CN105070813A - 一种大功率led支架及其封装方法 - Google Patents
一种大功率led支架及其封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105070813A CN105070813A CN201510550409.5A CN201510550409A CN105070813A CN 105070813 A CN105070813 A CN 105070813A CN 201510550409 A CN201510550409 A CN 201510550409A CN 105070813 A CN105070813 A CN 105070813A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- copper plate
- bracket
- power led
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种大功率LED支架及其封装方法,该支架包括铜板、基板,基板置于铜板上,两者压合连接在一起,在基板两侧设置有导孔,所述铜板和基板的电路通过导孔连接,所述LED芯片安装在铜板上,其电极通过金线与基板上的电极连接,所述LED芯片、金线通过硅树脂封装,所述硅树脂呈半圆,起到光学透镜的作用,所述硅树脂外部设置有玻璃透镜。该支架具有高导热,具有反射被且体积小,封装时有点胶和模压两种封装方式,能够实现轻薄小尺寸功率型封装。
Description
技术领域
本发明涉及LED灯技术领域,具体的说是涉及一种大功率LED支架及其封装方法。
背景技术
LED封装行业朝着可实现大规模生产,降低成本,设计灵活,尺寸更小,符合LED产品轻薄化、高集成、小体积的应用趋势发展。
随着LED芯片功率的增大,特别是固态照明技术的发展需求,对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。为了有效的降低封装热阻,提高出光效率,必须采用全新的技术思路来进行封装设计。
如图1所示的现有技术中的LED封装结构,常规大功率LED主要由支架17、LED芯片14、金线16、封装胶13、透镜11等组成;支架17由铜柱15、反射碗杯12、支架引脚、支架碗杯等组成;封装时芯片安装在反射杯内,金线需跨过反射杯来连接芯片和支架引脚,再通过封装胶保护整个支架碗杯内芯片金线。封装体尺寸大,不易实现大规模生产。
发明内容
针对现有技术中的不足,本发明要解决的技术问题在于提供了一种大功率LED支架及其封装方法,该支架具有高导热,具有反射被且体积小,封装时有点胶和模压两种封装方式,能够实现轻薄小尺寸功率型封装。
为解决上述技术问题,本发明通过以下方案来实现:一种大功率LED支架,该支架包括铜板、基板,基板置于铜板上,两者压合连接在一起,在基板两侧设置有导孔,所述铜板和基板的电路通过导孔连接,所述LED芯片安装在铜板上,其电极通过金线与基板上的电极连接,所述LED芯片、金线通过硅树脂封装,所述硅树脂呈半圆,起到光学透镜的作用,所述硅树脂外部设置有玻璃透镜。
进一步的,所述基板为BT树脂基覆板。
进一步的,所述基板可以使用FR4覆铜板替代。
进一步的,所述铜板厚度为0.2mm,基板厚度为0.3mm,支架整体厚度为0.5mm。
进一步的,所述支架为350~450W/(m·K)导热系数的支架。
一种大功率LED支架的封装方法,该方法包括以下步骤:
1)、将铜板进行捞槽,形成一条条的槽沟,捞槽的目的是为了实现铜板的正负极,捞槽后使用有机树脂对槽沟进行填满,目的是将正负极实现电气绝缘且粘合牢固;
2)、对基板捞出反射杯,并钻出基板和铜板连接的导孔;
3)、将基板和铜板贴合,贴合后对导孔进行沉铜电镀以实现电路连接;对铜板表面进行电镀银,以防止封装时铜的氧化和增加反射提高封装体的出光;
4)、封装时先将LED芯片安装在反射杯中心的铜板上,通过金线)实现LED芯片和基板上电极的电路连接;
5)、将步骤4)中的LED芯片上封装出玻璃透镜;
6)、封装完成后再对整块支架进行切割,切割成单颗材料。
进一步的,所述金线的焊盘在基板上表面,基板焊盘位置再捞出两个焊线位置,基板上不再需要设计焊盘电路和与铜板连接的导孔,金线直接与铜板键合。
相对于现有技术,本发明的有益效果如下:
1、实现轻薄小尺寸功率型封装,铜板厚度0.2mm,基板厚度0.3mm,支架整体厚度0.5mm。
2、支架可使用点胶和模压两种封装方法。
3、支架具有高导热率,导热系数在350~400W/(m·K)。
4、实现中大功率LED较小尺寸封装,低成本。
5、本发明封装体在应用时需要采用反贴,电路板需要开孔,才能使LED光散出去。
6、金线的焊盘在BT基板上表面,封装时焊线需要金线的跨度较大,存在金线用量较大和线弧不够稳定的问题,故在基板焊盘位置再捞出两个焊线位置,基板上不再需要设计焊盘等电路和与铜板连接的导孔,金线直接与铜板键合,线弧较低可以得到稳定的线弧。
7.本发支架具有高导热,具有反射被且体积小,封装时点胶和模压两种封装方式;可实现轻薄小尺寸功率型封装。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为传统的LED灯封装结构示意图。
图2为本发明大功率LED支架结构示意图。
图3为本发明大功率LED封装结构示意图。
图4为本发明铜板捞槽结构示意图。
图5为本发明BT基板捞出反射杯结构示意图。
图6为本发明BT基板和铜板贴合结构示意图。
图7为本发明LED芯片电路连接示意图。
图8为本发明封装出玻璃透镜结构示意图。
图9为本发明封装完成后再对整块支架进行切割,切割成单颗材料示意图。
图10为本发明在基板焊盘位置再捞出两个焊线位置示意图。
图11为本发明采用模压方式模压出透镜胶体示意图。
附图中标记:铜板2、基板3、导孔4、LED芯片5、金线6、硅树脂7。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参照附图2~3一种大功率LED支架,该支架包括铜板2、基板3,基板3置于铜板2上,两者压合连接在一起,在基板3两侧设置有导孔4,所述铜板2和基板3的电路通过导孔4连接,所述LED芯片5安装在铜板2上,其电极通过金线6与基板3上的电极连接,所述LED芯片5、金线6通过硅树脂7封装,所述硅树脂7呈半圆,起到光学透镜的作用,所述硅树脂7外部设置有玻璃透镜。所述基板3为BT树脂基覆板,所述基板3可以使用FR4覆铜板替代,所述铜板2厚度为0.2mm,基板3厚度为0.3mm,支架整体厚度为0.5mm,所述支架为350~450W/(m·K)导热系数的支架。
实施例1:
一种大功率LED支架的封装方法,该方法包括以下步骤:
1、如图4所示,将铜板2进行捞槽,形成一条条的槽沟2-1,捞槽的目的是为了实现铜板的正负极,捞槽后使用有机树脂对槽沟2-1进行填满,目的是将正负极实现电气绝缘且粘合牢固;
2、如图5所示,对基板3捞出反射杯3-1,并钻出基板3和铜板2连接的导孔4;
3、如图6所示,将基板3和铜板2贴合,贴合后对导孔4进行沉铜电镀以实现电路连接;对铜板2表面进行电镀银,以防止封装时铜的氧化和增加反射提高封装体的出光;
4、如图7所示,封装时先将LED芯片5安装在反射杯3-1中心的铜板上,通过金线6实现LED芯片5和基板3上电极的电路连接;
5、如图8所示,将步骤4中的LED芯片5上封装出玻璃透镜5-4;
6、如图9所示,封装完成后再对整块支架进行切割,切割成单颗材料。
如图10所示,所述金线6的焊盘在基板3上表面,基板3焊盘位置再捞出两个焊线位置,基板上不再需要设计焊盘电路和与铜板连接的导孔,金线6直接与铜板键合。
如图11所示,本发明采用模压方式模压出透镜胶体,可形成较好的出光效果,如使用点胶方式也可实现封装。
以上所述仅为本发明的优选实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种大功率LED支架,其特征在于:该支架包括铜板(2)、基板(3),基板(3)置于铜板(2)上,两者压合连接在一起,在基板(3)两侧设置有导孔(4),所述铜板(2)和基板(3)的电路通过导孔(4)连接,所述LED芯片(5)安装在铜板(2)上,其电极通过金线(6)与基板(3)上的电极连接,所述LED芯片(5)、金线(6)通过硅树脂(7)封装,所述硅树脂(7)呈半圆,起到光学透镜的作用,所述硅树脂(7)外部设置有玻璃透镜。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED支架,其特征在于:所述基板(3)为BT树脂基覆板。
3.根据权利要求1所述的一种大功率LED支架,其特征在于:所述基板(3)可以使用FR4覆铜板替代。
4.根据权利要求1所述的一种大功率LED支架,其特征在于:所述铜板(2)厚度为0.2mm,基板(3)厚度为0.3mm,支架整体厚度为0.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种大功率LED支架,其特征在于:所述支架为350~450W/(m·K)导热系数的支架。
6.一种以权利要求1所述的大功率LED支架的封装方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)、将铜板(2)进行捞槽,形成一条条的槽沟(2-1),捞槽的目的是为了实现铜板的正负极,捞槽后使用有机树脂对槽沟(2-1)进行填满,目的是将正负极实现电气绝缘且粘合牢固;
2)、对基板(3)捞出反射杯(3-1),并钻出基板(3)和铜板(2)连接的导孔(4);
3)、将基板(3)和铜板(2)贴合,贴合后对导孔(4)进行沉铜电镀以实现电路连接;对铜板(2)表面进行电镀银,以防止封装时铜的氧化和增加反射提高封装体的出光;
4)、封装时先将LED芯片(5)安装在反射杯(3-1)中心的铜板上,通过金线(6)实现LED芯片(5)和基板(3)上电极的电路连接;
5)、将步骤4)中的LED芯片(5)上封装出玻璃透镜(5-4);
6)、封装完成后再对整块支架进行切割,切割成单颗材料。
7.根据权利要求6所述的大功率LED支架的封装方法,其特征在于:所述金线(6)的焊盘在基板(3)上表面,基板(3)焊盘位置再捞出两个焊线位置,基板上不再需要设计焊盘电路和与铜板连接的导孔,金线(6)直接与铜板键合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510550409.5A CN105070813A (zh) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 一种大功率led支架及其封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510550409.5A CN105070813A (zh) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 一种大功率led支架及其封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105070813A true CN105070813A (zh) | 2015-11-18 |
Family
ID=54500137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510550409.5A Pending CN105070813A (zh) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 一种大功率led支架及其封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105070813A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108400219A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-08-14 | 永林电子有限公司 | 一种支架模压球头型led及其制备方法 |
| CN109817797A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-28 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Led器件和灯组阵列 |
| CN111477733A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-31 | 深圳市环基实业有限公司 | 一种晶片封装方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101663768A (zh) * | 2007-10-15 | 2010-03-03 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 功率led散热基板结构及由其制造的器件 |
| CN102354720A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-02-15 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | 一种led的封装方法及led封装结构 |
| CN202523755U (zh) * | 2012-04-01 | 2012-11-07 | 广州大学 | 一种具有热电分离结构的发光器件 |
| CN204966534U (zh) * | 2015-09-01 | 2016-01-13 | 宏齐光电子(深圳)有限公司 | 一种大功率led支架 |
-
2015
- 2015-09-01 CN CN201510550409.5A patent/CN105070813A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101663768A (zh) * | 2007-10-15 | 2010-03-03 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 功率led散热基板结构及由其制造的器件 |
| CN102354720A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-02-15 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | 一种led的封装方法及led封装结构 |
| CN202523755U (zh) * | 2012-04-01 | 2012-11-07 | 广州大学 | 一种具有热电分离结构的发光器件 |
| CN204966534U (zh) * | 2015-09-01 | 2016-01-13 | 宏齐光电子(深圳)有限公司 | 一种大功率led支架 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108400219A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-08-14 | 永林电子有限公司 | 一种支架模压球头型led及其制备方法 |
| CN108400219B (zh) * | 2018-02-09 | 2023-08-01 | 永林电子股份有限公司 | 一种支架模压球头型led及其制备方法 |
| CN109817797A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-28 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Led器件和灯组阵列 |
| CN111477733A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-31 | 深圳市环基实业有限公司 | 一种晶片封装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5290101B2 (ja) | 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法 | |
| CN204966534U (zh) | 一种大功率led支架 | |
| CN204155931U (zh) | 一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶led元件 | |
| CN203134860U (zh) | 一种中小功率led贴片封装结构 | |
| CN202076265U (zh) | 一种led模组的封装结构及照明装置 | |
| CN102185090A (zh) | 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法 | |
| CN103500787A (zh) | 一种底部可直接焊接于散热器的陶瓷cob封装led光源 | |
| CN102769087A (zh) | 基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺 | |
| CN202884530U (zh) | Led电路模组 | |
| CN105321937A (zh) | 超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶led元件 | |
| CN102522466A (zh) | 一种led照明装置的封装方法 | |
| CN105280626A (zh) | 超小超薄高光效侧射型高亮白光led元件 | |
| CN105070813A (zh) | 一种大功率led支架及其封装方法 | |
| CN101442040B (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
| CN202888174U (zh) | 一种led光源模组 | |
| CN103822143A (zh) | 硅基led路灯光源模块 | |
| CN102082217A (zh) | 一种发光二极管 | |
| CN204155954U (zh) | 一种超小超薄高光效侧射型高亮白光led元件 | |
| CN204118124U (zh) | Cob集成连体支架 | |
| CN204424311U (zh) | 一种终端、led闪光灯及其支架、模组 | |
| EP2484969A1 (en) | Led energy-saving lamp | |
| CN202188450U (zh) | 一种led模组及照明装置 | |
| CN101447534B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN105826447A (zh) | 封装结构及其制法 | |
| CN202205814U (zh) | 一种发光二极管器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151118 |