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CN105813379A - 附载体铜箔、积层体、印刷配线板、及印刷配线板的制造方法 - Google Patents

附载体铜箔、积层体、印刷配线板、及印刷配线板的制造方法 Download PDF

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CN105813379A
CN105813379A CN201610041580.8A CN201610041580A CN105813379A CN 105813379 A CN105813379 A CN 105813379A CN 201610041580 A CN201610041580 A CN 201610041580A CN 105813379 A CN105813379 A CN 105813379A
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CN
China
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layer
ultra
thin copper
jisb0601
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Application number
CN201610041580.8A
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三好良幸
古曳伦也
石井雅史
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JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
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Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
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Abstract

本发明涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板、及印刷配线板的制造方法。具体提供一种附载体铜箔，其在通过将附载体铜箔积层在树脂基板上而制作成的积层体中，能够将超薄铜层从载体良好地剥离。一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及超薄铜层的附载体铜箔，且在依据JIS B0601-1994利用激光显微镜对载体的与超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，表面的十点平均粗糙度Rz为6.0μm以下。

Description

附载体铜箔、积层体、印刷配线板、及印刷配线板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板、及印刷配线板的制造方法。
背景技术
印刷配线板在整整这个半世纪取得较大发展，现如今甚至用在几乎所有电子设备。近年来，随着电子设备的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化及信号的高频化不断发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)及支持高频等，尤其是在印刷配线板上载置IC芯片的情况下，要求L(线)/S(空间)＝20μm/20μm以下的微间距化。
印刷配线板首先是作为覆铜积层体而制造，所述覆铜积层体是将铜箔与以玻璃环氧基板、BT树脂、聚酰亚胺膜等为主的绝缘基板贴合而成。贴合可使用使绝缘基板与铜箔重叠并进行加热加压而形成的方法(层压法)，或者将作为绝缘基板材料的前驱物的清漆涂布在铜箔的具有被覆层的面上并进行加热固化的方法(浇铸法)。
伴随微间距化，箔厚越来越薄，比如覆铜积层体中所使用的铜箔的厚度也变为9μm，进而变为5μm以下等。但是，如果箔厚变为9μm以下，那么利用所述层压法或浇铸法形成覆铜积层体时的操作性极度悪化。因此，出现了将具有厚度的金属箔用作载体，且在该载体上隔着剥离层而形成有超薄铜层的附载体铜箔。作为附载体铜箔的常用方法，如专利文献1等所揭示般，在使超薄铜层的表面贴合于树脂基板并进行热压接之后，经由剥离层将载体剥离。
在使用附载体铜箔的印刷配线板的制作中，附载体铜箔的典型的使用方法如下：首先，在将附载体铜箔从超薄铜层侧积层在树脂基板上之后，将载体从超薄铜层剥离。其次，在将载体剥除而露出的超薄铜层上设置由光固化性树脂形成的抗镀敷剂。其次，对抗镀敷剂的指定区域进行曝光，由此使该区域固化。继而，在将非曝光区域的未固化的抗镀敷剂除去之后，在该阻剂除去区域设置电解镀敷层。其次，通过将已固化的抗镀敷剂除去而获得形成有电路的树脂基板，使用该树脂基板制作印刷配线板。
[先前技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2006-022406号公报
发明内容
[发明所欲解决之课题]
作为使用附载体铜箔的印刷配线板的制造方法，存在如下方法(埋入·增层法)，即，如上所述，一般在将附载体铜箔从超薄铜层侧积层在树脂基板上之后，将载体从超薄铜层剥离，但并非在附载体铜箔的超薄铜层侧而是在载体侧表面设置树脂基板，在超薄铜层侧表面形成电路镀敷层，以覆盖该已形成的电路镀敷层的方式(以埋没电路镀敷层的方式)在超薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，在该树脂层上进而设置铜层而制作积层体(图1)。另外，存在如下方法(增层法)，即，并非在附载体铜箔的超薄铜层侧而是在载体侧表面设置树脂基板，在超薄铜层侧表面至少设置一次以上的树脂层及电路而制作积层体。
需要将积层体的超薄铜层从载体良好地剥离，但在利用这种方法而形成的积层体中存在如下问题，即，超薄铜层与载体之间的剥离强度明显变大，从而难以将超薄铜层从载体良好地剥离。
因此，本发明的课题在于提供一种在通过将附载体铜箔积层在树脂基板上而制作成的积层体中，能够将超薄铜层从载体良好地剥离的附载体铜箔。
[解决问题之技术手段]
为了达成所述目的，本发明者们在反复进行深入研究之后着眼于如下点，即，对于具有在载体侧设置有树脂基板的构成的积层体，对该载体表面进行粗糙化处理以用于与树脂基板良好地贴合。而且，发现根据该载体的与树脂基板的贴合面侧的粗糙化处理的程度，该表面的粗糙度变大，积层体中的超薄铜层从载体剥离的强度显著变大。而且，发现通过对载体的与树脂基板的贴合面侧，即载体的与形成有超薄铜层的表面为相反侧的表面粗糙度进行控制，能够将超薄铜层从载体良好地剥离。
本发明是以所述见解为基础而完成的发明，在一态样中，本发明是一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及超薄铜层的附载体铜箔，且在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为6.0μm以下。
在另一态样中，本发明是一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及超薄铜层的附载体铜箔，且在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下。
在进而又一态样中，本发明是一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、及超薄铜层的附载体铜箔，且在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为0.9μm以上。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.12μm以上。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.1μm以上。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面形成有粗糙化处理层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在形成在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面的粗糙化处理层上，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，形成在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面的粗糙化处理层是由单体或合金所组成的层，所述单体是选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群的任一种单体，所述合金含有任一种以上的所述单体。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，形成在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面的粗糙化处理层是使用硫酸·硫酸铜电解浴而形成，所述硫酸·硫酸铜电解浴含有选自由硫酸烷基酯盐、钨及砷所组成的群的一种以上。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面未形成粗糙化处理层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在所述超薄铜层表面形成有粗糙化处理层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，形成在所述超薄铜层表面的粗糙化处理层是由单体或合金所组成的层，所述单体是选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群的任一种单体，所述合金含有任一种以上的所述单体。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在形成在所述超薄铜层表面的粗糙化处理层的表面具备树脂层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在形成在所述超薄铜层表面的粗糙化处理层的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在如下的一种以上的层上具备树脂层，所述层为设置在形成在所述超薄铜层表面上的粗糙化处理层的表面，且选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，在所述超薄铜层表面具备树脂层。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，所述树脂层为粘接用树脂。
本发明的附载体铜箔在进而又一实施方式中，所述树脂层为半固化状态的树脂。
在进而又一态样中，本发明是一种积层体，其是使用本发明的附载体铜箔制造而成。
在进而又一态样中，本发明是一种积层体，其是包含本发明的附载体铜箔及树脂的积层体，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。
在进而又一态样中，本发明是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜箔制造而成。
在进而又一态样中，本发明是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，经过将所述附载体铜箔的载体剥除的步骤而形成覆铜积层体，
其后，利用半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中任一种方法而形成电路。
在进而又一态样中，本发明是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
在本发明的附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成电路；
以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成树脂层；
在所述树脂层上形成电路；
于在所述树脂层上形成电路之后，使所述载体剥离；及
在使所述载体剥离之后将所述超薄铜层除去，由此使形成在所述超薄铜层侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。
在进而又一态样中，
本发明是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
将本发明的附载体铜箔从所述载体侧积层在树脂基板；
在所述附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成电路；
以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成树脂层；
在所述树脂层上形成电路；
于在所述树脂层上形成电路之后，使所述载体剥离；及
在使所述载体剥离之后将所述超薄铜层除去，由此使形成在所述超薄铜层侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。
在进而又一态样中，本发明是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
将本发明的附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层；
在所述附载体铜箔的与和树脂基板积层的侧为相反侧的超薄铜层侧表面或所述载体侧表面，至少一次设置树脂层与电路这2层；及
在形成所述树脂层及电路这2层之后，使所述载体或所述超薄铜层从所述附载体铜箔剥离。
在进而又一态样中，本发明是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
将本发明的附载体铜箔的所述载体侧表面与树脂基板积层；
在所述附载体铜箔的超薄铜层侧表面，至少一次设置树脂层与电路这2层，所述附载体铜箔的超薄铜层侧表面与和树脂基板积层的侧为相反侧；及
在形成所述树脂层及电路这2层之后，使所述载体从所述附载体铜箔剥离。
在进而又一态样中，本发明是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
在本发明的积层体的任一方或两方的面，至少一次设置树脂层与电路这2层；及
在形成所述树脂层及电路这2层之后，使所述载体或所述超薄铜层从构成所述积层体的附载体铜箔剥离。
[发明效果]
根据本发明，可提供一种附载体铜箔，其在通过将附载体铜箔积层在树脂基板上而制作成的积层体中，能够将超薄铜层从载体良好地剥离。
附图说明
图1是利用埋入·增层法而形成的积层体的剖面示意图。
图2：A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的直到电路镀敷·阻剂除去为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图3：D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从树脂及第2层附载体铜箔积层到激光开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图4：G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从填孔形成到第1层的载体剥离为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图5：J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从快速蚀刻到凸块·铜柱形成为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
具体实施方式
<附载体铜箔>
本发明的附载体铜箔依序具有载体、中间层、及超薄铜层。附载体铜箔本身的使用方法为业者所周知，例如，将超薄铜层的表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布与纸的复合基材环氧树脂、玻璃布与玻璃无纺布的复合基材环氧树脂、及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板，在热压接后将载体剥除，并将粘接于绝缘基板的超薄铜层蚀刻成作为目标的导体图案，最后可制造出积层体(覆铜积层体等)、或印刷配线板等。
<载体>
能够用于本发明的载体典型为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCD膜的形态提供。
能够用于本发明的载体典型为以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般来讲，电解铜箔是从硫酸铜镀浴中将铜电解析出在钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箔是重复进行利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除精铜(JISH3100合金编号C1100)或无氧铜(JISH3100合金编号C1020或JISH3510合金编号C1011)等高纯度的铜以外，也可使用例如添加有Sn的铜、添加有Ag的铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。从导电率较高的方面考虑，载体优选电解铜箔或压延铜箔，进而从制造成本较低及更易于控制载体侧表面的粗糙度的方面考虑，载体更优选电解铜箔。而且，当在本说明书中单独使用词语“铜箔”时，也包括铜合金箔。
能够用于本发明的载体的厚度也不特别限制，只要适当调节为在发挥作为载体的作用上合适的厚度即可，例如可设定为12μm以上。但是，如果过厚，那么生产成本变高，因此一般来讲，优选设定为35μm以下。从而，载体的厚度典型为12～300μm，更典型为12～150μm，进而典型为12～70μm，更典型为18～35μm。
<载体表面的粗糙度>
于一面在附载体铜箔的载体侧表面设置树脂基板并予以支撑，一面在超薄铜层侧一次以上设置电路及电路埋入用等的树脂层而形成积层体的增层法等中，载体的与超薄铜层为相反侧的表面的粗糙度会对该积层体的超薄铜层与载体的剥离强度造成影响。其理由被认为是例如如果载体的与超薄铜层为相反侧的表面的粗糙度大于指定值，那么于在该载体隔着中间层形成超薄铜层时会对中间层造成一些影响而增大剥离强度。虽然其理由尚不明确，但是存在受如下情况影响的可能性，即，通过载体的与超薄铜层为相反侧的表面的粗糙度大于指定值而会使载体的与超薄铜层为相反侧的表面的电流流动的路径变长，由此在该表面难以流动电流，因此，在载体的超薄铜层侧表面，即在中间层、超薄铜层相比于以往更易于较多地流通电流。另外，在附载体铜箔的制作过程中，即便载体的与超薄铜层为相反侧的表面的粗糙度较小，当在形成附载体铜箔之后，例如为了使所述附载体铜箔与树脂基板良好地粘接而对载体的与超薄铜层为相反侧的表面实施粗糙化处理直到粗糙度大于指定值为止时，剥离强度也同样会变大。其原因被认为是在该粗糙化处理步骤中，在中间层流动与形成超薄铜层时的电流的方向相反的方向的电流(逆电流)。
从这样的观点来讲，在本发明的附载体铜箔中，当依据JISB0601-1994利用激光显微镜对载体的与超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz被控制在6.0μm以下。如果载体的与超薄铜层为相反侧的表面的十点平均粗糙度Rz为6.0μm以下，那么能够抑制超薄铜层从载体的剥离强度，从而使超薄铜层从载体良好地剥离。Rz优选为5.0μm以下，更优选为4.0μm以下，更优选为3.5μm以下。但是，如果Rz过小，那么与树脂基板的密接力降低，因此优选为0.9μm以上，优选为1.0μm以上，优选为1.1μm以上，更优选为1.5μm以上，进而更优选为2.0μm以上。
另外，本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，当依据JISB0601-1994利用激光显微镜对载体的与超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra被控制在1.0μm以下。如果载体的与超薄铜层为相反侧的表面的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下，那么能够抑制超薄铜层从载体的剥离强度，从而使超薄铜层从载体良好地剥离。Ra优选为0.8μm以下，更优选为0.7μm以下，更优选为0.6μm以下。但是，如果Ra过小，那么与树脂基板的密接力降低，因此优选为0.12μm以上，优选为0.15μm以上，更优选为0.2μm以上，更优选为0.22μm以上，进而更优选为0.3μm以上。
另外，在本发明的附载体铜箔的进而又一实施方式中，当依据JISB0601-2001利用激光显微镜对载体的与超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt被控制在7.0μm以下。如果载体的与超薄铜层为相反侧的表面的最大剖面高度Rt为7.0μm以下，那么能够抑制超薄铜层从载体的剥离强度，从而使超薄铜层从载体良好地剥离。Rt优选为6.0μm以下，更优选为5.0μm以下，更优选为4.0μm以下。但是，如果Rt过小，那么与树脂基板的密接力降低，因此优选为1.1μm以上，优选为1.2μm以上，优选为1.3μm以上，更优选为1.5μm以上，进而更优选为2.0μm以上。
而且，在本发明中，所述载体的与超薄铜层为相反侧的表面的粗糙度(Rz、Ra、Rt)在形成有下述粗糙化处理层时表示该粗糙化处理层表面的粗糙度，于在该粗糙化处理层表面进而形成有下述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及/或硅烷偶合处理层时表示该等中最表层的表面的粗糙度。另外，于在载体未形成粗糙化处理层而直接形成有耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及/或硅烷偶合处理层时，也表示该等中最表层的表面的粗糙度。
<中间层>
在载体上设置中间层。也可在载体与中间层之间设置其他层。本发明中所使用的中间层只要为如下构成便不特别限定，即，在附载体铜箔向绝缘基板上积层的步骤之前，超薄铜层难以从载体剥离，另一方面，在附载体铜箔向绝缘基板上积层的步骤之后，超薄铜层能够从载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层也可含有选自如下群的一种或两种以上，所述群是由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、该等的合金、该等的水合物、该等的氧化物及有机物所组成。另外，中间层也可为多层。
另外，例如，中间层可通过如下方式构成，即，从载体侧形成单一金属层或合金层，并在其上形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群的一种或两种以上元素的水合物、氧化物或有机物的层，所述单一金属层由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群的一种元素所组成，所述合金层由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群的一种或两种以上元素所组成。
另外，例如，中间层可通过如下方式构成，即，从载体侧形成由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群中任一种元素所组成的单一金属层，或者由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群的一种以上元素所组成的合金层、或有机物层，其次利用由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群中任一种元素所组成的单一金属层、或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群的一种以上元素所组成的合金层而构成。另外，其他层也可使用能够作为中间层而使用的层构成。
另外，例如，中间层可通过在载体上依序积层有镍层、镍-磷合金层或镍-钴合金层、含铬层而构成。镍与铜的粘接力高于铬与铜的粘接力，因此在将超薄铜层剥离时，在超薄铜层与铬的界面进行剥离。另外，对于中间层的镍期待防止铜成分从载体向超薄铜层扩散的障壁效果。中间层的镍的附着量优选为100μg/dm2以上40000μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上4000μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上2500μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2，中间层的铬的附着量优选为5μg/dm2以上500μg/dm2以下，更优选为5μg/dm2以上100μg/dm2以下。
含铬层既可为镀铬层，也可为镀铬合金层，还可为铬酸盐处理层。此处所谓的铬酸盐处理层是指利用含有铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体进行了处理的层。铬酸盐处理层也可含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举利用铬酸酐或二铬酸钾水溶液进行了处理的铬酸盐处理层、或利用含有铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液进行了处理的铬酸盐处理层等。
本发明的附载体铜箔的中间层是在载体上依序积层镍层或含有镍的合金层、以及包含含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中任一种化学物的有机物层而构成，中间层的镍的附着量也可为100～40000μg/dm2。
另外，例如，作为中间层所含有的有机物，优选为使用由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上所组成化学物的有机物。在含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中，含氮有机化合物包括具有取代基的含氮有机化合物。作为具体的含氮有机化合物，优选为使用具有取代基的三唑化合物，比如1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(甲基苯并三唑)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有机化合物优选为使用巯基苯并噻唑、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作为羧酸，尤其优选为使用单羧酸，其中，优选为使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。
所述有机物优选为具有8nm以上80nm以下的厚度，更优选为具有30nm以上70nm以下的厚度。中间层也可包含多种(一种以上)所述有机物。
另外，有机物的厚度可按照以下方式进行测定。
<中间层的有机物厚度>
在将附载体铜箔的超薄铜层从载体剥离之后，对露出的超薄铜层的中间层侧的表面、及露出的载体的中间层侧的表面进行XPS测定并制作深度分布图。而且，可将从超薄铜层的中间层侧的表面起碳浓度最先变为3at％以下的深度设为A(nm)，将从载体的中间层侧的表面起碳浓度最先变为3at％以下的深度设为B(nm)，将A与B的合计作为中间层的有机物的厚度(nm)。
以下表示XPS的运转条件。
·装置：XPS测定装置(ULVAC-PHI公司，型号5600MC)
·极限真空：3.8×10-7Pa
·X射线：单色AlKα或非单色MgKα，X射线功率300W，检测面积800μmφ，试样与检测器所成的角度45°
·离子束：离子种Ar+，加速电压3kV，扫描面积3mm×3mm，溅镀速率2.8nm/min(SiO2换算)
以下，一面对中间层所含有的有机物的使用方法进行说明，一面也对在载体箔上形成中间层的方法进行叙述。在载体上形成中间层是可使所述有机物溶解在溶剂中并使载体浸渍在该溶剂中，或者对想要形成中间层的面使用喷淋、喷雾法、滴液法、电镀法等而进行，不必采用特别限定的方法。此时溶剂中的有机系剂的浓度在所有所述有机物中，均优选为浓度0.01g/L～30g/L、液温20～60℃的范围。有机物的浓度并不特别限定，原本浓度就既可高也可低。而且，存在如下倾向，即，有机物的浓度越高，且使所述有机物溶解的溶剂与载体的接触时间越长，则中间层的有机物厚度越大。
另外，例如，中间层可通过在载体上依序积层镍及钼、钴、或钼-钴合金而构成。镍与铜的粘接力高于钼或钴与铜的粘接力，因此在将超薄铜层剥离时，在超薄铜层与钼、钴、或钼-钴合金的界面进行剥离。另外，对于中间层的镍期待防止铜成分从载体向超薄铜层扩散的障壁效果。
在中间层中，镍的附着量为100～40000μg/dm2，钼的附着量为10～1000μg/dm2，钴的附着量为10～1000μg/dm2。如上所述，在本发明的附载体铜箔中，将超薄铜层从附载体铜箔剥离之后的超薄铜层的表面的Ni量受到了控制，但为了如此地控制剥离后的超薄铜层表面的Ni量，优选为使中间层包含如下金属种(Co、Mo)，所述金属种能够减少中间层的Ni附着量，并且抑制Ni向超薄铜层侧扩散。从这种观点来讲，镍附着量优选设定为100～40000μg/dm2，优选设定为200～20000μg/dm2，更优选设定为300～15000μg/dm2，更优选设定为300～10000μg/dm2。在中间层含有钼的情况下，钼附着量优选设定为10～1000μg/dm2，钼附着量优选设定为20～600μg/dm2，更优选设定为30～400μg/dm2。在中间层含有钴的情况下，钴附着量优选设定为10～1000μg/dm2，钴附着量优选设定为20～600μg/dm2，更优选设定为30～400μg/dm2。
而且，如上所述，在中间层是在载体上依序积层镍及钼、钴或钼-钴合金而成的情况下，存在如下倾向，即，如果降低用来设置钼、钴或钼-钴合金层的镀敷处理中的电流密度且放慢载体的搬送速度，那么钼、钴或钼-钴合金层的密度变高。如果含有钼及/或钴的层的密度变高，那么镍层的镍变得难以扩散，从而能够控制剥离后的超薄铜层表面的Ni量。
而且，中间层可通过对载体进行如电镀、无电解镀敷及浸镀的湿式镀敷、或如溅镀、CVD、PVD的干式镀敷而设置。而且，在使用树脂膜，利用湿式镀敷在载体上设置中间层的情况下，需要在形成中间层之前，进行活化处理等用来对载体进行湿式镀敷的预处理。所述预处理只要是能够对树脂膜进行湿式镀敷的处理，便可使用任何处理，可使用公知的处理。
<打底镀敷>
在中间层上设置超薄铜层。在此之前为了减少超薄铜层的空隙，也可使用铜-磷合金进行打底镀敷。关于打底镀敷，可列举焦磷酸铜镀液等。
<超薄铜层>
在中间层上设置超薄铜层。而且，也可在中间层与超薄铜层之间设置其他层。超薄铜层可利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等电解浴，通过电镀而形成，基于能够在普通的电解铜箔中使用且能够以高电流密度形成铜箔的原因，优选为硫酸铜浴。超薄铜层的厚度并不特别限制，一般来讲，比载体薄，例如为12μm以下。典型为0.05～12μm，更典型为0.1～12μm，为0.5～12μm，更典型为1.5～5μm，更典型为2～5μm。另外，其他层也可使用能够作为中间层而使用的构成的层。
<载体表面、超薄铜层表面的粗糙化处理>
在载体的与超薄铜层侧为相反侧的表面，也可为了例如使与树脂基板的密接性良好等，而通过实施粗糙化处理设置粗糙化处理层。根据这种构成，在进行将本发明的附载体铜箔从载体侧积层于树脂基板上的处理时，载体与树脂基板的密接性提高，在印刷配线板的制造步骤中，载体与树脂基板难以剥离。
另外，在载体的与超薄铜层侧为相反侧的表面，也可不形成粗糙化处理层。于在载体的与超薄铜层侧为相反侧的表面未形成粗糙化处理层的情况下，存在易于控制载体与超薄铜层的剥离强度的优点。
另外，在超薄铜层的表面，也可为了例如使与绝缘基板的密接性良好等，而通过实施粗糙化处理来设置粗糙化处理层。
而且，在本发明中，形成有粗糙化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层等表面处理层或者未形成粗糙化处理层的“载体的与超薄铜层为相反侧的表面”，只要是关于载体且位于与超薄铜层为相反侧的表面则不特别限定，例如，也可为该载体本身的表面，当在载体的与超薄铜层为相反侧形成有表面处理层时，也可为该表面处理层的任一层的表面(也含括最表层的表面)。
对所述载体或超薄铜层实施的粗糙化处理能够通过利用例如铜或铜合金形成粗糙化粒子而进行。粗糙化处理也可较为微细。粗糙化处理层也可为由单体或合金所组成的层，所述单体是选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群的任一种单体，所述合金含有任一种以上的所述单体。另外，也可进行如下粗糙化处理，即，在利用铜或铜合金形成粗糙化粒子之后，进而利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等设置二次粒子或三次粒子。另外，粗糙化处理层也可使用硫酸·硫酸铜电解浴而形成，所述硫酸·硫酸铜电解浴含有选自由硫酸烷基酯盐、钨及砷所组成的群的一种以上。该粗糙化处理可在以下电解浴及条件下进行。另外，在粗糙化处理之后，为了防止粗糙化处理粒子的脱落，也可进行覆盖镀敷。
·粗糙化处理
(液体组成)
Cu：10～30g/L
H2SO4：10～150g/L
W：0～50mg/L
十二烷基硫酸钠：0～50mg/L
As：0～200mg/L
(电镀条件)
温度：30～70℃
电流密度：25～110A/dm2
粗糙化库仑量：50～500As/dm2
镀敷时间：0.5～20秒
·覆盖镀敷
(液体组成)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件)
温度：30～70℃
电流密度：5～50A/dm2
粗糙化库仑量：50～300As/dm2
镀敷时间：1～60秒
其后，既可利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，也可进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者，也可不进行粗糙化处理，而利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即，既可在粗糙化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层，也可在载体或超薄铜层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。而且，所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层也可分别由多层(例如2层以上、3层以上等)形成。而且，该等表面处理对载体及超薄铜层的表面粗糙度几乎没有影响。
粗糙化处理能够通过利用例如铜或铜合金形成粗糙化粒子而进行。从形成微间距的观点来讲，粗糙化处理层优选为由微细的粒子构成。关于形成粗糙化粒子时的电镀条件，存在如下倾向，即，如果提高电流密度，降低镀液中的铜浓度，或者加大库仑量，那么粒子微细化。
<印刷配线板及积层体>
将附载体铜箔例如从超薄铜层侧贴附于绝缘树脂板上，使所述附载体铜箔与所述绝缘树脂板热压接，然后将载体剥除，由此制作积层体(覆铜积层体等)。另外，其后，可通过对超薄铜层部分进行蚀刻而形成印刷配线板的铜电路。此处所使用的绝缘树脂板只要具有能够应用于印刷配线板的特性，便不特别地受到限制，例如，在刚性PWB用中，可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布与纸的复合基材环氧树脂、玻璃布与玻璃无纺布的复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，在FPC中，可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜等。以此方式制作成的印刷配线板、积层体能够搭载在被要求高密度安装搭载零件的各种电子零件上。
而且，在本发明中，“印刷配线板”也包括安装有零件的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。使用这种印刷配线板，也能够制造电子设备。而且，在本发明中，“铜电路”也包括铜配线。
另外，附载体铜箔既可在超薄铜层上具备粗糙化处理层，也可在所述粗糙化处理层上具备选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
另外，既可在所述超薄铜层上具备粗糙化处理层，且在所述粗糙化处理层上具备耐热层、防锈层，也可在所述耐热层、防锈层上具备铬酸盐处理层，还可在所述铬酸盐处理层上具备硅烷偶合处理层。
另外，所述附载体铜箔也可在所述超薄铜层上、所述粗糙化处理层上、或者所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、或硅烷偶合处理层上具备树脂层。
所述树脂层既可为粘接剂，也可为粘接用的半固化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓的半固化状态(B阶段状态)包括如下状态，即，即便用手指触摸其表面也没有粘着感，可使该绝缘树脂层重叠而加以保管，进而如果受到加热处理，那么会发生固化反应。
而且，所述树脂层既可包含热固化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可包含热塑性树脂。所述树脂层可包含公知的树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。另外，所述树脂层亦可使用例如国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号中所记载的物质(树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。
另外，所述树脂层的种类并不特别限定，作为优选树脂可列举例如包含选自如下群的一种以上的树脂，所述群是由环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨酯树脂(urethaneresin)、聚醚砜(polyethersulphone)、聚醚砜(polyethersulphone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有能够交联的官能团的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰氧基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧、聚合物环氧、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚物聚酰亚胺树脂及氰酯树脂所组成。
另外，所述环氧树脂是在分子内具有2个以上环氧基的环氧树脂，只要能够用在电气·电子材料用途，便可毫无问题地进行使用。另外，所述环氧树脂优选为使用在分子内具有2个以上环氧丙基的化合物进行环氧化而获得的环氧树脂。另外，可将选自如下群的一种或两种以上成分混合而使用，或者可使用所述环氧树脂的氢化体或卤化体，所述群是由双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、三缩水甘油基异氰尿酸酯、N,N-二缩水甘油基等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油基酯等缩水甘油酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基型环氧树脂所组成。
作为所述含磷的环氧树脂，可使用公知的含有磷的环氧树脂。另外，所述含磷的环氧树脂优选为例如在分子内具备2个以上环氧基的、作为来自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物而获得的环氧树脂。
(树脂层包含介电体(介电体填料)的情况)
所述树脂层也可包含介电体(介电体填料)。
在使所述任一树脂层或树脂组成物包含介电体(介电体填料)的情况下，可用来形成电容层，而使电容电路的电容增大。该介电体(介电体填料)可使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的介电体粉末。
将所述树脂层中所包含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解在例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤剂、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而形成树脂液(树脂清漆)，利用例如辊式涂布法等将所述树脂液涂布在所述附载体铜箔的超薄铜层侧的表面，继而视需要进行加热干燥而将溶剂除去，从而形成B阶段状态。在干燥中只要使用例如热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃，优选为130～200℃即可。也可使用溶剂将所述树脂层的组成物溶解而形成树脂固形物成分为3wt％～70wt％、优选为3wt％～60wt％、优选为10wt％～40wt％、更优选为25wt％～40wt％的树脂液。另外，从环保角度来讲，目前最优选为使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。而且，作为溶剂优选为使用沸点处于50℃～200℃范围内的溶剂。
另外，所述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量处于5％～35％范围内的半固化树脂膜。
在本发明的说明书中，所谓的树脂溢流量是从如下般测定树脂流出重量所获得的结果，基于下述式进行计算而得到的值，即依据MIL标准中的MIL-P-13949G，从使树脂厚度为55μm的附树脂表面处理铜箔取样4片10cm见方试样，将该4片试样以重叠的状态(积层体)在压制温度171℃、压制压力14kgf/cm2、压制时间10分钟的条件下进行贴合，测定此时的树脂流出重量。
具备所述树脂层的表面处理铜箔(附树脂表面处理铜箔)是以如下样态使用，即，在使该树脂层与基材重叠之后对整体进行热压接而使该树脂层热固化，其后在表面处理铜箔为附载体铜箔的超薄铜层的情况下，将载体剥离，使超薄铜层露出(当然露出的是该超薄铜层的中间层侧的表面)，从表面处理铜箔的与经过粗糙化处理的侧为相反侧的表面形成指定的配线图案。
如果使用该附树脂表面处理铜箔，那么能够减少制造多层印刷配线基板时所使用的预浸料材的片数。而且，能够使树脂层的厚度为足以确保层间绝缘的厚度，即便完全不使用预浸料材也能够制造覆铜积层体。而且，此时，也可在基材的表面底层涂布绝缘树脂，进而改善表面的平滑性。
而且，在不使用预浸料材的情况下，存在如下优点，即，节约了预浸料材的材料成本，且使积层步骤也变得简略，因此在经济上较为有利，而且，按照预浸料材的厚度而制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，能够制造出一层的厚度为100μm以下的超薄的多层印刷配线基板。
该树脂层的厚度优选为0.1～500μm，更优选为0.1～300μm，更优选为0.1～200μm，更优选为0.1～120μm。
如果树脂层的厚度比0.1μm薄，那么存在如下情况，即，粘接力降低，当不隔着预浸料材而将该附树脂附载体铜箔积层在具备内层材的基材上时，难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘。另一方面，如果使树脂层的厚度比120μm厚，那么存在如下情况，即，难以通过一次涂布步骤便形成目标厚度的树脂层，而耗费多余的材料费与步骤数，因此在经济上变得不利。
另外，在使用具有树脂层的附载体铜箔来制造超薄的多层印刷配线板的情况下，基于能够缩小多层印刷配线板的厚度的理由，将所述树脂层的厚度设定为0.1μm～5μm，更优选设定为0.5μm～5μm，更优选设定为1μm～5μm。
而且，在将所述树脂层的厚度设定为0.1μm～5μm的情况下，为了提高树脂层与附载体铜箔的密接性，优选为于在超薄铜层上设置耐热层及/或防锈层及/或铬酸盐处理层及/或硅烷偶合处理层之后，在该耐热层、或防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶合处理层上形成树脂层。
而且，所述树脂层的厚度是指在任意10点通过剖面观察测定出的厚度的平均值。
进而，作为该附树脂附载体铜箔的另一种产品形态，也可在所述超薄铜层上，或在所述粗糙化处理层、所述耐热层、所述防锈层、或所述铬酸盐处理层、或所述硅烷偶合处理层上利用树脂层而进行覆盖，在形成为半固化状态之后，继而将载体剥离，从而以不存在载体的附树脂铜箔的形式进行制造。
<印刷配线板的制造方法>
在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；以及在以超薄铜层侧与绝缘基板对向的方式将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除，经过该步骤而形成覆铜积层体，其后，利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法而形成电路。绝缘基板也可设定为包含内层电路的基板。
在本发明中，所谓的半加成法是指如下方法，即，在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行较薄的无电解镀敷，在形成图案之后，使用电镀及蚀刻形成导体图案。
从而，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥除所述载体而露出的超薄铜层全部除去；
在通过蚀刻将所述超薄铜层除去而露出的所述树脂上设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；
在包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；
在所述无电解镀敷层上设置抗镀敷剂；
对所述抗镀敷剂进行曝光，其后将形成有电路的区域的抗镀敷剂除去；
在已除去所述抗镀敷剂且形成有所述电路的区域设置电解镀敷层；
将所述抗镀敷剂除去；及
通过快速蚀刻等将位于形成有所述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层除去。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥除所述载体而露出的超薄铜层全部除去；
在通过蚀刻将所述超薄铜层除去而露出的所述树脂的表面设置无电解镀敷层；
在所述无电解镀敷层上设置抗镀敷剂；
对所述抗镀敷剂进行曝光，其后将形成有电路的区域的抗镀敷剂除去；
在已除去所述抗镀敷剂且形成有所述电路的区域设置电解镀敷层；
将所述抗镀敷剂除去；及
通过快速蚀刻等，将位于形成有所述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及超薄铜层除去。
在本发明中，所谓的改良型半加成法是指如下方法，即，在绝缘层上积层金属箔，利用抗镀敷剂来保护非电路形成部，在利用电解镀敷在电路形成部镀上厚铜之后，将阻剂除去，利用(快速)蚀刻将所述电路形成部以外的金属箔除去，由此在绝缘层上形成电路。
从而，在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除；
在将所述载体剥除而露出的超薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域，设置无电解镀敷层；
在将所述载体剥除而露出的超薄铜层表面设置抗镀敷剂；
在设置所述抗镀敷剂之后，通过电解镀敷而形成电路；
将所述抗镀敷剂除去；及
通过快速蚀刻将除去所述抗镀敷剂而露出的超薄铜层除去。
在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除；
在将所述载体剥除而露出的超薄铜层上设置抗镀敷剂；
对所述抗镀敷剂进行曝光，其后将形成有电路的区域的抗镀敷剂除去；
在已除去所述抗镀敷剂且形成有所述电路的区域设置电解镀敷层；
将所述抗镀敷剂除去；及
通过快速蚀刻等，将位于形成有所述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及超薄铜层除去。
在本发明中，所谓的部分加成法是指如下方法，即，在设置有导体层而形成的基板、根据需要穿设有通孔或导通孔用的孔而形成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，在根据需要设置阻焊剂层或抗镀敷剂之后，在所述导体电路上、通孔或导通孔等，通过无电解镀敷处理进行加厚，由此制造印刷配线板。
从而，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除；
在将所述载体剥除而露出的超薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；
在将所述载体剥除而露出的超薄铜层表面设置抗蚀剂；
对所述抗蚀剂进行曝光而形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述超薄铜层及所述催化剂核除去而形成电路；
将所述抗蚀剂除去；
在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将所述超薄铜层及所述催化剂核除去而露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂层或抗镀敷剂；及
在未设置所述阻焊剂层或抗镀敷剂的区域设置无电解镀敷层。
在本发明中，所谓的减成法是指如下方法，即，通过蚀刻等选择性地将覆铜积层体上的铜箔的无用部分除去而形成导体图案。
从而，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除；
在将所述载体剥除而露出的超薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；
在所述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；
在所述电解镀敷层或/及所述超薄铜层的表面设置抗蚀剂；
对所述抗蚀剂进行曝光而形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述超薄铜层及所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层除去而形成电路；及
将所述抗蚀剂除去。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥除；
在将所述载体剥除而露出的超薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；
在所述无电解镀敷层的表面形成掩模；
在未形成掩模的所述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；
在所述电解镀敷层或/及所述超薄铜层的表面设置抗蚀剂；
对所述抗蚀剂进行曝光，而形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述超薄铜层及所述无电解镀敷层除去而形成电路；及
将所述抗蚀剂除去。
也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。
此处，使用附图详细地对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行说明。
首先，如图2-A所示，准备具有表面形成有粗糙化处理层的超薄铜层的附载体铜箔(第1层)。
其次，如图2-B所示，在超薄铜层的粗糙化处理层上涂布阻剂，进行曝光与显影而将阻剂蚀刻为指定的形状。
其次，如图2-C所示，在形成电路用的镀敷之后，将阻剂除去，由此形成指定形状的电路镀敷层。
其次，如图3-D所示，以覆盖电路镀敷层的方式(以埋没电路镀敷层的方式)在超薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而使其他附载体铜箔(第2层)从超薄铜层侧粘接。
其次，如图3-E所示，将载体从第2层附载体铜箔剥除。
其次，如图3-F所示，在树脂层的指定位置进行激光开孔，使电路镀敷层露出而形成盲孔。
其次，如图4-G所示，在盲孔中埋入铜而形成填孔。
其次，如图4-H所示，在填孔上，如所述图2-B及图2-C所示形成电路镀敷层。
其次，如图4-I所示，将载体从第1层附载体铜箔剥除。
其次，如图5-J所示，通过快速蚀刻将两表面的超薄铜层除去，使树脂层内的电路镀敷层的表面露出。
其次，如图5-K所示，在树脂层内的电路镀敷层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。以此方式制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。
所述其他附载体铜箔(第2层)既可使用本发明的附载体铜箔，也可使用以往的附载体铜箔，进而也可使用常用的铜箔。另外，在图4-H所示的第2层电路上，也可进而形成一层或者多层电路，也可利用半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一种方法进行该等电路形成。
另外，所述用作第1层的附载体铜箔也可在该附载体铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板或树脂层而具有如下优点，即，用作第1层的附载体铜箔得到支撑，难以出现褶皱，因此生产性提高。而且，所述基板只要具有支撑用作所述第1层的附载体铜箔的效果，便可使用任何基板。例如可使用作为所述基板而记载在本申请的说明书中的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔。
在载体侧表面形成基板的时机并不特别限制，但必须在将载体剥离之前形成。尤其优选为在于所述附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成树脂层的步骤之前形成，更优选为于在附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成电路的步骤之前形成。
本发明的附载体铜箔优选为以将超薄铜层表面的白色板(在光源设定为D65，且视角设定为10度时，该白色板的X10Y10Z10表色系统(JISZ87011999)的三刺激值为X10＝80.7，Y10＝85.6，Z10＝91.5，L*a*b*表色系统中的该白色板的物体颜色为L*＝94.14，a*＝-0.90，b*＝0.24)的物体颜色设定为基准颜色的情况下的色差且基于JISZ8730的色差ΔE*ab满足45以上的方式得到控制。所述色差ΔE*ab优选为50以上，更优选为55以上，进而更优选为60以上。如果所述超薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔE*ab为45以上，那么例如当在附载体铜箔的超薄铜层表面形成电路时，超薄铜层与电路的对比度变得鲜明，其结果，视认性变得良好，能够精度良好地进行电路的位置对准。在本发明中，所谓的“超薄铜层表面的色差”表示超薄铜层的表面的色差，在设置有粗糙化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层等各种表面处理层的情况下，表示该表面处理层表面(最表面)的色差。
此处，使用下述式来表示所述色差ΔE*ab。此处，下述式中的色差ΔL、Δa、Δb分别是利用色差计而测定、加入黑/白/红/绿/黄/蓝、使用基于JISZ8730(2009)的L*a*b*表色系统而表示的综合指标，按照ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝的形式进行表示。该色差(ΔL、Δa、Δb)可使用例如HunterLab公司制造的色差计MiniScanXEPlus而进行测定。另外，色差ΔL、Δa、Δb分别为以所述白色板的物体颜色为基准颜色的情况下的、超薄铜层表面的基于JISZ8730(2009)的色差，ΔL是JISZ8729(2004)所规定的L*a*b*表色系统中两个物体颜色的CIE明度L*的差，Δa、Δb是JISZ8729(2004)所规定的L*a*b*表色系统中两个物体颜色的颜色座标a*或b*的差。
&Delta; E * a b = &Delta;L 2 + &Delta;a 2 + &Delta;b 2
所述色差可通过如下方式进行调整，即，提高形成超薄铜层时的电流密度，降低镀液中的铜浓度，提高镀液的线流速。
而且，所述色差也可通过如下方式进行调整，即，对超薄铜层的表面实施粗糙化处理而设置粗糙化处理层。在设置粗糙化处理层的情况下，可通过如下方式进行调整，即，使用含有铜及选自由镍、钴、钨、钼所组成的群的一种以上元素的电解液，使电流密度比以往高(例如为40～60A/dm2)，缩短处理时间(例如为0.1～1.3秒)。于在超薄铜层的表面未设置粗糙化处理层的情况下，可通过如下方式而达成，即，使用Ni的浓度为其他元素的2倍以上的镀浴，以比以往低的电流密度(0.1～1.3A/dm2)，且使处理时间变长(20秒～40秒)，在超薄铜层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层的表面，设定镀Ni合金(例如镀Ni-W合金、镀Ni-Co-P合金、镀Ni-Zn合金)而进行处理。
而且，埋入树脂(resin)可使用公知的树脂、预浸料。例如，可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸料、AjinomotoFine-Techno.Co.Inc.公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入树脂(resin)可使用本说明书中所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料。
另外，本发明的印刷配线板的制造方法也可为包括如下步骤的印刷配线板的制造方法(空心方法)：将本发明的附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层；在与所述树脂基板积层的超薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面，至少一次设置树脂层与电路这2层；及在形成所述树脂层与电路这2层之后，使所述载体或所述超薄铜层从所述附载体铜箔剥离。关于该空心方法，作为具体的例子，首先，将本发明的附载体铜箔的超薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层而制造积层体。其后，在与树脂基板积层的超薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。在形成于载体侧表面或超薄铜层侧表面的树脂层上，也可进而从载体侧或超薄铜层侧积层其他附载体铜箔。另外，也可将具有如下构成的积层体用在所述印刷配线板的制造方法(空心方法)中，所述构成是以树脂基板为中心，在该树脂基板的两表面侧，按照载体/中间层/超薄铜层的顺序或超薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔；或者按照“载体/中间层/超薄铜层/树脂基板/超薄铜层/中间层/载体”的顺序进行积层。而且，也可在该积层体的两端的超薄铜层或载体的露出的表面设置其他树脂层，进而设置铜层或金属层，然后对该铜层或金属层进行加工，由此形成电路。进而，也可在该电路上，以将该电路埋入的方式设置其他树脂层。另外，也可进行一次以上这种电路及树脂层的形成(增层法)。而且，对于以此方式形成的积层体(以下，也称为积层体B)，可使各附载体铜箔的超薄铜层或载体从载体或超薄铜层剥离而制作空心基板。而且，所述空心基板的制作也可使用2个附载体铜箔，制作具有下述超薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/超薄铜层的构成的积层体、具有载体/中间层/超薄铜层/超薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/超薄铜层/载体/中间层/超薄铜层的构成的积层体，并将该积层体作为中心而使用。可在该等积层体(以下，也称为积层体A)的两侧的超薄铜层或载体的表面，一次以上设置树脂层及电路这2层，在一次以上设置树脂层及电路这2层之后，使各附载体铜箔的超薄铜层或载体从载体或超薄铜层剥离而制作空心基板。所述积层体也可在超薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、超薄铜层与超薄铜层之间、超薄铜层与载体之间具有其他层。其他层也可为树脂层或树脂基板。而且，在本说明书中。“超薄铜层的表面”、“超薄铜层侧表面”、“超薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”为如下概念，即，在超薄铜层、载体、积层体在超薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层的情况下，包括其他层的表面(最表面)。另外，积层体优选为具有超薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/超薄铜层的构成。其原因在于：在使用该积层体制作空心基板时，在空心基板侧配置超薄铜层，因此使用改良型半加成法，易于在空心基板上形成电路。另外，其原因在于：超薄铜层的厚度较薄，因此易于除去该超薄铜层，在将超薄铜层除去后，使用半加成法，易于在空心基板上形成电路。
而且，在本说明书中，未特别记载为“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。
而且，在所述空心基板的制造方法中，通过利用树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部，在利用增层方法制造印刷配线板时，可防止化学液向中间层或构成积层体的一附载体铜箔与另一附载体铜箔之间浸染，从而可防止因化学液浸染而导致的超薄铜层与载体的分离及附载体铜箔的腐蚀，可提高良率。作为此处所使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可使用能够在树脂层中使用的树脂。另外，在所述空心基板的制造方法中，也可为在俯视附载体铜箔或积层体时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与超薄铜层的积层部分，或一附载体铜箔与另一附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分利用树脂或预浸料而覆盖。另外，利用所述空心基板的制造方法而形成的积层体(积层体A)也可为使一对附载体铜箔能够彼此分离地接触而构成。另外，也可为在俯视该附载体铜箔时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与超薄铜层的积层部分，或一附载体铜箔与另一附载体铜箔的积层部分)的外周的整体利用树脂或预浸料而覆盖。通过设定为这种构成，在俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分利用树脂或预浸料而覆盖，防止其他构件从该部分的侧方，即相对于积层方向从横向方向，碰撞所述附载体铜箔或积层体的积层部分，作为结果，可减少操作中的载体与超薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式利用树脂或预浸料进行覆盖，可防止如上所述的、在化学液处理步骤中化学液向该积层部分的界面的浸入，从而防止附载体铜箔的腐蚀及侵蚀。而且，在将一附载体铜箔从积层体的一对附载体铜箔分离时，或将附载体铜箔的载体与铜箔(超薄铜层)分离时，需要通过切断等将利用树脂或预浸料而覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与超薄铜层的积层部分，或一附载体铜箔与另一附载体铜箔的积层部分)除去。
也可将本发明的附载体铜箔从载体侧或超薄铜层侧，积层在另一本发明的附载体铜箔的载体侧或超薄铜层侧而构成积层体。另外，也可为以如下方式获得的积层体，即，所述一附载体铜箔的所述载体侧表面或所述超薄铜层侧表面与所述另一附载体铜箔的所述载体侧表面或所述超薄铜层侧表面根据需要，经由粘接剂直接积层。另外，所述一附载体铜箔的载体或超薄铜层与所述另一附载体铜箔的载体或超薄铜层也可接合。此处，该“接合”也包括如下态样，即，在载体或超薄铜层具有表面处理层的情况下，经由该表面处理层而相互接合。另外，该积层体的端面的一部分或全部也可利用树脂而覆盖。
载体彼此的积层除简单地重叠以外，例如可利用以下方法而进行。
(a)冶金接合方法：熔融(弧焊、TIG(钨惰性气体)焊接、MIG(金属惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊、点焊)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；
(b)机械接合方法：敛缝、铆接(利用自冲铆钉而接合、利用铆钉而接合)、缝接(stitcher)；
(c)物理接合方法：粘接剂、(双面)胶带
使用所述接合方法，将一载体的一部分或全部与另一载体的一部分或全部接合，由此将一载体与另一载体积层，可制造使载体能够彼此分离地接触而构成的积层体。在使一载体与另一载体不牢固地接合而积层一载体与另一载体的情况下，即便不将一载体与另一载体的接合部除去，一载体与另一载体也能够分离。另外，在使一载体与另一载体牢固接合的情况下，可利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等，将一载体与另一载体接合的部位除去，由此将一载体与另一载体分离。
另外，可通过实施如下步骤而制作印刷配线板，步骤一：在以此方式构成的积层体上至少一次设置树脂层与电路这2层；步骤二：在至少形成一次所述树脂层及电路这2层之后，使所述超薄铜层或载体从所述积层体的附载体铜箔剥离。而且，也可在该积层体的一个或两个表面设置树脂层与电路这2层。
所述积层体中所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料既可为本说明书中所记载的树脂层，也可包含本说明书中所记载的树脂层所使用的树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。而且，附载体铜箔也可在俯视时比树脂基板、树脂层、树脂或预浸料小。
[实施例]
以下，通过本发明的实施例进而详细地对本发明进行说明，本发明丝毫不受该等实施例所限定。
1.附载体铜箔的制造
作为实施例1～23及比较例1，通过以下的方法将厚度为12～70μm的电解铜箔或压延铜箔(精铜箔JISH3100合金编号：C1100)作为载体，并在该载体上依序形成中间层及超薄铜层而获得厚度为1～5μm的附载体铜箔。
而且，通过对压延时所使用的压延辊的表面粗糙度进行控制，可控制压延铜箔的表面粗糙度。通过加大压延时所使用的压延辊的表面粗糙度，可使压延铜箔的表面粗糙度增大。另外，通过减小压延时所使用的压延辊的表面粗糙度，可使压延铜箔的表面粗糙度减小。压延辊的表面粗糙度可设定为例如Ra＝0.1μm以上2.0μm以下。
另外，通过对制造电解铜箔时所使用的电解辊的表面粗糙度进行控制，可控制电解铜箔的光亮面(光泽面)的表面粗糙度。通过加大电解辊的表面粗糙度，可使电解铜箔的光亮面(光泽面)的表面粗糙度增大。另外，通过减小电解辊的表面粗糙度，可使电解铜箔的光亮面(光泽面)的表面粗糙度减小。电解辊的粗糙度可设定为例如Rz＝1.0μm以上6.0μm以下。
另外，通过对制造电解铜箔时的电解液的铜浓度、电流密度、电解液温度进行控制，可控制电解铜箔的无光泽面(析出面)的表面粗糙度。通过降低制造电解铜箔时的电解液的铜浓度，提高电流密度，降低电解液温度，可使电解铜箔的无光泽面(析出面)的表面粗糙度增大。另外，通过提高制造电解铜箔时的电解液的铜浓度，降低电流密度，提高电解液温度，可使电解铜箔的无光泽面(析出面)的表面粗糙度减小。例如，可将制造电解铜箔时的电解液的铜浓度设定为50～130g/L、电流密度设定为50～120A/dm2、电解液温度设定为40～90℃。而且，使用硫酸及硫酸铜的水溶液，作为制造电解铜箔时的电解液。另外，在想要使电解铜箔的无光泽面(析出面)的表面粗糙度更小的情况下(例如Rz为1.5μm以下或Rz＝1.0～1.5μm)，可在电解液中添加光泽剂。光泽剂可使用公知的光泽剂。另外，在实施例6中，添加Cl-：20～50质量ppm、聚乙二醇：10～100质量ppm、双(3-磺丙基)二硫化物：10～30质量ppm、硫脲：10～50质量ppm，作为光泽剂。另外，在实施例23中，添加Cl-：30～80质量ppm、双(3-磺丙基)二硫化物：10～50质量ppm、硫脲：10～50质量ppm，作为光泽剂。添加有下述结构式所示的胺化合物：10～50ppm。(R1及R2选自由羟烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一个群)。
·中间层形成
如表的“中间层”栏中所记载，在载体上形成有中间层。该处理条件如下所示。另外，例如“Ni/有机物”是指在进行镀镍处理之后，再进行有机物处理。
在以下条件下，在辊对辊型的连续镀敷作业线上，对所述电解铜箔的光泽面(光亮面)或压延铜箔设置中间层。
(1)“Ni”：Ni处理(镀Ni)
液体组成：硫酸镍浓度为200～300g/L，柠檬酸三钠浓度为2～10g/L
pH：2～4
液温：40～70℃
电流密度：1～15A/dm2
Ni附着量：8000μg/dm2
而且，只要未特别地明确说明，那么用于本发明中所使用的电解、表面处理或镀敷等的处理液的残余部分就是水。
(2)“铬酸盐”：电解铬酸盐处理
在以下条件下，进行电解铬酸盐处理，以使附着量为10μg/dm2的Cr层附着。
液体组成：重铬酸钾浓度为1～10g/L，锌浓度为0～5g/L
pH：3～4
液温：50～60℃
电流密度：0.1～3.0A/dm2
·“有机物”：有机物层形成处理
通过如下操作而进行，即，呈雾状喷出20～120秒含有浓度1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)、液温40℃、pH5的水溶液。
利用所述方法对有机物层的厚度进行测定之结果，有机物层的厚度为13nm。
·“Ni-Mo”：镀镍钼合金
(液体组成)六水硫酸镍：50g/dm3，二水钼酸钠：60g/dm3，柠檬酸钠：90g/dm3
(液温)30℃
(电流密度)1～4A/dm2
(通电时间)3～25秒
Ni附着量：3250μg/dm2
Mo附着量：420μg/dm2
·“Cr”：镀铬
(液体组成)CrO3：200～400g/L，H2SO4：1.5～4g/L
(pH)1～4
(液温)45～60℃
(电流密度)10～40A/dm2
(通电时间)1～20秒
Cr附着量：350μg/dm2
·“Co-Mo”：镀钴钼合金
(液体组成)硫酸钴：50g/dm3，二水钼酸钠：60g/dm3，柠檬酸钠：90g/dm3
(液温)30～80℃
(电流密度)1～4A/dm2
(通电时间)3～25秒
Co附着量：420μg/dm2
Mo附着量：560μg/dm2
·“Ni-P”：镀镍磷合金
(液体组成)Ni：30～70g/L，P：0.2～1.2g/L
(pH)1.5～2.5
(液温)30～40℃
(电流密度)1.0～10.0A/dm2
(通电时间)0.5～30秒
Ni附着量：5320μg/dm2
P附着量：390μg/dm2
·超薄铜层形成
继而，在辊对辊型的连续镀敷作业线上，在以下所示的条件下，通过电镀在中间层上形成厚度为1～5μm的超薄铜层而制造出附载体铜箔。
液体组成：铜浓度为30～120g/L，硫酸浓度为20～120g/L，Cl-：20～50质量ppm，聚乙二醇：10～100质量ppm，双(3-磺丙基)二硫化物：10～30质量ppm，硫脲：10～50质量ppm
液温：20～80℃
电流密度：10～100A/dm2
其次，对附载体铜箔的载体侧表面、及/或超薄铜层侧表面实施粗糙化处理(1)～(3)中的任一种处理、耐热处理、防锈处理、硅烷偶合剂涂布各表面处理。而且，实施例1、8～14、23均未进行载体侧粗糙化处理及超薄铜层侧粗糙化处理。各处理条件如下所示。
[粗糙化处理]
·粗糙化处理(1)(粗糙粗糙化)：
电解液体组成：铜为10～30g/L(以五水硫酸铜的形态添加，以下相同)，硫酸为80～120g/L
液温：20～40℃
电流密度：120～140A/dm2
在已实施过所述粗糙化处理(1)的附载体铜箔的载体侧表面或超薄铜层侧表面，为了防止粗糙化粒子的脱落及提高剥离强度，而利用由硫酸·硫酸铜所组成的铜电解浴进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下所示。
液体组成：铜浓度为20～40g/L，硫酸浓度为80～120g/L
液温：40～50℃
电流密度：10～50A/dm2
·粗糙化处理(2)(中度粗糙化)：
液体组成：铜浓度为10～30g/L(以五水硫酸铜的形态添加，以下相同)，硫酸浓度为80～120g/L
液温：20～40℃
电流密度：80～100A/dm2
在已实施过所述粗糙化处理(2)的附载体铜箔的载体侧表面或超薄铜层侧表面，为了防止粗糙化粒子的脱落及提高剥离强度，而利用由硫酸·硫酸铜所组成的铜电解浴进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下所示。
液体组成：铜浓度为20～40g/L，硫酸浓度为80～120g/L
液温：40～50℃
电流密度：10～50A/dm2
·粗糙化处理(2)-2(中度粗糙化)：
液体组成：铜浓度为10～30g/L(以五水硫酸铜的形态添加，以下相同)，硫酸浓度为80～120g/L
液温：20～40℃
电流密度：105～115A/dm2
在已实施过所述粗糙化处理(2)的附载体铜箔的载体侧表面或超薄铜层侧表面，为了防止粗糙化粒子的脱落及提高剥离强度，而利用由硫酸·硫酸铜所组成的铜电解浴进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下所示。
液体组成：铜浓度为20～40g/L，硫酸浓度为80～120g/L
液温：40～50℃
电流密度：10～50A/dm2
·粗糙化处理(3)(微细粗糙化)：
液体组成：铜浓度为10～20g/L，钴浓度为1～10g/L，镍浓度为1～10g/L
pH：1～4
液温：30～50℃
电流密度：20～30A/dm2
在已于所述条件下实施过粗糙化处理(3)的附载体铜箔的超薄铜层侧表面进行Co-Ni的镀敷而形成耐热层。镀敷条件如下所示。
液体组成：钴浓度为1～30g/L，镍浓度为1～30g/L
pH：1.0～3.5
液温：30～80℃
电流密度为1～10A/dm2
[耐热处理]
·耐热层(镀锌与镍)形成处理：
液体组成：镍浓度为10～30g/L，锌浓度为1～15g/L
液温：30～50℃
电流密度为1～10A/dm2
[防锈处理]
·铬酸盐处理：
液体组成：重铬酸钾浓度为3～5g/L，锌浓度为0.1～1g/L
液温：30～50℃
电流密度为0.1～3.0A/dm2
[硅烷偶合处理]
通过以雾状喷出含有0.2～2重量％烷氧基硅烷且pH7～8的溶液而涂布硅烷偶合剂来实施处理。
(实施例1、8～14、23)
利用所述方法制作表中所记载的厚度的附载体铜箔，对其载体侧表面及超薄铜层侧表面不实施粗糙化处理，对载体侧表面及超薄铜层侧表面仅实施耐热处理、防锈处理、硅烷偶合处理而制作成铜箔。
(实施例2、15、22)
利用所述方法制作表中所记载的厚度的附载体铜箔，对其超薄铜层侧表面实施粗糙化处理(2)(中度粗糙化)，进而实施耐热处理、防锈处理、硅烷偶合处理而制作成铜箔。
(实施例3、4、6、7、16～19)
利用所述方法制作表中所记载的厚度的附载体铜箔，对其载体侧表面实施粗糙化处理(2)(中度粗糙化)，进而实施耐热处理、防锈处理、硅烷偶合处理，而制作成铜箔。
(实施例5)
利用所述方法制作表中所记载的厚度的附载体铜箔，对其载体侧表面实施粗糙化处理(3)(微细粗糙化)，进而实施耐热处理、防锈处理、硅烷偶合处理而制作成铜箔。
(实施例20)
利用所述方法制作表中所记载的厚度的附载体铜箔，对其载体侧表面实施粗糙化处理(2)-2(中度粗糙化)，进而实施耐热处理、防锈处理、硅烷偶合处理而制作成铜箔。
(实施例21)
利用所述方法制作表中所记载的厚度的附载体铜箔，对其载体侧表面及超薄铜层侧表面实施粗糙化处理(2)-2(中度粗糙化)，进而实施耐热处理、防锈处理、硅烷偶合处理而制作成铜箔。
(比较例1)
利用所述方法制作表中所记载的厚度的附载体铜箔，对其载体侧表面实施粗糙化处理(1)(粗糙粗糙化)，进而实施耐热处理、防锈处理、硅烷偶合处理而制作成铜箔。
2.附载体铜箔的评价
利用以下方法，对以如上所述的方式获得的附载体铜箔实施各种评价。
<表面粗糙度>
依据JISB0601-1994，利用Olympus公司制造的激光显微镜LEXTOLS4000对附载体铜箔的载体的与超薄铜层侧为相反侧的表面的十点平均表面粗糙度Rz进行测定。在任意10个部位对Rz进行测定，将该Rz的10个部位的平均值设定为Rz的值。另外，对于载体的超薄铜层侧表面的十点平均表面粗糙度Rz也同样地进行测定。进而，对于超薄铜层的与中间层为相反侧的表面的十点平均表面粗糙度Rz也同样地进行测定。
另外，依据JISB0601-2001，利用Olympus公司制造的激光显微镜LEXTOLS4000，对附载体铜箔的载体的与超薄铜层侧为相反侧的表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt进行测定。在任意10个部位对Rt进行测定，并将该Rt的10个部位的平均值设定为Rt的值。
另外，依据JISB0601-1994，利用Olympus公司制造的激光显微镜LEXTOLS4000，对附载体铜箔的载体的与超薄铜层为相反侧的表面的算术平均粗糙度Ra进行测定。在任意10个部位对Ra进行测定，并将该Ra的10个部位的平均值设定为Ra的值。
而且，关于所述Rz、Ra及Rt，使用倍率为超薄铜层及载体表面的50倍的物镜，在评价长度为258μm且临界值为零的条件下，通过在作为载体而使用的电解铜箔的制造装置中的与电解铜箔的行进方向垂直的方向或压延铜箔的制造装置中的与压延铜箔的行进方向垂直的方向(TD)的测定，分别求出了值。在使用激光显微镜时，表面的Rz、Ra及Rt的测定环境温度设定为23～25℃。
<常态剥离强度>
利用荷重计，拉伸所制作成的附载体铜箔的载体侧，依据90°剥离法(JISC64718.1)，对载体与超薄铜层间的剥离强度进行了测定。
<普通压制后剥离强度>
使所制作成的附载体铜箔的超薄铜层侧贴合在树脂基板上，并在大气中、15kgf/cm2、220℃、90分钟的条件下进行加热压制，然后，利用荷重计拉伸载体侧，依据90°剥离法(JISC64718.1)，对载体与超薄铜层间的剥离强度进行测定。
<反向压制后剥离强度>
对于所制作成的附载体铜箔，进而在超薄铜层侧表面进行镀铜，由此形成镀铜层。此时，以使超薄铜层及镀铜层的合计厚度为18μm的方式形成镀铜层。其次，使附载体铜箔的载体侧贴合在树脂基板上，并在大气中、15kgf/cm2、220℃、90分钟的条件下进行加热压制，然后，利用荷重计拉伸超薄铜层侧，依据90°剥离法(JISC64718.1)对载体与超薄铜层间的剥离强度进行测定。另外，在比较例1中，无法将超薄铜层从载体剥离。而且，在比较例2中，未能将载体与树脂基板积层，从而未能进行测定。
<剥离性及生产性>
·空心基板的制造
在大气中、15kgf/cm2、220℃、90分钟的条件下，从载体侧，在比该附载体铜箔大的FR-4预浸料的两面分别对实施例、比较例的附载体铜箔进行加热压制，由此进行积层，而获得积层体。而且，由于使用比附载体铜箔大的预浸料来制造积层体，所以在所获得的积层体中，附载体铜箔的端面利用树脂(预浸料)而覆盖。
在以此方式制作成的积层体的、露出有板状载体的部分的4处，钻出直径为1mm的孔，作为后续增层步骤时的定位用导孔。在该积层体的两侧，依序堆叠FR-4预浸料、铜箔(JX日矿日石金属股份有限公司制造，JTC12μm(产品名))，利用3MPa的压力进行170℃、100分钟热压，而制作成四层覆铜积层板。
其次，使用激光加工机，钻出贯通所述四层覆铜积层板表面的铜箔及其下的绝缘层(已固化的预浸料)的、直径为100μm的孔。继而，通过无电解镀铜、电镀铜，于在所述孔的底部露出的积层体上的铜箔表面、所述孔的侧面、所述四层覆铜积层板表面的铜箔上进行镀铜，在积层体上的铜箔与四层覆铜积层板表面的铜箔之间形成电连接。其次，使用氯化铁(FeCl3)系的蚀刻液，对四层覆铜积层板表面的铜箔的一部分进行蚀刻而形成电路。以此方式制作成四层增层基板。
继而，在当俯视所述积层体时比利用预浸料而粘接有附载体铜箔的端面的部分更靠内侧，将所述四层增层基板切断，然后将所述积层体的附载体铜箔的载体与超薄铜层机械剥离而进行分离，由此获得两组2层增层配线板。
继而，对所述两组2层增层配线板上的、与板状载体密接的铜箔进行蚀刻而形成配线，从而获得两组2层增层配线板。
对在制作所述两组2层增层配线板时树脂基板(FR-4预浸料)与载体有无剥离(剥离性)进行评价。该剥离性的评价基准如下所示。
◎：“10次中，无剥离”，〇〇：“10次中，一次剥离”，〇：“10次中，2～3次剥离”，△：“10次中，4次剥离”，×：“10次中，5次以上剥离”
另外，制作所述两组2层增层配线板时的、超薄铜层与载体的剥离强度会对印刷配线板的生产性造成影响。具体而言，在超薄铜层与载体的剥离强度为50N/m以上的情况下，剥离相当耗费时间，生产性较差(每剥离1片花费10分钟以上)。另外，在所述超薄铜层与载体的剥离强度为20N/m以上的的情况下，剥离耗费时间，生产性较差(每剥离1片花费2分钟以上)。从这种观点来讲，生产性的评价基准如下。
◎：“10次中，剥离强度全部为20N/m以下”，〇〇：“10次中，一次以上且未达5次的剥离强度为20N/m以上”，〇：“10次中，5次以上的剥离强度为20N/m以上”，△：“10次中，一次以上的剥离强度为50N/m以上”，×：“10次中，一次以上不能剥离”。
试验条件及结果如表1所示。
(评价结果)
在实施例1～23中，在通过将附载体铜箔积层在树脂基板而制作成的积层体中，能够将超薄铜层从载体良好地剥离，使用附载体铜箔制作增层配线板时的剥离性及生产性良好。
另一方面，在比较例1中，在通过将附载体铜箔积层在树脂基板而制作成的积层体中，未能将超薄铜层从载体良好地剥离。而且，使用附载体铜箔制作增层配线板时的生产性不良。

Claims (42)

1.一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、及超薄铜层，且
在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为6.0μm以下。
2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下。
3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下。
4.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下。
5.一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、及超薄铜层，且
在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下。
6.根据权利要求5所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下。
7.一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、及超薄铜层，且
在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为3.5μm以下。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.6μm以下。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为4.0μm以下。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为0.9μm以上。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.12μm以上。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.1μm以上。
14.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.1μm以上。
15.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上。
16.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.3μm以上。
17.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以上。
18.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.22μm以上。
19.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.5μm以上。
20.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其满足以下1a)至12a)所述的项目中的一个或两个以上：
1a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为0.9μm以上；
2a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.12μm以上；
3a)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.1μm以上；
4a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为3.5μm以下；
5a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.6μm以下；
6a)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为4.0μm以下；
7a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.1μm以上；
8a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上；
9a)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.3μm以上；
10a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以上；
11a)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.22μm以上；
12a)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.5μm以上。
21.一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、及超薄铜层，且
在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为6.0μm以下；所述附载体铜箔满足以下1b)至14b)项目中的一个或两个以上：
1b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下；
2b)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下；
3b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为0.9μm以上；
4b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.12μm以上；
5b)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.1μm以上；
6b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为3.5μm以下；
7b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.6μm以下；
8b)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为4.0μm以下；
9b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.1μm以上；
10b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上；
11b)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.3μm以上；
12b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以上；
13b)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.22μm以上；
14b)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.5μm以上。
22.一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、及超薄铜层，且
在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下；所述附载体铜箔满足以下1c)至14c)项目中的一个或两个以上：
1c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为6.0μm以下；
2c)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下；
3c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为0.9μm以上；
4c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.12μm以上；
5c)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.1μm以上；
6c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为3.5μm以下；
7c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.6μm以下；
8c)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为4.0μm以下；
9c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.1μm以上；
10c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上；
11c)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.3μm以上；
12c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以上；
13c)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.22μm以上；
14c)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.5μm以上。
23.一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、及超薄铜层，且
在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为7.0μm以下；所述附载体铜箔满足以下1d)至14d)项目中的一个或两个以上：
1d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为6.0μm以下；
2d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下；
3d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为0.9μm以上；
4d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.12μm以上；
5d)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.1μm以上；
6d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为3.5μm以下；
7d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.6μm以下；
8d)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为4.0μm以下；
9d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.1μm以上；
10d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上；
11d)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.3μm以上；
12d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的十点平均粗糙度Rz为1.5μm以上；
13d)：在依据JISB0601-1994利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的算术平均粗糙度Ra为0.22μm以上；
14d)：在依据JISB0601-2001利用激光显微镜对所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面进行测定时，所述表面的粗糙度曲线的最大剖面高度Rt为1.5μm以上。
24.根据权利要求1至7、21至23中任一项所述的附载体铜箔，其中，在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面，具有选自由粗糙化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
25.根据权利要求24所述的附载体铜箔，其中，所述粗糙化处理层具有由单体或合金所组成的层，所述单体是选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群的任一种单体，所述合金含有任一种以上的所述单体；及/或
具有使用硫酸·硫酸铜电解浴而形成的层，所述硫酸·硫酸铜电解浴含有选自由硫酸烷基酯盐、钨及砷所组成的群的一种以上。
26.根据权利要求24所述的附载体铜箔，其中，在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面，不具有粗糙化处理层；或者
在所述载体的与所述超薄铜层为相反侧的表面，不具有粗糙化处理层，且具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
27.根据权利要求1至7、21至23中任一项所述的附载体铜箔，其中，在所述超薄铜层表面，具备选自由粗糙化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
28.根据权利要求27所述的附载体铜箔，其中，所述粗糙化处理层为由单体或合金所组成的层，所述单体是选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群的任一种单体，所述合金含有任一种以上的所述单体。
29.根据权利要求27所述的附载体铜箔，其中，在所述超薄铜层的表面，不具有粗糙化处理层；或者
在所述超薄铜层的表面，不具有粗糙化处理层，且具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群的一种以上的层。
30.根据权利要求27所述的附载体铜箔，其中，在选自如下群的一种以上的层上具备树脂层，所述群是由在所述超薄铜层表面形成的粗糙化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成。
31.根据权利要求29所述的附载体铜箔，其中，在所述超薄铜层表面、或选自如下群的一种以上的层上具备树脂层，所述群是由形成在所述超薄铜层表面的所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成。
32.根据权利要求31所述的附载体铜箔，其中，所述树脂层为粘接用树脂及/或半固化状态的树脂。
33.一种积层体，其是使用根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔制造而成。
34.一种积层体，其包含根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔及树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。
35.一种积层体，其从所述载体侧或所述超薄铜层侧，将一根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔积层在另一根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述超薄铜层侧。
36.一种印刷配线板，其是使用根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔制造而成。
37.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
准备根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔及绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，经过将所述附载体铜箔的载体剥除的步骤而形成覆铜积层体，
其后，利用半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中任一种方法，形成电路。
38.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
在根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成电路；
以埋没所述电路的方式，在所述附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成树脂层；
在所述树脂层上形成电路；
于在所述树脂层上形成电路之后，使所述载体剥离；及
在使所述载体剥离之后，将所述超薄铜层除去，由此使形成在所述超薄铜层侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。
39.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
将根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧积层在树脂基板；
在所述附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成电路；
以埋没所述电路的方式，在所述附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面形成树脂层；
在所述树脂层上形成电路；
于在所述树脂层上形成电路之后，使所述载体剥离；及
在使所述载体剥离之后，将所述超薄铜层除去，由此使形成在所述超薄铜层侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。
40.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
将根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔的所述超薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层；
在所述附载体铜箔的与和树脂基板积层的侧为相反侧的超薄铜层侧表面或所述载体侧表面，至少一次设置树脂层与电路这2层；及
在形成所述树脂层及电路这2层之后，使所述载体或所述超薄铜层从所述附载体铜箔剥离。
41.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
将根据权利要求1至32中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧表面与树脂基板积层；
在所述附载体铜箔的超薄铜层侧表面，至少一次设置树脂层与电路这2层，所述附载体铜箔的超薄铜层侧表面与和树脂基板积层的侧为相反侧；及
在形成所述树脂层及电路这2层之后，使所述载体从所述附载体铜箔剥离。
42.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：
在根据权利要求33至35中任一项所述的积层体的任一方或两方的面，至少一次设置树脂层与电路这2层；及
在形成所述树脂层及电路这2层之后，使所述载体或所述超薄铜层从构成所述积层体的附载体铜箔剥离。
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