发光器件封装的其它的实施例。
在表5中，与比较示例1相比，用于当前示例的光通量增加。对于色彩特征，用于当前示例的色坐标值和显色指数值呈现与用于比较示例1类似的水平。
因此，当前示例的发光器件封装的亮度增加而不降低色彩特征。
【表4】
示例 荧光体成分中的质量比
比较示例1 A:B`＝78:22
当前示例1 A:B:C＝63:34:4
当前示例2 A:B:C＝65:31:4
当前示例3 A:B:C＝67:29:4
【表5】
示例 通量(lm) CIE x CIE y CRI
比较示例1 154.2 0.331 0.342 73.3
当前示例1 160.4 0.331 0.345 72.4
当前示例2 160.7 0.329 0.345 72.0
当前示例3 159.7 0.331 0.350 72.0
图5和图6示出根据本公开的发光器件封装的另外实施例200B和200C。
在下文中，对根据本公开的发光器件封装的另外实施例200B和200C的描述将集中在如图2所示的发光器件封装的实施例和根据本公开的发光器件封装的另外实施例200B和200C之间的差别。
如图示当前发光器件封装200B的图5所示，荧光体成分170可以层叠在发光器件110上。例如，荧光体成分170可以涂在发光器件110上。就此而言，作为荧光体成分170，保形涂覆层可以由保形涂覆方法(conformal coating method)形成。
由荧光体成分170的涂覆产生的荧光体层可以被布置在发光器件110的上表面上，但是，不受限于此。例如，荧光体层可以被布置在发光器件的侧表面和整个上表面上。
就发光器件封装200B而言，从发光器件发射的光被发射，同时其波长通过荧光体成分的荧光体层改变。例如，发光器件封装可以经由波长改变发射白色光。
图6是示出发光器件封装200C的另一个实施例的图。
在根据此实施例的发光器件封装200C中，当前的荧光体成分170可以层叠在发光器件110的外表面、封装主体100的暴露的上表面以及模制部分190的外表面中的至少一个上。
例如，参考图6，荧光体成分170可以包裹发光器件110的外表面，并且可以层叠在其中发光器件110没有被形成的封装主体100的上表面上，并且可以层叠在模制部分190的外表面上。
图6中的层叠的荧光体成分170可以通过涂覆形成。保护层(未示出)可以进一步在荧光体层的上表面上形成。
就此而言，保护层可以保护暴露的荧光体层。在一个示例中，保护层可以由SiO2(二氧化硅)或者Si3N4(氮化硅膜)制成。该层可以通过喷涂、喷射模制或者化学气相沉积(CVD)形成。
此外，保护层可以在荧光体成分的荧光体层上形成，并且可以通过喷涂被形成为薄膜。
如图2、图5和图6所示的发光器件封装200A、200B和200C可以通过使能要使用从发光器件发射的光激发的荧光体成分来实现白色光，发光器件封装200A、200B和200C中的每个包括包含绿色荧光体、红色荧光体和具有化学式1的琥珀色荧光体的上述限定的荧光体成分。
就此而论，从发光器件发射的光可以是蓝光，并且经由使用蓝光激发而发射的白色光的色坐标可以是Cx＝0.328±0.02和Cy＝0.344±0.02。
此外，在当前实施例的发光器件封装200A、200B和200C的色彩特征之中的显色指数可以在70至99且包括70和99的范围中。从发光器件封装200A、200B和200C发射的光可以是来自发光器件的第一光发射和使用第一光发射经由其激发从荧光体成分发射的第二光发射之间的混合物。
发光器件封装不局限于在图2、图5和图6中示出的示例。例如，如图2、图5和图6所示的在上面描述的发光器件封装200A、200B和200C可以被修改，使得封装主体100可以进一步包括在其中限定的空腔。
虽然在该附图中未示出，空腔可以在封装主体100的上表面部分中形成。因此，空腔部分可以具有敞开的顶部。
空腔可以以杯形状、凹陷容器形状等等形成。空腔的侧表面可以相对于空腔的底面垂直地或者倾斜地形成。空腔可以在大小和形状方面变化。从顶部看到的空腔的形状可以是圆形、多边形、椭圆形等等。空腔可以具有弯曲的边缘。但是，本公开不受限于此。
当空腔在封装主体100中形成时，发光器件110可以被容纳在空腔中。模制部分可以围绕发光器件110并填充空腔。模制部分190可以在其中包含在上面描述的当前荧光体成分。
在下文中，将描述图像显示装置和照明装置，其包括在上面描述的发光器件封装200A、200B和200C。
按照本公开的多个发光器件封装200A、200B和200C可以排列在基板上。作为光学构件的光导板、棱镜板、扩散板等等可以沿来自发光器件封装200A、200B和200C的光束的传播路径布置。发光器件封装200A、200B、200C、基板和光学构件可以共同地起背光单元的作用。
此外，根据本实施例的发光器件封装200A、200B和200C可以在显示设备、指示设备和照明设备中实施。
就此而言，显示器件包括底盖、布置在底盖上的反射器、用于发射光的发光模块、布置在反射器前并且正向引导从发光模块发射的光的光导板、包括在光导板前的棱镜板的光学板、布置在光学板前的显示板、连接到显示板并向显示板提供图像信号的图像信号输出电路，以及布置在显示板前的滤色镜。就此而言，底盖、反射器、发光模块、光导板和光学板可以共同地形成背光单元。
此外，照明器件可以包括：光源模块，该光源模块包括根据上面的实施例的基板和发光器件封装200A、200B和200C、用于光源模块的散热的散热器、以及处理或者转换从外面提供的电信号，并且向光源模块提供处理或者转换的信号的电源单元。例如，照明器件可以包括电灯、头灯或者街灯。
头灯包括发光模块，该发光模块包括布置在基板上的发光器件封装200A、200B和200C、在预定方向上，例如向前反射从发光模块发射的光的反射器、以及允许从反射器反射的光束向前转向的透镜、以及阻碍或者反射从反射器反射的光的一部分并且然后送往透镜以提供由设计者期望的光分布图案的遮光器。
就在上面提及的图像显示装置和照明装置而言，通过使用包括与化学式1的琥珀色荧光体结合的红色荧光体的荧光体成分，亮度可以被改进。甚至当亮度被改进，并且从而发光效率提高时，在色坐标和显色指数方面没有变化，使得可以获得好的色彩特征。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，本公开不受限于此，并且本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明的精神或者范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。例如，本领域技术人员可以修改这些实施例的组成部分。与这样的修改和应用相关的差别被解释为是在所附的权利要求描述的本发明的范围之内。
工业实用性
按照本公开的实施例的在上面限定的荧光体成分可以被发光器件封装采用以改进从封装光发射的亮度，同时保持CRI。

Claims (20)

1.一种包括绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体的荧光体成分，其中，所述琥珀色荧光体被表示为化学式Lim-2XSi12-m-nAlm+nOnN16-n:Eu2+，其中2≤m≤5，2≤n≤10，0.01≤X≤1。
2.根据权利要求1所述的荧光体成分，其中，所述琥珀色荧光体具有大约570nm至600nm的光发射波长。
3.根据权利要求1所述的荧光体成分，其中，所述绿色荧光体包括从由LuAG:Ce3+、Sr2SiO4:Eu2+、K2SiF6:Mn、La3Si6N11:Ce、Ba2Si5N8:Eu和Ba2SiO4:Eu2+组成的组中选择的至少一个。
4.根据权利要求1所述的荧光体成分，其中，所述绿色荧光体具有大约510nm至550nm的光发射波长。
5.根据权利要求1所述的荧光体成分，其中，所述红色荧光体包括从由CaAlSiN3:Eu2+、SrAlSiN3:Eu2+和Sr2Si5N8:Eu2+组成的组中选择的至少一个。
6.根据权利要求1所述的荧光体成分，其中，所述红色荧光体具有大约600nm至660nm的光发射波长。
7.根据权利要求1所述的荧光体成分，其中，所述绿色荧光体、所述琥珀色荧光体和所述红色荧光体中的至少一个具有300nm至500nm的激发波长。
8.根据权利要求1所述的荧光体成分，其中，所述绿色荧光体、所述琥珀色荧光体和所述红色荧光体之间的质量比在0.5至0.8:0.1至0.4:0.01至0.1的范围中。
9.一种包括绿色荧光体、琥珀色荧光体和红色荧光体的荧光体成分，其中，所述琥珀色荧光体包括具有α相位的基于SiAlON的荧光体，其中，所述绿色荧光体、所述琥珀色荧光体和所述红色荧光体之间的质量比在0.5至0.8:0.1至0.4:0.01至0.1的范围中。
10.根据权利要求9所述的荧光体成分，其中，所述绿色荧光体包括从由LuAG:Ce3+、Sr2SiO4:Eu2+、K2SiF6:Mn、La3Si6N11:Ce、Ba2Si5N8:Eu和Ba2SiO4:Eu2+组成的组中选择的至少一个。
11.根据权利要求9所述的荧光体成分，其中，所述红色荧光体包括从由CaAlSiN3:Eu2+、SrAlSiN3:Eu2+和Sr2Si5N8:Eu2+组成的组中选择的至少一个。
12.根据权利要求9所述的荧光体成分，其中，所述绿色荧光体、所述琥珀色荧光体和所述红色荧光体中的至少一个具有300nm至500nm的激发波长。
13.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
发光器件，所述发光器件被布置在所述封装主体上；
模制部分，所述模制部分被布置在所述封装主体上以便围绕所述发光器件；以及
根据权利要求1至12中的一个所述的荧光体成分，其中使用来自所述发光器件的光发射来激发所述荧光体成分。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述荧光体成分被散布在所述模制部分中。
15.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述荧光体成分被层叠在所述发光器件上并接触所述发光器件。
16.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述荧光体成分被层叠在所述发光器件的外表面、所述封装主体的暴露的顶表面、以及所述模制部分的外表面中的至少一个上。
17.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述发光器件被配置为发射蓝色光。
18.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，来自所述发光器件封装的光发射具有色坐标：Cx＝0.328±0.02和Cy＝0.344±0.02。
19.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述发光器件发射第一光发射，并且所述荧光体成分使用所述第一光发射经由其激发来发射第二光发射，其中所述第一光发射和所述第二光发射之间的混合物具有在70至99且包括70和99的范围中的显色指数。
20.一种照明装置，包括：
基板；
发光器件封装；以及
光学构件，所述光学构件被配置为将从所述封装发射的光束的传播路径转向，
其中，所述封装被布置在所述基板上，
其中，所述封装包括：
封装主体；
发光器件，所述发光器件被布置在所述封装主体上；
模制部分，所述模制部分被布置在所述封装主体上以便围绕所述发光器件；以及
根据权利要求1至12中的一个所述的荧光体成分，其中使用来自所述发光器件的光发射来激发所述荧光体成分。
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