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CN106547146A - 像素结构及其制造方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents

像素结构及其制造方法、阵列基板和显示装置 Download PDF

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CN106547146A
CN106547146A CN201710056983.4A CN201710056983A CN106547146A CN 106547146 A CN106547146 A CN 106547146A CN 201710056983 A CN201710056983 A CN 201710056983A CN 106547146 A CN106547146 A CN 106547146A
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grating
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CN201710056983.4A
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王志东
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Beijing BOE Display Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本发明的实施例提供一种像素结构，包括成阵列排列的多个子像素，每一个子像素都包括显示区域和非显示区域，每个子像素的非显示区域内形成有薄膜晶体管。每个子像素的显示区域内都形成有亚波长光栅，以透过预定波长范围的光。本发明的实施例还提供一种像素结构的制造方法、包括该像素结构的阵列基板和显示装置。

Description

像素结构及其制造方法、阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、像素结构的制造方法、包括该像素结构的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。
背景技术
通常，液晶显示装置主要由背光单元、阵列基板单元、液晶单元和彩膜基板(CF)单元等四部分组成。彩膜基板对背光单元发出的光进行滤光，使得光选择性通过，例如，在包括红、绿、蓝三基色的彩膜基板中，红色、绿色和蓝色子像素区域中的彩膜基板分别使红光、绿光和蓝光选择性通过，从而实现彩色显示。
但是，上述包括彩膜基板的显示装置至少存在以下问题：
(1)彩膜基板增加了显示装置的厚度，不适合显示装置轻薄化的发展方向；
(2)彩膜基板一般对光的透过率较低，影响了显示装置的性能。
发明内容
为了克服上述问题的至少一个方面，本发明实施例提供一种像素结构、像素结构的制造方法、包括该像素结构的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。
根据本发明的一个方面，提供一种像素结构，包括成阵列排列的多个子像素，每一个子像素都包括显示区域和非显示区域，每个子像素的非显示区域内形成有薄膜晶体管，其中：
每个子像素的显示区域内都形成有亚波长光栅，以透过预定波长范围的光。
根据一些实施例，所述像素结构包括至少3个子像素，每一个子像素的显示区域内形成的亚波长光栅的周期和/或间距彼此不相同，以分别透过不同的预定波长范围的光。
根据一些实施例，所述像素结构包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中：
第一子像素的亚波长光栅的周期为400nm，间距为121nm，以透过红光；
第二子像素的亚波长光栅的周期为350nm，间距为119nm，以透过绿光；和
第三子像素的亚波长光栅的周期为440nm，间距为263nm，以透过蓝光。
根据一些实施例，每一个子像素包括依次形成在基板上的低温多晶硅层、源漏极、栅绝缘层、栅极、层间介电层、第一钝化层和平坦化层。
根据一些实施例，所述亚波长光栅仅形成在低温多晶硅层中；或者，
所述亚波长光栅形成在包括低温多晶硅层和从栅绝缘层、层间介电层和第一钝化层中选择的至少一层的多层中。
根据一些实施例，每一个子像素包括依次形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极和钝化层。
根据一些实施例，所述亚波长光栅形成在有源层和/或栅绝缘层中。
根据本发明的另一方面，还提供一种阵列基板，包括根据上述实施例中任一个所述的像素结构。
根据本发明的又一方面，还提供一种显示装置，包括根据上述方面的阵列基板、背光单元和液晶单元。
根据本发明的再一方面，还提供一种像素结构的制造方法，包括：
在基板上形成成阵列排列的多个子像素，每一个子像素都包括显示区域和非显示区域；
在每个子像素的非显示区域内形成薄膜晶体管；和
在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅，以透过预定波长范围的光。
根据一些实施例，在基板上形成成阵列排列的多个子像素的步骤包括：在基板上形成成阵列排列的至少3个子像素，并且，
其中，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：在至少3个子像素中的每一个子像素的显示区域内形成亚波长光栅，
其中，每一个子像素的显示区域内形成的亚波长光栅的周期和/或间距彼此不相同，以分别透过不同的预定波长范围的光。
根据一些实施例，所述制造方法还可以包括如下步骤：在基板上依次形成低温多晶硅层、源漏极、栅绝缘层、栅极、层间介电层、第一钝化层和平坦化层。
根据一些实施例，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：
在每个子像素的显示区域内的低温多晶硅层中形成亚波长光栅；
在形成有亚波长光栅的低温多晶硅层上沉积牺牲层；
移除位于光栅间隙之外的牺牲层；
在具有牺牲层的低温多晶硅层上沉积栅绝缘层；和
通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙中的牺牲层，
根据一些实施例，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：
在每个子像素的显示区域内的低温多晶硅层、栅绝缘层、层间介电层和第一钝化层中形成亚波长光栅；
在形成有亚波长光栅的第一钝化层上沉积牺牲层；
移除位于光栅间隙之外的牺牲层；
在具有牺牲层的第一钝化层上沉积平坦化层；和
通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙中的牺牲层。
根据一些实施例，所述制造方法还可以包括如下步骤：在基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极和钝化层。
根据一些实施例，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：
在每个子像素的显示区域内的有源层中形成亚波长光栅；
在形成有亚波长光栅的有源层上沉积牺牲层；
移除位于光栅间隙之外的牺牲层；
在具有部分牺牲层的有源层上沉积钝化层；和
通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙中的牺牲层。
在根据本发明实施例的显示装置中，通过在阵列基板中形成亚波长光栅，不需要额外设置彩膜基板，就可以实现彩色显示。由于省略了彩膜基板，所以能够减小显示装置的厚度，满足显示装置轻薄化的要求。而且，由于亚波长光栅的透光率较高，而且没有彩膜基板的阻光作用，所以可以提高显示装置的透光率。而且，在根据本发明实施例的制造方法中，通过将牺牲层工艺加入阵列基板的像素结构的形成工艺中，就可以实现阵列基板集成亚波长光栅的目的，能够容易地实现亚波长光栅与阵列基板的集成。
附图说明
通过下文中参照附图对本发明所作的描述，本发明的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本发明有全面的理解。
图1是根据本发明实施例的显示装置的示意图；
图2是根据本发明实施例的阵列基板的示意图；
图3是图2中的阵列基板的像素结构的平面示意图；
图4是根据本发明的一个实施例的像素结构的截面示意图；
图5是根据本发明的另一实施例的像素结构的截面示意图；
图6(a)是根据本发明的又一实施例的像素结构的截面示意图，其中亚波长光栅形成在有源层中；
图6(b)是根据本发明的又一实施例的像素结构的截面示意图，其中亚波长光栅形成在有源层和栅绝缘层中；
图7是根据本发明的一个实施例的像素结构的制造方法的流程图；
图8是根据本发明的另一实施例的像素结构的制造方法的流程图；
图9是示意性示出根据本发明的一个实施例的形成亚波长光栅的方法的各个步骤的示意图；
图10是示意性示出刻蚀位于光栅间隙中的牺牲层的示意图；
图11是示意性示出根据本发明的另一实施例的形成亚波长光栅的方法的各个步骤的示意图；以及
图12是示意性示出根据本发明的又一实施例的形成亚波长光栅的方法的各个步骤的示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
由于本发明实施例所涉及的各结构尺寸非常微小，为了清楚起见，本发明实施例的附图中各结构的尺寸和比例均不代表实际的尺寸和比例。
如图1和图2所示，根据本发明的一个实施例的显示装置10包括背光单元11、阵列基板13和液晶单元17。在一个示例中，阵列基板13可以为薄膜晶体管(TFT)基板。如图1所示，在TFT基板13中形成有亚波长光栅15。
光栅一般是由等间距的间隙隔开的条形材料构成。如图1所示，光栅15包括条形材料形成的脊部152和脊部152之间的间隙154。光栅15的高度(即条形材料的厚度)为h，光栅15的脊部宽度为w，光栅15的周期p(即光栅周期)等于脊部宽度w与间隙154的间距d之和，光栅15的占宽比F等于w/p。
当光栅周期p具有与可见光的波长相当或更小的尺寸时，光栅的反射率、透射率、偏振特性和光谱特性等都显示出与常规衍射光学元件截然不同的特征，此时的光栅称之为亚波长光栅。在图1示出的实施例中，光栅15的周期p被设计为与可见光的波长相当或更小的尺寸，即，光栅15是一种亚波长光栅。
根据亚波长光栅理论，通过调整亚波长光栅的周期或间距(即光栅的间隙的间距)，可以实现对不同波长的光的滤光。这样，如图2所示，亚波长光栅15形成于TFT基板13的每个子像素的显示区域内。一个像素结构的多个子像素内形成的亚波长光栅15的周期p或间距d彼此不相同，以透过不同的预定波长的光。在图2示出的实施例中，例如，子像素1的亚波长光栅15的周期为p1和/或间距为d1，以透过红色光；子像素2的亚波长光栅15的周期为p2和/或间距为d2，以透过绿色光；子像素3的亚波长光栅15的周期为p2和/或间距为d2，以透过蓝色光。这样，在本发明的实施例中，通过使得不同的子像素透过不同颜色的基色光，可以实现彩色显示。也就是说，在本发明的实施例中，通过在TFT基板中形成亚波长光栅，不需要额外设置彩膜基板，就可以实现彩色显示。由于省略了彩膜基板，所以能够减小显示装置的厚度，满足显示装置轻薄化的要求。而且，由于亚波长光栅的透光率较高，而且没有彩膜基板的阻光作用，所以可以提高显示装置的透光率。
下面，结合附图进一步详细描述根据本发明实施例的具有亚波长光栅的像素结构。
如图2和图3所示，示出了根据本发明的一个实施例的像素结构20。像素结构20可以包括成阵列排列的多个子像素22、24、26，每一个子像素都包括显示区域21和非显示区域23，每个子像素的非显示区域23内形成有薄膜晶体管(TFT)27。如图2所示，每个子像素的显示区域21内都形成有亚波长光栅25，以透过预定波长范围的光。
需要说明的是，本文中的“预定波长范围”可以与显示基板或阵列基板的需要透过的基色匹配。以RGB(红、绿、蓝)三基色的显示基板为例。可见光的光谱分布如下表所示。对于采用RGB(红、绿、蓝)三基色的显示基板而言，子像素22、24、26中的亚波长光栅25可以被设计为分别透过波长范围位于“约625-740nm”、“约500-565nm”和“约440-485nm”区间的光。
表1可见光的光谱分布
可见光的光谱颜色 波长范围(纳米)
红色(R) 约625-740nm
橙色 约590-625nm
黄色 约565-590nm
绿色(G) 约500-565nm
青色 约485-500nm
蓝色(B) 约440-485nm
紫色 约380-440nm
在图示的实施例中，像素结构20包括3个子像素22、24、26，每一个子像素22、24、26的显示区域内形成的亚波长光栅25的周期p和/或间距d彼此不相同，即，p1、p2和p3彼此不相等，和/或d1、d2和d3彼此不相等，以分别透过不同颜色或不同的预定波长范围的光。在一个示例中，第一子像素22的亚波长光栅25的周期p1为400nm，间距d1为121nm，以透过红光；第二子像素24的亚波长光栅25的周期p2为350nm，间距d2为119nm，以透过绿光；并且第三子像素26的亚波长光栅25的周期p3为440nm，间距d3为263nm，以透过蓝光。实验发现，在该示例中，红、绿、蓝三色的透射峰值分别为71.1％，58.1％和59.3％。
图4示出了根据本发明的一个示例性实施例的像素结构的截面示意图。为了方便描述，下面以一个子像素的结构为示例进行说明。如图4所示，每一个子像素40包括基板401、遮光层402、缓冲层403、低温多晶硅层(LTPS)404、源漏极405、栅绝缘层406、栅极407、层间介电层408、第一钝化层409、平坦化层410、第二钝化层411。具体地，基板401可以为玻璃基板，遮光层402可以为金属遮光层。遮光层402、缓冲层403、低温多晶硅层(LTPS)404、栅绝缘层406、层间介电层408、第一钝化层409、平坦化层410和第二钝化层411依次形成在基板401上。子像素40还包括贯穿栅绝缘层406和层间介电层408的过孔415、416，源漏极405形成在层间介电层408上，并分别通过过孔415、416与低温多晶硅层404接触。栅极407形成在栅绝缘层406上。
在一个示例中，子像素40还包括公共电极412和像素电极413。如图4所示，公共电极412和像素电极413均形成在基板401上。像素电极413形成在第二钝化层411上，并通过贯穿第二钝化层411、平坦化层410和部分第一钝化层409的过孔418与源漏极405接触。公共电极412形成在平坦化层上，并且公共电极412与像素电极413通过第二钝化层411隔开。
可选地，每一个子像素的TFT可以包括两个栅极407，如图4所示，两个栅极407由层间介电层408隔开。通过采用这种双栅极结构，可以有效减小TFT的关态漏电流。
为了使TFT基板实现透过预定波长范围的光的目的，子像素40还包括亚波长光栅420。如图4所示，该亚波长光栅420仅形成在低温多晶硅层404中。
在可选的实施例中，亚波长光栅可以形成在包括低温多晶硅层和从栅绝缘层、层间介电层和第一钝化层中选择的至少一层的多层中。如图5所示，子像素50包括基板501、遮光层502、缓冲层503、低温多晶硅层(LTPS)504、源漏极505、栅绝缘层506、栅极507、层间介电层508、第一钝化层509、平坦化层510、第二钝化层511、公共电极512和像素电极513。子像素50还包括亚波长光栅520，亚波长光栅520形成在包括低温多晶硅层504、栅绝缘层506、层间介电层508和第一钝化层509的多个层中。
在上述低温多晶硅TFT的实施例中，以顶栅型结构为例对根据本发明实施例的像素结构进行了说明。应该理解的是，根据本发明实施例的亚波长光栅也可以应用于底栅型结构的低温多晶硅TFT中，其具体结构与图4-5示出的结构类似，限于篇幅原因，在此不再赘述。
图6(a)示出了根据本发明的另一个示例性实施例的像素结构的截面示意图。为了方便描述，下面以一个子像素的结构为示例进行说明。
如图6(a)所示，子像素60包括基板601、栅极602、栅绝缘层603、有源层604、源漏极605和钝化层606。具体地，基板601可以为玻璃基板。栅极602、栅绝缘层603、有源层604、源漏极605和钝化层606依次形成在基板601上。
根据本发明的实施例，子像素60还包括亚波长光栅610，亚波长光栅610形成在有源层604中，以使TFT基板实现透过预定波长范围的光的目的。
图6(b)示出了根据本发明的另一个示例性实施例的像素结构的截面示意图。图6(b)中示出的像素结构与图6(a)中的像素结构的不同之处仅在于：亚波长光栅610形成在有源层604和栅绝缘层603两层中，以使TFT基板实现透过预定波长范围的光的目的。应理解的是，在可替代的实施例中，亚波长光栅610可以仅形成在栅绝缘层603中，以实现透过预定波长范围的光的目的。
根据本发明的另一方面的实施例，还提供一种阵列基板，包括根据上述实施例中任一项所述的像素结构。
根据本发明的又一方面的实施例，还提供一种显示装置。返回参考图1，显示装置10包括背光单元11、阵列基板13和液晶单元15，其中，阵列基板13可以包括据上述实施例中任一项所述的像素结构。
根据本发明的实施例，还提供一种像素结构的制造方法。如图7所示，像素结构的制造方法包括如下步骤：
S710：在基板上形成成阵列排列的多个子像素，每一个子像素都包括显示区域和非显示区域；
S720：在每个子像素的非显示区域内形成薄膜晶体管；和
S730：在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅，以透过预定波长范围的光。
在一个示例中，S710步骤可以包括：在基板上形成成阵列排列的至少3个子像素，并且，S730步骤可以包括：在至少3个子像素中的每一个子像素的显示区域内形成亚波长光栅。每一个子像素的显示区域内形成的亚波长光栅的周期和/或间距彼此不相同，以分别透过不同的预定波长范围的光。这样，如图8所示，根据本发明实施例的像素结构的制造方法可以包括如下步骤：
S810：在基板上形成成阵列排列的至少3个子像素，每一个子像素都包括显示区域和非显示区域；
S820：在每个子像素的非显示区域内形成薄膜晶体管；和
S830：在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅，每一个子像素的显示区域内形成的亚波长光栅的周期和/或间距彼此不相同，以分别透过不同的预定波长范围的光。
根据一个实施例，像素结构的制造方法可以包括如下步骤：在基板上依次形成低温多晶硅层、源漏极、栅绝缘层、栅极、层间介电层、第一钝化层和平坦化层。
根据一个示例，如图9所示，详细示出了在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤。
如图9中的(a)所示，在基板901上依次形成遮光层902、缓冲层903和低温多晶硅层904。具体地，可以通过在基板901上沉积遮光金属材料，并通过光照、刻蚀等工艺形成遮光层902的图案。然后，沉积缓冲层903和低温多晶硅层904。
如图9中的(b)所示，在每个子像素的显示区域内的低温多晶硅层904中形成亚波长光栅920。具体地，通过电子束光刻等工艺在低温多晶硅层904中形成亚波长光栅920。
如图9中的(c)所示，在形成有亚波长光栅920的低温多晶硅层904上沉积牺牲层930。
如图9中的(d)所示，移除位于光栅间隙9202之外的牺牲层930，即，仅保留位于光栅间隙9202中的牺牲层930。
如图9中的(e)所示，在具有牺牲层930的低温多晶硅层904上形成栅绝缘层905。具体地，可以采用沉积的方式在具有牺牲层930的低温多晶硅层904上沉积栅绝缘层905。
如图9中的(f)所示，通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙9202中的牺牲层930。
在上述通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙9202中的牺牲层930的步骤中，化学刻蚀液S从光栅间隙9202的两侧进入光栅间隙9202中，以实现对位于光栅间隙9202中的牺牲层930的刻蚀，如图10所示。
应该理解的是，像素结构的制造方法还包括在基板上形成其它层或结构的步骤，例如，形成源漏极、栅极、层间介电层、第一钝化层和平坦化层、第二钝化层、公共电极和像素电极等阵列基板的层或结构。形成这些层或结构的方法可以采用通常的形成这些层或结构的方法，限于篇幅原因，在此不再赘述。
根据另一替代的实施例，图11示出了根据本发明的另一实施例的在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤。
如图11中的(a)所示，在基板1101上依次形成遮光层1102、缓冲层1103、低温多晶硅层1104、源漏极1105、栅绝缘层1106、栅极1107、层间介电层1108和第一钝化层1109。
如图11中的(b)所示，在每个子像素的显示区域内的低温多晶硅层1104、栅绝缘层1106、层间介电层1108和第一钝化层1109中形成亚波长光栅1120。
如图11中的(c)所示，在形成有亚波长光栅1120的第一钝化层1109上沉积牺牲层1130。
如图11中的(d)所示，移除位于光栅间隙1122之外的牺牲层1130。
如图11中的(e)所示，在具有牺牲层1130的第一钝化层1109上沉积平坦化层1110。
如图11中的(f)所示，通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙1122中的牺牲层1130。
根据另一实施例，像素结构的制造方法可以包括如下步骤：在基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极和钝化层。
根据一个示例，图12示出了在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤。
如图12中的(a)所示，在基板1201上依次形成栅极1202、栅绝缘层1203和有源层1204。
如图12中的(b)所示，在每个子像素的显示区域内的有源层1204中形成亚波长光栅1220。
如图12中的(c)所示，在形成有亚波长光栅1220的有源层1204上沉积牺牲层1230。
如图12中的(d)所示，移除位于光栅间隙1222之外的牺牲层1230。
如图12中的(e)所示，在具有牺牲层的1230的有源层1204上沉积钝化层1206。
如图12中的(f)所示，通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙1222中的牺牲层1230。
在上述实施例中，通过将牺牲层工艺加入阵列基板的像素结构的形成工艺中，就可以实现阵列基板集成亚波长光栅的目的，能够容易地实现亚波长光栅与阵列基板的集成。
虽然本发明总体构思的一些实施例已被图示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (15)

1.一种像素结构，包括成阵列排列的多个子像素，每一个子像素都包括显示区域和非显示区域，每个子像素的非显示区域内形成有薄膜晶体管，其中：
每个子像素的显示区域内都形成有亚波长光栅，以透过预定波长范围的光。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述像素结构包括至少3个子像素，每一个子像素的显示区域内形成的亚波长光栅的周期和/或间距彼此不相同，以分别透过不同的预定波长范围的光。
3.根据权利要求1或2所述的像素结构，其中，所述像素结构包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中：
第一子像素的亚波长光栅的周期为400nm，间距为121nm，以透过红光；
第二子像素的亚波长光栅的周期为350nm，间距为119nm，以透过绿光；和
第三子像素的亚波长光栅的周期为440nm，间距为263nm，以透过蓝光。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的像素结构，其中，每一个子像素包括依次形成在基板上的低温多晶硅层、源漏极、栅绝缘层、栅极、层间介电层、第一钝化层和平坦化层。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其中，所述亚波长光栅仅形成在低温多晶硅层中；或者，
所述亚波长光栅形成在包括低温多晶硅层和从栅绝缘层、层间介电层和第一钝化层中选择的至少一层的多层中。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的像素结构，其中，每一个子像素包括依次形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极和钝化层。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其中，所述亚波长光栅形成在有源层和/或栅绝缘层中。
8.一种阵列基板，包括根据权利要求1-7中任一项所述的像素结构。
9.一种显示装置，包括根据权利要求8所述的阵列基板、背光单元和液晶单元。
10.一种像素结构的制造方法，包括：
在基板上形成成阵列排列的多个子像素，每一个子像素都包括显示区域和非显示区域；
在每个子像素的非显示区域内形成薄膜晶体管；和
在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅，以透过预定波长范围的光。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，在基板上形成成阵列排列的多个子像素的步骤包括：在基板上形成成阵列排列的至少3个子像素，并且，
其中，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：在至少3个子像素中的每一个子像素的显示区域内形成亚波长光栅，
其中，每一个子像素的显示区域内形成的亚波长光栅的周期和/或间距彼此不相同，以分别透过不同的预定波长范围的光。
12.根据权利要求10或11所述的制造方法，还包括如下步骤：在基板上依次形成低温多晶硅层、源漏极、栅绝缘层、栅极、层间介电层、第一钝化层和平坦化层。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：
在每个子像素的显示区域内的低温多晶硅层中形成亚波长光栅；
在形成有亚波长光栅的低温多晶硅层上沉积牺牲层；
移除位于光栅间隙之外的牺牲层；
在具有牺牲层的低温多晶硅层上沉积栅绝缘层；和
通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙中的牺牲层，
或者，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：
在每个子像素的显示区域内的低温多晶硅层、栅绝缘层、层间介电层和第一钝化层中形成亚波长光栅；
在形成有亚波长光栅的第一钝化层上沉积牺牲层；
移除位于光栅间隙之外的牺牲层；
在具有牺牲层的第一钝化层上沉积平坦化层；和
通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙中的牺牲层。
14.根据权利要求10或11所述的制造方法，还包括如下步骤：在基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极和钝化层。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，在每个子像素的显示区域内形成亚波长光栅的步骤包括：
在每个子像素的显示区域内的有源层中形成亚波长光栅；
在形成有亚波长光栅的有源层上沉积牺牲层；
移除位于光栅间隙之外的牺牲层；
在具有部分牺牲层的有源层上沉积钝化层；和
通过刻蚀工艺移除位于光栅间隙中的牺牲层。
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