CN105261579A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明构思提供了一种基板处理装置，所述装置包括：处理容器，所述处理容器的顶端是开放的；基板支撑单元，所述基板支撑单元放置于处理容器中以支撑基板；处理液供应单元，所述处理液供应单元将处理液供应至放置于基板支撑单元上的基板；以及加热单元，所述加热单元放置于基板支撑单元中以加热基板。所述加热单元包括：加热元件和反射元件，所述反射元件将来自加热元件的热量向上反射。

Description

基板处理装置

技术领域

本文所述的本发明构思的实施例涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种在进行处理时同时加热基板的基板处理装置。

背景技术

通常，在制作平板显示器或半导体装置时，可以进行诸如光刻胶涂覆工艺、显影工艺、刻蚀工艺以及除尘工艺等各种工艺以处理玻璃基板或晶片。

在每一工艺中，可以进行湿法清洁工艺以去除附着在基板上的各种污染物，然后可以进行干燥工艺以干燥残留在基板表面的化学溶液或纯水(例如去离子水)。

近年来，可以采用刻蚀工艺通过在高温下使用化学溶液来选择性去除氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，所述化学溶液例如为硫酸或磷酸。

在使用高温化学溶液的基板处理装置中，可以采用基板加热装置以提高刻蚀速率。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种基板处理装置，能够在处理基板过程中均匀加热基板。本发明构思的实施例提供了一种基板处理装置。

一方面，本发明构思的实施例旨在提供一种基板处理装置，所述装置包括：处理容器，所述处理容器的顶端是开放的；基板支撑单元，所述基板支撑单元放置于所述处理容器中以支撑基板；处理液供应单元，所述处理液供应单元将处理液供应至放置于基板支撑单元上的基板；加热单元，所述加热单元放置于所述基板支撑单元中以加热基板；所述加热单元包括加热元件和反射元件，所述反射元件将来自所述加热元件的热量向上反射。

所述加热元件可以包括多个灯。

所述基板支撑单元可以包括：卡盘载台(stage)，基板放置于所述卡盘载台上，并且所述卡盘载台是可旋转的；和旋转单元，所述旋转单元具有中空形状并与所述卡盘载台相连以使所述卡盘载台旋转；其中，所述加热元件位于所述卡盘载台中，并且包括多个灯，多个灯同心布置以形成多个环形形状，各个环形形状到所述卡盘载台中心的距离彼此不同。

所述反射元件可以包括设置在相邻的灯之间的主反射板。

所述反射元件可以进一步包括位于所述卡盘载台与所述多个灯之间的内反射板。

所述反射元件可以进一步包括与所述内反射板间隔开的外反射板，其中，所述多个灯居于所述内反射板与所述外反射板之间。

所述外反射板的高度低于所述主反射板和所述内反射板的高度。

所述反射元件可以进一步包括位于所述多个灯下方的下反射板。

所述主反射板从所述下反射板向上突出。

所述主反射板可以包括第一侧壁。所述第一侧壁是倾斜的，并且越朝向其顶端越远离与其相邻的灯。

所述主反射板可以进一步包括第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁以穿过所述主反射板中心的虚线为中心对称。

所述主反射板的宽度朝着其顶端逐渐缩小。

所述主反射板垂直于所述下反射板。

所述反射元件的表面由金属材料形成。

所述反射元件的表面由金、银或铝中的任一种形成。

附图说明

通过下述参照下列附图进行的描述，上述内容及其它目标和特征将变得显而易见，其中，在所有的各个附图中，相同的附图标记表示相同的部件，除非明确表明并非如此。其中，

图1为示出了提供有根据本发明构思的实施例所述的基板处理装置的基板处理设备的俯视图；

图2为图1的基板处理装置的俯视图；

图3为图1的基板处理装置的剖视图；

图4为根据本发明构思的示例性实施例所述的、图2的基板支撑单元和加热单元的剖视图；

图5为图4的加热单元的局部放大图。

具体实施方式

将参照附图详细描述实施例。然而，本发明构思可以以各种不同形式体现，而不应当解释为仅限定于所示实施例。更确切些，对于本领域技术人员而言，这些实施例是作为示例来提供，这样，本公开将彻底、完整并充分地表达本发明构思的理念。相应地，对于本发明构思的一些实施例，并没有描述相关的已知工艺、构件和技术。除非另有说明，否则在全部附图和本说明书中，相同的附图标记表示相同的元件，因此对于相同的附图标记将不会重复描述。在附图中，为清楚起见，层和区域的尺寸及其相对尺寸可以被放大。

应当理解的是，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分相区分。因此，在不脱离本发明构思教导的情况下，以下讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了便于描述，本文可使用空间相对术语例如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…下面”、“在…上方”、“上面的”等，以描述如附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征之间的关系。应当理解的是，空间相对术语的目的在于除了附图中描述的方位以外，还意图包含装置在使用或操作中的其它不同方位。例如，如果附图中的装置被倒置，描述为在其它元件或特征“之下”或“下方”或“下面”的元件将随之调整为在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“在…下方”和“在…之下”可包含上方和下方两个方位。装置可作其它调整(旋转90度或处于其它方位)，并且本文使用的空间相对术语可进行相应的解释。此外，还应当理解的是，当某层被描述为在两层“之间”时，可为两层之间的唯一层，或者也可存在一个或多个中间层。

本文所使用的术语仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限定本发明构思。如本文所使用的单数形式的“一个”和“该/所述”旨在还包含复数形式，除非上下文清楚指出并非如此。还应当理解的是，在该说明书中所使用的术语“包含”和/或“包括”指定存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件、和/或以上的组合。如本文所用，术语“和/或”包括所列出的相关项目中的任意一个或多个、或者它们的所有组合。此外，术语“示例性”的目的是指例子或示例。

应当理解的是，当元件或层被描述为“在(另一个元件或层)上”、“连接到”、“结合到”、或“相邻”另一个元件或层时，可为直接在(另一个元件或层)上、直接连接到另一个元件或层、直接结合到另一个元件或层、或直接相邻另一个元件或层，或者也可存在中介元件或层。与此相反，当一个元件被描述为“直接在(另一个元件或层)上”、“直接连接到”、“直接结合到”、或“直接相邻”另一个元件或层时，则不存在中介元件或层。

除非另有定义，本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员普遍理解的含义相同的含义。还应当理解的是，例如在常用词典中定义的那些术语，应解释为具有与它们在本说明书背景技术和/或具体实施方式等部分相一致的含义，而不能在理想化或过于正式的意义中解释，除非本文明确定义如此。

在下述说明中，应当理解的是，当某元件(例如层、区域、基板、板或元件)被描述为“在(另一元件)上”时，可以是指该元件直接在另一元件上，也可以存在中介元件。相反的，术语“直接”则意味着没有中介元件。

图1为示出了本发明构思的基板处理设备1的俯视图。

参见图1，基板处理设备1可以包括索引模块1000和工艺处理模块2000。索引模块1000可以包括装载口1200和传输框架1400。装载口1200、传输框架1400与工艺处理模块2000可以依次布置在一条直线上。下文中，布置有装载口1200、传输框架1400和工艺处理模块2000的方向可以称为第一方向12。相应地，当从上方观察时，垂直于第一方向12的方向可以称为第二方向14，而垂直于包含第一方向12和第二方向14的平面的方向可以称为第三方向16。

可以在装载口1200上放置有用于接收基板W的载体1300。装载口1200可以包括多个装载口1200，且多个装载口1200可以设置在沿第二方向14的一条直线上。在图1中，本发明构思的实施例示出了4个装载口1200。然而，可以根据诸如处理效率和封装等条件等增加或减少装载口1200的数量。在载体1300中可以形成插槽(未示出)以支撑基板W的边缘。可在第三方向16上提供有多个插槽。基板W可以位于载体1300的内部以便使基板W彼此间隔开地沿着第三方向堆叠。前开式晶圆盒(FOUP)可以被用作载体1300。

工艺处理模块2000可以包括缓冲单元2200、传输腔室2400和处理腔室2600。传输腔室2400可以设置为其长度方向平行于第一方向12。处理腔室2600可以沿着第二方向14分别设置在传输腔室2400的一侧和另一侧。位于传输腔室2400一侧的处理腔室2600与位于传输腔室2400另一侧的处理腔室2600可以提供为以传输腔室2400为中心相互对称。某些处理腔室2600可以沿着传输腔室2400的长度方向设置。进一步地，某些处理腔室2600可以设置为彼此堆叠。也就是，处理腔室2600可以以A×B(A和B分别为1或大于1的自然数)矩阵设置在传输腔室2400的一侧。本文中，“A”可以是在沿着第一方向12的直线上提供的处理腔室2600的数量，而“B”可以是在沿着第三方向16的直线上提供的处理腔室2600的数量。当在传输腔室2400的某一侧提供4个或6个处理腔室2600时，处理腔室2600可以设置为2×2或者3×2矩阵。可以增加或减少处理腔室2600的数量。与上述不同的是，处理腔室2600可以只提供在传输腔室2400的一侧。此外，与上述不同的是，处理腔室2600可以提供在传输腔室2400一侧或两侧的单独一层中。

缓冲单元2200可以设置在传输框架1400与传输腔室2400之间。缓冲单元2200可以提供一空间，基板W在传输腔室2400与传输框架1400之间相互传输之前停留在该空间中。缓冲单元2200中可以提供有用于放置基板W的插槽(未示出)，且可以提供多个插槽(未示出)以便使它们沿着第三方向彼此间隔开。在缓冲单元2200中，面向传输框架1400的一侧以及面向传输腔室2400的一侧均可以是开放的。

传输框架1400可以在缓冲单元2200与放置在装载口1200上的载体1300之间传输基板W。传输框架1400可以包括索引轨道1420和索引机械手1440。索引轨道1420可以提供为其长度方向平行于第二方向14。索引机械手1440可以安装在索引轨道1420上，而且可以沿着索引轨道1420在第二方向14上线性移动。索引机械手1440可以具有基部1441、本体1442和索引臂1443。基部1441可以安装为沿着索引轨道1420可移动。本体1442可以与基部1441连接。本体1442可以提供为在基部1441上沿着第三方向16可移动。进一步地，本体1442可以提供为在基部1441上是可旋转的。索引臂1443可以连接到本体1442，且可以提供为相对于本体1442可向前和向后移动。可以提供多个索引臂1443，并且多个索引臂1443可以彼此独立驱动。多个索引臂1443可以堆叠以便使它们可以沿着第三方向16彼此间隔开。一部分索引臂1443可以用于将基板W从工艺处理模块2000传输到载体1300，剩余部分的索引臂1443可以用于将基板W从载体1300传输到工艺处理模块2000。因此，有可能防止微粒(当基板W被索引机械手1440载进或载出时，在基板W处理之前从基板W上产生的微粒)在基板W处理之后附着到该基板W上。

传输腔室2400可以在缓冲单元2200与处理腔室2600之间、以及在各个处理腔室2600之间传输基板W。传输腔室2400可以包括导轨2420和主机械手2440。导轨2420可以设置为其长度方向平行于第一方向12。主机械手2440可以安装在导轨2420上且可以沿着第一方向12在直线上移动。主机械手2440可以包括基部2441、本体2442和主臂2443。基部2441可以安装为沿着导轨2420是可移动的。本体2442可以与基部2441连接。本体2442可以提供为在基部2441上沿着第三方向16是可移动的。进一步地，本体2442可以提供为在基部2441上是可旋转的。主臂2443可以连接到本体2442以便相对于本体2442可向前和向后移动。可以提供多个主臂2443且多个主臂2443可以彼此独立驱动。多个主臂2443可以堆叠以便使它们可以沿着第三方向16彼此间隔开。将基板W从缓冲单元2200传输到处理腔室2600的主臂2443可以不同于将基板W从处理腔室2600传输到缓冲单元2200的主臂2443。

可以在处理腔室2600中提供有基板处理装置10以在基板W上进行清洁工艺。根据清洁工艺的类型，每个处理腔室2600中的基板处理装置10的结构可以是不同的。可选地，各个处理腔室2600中的基板处理装置10可以具有相同的结构。可选地，各个处理腔室2600可以分为多组。在这种情况下，属于相同组的处理腔室中的基板处理装置10可以具有相同的结构；另一方面，属于不同组的处理腔室2600中的基板处理装置10可以具有不同的结构。例如，当处理腔室2600分为两组时，第一组的处理腔室2600可以提供在传输腔室2400的一侧，而第二组的处理腔室2600可以提供在传输腔室2400的另一侧。选择性地，在传输腔室2400的任意一侧中，第一组的处理腔室2600可以提供在下方层中，而第二组的处理腔室2600可以提供在上方层中。可以基于所用的化学物质的类型或所用的清洁方式的类型将处理腔室2600分为第一组和第二组。

下文中，描述了使用处理液清洁基板W的装置，所述处理液例如高温硫酸、碱液、酸液、冲洗液和干燥气体。然而，本发明构思的范围和精神不应限制于此。本发明构思可应用到执行工艺的各种装置中，所述工艺例如当旋转基板W时的刻蚀工艺。

图2为图1的基板处理装置的俯视图，而图3为图1的基板处理装置的剖视图。参见图2和图3，基板处理装置10可以包括腔室800、处理容器100、基板支撑单元200、加热单元280、处理液供应单元300、工艺排气单元500和升降单元600。

腔室800可以提供闭合的内部空间。气流供应单元810可以设置在腔室800的顶端部。气流供应单元810可以在腔室800内形成下降气流。

气流供应单元810可以过滤高湿空气并将其供应到腔室内。由于高湿空气通过气流供应单元810被供应到了腔室内，因而可以形成下降气流。下降气流可以使均匀的气流供应到基板W上，并且，在处理基板W表面的过程中生成的污染物可以通过处理容器100的收集容器110、120和130与空气一起被排放到出口。

腔室800可以被水平隔板814划分为处理区816和维护区818。处理容器100和基板支撑单元200可以位于处理区816。结合到处理容器100的排出管线141、143和145、排气管线510、升降单元600的驱动器、连接到处理液供应单元300的驱动单元、以及供应管线可以位于维护区818。维护区818可以与处理区816相互独立。

处理容器100可以具有顶端开放的圆筒形形状，从而可以为处理基板W提供处理空间。处理容器100开放的顶端可以用作载进和载出基板W的通路。基板支撑单元200可以位于处理空间中。当进行处理时，基板支撑单元200可以支撑基板W并且可以使基板W旋转。

对于强制性排气，处理容器100可以提供下方空间，其中，空气排出管190连接到下方空间的底端部。用于收集从旋转的基板W上散落的处理液和气体的第一收集容器110、第二收集容器120、第三收集容器130可以以多阶梯形式设置在处理容器100中。

具有环形形状的三个收集容器110、120、130都可以具有与常规环形空间相连的排出口H。

具体地，三个收集容器110、120、130中的每一个均可以包括具有环形形状的底表面和从底表面延伸的具有圆筒形状的侧壁。第二收集容器120可以围绕第一收集容器100且可以与第一容器110间隔开。第三收集容器130可以围绕第二收集容器120且可以与第二收集容器120间隔开。

第一到第三收集容器可以提供第一到第三收集空间RS1、RS2和RS3，其中，从基板W上散落的含有处理液和烟雾的气流流入第一到第三收集空间RS1、RS2和RS3内。第一收集容器110可以限定为第一收集空间RS1，第一收集容器110与第二收集容器120之间的空间可以限定为第二收集空间RS2，第二收集容器120与第三收集容器130之间的空间可以限定为第三收集空间RS3。

三个收集容器110、120、130的顶面中的每一个均可以朝向中心部分开放。三个收集容器110、120、130中的每一个均可以具有倾斜面，且所述倾斜面可以形成为使该倾斜面与相应的底面之间的距离从侧壁朝着开口逐渐增大。从基板W上散落的处理液可以沿着三个收集容器110、120、130的顶面流入到三个收集空间RS1、RS2、RS3。

流入第一收集空间RS1的第一处理液可以通过第一收集管线141排放到外部。流入第二收集空间RS2的第二处理液可以通过第二收集管线143排放到外部。流入第三收集空间RS3的第三处理液可以通过第三收集管线145排放到外部。

处理液供应单元300可以输出用于刻蚀基板W的高温化学物质。例如，处理液可以为硫酸或磷酸，或者为硫酸和磷酸的混合液。

处理液喷嘴元件310可以包括喷嘴311、喷嘴臂313、支撑杆315和喷嘴驱动器317。喷嘴311可以通过供应单元320接收处理液。喷嘴311可以将处理液喷射到基板W表面。喷嘴臂313的长度可以在一个方向上延伸，且喷嘴311可以安装到喷嘴臂313的前端。喷嘴臂313可以支撑喷嘴311。支撑杆315可以安装到喷嘴臂313的后端。支撑杆315可以位于喷嘴臂313的底端。支撑杆315可以设置为垂直于喷嘴臂313。喷嘴驱动器317可以提供在支撑杆315的底端。喷嘴驱动器317可以使支撑杆315以支撑杆315的长度方向轴为中心进行旋转。支撑杆315的旋转可以使喷嘴臂313和喷嘴311使用支撑杆315为轴进行摇摆移动。喷嘴311可以在处理容器100的内侧和外侧之间摇摆移动。当喷嘴311在基板W的中心区域与边缘区域之间摇摆移动时可以输出处理液。

工艺排气单元500可以用于排放处理容器100中的空气、气体等之类物质。根据本发明构思的一个实施例，工艺排气单元500可以在工艺期间将排气压力(抽吸压力)施加到用于收集处理液的第一到第三收集容器110、120和130。工艺排气单元500可以包括阻尼器520和连接到排出管190的排气管线510。排气管线510中可以提供有来自排气泵(未示出)的排气压力，并且排气管线510可以与埋入到半导体生产线下方的主排气管线相结合。

另一方面，处理容器100可以连接到升降单元600以改变处理容器100的垂直位置。升降单元600可以使处理容器100向上和向下线性移动。由于处理容器100可向上和向下移动，因而可以改变处理容器100相对于基板支撑单元200的相对高度。

升降单元600可以包括托架612、移动轴614和驱动器616。托架612可以固定到处理容器100的外壁上。移动轴614可以固定连接到托架612上，并可以通过驱动器616向上和向下移动。当基板W装载到卡盘载台210上或者从卡盘载台210上卸载时，处理容器100可以升降以便使卡盘载台210从处理容器100的顶面向上突出。进一步地，在执行工艺时，可以调节处理容器100的高度以便根据供应到基板W上的处理液的类型使处理液流入预定的收集容器110、120和130中。可以改变处理容器100与基板W之间的相对垂直位置。在处理容器100中，分别由收集空间RS1、RS2和RS3收集的处理液和污染气彼此可以是不同的。根据本发明构思的实施例，通过垂直移动处理容器100，升降单元600可以改变处理容器100与基板支撑单元200之间的相对垂直位置。

图4为根据本发明构思的示例性实施例所述的图2的基板支撑单元和加热单元的剖视图。图5为图4的加热单元的局部放大图。参见图2-图5，在处理期间，基板支撑单元200可以支撑基板W，且可以通过驱动器进行旋转。

基板支撑单元200可以包括卡盘载台210、石英窗220、旋转单元230和后喷嘴240。

卡盘载台210可以具有圆形的顶面。卡盘载台210通过与旋转单元230相连可以旋转。卡盘销212可以安装在卡盘载台210的边缘。卡盘销212可以穿过石英窗220并从石英窗220的上表面向上突出。卡盘销212可以对准由多个支撑销224支撑的基板W以便将其放置到给定位置。在工艺期间，卡盘销212可以与基板W的侧壁接触且可以防止基板W从给定位置偏离。

旋转单元230可以具有中空形状且可以连接到卡盘载台210以使卡盘载台210旋转。

石英窗220可以位于基板W和卡盘载台210上。石英窗220可以设置为保护加热元件250。石英窗220可以是透明的。石英窗220可以与卡盘载台210一起旋转。石英窗220可以包括支撑销224。支撑销224可以设置在石英窗220上表面的边缘且可以彼此间隔开。支撑销224可以从石英窗220向上突出。支撑销224可以支撑基板W的下表面以允许基板W与石英窗220向上间隔开。

后喷嘴单元240可以提供为将化学溶液喷射到基板W的下表面。后喷嘴单元240可以包括喷嘴壳体242和化学溶液喷射单元244。化学溶液喷射单元244可以位于卡盘载台210和石英窗220的中心部。喷嘴壳体242可以安装为穿透旋转单元230，并且在喷嘴壳体242的内部可以提供有化学溶液流动管线、气体供应管线和模糊气(fuzzygas)供应管线。化学溶液流动管线可以将用于刻蚀基板W下表面的刻蚀液供应到化学溶液喷射单元244。气体供应管线可以将用于控制刻蚀均匀性的氮气供应到基板W的下表面。模糊气供应管线可以供应氮气模糊气以防止刻蚀液渗透到石英窗220与喷嘴壳体242之间。

加热单元280可以安装在基板支撑单元200中。在执行工艺时，加热单元280可以加热基板W。加热单元280可以包括加热元件250、反射元件260和温控单元270。

加热元件250可以安装在卡盘载台210上。加热元件的直径可以是可变化的。可以提供多个加热元件250。加热元件250可以以环形形状提供。例如，加热元件可以提供为具有环形形状的多个灯252。温控单元270可以提供为独立控制相对应的灯252。

加热元件250可以被划分为多个同心区域。能够单独加热各区域的灯252可以提供在各区域中。各个灯252可以提供为距离卡盘载台210的中心具有不同半径的环形形状。本发明构思的实施例示出灯252的数量为“6”。然而，本发明构思的范围和精神可以不限于此。例如，可以根据所需温度增加或减少灯的数量。为了这一目的，对灯252进行独立控制的温控单元270可以安装在反射元件260上。例如，在灯252与卡盘载台210一起旋转的结构中，可以使用集电环将能量供应到加热元件250。

可以在加热元件250与卡盘载台210之间提供反射元件260。反射元件260可以将来自灯252的热量反射到放置在其上的基板W上。反射元件260可以由安装为穿透旋转单元230的中心空间的喷嘴壳体242支撑。反射元件260可以向下延伸以便形成于内侧端。反射元件260可以不与卡盘载台210一起旋转，也就是，反射元件260可以是固定的。

反射元件260可以包括下反射板261、内反射板263、主反射板265和外反射板267。下反射板261可以位于卡盘载台210的顶部与灯252的下表面之间。内反射板263可以位于相邻基板支撑单元200中心的位置处。内反射板263可以位于灯252与喷嘴壳体242之间。内反射板263可以从下反射板261向上突出。内反射板263可以提供为环形形状。内反射板263可以从下反射板261上垂直设置。主反射板265可以从下反射板261上突出且可以提供多个主反射板265。主反射板265可以与内反射板263在远离卡盘载台210的方向上间隔开。主反射板265可以提供为环形形状。主反射板265可以位于相邻的灯252之间。例如，主反射板265可以包括第一侧壁265a和第二侧壁265b。第一侧壁265a可以是倾斜的，这样，第一侧壁265a与相邻的灯252之间的距离越朝向顶端越大。第一侧壁265a可以与第二侧壁265b以穿过主反射板265中心的虚线作为中心彼此对称，且可以具有相同的倾斜角。或者，主反射板265可以提供为其截面朝着顶端逐渐变小。主反射板265的高度可以不同于内反射板263的高度。外反射板267可以与内反射板263间隔开，灯252居于二者之间。外反射板267的高度可以低于内反射板263和主反射板265的高度。

反射元件260的表面可以由金属材料形成。反射元件260的表面可以由具有高热反射率的金属材料形成。例如，反射元件260的表面可以由金、银或铝材料形成。或者，可以是其它任何具有高热反射率的金属材料。

通过在各个加热元件250之间提供主反射板265，反射元件260可以调整热量的反射方向，从而可以将大量的热量提供给基板W。进一步地，通过提供主反射板265可以降低下反射板261的热量变化。

辐射热量的热量辐射销(未示出)可以安装在反射元件260上。为了抑制反射元件260生成热量，可以使冷却气在下反射板261的底表面上流动。例如，喷嘴壳体242可以具有喷入口248，用于朝着设置有温控单元270的方向将冷却气喷入到下反射板261的下表面。

温控单元270可以以线性形式安装在反射元件260的直线上，以测量每一个红外(IR)灯252的温度。

温控单元270可以包括支撑板272和温控传感装置273。具有上述结构的温控单元270可以位于邻近加热元件250的位置处，以精确测量加热元件250的温度。通过在反射元件260上安装薄板温控单元270可以测量并控制温度。

支撑板272可以由薄片形状形成，并且可以朝着固定挡块的一侧延伸。支撑板272可以设置为朝着下反射板261的上表面间隔开，并且可以在下反射板261的表面上面向支撑板272形成穿孔269。在下表面流动的冷却气可以通过穿孔269冷却温控单元270。

根据本发明构思的示例性实施例，基板处理装置可以包括加热单元，以在工艺期间中均匀地加热基板，从而提高处理效率。

根据本发明构思的示例性实施例，基板处理装置可以包括反射元件，以反射加热单元的热量，从而可以将大量的热传输到基板表面上。

虽然参照示例性实施例描述了本发明构思，但对本领域技术人员来说可以理解的是，在不脱离本发明构思的精神及范围的情况下，可以得到各种改变和变型。因此，可以理解的是，上述实施例不是限制性的，而是示例性的。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

处理容器，所述处理容器的顶端是开放的；

基板支撑单元，所述基板支撑单元放置于所述处理容器中以支撑基板；

处理液供应单元，所述处理液供应单元将处理液供应至放置于所述基板支撑单元上的基板；

加热单元，所述加热单元放置于所述基板支撑单元中以加热基板，

其中，所述加热单元包括：

加热元件；和

反射元件，所述反射元件将来自所述加热元件的热量向上反射。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热元件包括多个灯。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板支撑单元包括：

卡盘载台，基板放置于所述卡盘载台上，并且所述卡盘载台是可旋转的；和

旋转单元，所述旋转单元具有中空形状并与所述卡盘载台相连以使所述卡盘载台旋转；

其中，所述加热元件位于所述卡盘载台中，并且包括多个灯，所述多个灯同心布置以形成多个环形形状，各个环形形状到所述卡盘载台中心的距离彼此不同。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件包括设置在相邻的灯之间的主反射板。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件进一步包括：

位于所述卡盘载台与所述多个灯之间的内反射板。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件进一步包括：

与所述内反射板间隔开的外反射板，其中，所述多个灯居于所述内反射板与所述外反射板之间。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述外反射板的高度低于所述主反射板和所述内反射板的高度。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件进一步包括：

位于所述多个灯下方的下反射板。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板从所述下反射板向上突出。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板包括：第一侧壁，

其中，所述第一侧壁是倾斜的，并且越朝向其顶端越远离与其相邻的灯。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板进一步包括：第二侧壁，

其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁以穿过所述主反射板中心的虚线为中心对称。

12.根据权利要求4-9任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板的宽度朝着其顶端逐渐缩小。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述主反射板垂直于所述下反射板。

14.根据权利要求1-11任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件的表面由金属材料形成。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述反射元件的表面由金、银或铝中的任一种形成。