CN105304732B - 制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明提供了制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用，该方法包括：(1)利用导电氧化物，在衬底的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜，沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积；以及(2)对沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成透明导电氧化物薄膜，其中，一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，以及二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。发明人发现，利用本发明的该方法，能够快速有效地制备获得透明导电氧化物薄膜，且步骤简单，操作容易、方便快捷，制备获得的透明导电氧化物薄膜具有较高的光透过率、高雾度和较高的均匀性。

Description

制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，具体地，涉及用于制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用。

背景技术

世界各国对绿色能源尤其是广泛适用的太阳能电池产品的需求与日俱增。随着技术的发展，太阳能电池用户对电池组件的性价比提出更高的要求。光伏产品种类繁多，以硅基电池、铜铟镓锡电池和碲化镉电池为主。硅基电池包括单晶硅、多晶硅和薄膜硅电池。其中，薄膜太阳能电池具有弱光响应好、高温效应好、受阴影影响小、年平均发电量高、能够与建筑物完美结合等优点，而且生产所需原材料丰富、原材料消耗少，能量回收期短、生产过程对环境影响小、适于大批量生产等，因此受到广泛关注。

薄膜太阳能电池作为一个光学系统，要提高其对太阳光的利用率从而提高转换效率，需要对电池组件各层光学薄膜进行合理设计。以薄膜硅太阳能电池为例，其采用的前电极透明导电氧化物(TCO)薄膜需要具备高光学透过率、高电导率以及对入射光有较强的散射能力，从而提高电池对光的吸收，增大光生电流，提高电池转换效率。采用具有绒面织构的透明导电氧化物薄膜作为薄膜太阳能电池的前电极，可以提高对入射光的散射能力、延长光在本征吸收层中的光程，从而提高电池对光的吸收，即为陷光效应。目前，制备透明导电氧化物薄膜的主流技术有两种：一种是采用沉积工艺直接生长出具有绒面织构的薄膜，另一种是采用沉积工艺获得较平整的透明导电氧化物薄膜再通过后处理(例如：湿法刻蚀)的方法来获得所需的绒面织构。然而，上述两种技术并不能达到十分理想的效果。

因而，目前关于制备透明导电氧化物薄膜的技术仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制备具有高透过率、高雾度、或者高均匀性的透明导电氧化物薄膜的方法。

本发明是基于发明人的以下发现而完成的：

在已被应用于大面积大规模生产中的直接生长绒面薄膜的沉积工艺中，例如采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺，通常以二乙基锌(DEZ)和水为原材料沉积出ZnO薄膜，表面绒面织构在薄膜沉积过程中会自然形成，但发明人经过研究发现，该工艺窗口较窄，要想获得高雾度的薄膜，必须增加膜层厚度，而增加厚度则会导致透光率的降低，从而影响电池性能。同时，由于原材料价格昂贵，维护频率高等导致生产成本难以降低。而在沉积加湿法刻蚀工艺中，利用磁控溅射可以获得平整的透明导电氧化物薄膜，再通过后续湿法刻蚀来制备绒面ZnO薄膜。与LPCVD工艺相比，此种工艺可以分别单独调节薄膜的光学电学性质，工艺灵活。更重要的是可以在较薄的透明导电氧化物薄膜上获得高雾度的织构薄膜。然而，根据改进的汤森薄膜(参考文献：O.Kluth,G.J.Hüpkes,C.Agashe,J.Müller,B.Rech,Thin Solid Films 442,80(2003))，要想获得高雾度的薄膜，温度和气压必须在合适的范围内，而且即使磁控溅射大面积TCO薄膜电阻很均匀，在后续湿法刻蚀工艺中获得非常均匀的雾度分布也并不容易，而雾度分布的不均匀性可导致薄膜电池效率下降。这主要是由于薄膜自身结构在大面积范围内上并不是完全一致。由此，发明人发现，沉积加刻蚀技术制备大面积绒面透明导电氧化物薄膜中如何获得均匀性良好的薄膜并降低成本，是本领域亟待解决的技术问题。为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明的发明人经过大量探索和反复试验验证，提出在不同温度下沉积双层透明导电氧化物薄膜，并利用稀释的酸碱盐刻蚀制备均匀性良好且具有高透过率，高雾度的透明导电氧化物薄膜。

有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提供了一种制备透明导电氧化物薄膜的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：(1)利用导电氧化物，在衬底的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜，沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积；以及(2)对沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成透明导电氧化物薄膜，其中，一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，以及二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。发明人发现，利用本发明的该方法，能够快速有效地制备获得透明导电氧化物薄膜，且步骤简单，操作容易、方便快捷，同时，制备获得的透明导电氧化物薄膜不仅具有较高的光透过率和高雾度，还具有较高的均匀性，即电阻和雾度分布均匀性较高，由此，将制备获得的透明导电氧化物薄膜应用于薄膜太阳能电池时，能够提高电池对光的吸收，增大光生电流，提高电池转换效率。

根据本发明的实施例，在进行步骤(1)之前，预先对衬底进行清洁处理，清洁处理包括：利用清洗剂对衬底进行清洗；利用纯水对经过清洗的衬底进行冲洗；以及将经过冲洗的衬底烘干。

根据本发明的实施例，一次沉积和二次沉积是通过磁控溅射方法进行的，任选地，磁控溅射方法为直流磁控溅射、中频磁控溅射或射频磁控溅射。

根据本发明的实施例，导电氧化物为选自铝掺杂的氧化锌、氟掺杂的氧化锡、锡掺杂的氧化铟、硼掺杂的氧化锌中的至少一种。

根据本发明的实施例，一次沉积是在10～300摄氏度，优选15～30摄氏度的温度下进行的，二次沉积是在450～600摄氏度，优选480摄氏度的温度下进行的。

根据本发明的实施例，一次沉积的时间为2～10分钟，优选为4分钟，二次沉积的时间为5～15分钟，优选为8分钟。

根据本发明的实施例，衬底为玻璃衬底，优选为半钢化玻璃衬底。

根据本发明的实施例，沉积薄膜的厚度为0.3～2.0微米，优选1.0微米。

根据本发明的实施例，在步骤(3)中，采用无机酸溶液、碱溶液或盐溶液作为蚀刻液，任选地，蚀刻液为选自磷酸、醋酸或0.5体积％的盐酸中的至少一种。

根据本发明的实施例，在步骤(3)中，湿法蚀刻的时间为30～90秒，优选为60秒。

在本发明的另一方面，本发明提供了一种薄膜太阳能电池。根据本发明的实施例，该薄膜太阳能电池包括：前玻璃；前电极透明导电氧化物薄膜；光电转化层；背电极透明导电薄膜；背反射层；封装材料；以及背电极，其中，前电极透明导电氧化物薄膜是通过前面所述的制备透明导电氧化物薄膜的方法制备的。发明人发现，根据本发明实施例的薄膜太阳能电池，具有较高的光利用率和转换效率，主要是由于采用了通过前面所述的制备透明导电氧化物薄膜的方法制备的透明导电氧化物薄膜作为前电极，使得其具有较高的光透过率和雾度，且电阻和雾度分布均匀，从而能够提高对入射光的散射能力，延长光在本征吸收层中的光程，从而提高电池对光的吸收，进而实现提高电池转换效率的目的。

附图说明

图1显示了根据本发明实施例的制备透明导电氧化物薄膜的方法的流程示意图；

图2显示了根据本发明实施例的制备透明导电氧化物薄膜的方法的流程示意图；

图3显示了根据本发明实施例的透明导电氧化物薄膜的不均匀度检测结果图；

图4显示了根据本发明实施例的透明导电氧化物薄膜的透过率检测结果图；

图5显示了根据本发明实施例的透明导电氧化物薄膜的雾度检测结果图；

图6显示了根据本发明实施例的透明导电氧化物薄膜的方阻和雾度检测结果图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种制备透明导电氧化物薄膜的方法。根据本发明的实施例，参照图1和图2，该方法包括以下步骤：

S100：利用导电氧化物，在衬底10的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜20。由此，能够快速有效的在衬底10上沉积形成大面积、表面平整的导电氧化物薄膜20，且形成的导电薄膜20均匀性好，有利于提高其使用效果。

根据本发明的实施例，在进行沉积处理之前，可以预先对衬底10进行清洁处理。具体而言，清洁处理可以包括：利用清洗剂对衬底10进行清洗；利用纯水对经过清洗的衬底10进行冲洗；以及将经过冲洗的衬底10烘干。其中，所采用的清洗剂的种类不受特别限制，可以为半导体行业常用的清洗剂。由此，能够快速有效地去除衬底表面的有机污渍、灰尘以及其他杂质，可以避免在后续步骤中引入杂质，有利于提高制备获得的透明导电氧化物薄膜的物化性能。

根据本发明的实施例，沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积，其中，一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。发明人惊喜地发现，通过在不同的温度下进行两次沉积形成沉积薄膜20，可以大大提高沉积薄膜20的分布均匀性，得到的沉积薄膜20的不均匀度低于5％，而且，二次沉积在较高的温度下进行，形成的薄膜硬度较大，有利于在后续蚀刻步骤中控制蚀刻速度，得到雾度分布均匀的透明导电氧化物薄膜，进而，将制备获得的透明导电氧化物薄膜应用于薄膜太阳能电池时，能够有效提高转换效率。

根据本发明的实施例，一次沉积和二次沉积是通过磁控溅射方法进行的。由此，能够有效形成大面积、表面平整的沉积薄膜20，且操作简单、方便。磁控溅射功率可以为100W-250W，压强为2-10mTorr，由此，有利于提高沉积薄膜的平整性、均匀性和整体性能。根据本发明的一些实施例，磁控溅射方法可以为直流磁控溅射、中频磁控溅射或射频磁控溅射。磁控溅射的工作原理是电子在电场E的作用下，在飞向衬底过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子，新电子飞向衬底，Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在衬底上形成薄膜，可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大、附着力强、高速、低温、低损伤等优点。直流磁控溅射利用的是直流辉光放电，初始电子加速碰撞Ar形成氩离子和另一个电子(α过程)，而氩离子在电场作用下加速碰撞阴极(靶材)也会形成二次电子发射(γ过程)，当放电达到稳定后进入辉光放电阶段。射频磁控溅射利用的是射频放电，带电粒子在电极间往复震荡并相互碰撞电离，电极无需与等离子体接触也能维持放电。中频磁控溅射是指中频反应溅射，由于溅射电压的频率范围处于10～80KHz范围，因此又叫中频溅射。

根据本发明的实施例，一次沉积可以在10～300摄氏度的温度下进行，优选情况下，可以在15～30摄氏度的温度下进行。由此，能够有效地形成大面积的、均匀性较高的导电氧化物薄膜，有利于后续步骤进行。如果一次沉积温度过高，则造成能耗浪费，优选在15～30摄氏度的温度下进行，则通常情况下可直接在室温下进行，不需要额外对衬底进行加热升温，能够有效降低能耗，且简化了操作步骤。根据本发明的实施例，二次沉积是在450～600摄氏度的温度下进行，优选情况下，可以在480摄氏度的温度下进行。由此，二次沉积形成的薄膜不仅均匀性好，且硬度较高，有利于在后续步骤中控制蚀刻速度，以形成分布均匀的高雾度导电氧化物薄膜。如果二次沉积的温度过低，达不到提高二次沉积薄膜硬度的效果，无法在后续步骤中使沉积薄膜具有分布均匀的雾度，如果温度过高，则会造成能耗浪费，经济性不高。在450～600摄氏度，优选480摄氏度的温度下进行二次沉积，既能保证沉积薄膜的性能，又具有良好的经济性。

根据本发明的实施例，一次沉积的时间可以为2～10分钟，优选情况下，可以为4分钟，二次沉积的时间为5～15分钟，优选情况下，可以为8分钟。由此，制备获得的沉积薄膜具有合适的厚度，有利于提高透明导电氧化物薄膜的光透过率和雾度，以及均匀性。

根据本发明的实施例，衬底10的具体种类不受特别限制，可以为本领域已知的任何衬底。在本发明的实施例中，衬底10可以为玻璃衬底，优选情况下，可以为半钢化玻璃衬底。由此，衬底10具有较高的光透过率以及良好的耐高温性能，可以有效通过磁控溅射法等进行沉积薄膜。

根据本发明的实施例，经过沉积处理后，衬底10上形成的沉积薄膜20的厚度可以为0.3～2.0微米，优选情况下为1.0微米。由此，沉积薄膜20不仅具有较高的光透过率，还可以在后续步骤中通过蚀刻具有较高的雾度，而不影响沉积薄膜20的其他性能。

根据本发明的实施例，导电氧化物的具体种类不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。在本发明的一些实施例中，导电氧化物可以为选自铝掺杂的氧化锌、氟掺杂的氧化锡、锡掺杂的氧化铟、硼掺杂的氧化锌中的至少一种。由此，制备获得的沉积薄膜20均匀度高，表面平整，且透光率高，采用上述导电氧化物，有利于提高透明导电氧化物薄膜的使用性能。

S200：对沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成透明导电氧化物薄膜。

在该步骤中，通过对沉积薄膜20进行湿法蚀刻，能够使得沉积薄膜20表面形成绒面织构，从而使得获得的透明导电氧化物薄膜在具有高透光率的同时，具有分布均匀的高雾度，以提高采用该透明导电氧化物薄膜的薄膜太阳能电池的转换效率。具体而言，由于沉积薄膜20是通过依次进行的一次沉积和二次沉积形成的，且二次沉积在较高的温度下进行，形成的薄膜硬度较大，因此通过沉积处理得到的沉积薄膜20远离衬底的表面硬度较高，靠近衬底的表面硬度较小，在湿法蚀刻过程中，沉积薄膜20远离衬底的部分(即二次沉积形成的薄膜)蚀刻速度较慢，靠近衬底的部分(即一次沉积形成的薄膜)蚀刻速度较快，通过沉积薄膜20的特殊结构、蚀刻速度的控制，结合导电氧化物的结晶取向，可以在沉积薄膜20远离衬底的表面上形成开口角度大约120度(图2所示α角)的凹陷，使得得到的透明导电氧化物薄膜具有分布均匀的高雾度。

根据本发明的实施例，在步骤S200中，采用的蚀刻液的具体种类不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在本发明的一些实施例中，可以采用无机酸溶液、碱溶液或盐溶液作为蚀刻液。由此，能够快速有效的在沉积薄膜表面形成绒面织构，使得得到的透明导电氧化物薄膜具有分布均匀的高雾度。优选情况下，蚀刻液可以为选自磷酸、醋酸或0.5体积％的盐酸中的至少一种。由此，蚀刻效果较好，效率较高，且形成的绒面织构分布均匀。

根据本发明的实施例，在步骤S200中，湿法蚀刻的时间可以为30～90秒。由此，能够有效获得满足要求的绒面织构。优选情况下，蚀刻时间可以为60秒。由此，蚀刻获得的绒面织构分布均匀，得到的透明导电氧化物薄膜具有分布均匀的高雾度。

发明人发现，利用本发明的该方法，能够快速有效地制备获得透明导电氧化物薄膜，且步骤简单，操作容易、方便快捷，同时，制备获得的透明导电氧化物薄膜不仅具有较高的光透过率和高雾度，还具有较高的均匀性，即电阻和雾度分布均匀性较高，由此，将制备获得的透明导电氧化物薄膜应用于薄膜太阳能电池时，能够提高电池对光的吸收，睁大光生电流，提高电池转换效率。

在本发明的另一方面，本发明提供了一种薄膜太阳能电池。根据本发明的实施例，该薄膜太阳能电池包括：前玻璃；前电极透明导电氧化物薄膜；光电转化层；背电极透明导电薄膜；背反射层；封装材料；以及背电极，其中，前电极透明导电氧化物薄膜是通过前面所述的制备透明导电氧化物薄膜的方法制备的。发明人发现，根据本发明实施例的薄膜太阳能电池，具有较高的光利用率和转换效率，主要是由于采用了通过前面所述的制备透明导电氧化物薄膜的方法制备的透明导电氧化物薄膜作为前电极，使得其具有较高的光透过率和雾度，且电阻和雾度分布均匀，从而能够提高对入射光的散射能力，延长光在本征吸收层中的光程，从而提高电池对光的吸收，进而实现提高电池转换效率的目的。

下面详细描述本发明的实施例。

实施例1：

在该实施例中，按照如下步骤制备透明导电氧化物薄膜：

1、利用半导体行业常用清洗剂，清洗1.3m×1.1m的超白浮法玻璃衬底，去除衬底表面的有机污渍、灰尘，然后用纯水将衬底冲洗干净，并烘干。

2、采用磁控溅射方法，利用铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)、在温度为25℃条件下，在衬底上进行一次沉积4min，接着提高衬底温度至480℃，进行二次沉积8min，得到厚度为1000nm左右的大面积ZnO:Al透明导电薄膜。

3、在湿法刻蚀设备中对上述步骤获得的1.1m×1.3m面积的ZnO:Al透明导电薄膜进行化学湿法刻蚀处理，刻蚀溶液为0.5％的稀盐酸，刻蚀温度25C，刻蚀时间为60s，得到透明导电氧化物薄膜。

4、通过XY-Table测试平台利用四探针测试仪测试透明导电氧化物薄膜的厚度及方阻，从而获得的透明导电氧化物薄膜的不均匀度，检测结果见图3，由图3可以看出，制备获得的透明导电氧化物薄膜不均匀度为5％。

实施例2

按照如下步骤制备透明导电氧化物薄膜：

1、利用半导体行业常用清洗剂，清洗1.3m×1.1m的超白浮法玻璃衬底，去除衬底表面的有机污渍、灰尘，然后用纯水将衬底冲洗干净，并烘干。

2、采用磁控溅射方法，利用铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)、在温度为25℃条件下，在衬底上进行一次沉积4min，接着提高衬底温度至480℃，进行二次沉积8min，得到厚度为1000nm左右的大面积ZnO:Al透明导电薄膜。

3、在湿法刻蚀设备中对上述步骤获得的1.1m×1.3m面积的ZnO:Al透明导电薄膜进行化学湿法刻蚀处理，刻蚀溶液为0.5％的稀盐酸，刻蚀温度25℃，分别进行60s和80s的湿法刻蚀，得到透明导电氧化物薄膜。

4、通过分光光度计测试透明导电氧化物薄膜的透过率、吸收率和反射率，通过进一步计算得到雾度(Haze)，透过率检测结果见图4，雾度结果见图5，由图4和图5可以看出，不同刻蚀时间制备获得的透明导电氧化物薄膜，600nm透过率均>80％，Haze均>60％。

实施例3

按照如下步骤制备透明导电氧化物薄膜：

1、利用半导体行业常用清洗剂，清洗1.3m×1.1m的超白浮法玻璃衬底，去除衬底表面的有机污渍、灰尘，然后用纯水将衬底冲洗干净，并烘干。

2、采用磁控溅射方法，利用铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)、在温度为250℃条件下，在衬底上进行一次沉积4min，接着提高衬底温度至480℃，进行二次沉积8min，得到厚度为1000nm左右的大面积ZnO:Al透明导电薄膜。

3、在湿法刻蚀设备中对上述步骤获得的1.1m×1.3m面积的ZnO:Al透明导电薄膜进行化学湿法刻蚀处理，刻蚀溶液为0.5％的稀盐酸，刻蚀温度25℃，蚀刻时间为60s的湿法刻蚀，得到透明导电氧化物薄膜。

4、通过四探针测试设备检测上述步骤制备获得的透明导电氧化物薄膜的方阻并通过透过率、吸收率和反射率的测定计算出雾度(Haze)，方阻和雾度结果见图6，由图6可以看出，制备获得的透明导电氧化物薄膜，方阻均小于20欧姆、Haze>40％。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (17)

1.一种制备透明导电氧化物薄膜的方法，其特征在于，包括：

(1)利用导电氧化物，在衬底的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜，所述沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积；以及

(2)对所述沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成所述透明导电氧化物薄膜，

其中，

所述一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，以及

所述二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行步骤(1)之前，预先对所述衬底进行清洁处理，所述清洁处理包括：

利用清洗剂对所述衬底进行清洗；

利用纯水对经过清洗的衬底进行冲洗；以及

将经过冲洗的衬底烘干。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次沉积和所述二次沉积是通过磁控溅射方法进行的，所述磁控溅射方法为直流磁控溅射、中频磁控溅射或射频磁控溅射。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电氧化物为选自铝掺杂的氧化锌、氟掺杂的氧化锡、锡掺杂的氧化铟、硼掺杂的氧化锌中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次沉积是在10～300摄氏度，所述二次沉积是在450～600摄氏度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述一次沉积是在15～30摄氏度的温度下进行的。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述二次沉积是在480摄氏度的温度下进行的。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次沉积的时间为2～10分钟，所述二次沉积的时间为5～15分钟。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述一次沉积的时间为4分钟。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述二次沉积的时间为8分钟。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述衬底为半钢化玻璃衬底。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积薄膜的厚度为0.3～2.0微米。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沉积薄膜的厚度为1.0微米。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，采用无机酸溶液、碱溶液或盐溶液作为蚀刻液，

所述蚀刻液为选自磷酸、醋酸或0.5体积％的盐酸中的至少一种，

在步骤(2)中，所述湿法蚀刻的时间为30～90秒。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻的时间为60秒。

17.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括：

前玻璃；

前电极透明导电氧化物薄膜；

光电转化层；

背电极透明导电薄膜；

背反射层；

封装材料；以及

背电极，

其中，所述前电极透明导电氧化物薄膜是通过权利要求1-16中任意一项所述的方法制备的。