LED封装结构及其封装方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种LED封装结构及其封装方法。
背景技术
LED作为一第四代照明光源,具有显著的节能和寿命优势。
LED封装是获得优质LED照明光源的一个关键环节,现有的倒装芯片封装方法有如下两种:一是采用荧光封装胶体(荧光粉和硅胶的混合物)2直接于倒装芯片1的周侧和顶部进行封装(如图1所示),这种封装结构由于荧光粉混合的不均匀性,切割时应力造成产品报废率高。二是倒装芯片1的周侧采用竖直塑性材料3、顶部采用荧光封装胶体4进行封(如图2所示)。这种封装结构由于周侧的竖直塑性材料21对光的多次反射形成热量,光效低下。
发明内容
针对上述现有技术现状,本发明所要解决的技术问题在于,提供一种结构简单、光损低的LED封装结构及其封装方法。
为了解决上述技术问题,本发明所提供的一种LED封装结构,包括:
反射结构件,所述反射结构件具有空腔,在所述反射结构件的上端面和下端面分别设置有与所述空腔连通的顶部开口和底部开口;
LED倒装芯片,所述LED倒装芯片位于所述空腔中,且所述LED倒装芯片的电极面朝向所述底部开口;以及
封装胶体,所述封装胶体填充在所述空腔内以封装所述LED倒装芯片。
在其中一个实施例中,所述反射结构件为注塑件。
在其中一个实施例中,所述空腔的内壁的纵截面呈倒八字形。
在其中一个实施例中,所述空腔底部的内壁上设置有向内突出的凸缘,所述LED倒装芯片的电极面与所述凸缘的顶面平齐。
在其中一个实施例中,所述反射结构件的外侧面与所述上端面和所述下端面垂直。
在其中一个实施例中,所述LED倒装芯片的电极从所述底部开口伸出,且所述电极的端面与所述下端面平齐。
在其中一个实施例中,所述封装胶体内混合有荧光粉。
在其中一个实施例中,所述封装胶体的顶面与所述反射结构件的上端面平齐。
本发明所提供的一种上述的LED封装结构的封装方法,包括如下步骤:
a、采用塑性材料注塑形成反射结构件板材,在所述反射结构件板材上有若干呈矩阵排布的所述空腔;
b、在所述反射结构件板材的下端面上粘贴底膜,使所述空腔的底部开口封闭;
c、将所述倒装芯片放入所述空腔中进行固晶,所述倒装芯片的电极紧靠在所述底膜上;
d、将封装材料注入所述空腔中,形成所述封装胶体;
e、烘烤固化所述封装胶体;
f、切割所述反射结构件板材形成所述反射结构件;以及
g、去掉所述底膜。
在其中一个实施例中,步骤f中,在烘烤温度下高温切割,且切割至所述底膜厚度的1/2~3/4处。
在其中一个实施例中,步骤a中,所述塑性材料为改性聚对苯二酰对苯二胺塑料、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯树脂或环氧膜树脂。
与现有技术相比,本发明的LED封装结构,倒装芯片发出的光向下可以直接出射,向上发出的光一部分可以直接穿过封装胶体出射,向上的发出的另一部分光投射在空腔的内壁上通过反射后也能透过荧光封装胶体,整体光效高。
本发明附加技术特征所具有的有益效果将在本说明书具体实施方式部分进行说明。
附图说明
图1为现有技术的倒装芯片封装的一种结构示意图;
图2为现有技术的倒装芯片封装的另一种结构示意图;
图3为本发明其中一个实施例中的LED封装结构的结构示意图;
图4为本发明的LED封装方法的直角梯形塑性反射结构件网状结构的示意图;
图5为本发明的LED封装方法的附耐热塑胶底膜的示意图;
图6为本发明的LED封装方法的固晶的示意图;
图7为本发明的LED封装方法的注胶的示意图;
图8为本发明的LED封装方法的切割的示意图。
图3-图8中,10-LED倒装芯片;11-LED倒装芯片的电极面;12-电极;20-反射结构件;21-空腔;21a-顶部开口;21b-底部开口;22-反射结构件的上端面;23-反射结构件的下端面;24-凸缘;25-空腔的内壁;26-反射结构件的外侧面;30-封装胶体;40-反射结构件板材;50-底膜;60-切割线。
具体实施方式
下面参考附图并结合实施例对本发明进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,以下各实施例及实施例中的特征可以相互组合。
图3为本发明其中一个实施例中的LED封装结构的结构示意图。如图所示,LED封装结构包括:反射结构件20、LED倒装芯片10和封装胶体30,其中,所述反射结构件20为注塑件,反射结构件20具有空腔21,在所述反射结构件20的上端面22和下端面23分别设置有与所述空腔21连通的顶部开口21a和底部开口21b。优选地,所述空腔21的内壁25的纵截面呈倒八字形,所述空腔21的内壁25光反射效果好。优选地,所述空腔21底部的内壁25上设置有向内突出的凸缘24,该凸缘24用于对LED倒装芯片10定位。优选地,所述反射结构件20的外侧面26与所述上端面22和所述下端面23垂直,以方便加工。
所述LED倒装芯片10位于所述空腔21中,且所述LED倒装芯片10的电极面11朝向所述底部开口21b,所述LED倒装芯片10的电极面11与所述凸缘24的顶面平齐,所述LED倒装芯片10的电极12从所述底部开口21b伸出,且所述电极12的端面与所述下端面23平齐,以便于直接焊接电路使用。
所述封装胶体30(图3中未示出)填充在所述空腔21内以封装所述LED倒装芯片10。
本发明实施例中的LED封装结构由于采用了上述结构,倒装芯片10发出的光向下可以从底部开口21b直接出射,向上发出的光一部分可以直接穿过封装胶体出射,向上的发出的另一部分光投射在空腔的内壁上通过反射后也能透过荧光封装胶体,整体光效高。
本发明还提供了一种上述LED封装结构的封装方法,如图4-图8所示,封装方法包括以下步骤:
步骤a、采用塑性材料注塑形成反射结构件板材40,在所述反射结构件板材40上有若干呈矩阵排布的所述空腔21(如图4所示)。塑性材料优选自改性聚对苯二酰对苯二胺PPA塑料、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯PCT树脂、环氧膜EMC树脂。其中等腰梯形塑性反射结构件23的两斜边形成一倒八字空腔。
步骤b、在所述反射结构件板材40的下端面上粘贴底膜50,使所述空腔21的底部开口21b封闭(如图5所示)。底膜50优选为耐热塑胶膜。
步骤c、将倒装芯片10放入所述空腔21中进行固晶,所述倒装芯片10的电极12紧靠在所述底膜50上(如图6所示)。
步骤d、将封装材料注入所述空腔21中,形成所述封装胶体30。封装材料高度与反射结构件板材40的上端面平齐(如图7所示)。
步骤e、烘烤固化所述封装胶体30。优选地,在温度150±5℃下固化30~60min,温度段的设定可根据封装材料不同而进行相应调节。
步骤f、固化后,在烘烤温度下沿着切割线50对反射结构件板材40进行切割,切割到所述塑性网底膜厚度1/2~3/4处,形成所述反射结构件20。高温切割,不存在切割应力造成报废,成品率高,制造成本低。
步骤g、将底膜40去除,分选得到所需要的LED封装结构。
从上面的技术方案可知,通过本发明的LED封装方法得到的LED封装结构,倒装芯片发出的光向下可以之间出射,向上发出的光一部分可以直接穿过荧光封装胶体出射,而向上的发出的另一部分光投射在两侧直角梯形塑性反射结构件的光通过反射后也能透过荧光封装胶体,整体光效高,也不存在切割应力造成报废,成品率高,制造成本低。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。