CN104536637A - 内嵌式触摸屏及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种内嵌式触摸屏及显示装置。该内嵌式触摸屏包括具有多个子像素的阵列基板，以及设置于所述阵列基板上的多条彼此交叉且彼此绝缘的栅线和数据线、多个同层设置且相互独立的自电容电极、以及将各所述自电容电极分别连接至触控侦测芯片的多条触控线，其中，所述栅线和数据线彼此交叉界定所述多个子像素，每个子像素包括像素电极，每个子像素具有长边和短边，所述触控线沿所述子像素的短边方向延伸设置。本发明的实施例通过新型像素结构设计，优化触控线位置，可提高开口率，降低功耗。

Description

内嵌式触摸屏及显示装置

技术领域

本发明的实施例涉及一种自电容触摸屏及显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为：外挂式触摸屏(Add onMode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)分开生产，然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。

发明内容

本发明的实施例提供一种内嵌式触摸屏及显示装置。

本发明的至少一个实施例提供一种内嵌式触摸屏，包括：具有多个子像素的阵列基板，以及设置于所述阵列基板上的多条彼此交叉且彼此绝缘的栅线和数据线、多个同层设置且相互独立的自电容电极、以及将各所述自电容电极连接至触控侦测芯片的多条触控线。所述栅线和数据线彼此交叉界定所述多个子像素，每个子像素包括像素电极，每个子像素具有长边和短边，所述触控线沿所述子像素的短边方向延伸设置。

例如，一个像素包括多个所述子像素，每个所述像素的多个子像素与一条所述数据线和多条所述栅线分别连接，即：每个所述像素由一条所述数据线和多条所述栅线驱动。

例如，以一个、两个或多个像素为一周期在所述阵列基板上设置所述多条触控线。

例如，所述触控线与所述数据线同层设置，相互绝缘且布线方向相同。

例如，所述触控线与所述像素电极同层设置，位于相邻的两个所述像素之间间隙处。

例如，所述内嵌式触摸屏还可包括与各条所述触控线同层设置且相互绝缘的多条冗余金属线；各所述冗余金属线与各条触控线相互平行，且与交叠的一所述自电容电极并联。

例如，各所述自电容电极与各所述触控线之间具有层间绝缘层，各所述自电容电极通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与对应的触控线电性相连。

例如，所述层间绝缘层在各所述自电容电极与除电性相连的触控线以外的触控线的交叠区域具有凹陷部，所述过孔与所述凹陷部的截面形状一致，且在所述层间绝缘层中均匀分布。

例如，相邻的两个自电容电极相对的侧边均为折线。

例如，相邻的两个自电容电极相对的为折线的侧边均设置为阶梯状结构，两阶梯状结构的形状一致且相互匹配。

例如，相邻的两个自电容电极相对的为折线的侧边均设置为凹凸状结构，两凹凸状结构的形状一致且相互匹配。

例如，各所述自电容电极组成所述阵列基板上的公共电极层。

例如，所述公共电极层位于所述像素电极与所述阵列基板之间，并且在所述像素电极和所述公共电极层之间设有绝缘层。

例如，所述像素电极位于所述公共电极层与所述阵列基板之间，并且在所述像素电极和所述公共电极层之间设有绝缘层。

本发明的实施例还提供一种显示装置，包括以上所述任一自电容触摸屏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1为一种内嵌式触摸屏俯视结构示意图；

图2a为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图一；

图2b为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图二；

图3和图4分别为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中自电容电极和触控线之间的连接关系示意图；

图5a和图5b分别为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中设置真假过孔的结构示意图；

图6a和图6b分别为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的侧视结构示意图；

图7a和图7b分别为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的驱动时序示意图；

图8a和图8b分别为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中相邻的自电容电极相对的侧边设置为折线的结构示意图。

附图标记：

01-数据线；02-阵列基板；03-自电容电极；04-触控侦测芯片；05-触控线；06-金属线；07-层间绝缘层；08-公共电极；09-像素电极；10-栅线；A-过孔；B-凹陷部；L-一个子像素的长边；W-一个子像素的短边。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

通常，内嵌式触摸屏可以是利用互电容或自电容的原理实现检测手指触摸位置。以苹果Iphone5为例，其采用了互电容的内嵌式触摸技术，将触控电极制作在阵列基板上，这相对于常规阵列工艺增加了至少2张掩模，并且互电容技术的信噪比(Signal to Noise Ratio，SNR)只能做到20以下。利用自电容的原理可以在触摸屏中设置多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，当人体未触碰屏幕时，各自电容电极所承受的电容为一固定值；当人体触碰屏幕时，对应的自电容电极所承受的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。自电容式设计中人体电容可以作用于全部自电容，相对于互电容式设计中人体电容仅能作用于互电容中的投射电容，由人体碰触屏幕所引起的触控变化量更大，因此相对于互电容式的触摸屏能有效提高触控的信噪比，从而提高触控感应的准确性。

在内嵌式触摸屏中，为了将自电容电极与触控侦测芯片连接，一般会设置与自电容电极对应连接的触控线。例如，可以将触控线与自电容电极的图形设置在同一膜层，也可以将触控线与自电容电极的图形异层设置。将触控线和自电容电极同层设置虽然可以避免增加新的构图工艺，但是，将自电容电极和触控线同层设置会形成触控盲区，在触控盲区内连接多个自电容电极的触控线均经过该触控盲区，因此，在这个触控盲区内的信号相对比较紊乱，也就是在该区域内的触控性能无法保证。基于上述考虑，一般将触控线和自电容电极异层设置。

目前常规的自电容方案均采用公共电极(Vcom)复用方式，即显示阶段充当公共电极，在触控阶段充当感应电极。采用此种方案实现较简单，不需额外增加薄膜数量。但由于感应电极通常有几百个，需要几百个触控信号连接线。若将这些引线从面板两端引出，则难以实现窄边框产品。为此，人们提出了一种双重数据线方案，即，利用数据信号所在图层，在纵向上增加一信号线，充当触控线(Touch line)。由于额外引入的触控线，相应位置的黑矩阵(Black Matrix)宽度需要增加，势必对开口率造成影响，对高像素密度(PPI，Pixels Per Inch)产品中影响尤甚。

图1是一种内嵌式触摸屏俯视结构示意图，展示了自电容触摸方案的原理图。一般将单个节点设计成5mm*5mm左右的方形电极(自电容电极)，然后将该电极用一根导线连接至触控侦测芯片04，通过触控侦测芯片04给该电极施加驱动信号Tx，并且该电极可以自己接受反馈信号。由于工作过程中，例如用于操作的手指为直接耦合的方式，故手指引起的触控变化量会比较大。图1所示为通常的自电容双重数据线设计方案，每个像素多加一条数据线(Data line)充当触控线，并通过过孔使其与自电容电极连接。触控线05与数据线01为同层金属结构。这里每个像素例如包括三个子像素(例如RGB子像素)。

下面结合附图，对本发明实施例提供的内嵌式触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏，如图2a或图2b所示，包括具有多个子像素的阵列基板，以及设置于阵列基板上的多条彼此交叉且彼此绝缘的栅线10和数据线01、多个同层设置且相互独立的自电容电极03以及平行于数据线01且将各自电容电极03分别连接至触控侦测芯片04的多条触控线05。栅线10和数据线01彼此交叉界定了多个子像素，每个子像素包括像素电极09和开关元件(例如薄膜晶体管(TFT))。每个子像素具有长边和短边。这里，例如界定任意一个子像素的栅线的长度L大于界定该子像素的数据线的长度W。触控线05沿子像素的短边方向延伸设置。在图2所示的示例中，子像素的长边方向为水平方向，而短边方向为垂直方向，并且触控线05与数据线01平行设置。

因为界定任意一个子像素的栅线的长度L大于界定该子像素的数据线的长度W，从而可以使得像素电极在栅线方向上的长度大于在数据线方向上的长度。

本发明的实施例通过新型像素结构设计，优化触控线位置，可提高开口率，降低功耗。

例如，一个像素包括多个子像素，每个像素由一条数据线和多条栅线驱动。

例如，每个像素包括相邻设置的三个子像素，例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。每个像素可由一条数据线和三条栅线驱动，该数据线上分时输入不同子像素的数据信号(例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的数据信号)。或者，每个像素可由三条数据线和一条栅线驱动。

例如，可以一个像素为一周期在阵列基板上设置多条触控线05，亦可以两个或多个像素为一周期设置多条触控线05。

图2所示的像素结构，同一个像素由三个栅信号和一个数据信号驱动。触控线依然和数据线同层设计，触控线通过过孔和自电容电极连接。

图2所示的结构中增加的触控线位于子像素的短边，增加的是短边方向的黑矩阵的尺寸，与常规设计中的子像素相比较，可以大大减小其对开口率的影响。而且由于两个或多个像素仅需要一条数据线，还可以节省驱动IC中通道(channel)的数量，从而降低成本，减小功耗，实现窄边框设计。

在具体实施过程中，可根据具体方案调整触控线的排布，如每个触控单元可由一条或多条触控线连接，过孔可根据需要调整数量，以两个或多个像素为一周期设置多条触控线等。

例如，触控线05与数据线01同层设置，相互绝缘且布线方向相同；在该结构中，触控线05与数据线01可以由同一导电层(金属层)构图得到。这样可以使得触控线05与触控侦测芯片04的连接处不会占用两侧的边框，这也易于实现窄边框设计的触摸屏。

例如，相邻的两个自电容电极03之间的间隙在阵列基板02的正投影均位于相邻的两个像素之间的间隙处。

例如，为了不影响触摸屏的开口率，在数据线01所在膜层增加的触控线05一般设置在阵列基板中排列的各像素的间隙处，如图2a所示，触控线05可以紧邻数据线01设置。进一步地，为了避免出现触控线05和数据线01传输的信号相互干扰的问题，可将图1中相邻的两列子像素的其中一个水平翻转，在数据线01相对远离的相邻的两列像素的间隙处设置触控线05，从而可使得数据线01与触控线05相对远离。

例如，触摸屏中的自电容电极03和触控线05异层设置，为了降低自电容电极03的电阻，提高各自电容电极03传递电信号的信噪比，可以将自电容电极03与对应的触控线05通过多个过孔电性相连，如图3所示。相当于将自电容电极03和多个由触控线05组成的金属电阻并联，这样能最大限度的减少电极的电阻，从而提高电极传递信号时的信噪比。

例如，为了更多地降低自电容电极03的电阻，在设计各条触控线05时，如图4所示，在满足各触控线05与对应的自电容电极03电性连接后，还可以将原来贯穿整个面板的整条的触控线05断开，形成触控线05和与触控线05同层设置且相互绝缘的多条金属线06；各金属线06与各触控线05相互平行，且与交叠的一自电容电极03并联，即通过过孔电性相连。

上述设计能充分利用相邻子像素之间的间隙，在保证触摸屏的开口率的同时，利用了触控线05的冗余部分，设置电阻值较低的冗余金属线06，并将电阻值较低的冗余金属线06与电阻值较高的各自电容电极03并联，能最大程度的降低各自电容电极03的电阻。

例如，通过过孔将触控线05与对应的自电容电极03连接时，如图3和图4所示，连接自电容电极03与对应的触控线05的过孔在整个显示区域分布并不均匀，这会影响到触摸屏显示画面的整体均一性。基于此，本发明实施例提供的一种示范性触摸屏中，如图5a所示，利用在各自电容电极03与各触控线05之间具有的层间绝缘层07，使各自电容电极03通过贯穿层间绝缘层07的过孔A与触控线05电性相连，并且在层间绝缘层07中位于各自电容电极03与不相连的触控线05的交叠区域设置假过孔，即层间绝缘层07在自电容电极03与除电性相连的触控线05以外的触控线05的交叠区域设置凹陷部B。通过在层间绝缘层07中增加与过孔A匹配的假过孔，保证了整个显示区域的图形均一性，从而提高触摸屏显示画面的均一性。

需要说明的是，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，在自电容电极03和触控线05之间设置的层间绝缘层07可以由多层绝缘层组成，也可以由一层绝缘层组成，在此不做限定。层间绝缘层07中设置的过孔A是指贯穿组成层间绝缘层07的各层绝缘层的孔洞，层间绝缘层07中设置的凹陷部B是指没有贯穿层间绝缘层07的凹槽。

例如，为了保证触摸屏显示区域的图形均一性，在制作层间绝缘层07中的过孔A和凹陷部B时，可以将两者的截面形状设计为相同的形状，例如可以设计为直径大小相同的圆形，并且，一般地，将过孔A和凹陷部在层间绝缘层07中设计为均匀分布，如图5b所示。

例如，本发明实施例提供的上述触摸屏，既适用于扭转向列(TwistedNematic,TN)型液晶显示屏，也适用于高级超维场开关(Advanced DimensionSwitch,ADS)型液晶显示屏和平面内开关(In-Plane Switch,IPS)型液晶显示屏。

例如，在本发明实例提供的上述触摸屏应用于传统ADS型液晶面板时，例如公共电极层作为板状电极位于下层(更靠近衬底基板)，像素电极作为狭缝电极位于上层(更靠近液晶层)，即公共电极层位于像素电极与阵列基板之间，并且在像素电极和公共电极层之间设有绝缘层。对于HADS型液晶面板，像素电极作为板状电极位于下层(更靠近衬底基板)，公共电极层作为狭缝电极位于上层(更靠近液晶层)，即像素电极位于公共电极层与阵列基板之间，并且在像素电极和公共电极层之间还设有绝缘层。

当本发明实施例提供的上述触摸屏应用于ADS型液晶屏时，例如，本发明实施例提供的上述触摸屏，如图6a所示，可以将阵列基板02中的公共电极层08复用为自电容电极03，即各自电容电极03组成阵列基板02上的公共电极层08。在触控时间段触控侦测芯片04用于检测是否存在触控操作，而在显示时间段触控侦测芯片04还用于对各自电容电极03加载公共电极信号。在将公共电极层08的结构进行变更分割成自电容电极03以实现触控功能时，不需要增加额外的工艺，可以节省生产成本，提高生产效率。

或者，如图6b所示，本发明的实施例还可以在各像素电极09的间隙处设置与像素电极09同层设置的自电容电极03，即各自电容电极03与阵列基板02上的像素电极09同层设置，且各自电容电极03的图形位于相邻的两个像素电极09的间隙处。在将像素电极层的结构进行变更在各像素电极09原有的间隙处形成自电容电极03，可在现有的阵列基板制备工艺的基础上，也不需要增加额外的工艺，可以节省生产成本，提高生产效率。

例如，根据上述触摸屏具体应用的液晶显示面板的模式，当采用公共电极层08复用为自电容电极03时，各自电容电极03在与像素的开口区域对应的位置可以具有狭缝状ITO电极结构或板状ITO电极结构，即在HADS模式时各自电容电极03由狭缝状ITO电极组成；例如，狭缝状ITO电极结构为在像素的开口区域具有狭缝的ITO电极。在ADS模式时各自电容电极03由板状ITO电极组成以满足液晶显示的需求，此时自电容电极03可以透过像素电极层09的狭缝区域与人体电场相互作用。ADS模式和HADS模式的液晶面板的具体结构在此不再赘述。

一般地，触摸屏的密度通常在毫米级，因此，可以根据所需的触控密度选择各自电容电极03的密度和所占面积以保证所需的触控密度，例如各自电容电极03设计为5mm*5mm左右的方形电极。而显示屏的密度通常在微米级，因此，一般一个自电容电极03会对应显示屏中的多个子像素。

在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，当采用将现有的整层设置在阵列基板02上的公共电极层08分割成多个自电容电极03时，为了不影响正常的显示功能，在对公共电极层08进行分割时，分割线一般都会避开显示的开口区域，设置在黑矩阵层的图形区域，即各自电容电极03之间的间隙在阵列基板02上的正投影一般会位于阵列基板02的子像素的间隙处。

或者，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏中，将自电容电极03的图形是设置在各像素电极09的间隙处时，一般是各自电容电极03的图形设置为以像素电极09作为网孔的网格状结构。

例如，各自电容电极组成阵列基板上的公共电极层。触控侦测芯片用于在触控时间阶段通过检测各自电容电极的电容值变化以判断触控位置，还用于在显示时间段对各公共电极加载公共电极信号。触控侦测芯片例如使用集成电路(IC)制备。

例如，由于本发明实施例提供的上述触摸屏复用公共电极层作为自电容电极，因此在实施时，需要采用触控和显示阶段分时驱动的方式，并且，在实施时还可以将显示驱动芯片和触控侦测芯片整合为一个芯片，进一步降低生产成本。

例如，如图7a和图7b所示的驱动时序图中，将触摸屏显示每一帧(V-sync)的时间分成显示时间段(Display)和触控时间段(Touch)。例如如图7a和图7b所示的驱动时序图中触摸屏的显示一帧的时间为16.7ms，选取其中4ms作为触控时间段，其他的12.7ms作为显示时间段。当然也可以根据用于触控侦测芯片的IC芯片的处理能力适当的调整两者的时长，在此不做具体限定。在显示时间段(Display)，对触摸屏中的每条栅极信号线Gate1，Gate2……Gate n依次施加栅扫描信号，对数据信号线Data施加灰阶信号，与各自电容电极Cx1……Cx n连接的触控侦测芯片向各自电容电极Cx1……Cx n分别施加公共电极信号，以实现显示功能。在触控时间段(Touch)，如图7a所示，与各自电容电极Cx1……Cx n连接的触控侦测芯片向各自电容电极Cx1……Cx n例如同时施加驱动信号，同时接收各自电容电极Cx1……Cx n的反馈信号；也可以如图7b所示，与各自电容电极Cx1……Cx n连接的触控侦测芯片向各自电容电极Cx1……Cx n依次施加驱动信号，分别接收各自电容电极Cx1……Cx n的反馈信号，在此不做限定。通过对反馈信号的分析判断是否发生触控，以实现触控功能。

例如，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，由于人体电容通过直接耦合的方式作用于各自电容电极03的自电容，因此，人体触碰屏幕时，仅在触摸位置下方的自电容电极03的电容值有较大的变化量，而与触摸位置下方的自电容电极03相邻的自电容电极03的电容值变化量非常小。这样，在触摸屏上滑动时，不能确定自电容电极03所在区域内的触控坐标。为解决此问题，在本发明的一个实施例提供的内嵌式触摸屏中，例如将相邻的两个自电容电极03相对的侧边均设置为折线，以便增大位于触摸位置下方的自电容电极03相邻的自电容电极03的电容值变化量。

例如，可以采用如下两种方式之一或组合的方式设置各自电容电极03的整体形状：

1、可以将相邻的两个自电容电极03相对的为折线的侧边均设置为阶梯状结构，两阶梯状结构形状一致且相互匹配，如图8a所示，图8a中示出了2*2个自电容电极03；

2、可以将相邻的两个自电容电极03相对的为折线的侧边均设置为凹凸状结构，两凹凸状结构形状一致且相互匹配，如图8b所示，图8b中示出了2*2个自电容电极03。

例如，本发明实施例提供的上述触摸屏中，可以采用任意的构图流程制作阵列基板02上的各膜层，例如可以采用8次构图工艺：栅极和栅线构图→有源层构图→第一绝缘层构图→数据线、触控线和源漏极构图→层间绝缘层构图→像素电极构图→第二绝缘层构图→公共电极层构图；当然不限于此，也可以根据实际设计，采用7次构图工艺、6次构图工艺或5次构图工艺，在此不做限定。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、手表、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述内嵌式触摸屏的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏，该内嵌式触摸屏包括具有多个子像素的阵列基板，以及设置于阵列基板上的多条彼此交叉且彼此绝缘的栅线和数据线、多个同层设置且相互独立的自电容电极、以及将各自电容电极分别连接至触控侦测芯片的多条触控线，其中，栅线和数据线彼此交叉界定多个子像素，每个子像素包括像素电极，且每个子像素具有长边和短边，触控线沿子像素的短边方向延伸设置。本发明的实施例通过新型像素结构设计，优化触控线位置，可提高开口率，降低功耗。

本发明的实施例重新设计了像素排布，降低由于引入触控线对开口率造成的影响，还可以降低IC(Integrated Circuit)的功耗。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种内嵌式触摸屏，包括：

具有多个子像素的阵列基板，以及

设置于所述阵列基板上的多条彼此交叉且彼此绝缘的栅线和数据线、多个同层设置且相互独立的自电容电极、以及将各所述自电容电极连接至触控侦测芯片的多条触控线，

其中，所述栅线和数据线彼此交叉界定所述多个子像素，每个子像素包括像素电极，且每个子像素具有长边和短边，所述触控线沿所述子像素的短边方向延伸设置。

2.根据权利要求1所述的内嵌式触摸屏，其中，一个像素包括多个所述子像素，每个所述像素的多个子像素与一条所述数据线和多条所述栅线分别连接。

3.根据权利要求1或2所述的内嵌式触摸屏，其中，以一个、两个或多个像素为一周期在所述阵列基板上设置所述多条触控线。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的内嵌式触摸屏，其中，所述触控线与所述数据线同层设置，相互绝缘且布线方向相同。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的内嵌式触摸屏，其中，所述触控线与所述像素电极同层设置，位于相邻的两个所述像素之间间隙处。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的内嵌式触摸屏，还包括与各条所述触控线同层设置且相互绝缘的多条冗余金属线；

其中，各所述冗余金属线与各条所述触控线相互平行，且与交叠的一所述自电容电极并联。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的内嵌式触摸屏，其中，各所述自电容电极与各所述触控线之间具有层间绝缘层，各所述自电容电极通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与对应的触控线电性相连。

8.根据权利要求7所述的内嵌式触摸屏，其中，所述层间绝缘层在各所述自电容电极与除电性相连的触控线以外的触控线的交叠区域具有凹陷部，所述过孔与所述凹陷部的截面形状一致，且在所述层间绝缘层中均匀分布。

9.根据权利要求1至8任意一项所述的内嵌式触摸屏，其中，相邻的两个自电容电极相对的侧边均为折线。

10.根据权利要求9所述的内嵌式触摸屏，其中，相邻的两个自电容电极相对的为折线的侧边均设置为阶梯状结构，两阶梯状结构的形状一致且相互匹配。

11.根据权利要求9所述的内嵌式触摸屏，其中，相邻的两个自电容电极相对的为折线的侧边均设置为凹凸状结构，两凹凸状结构的形状一致且相互匹配。

12.根据权利要求1至11任意一项所述的内嵌式触摸屏，其中，各所述自电容电极组成所述阵列基板上的公共电极层。

13.根据权利要求12所述的内嵌式触摸屏，其中，所述公共电极层位于所述像素电极与所述阵列基板之间，并且在所述像素电极和所述公共电极层之间设有绝缘层。

14.根据权利要求12所述的内嵌式触摸屏，其中，所述像素电极位于所述公共电极层与所述阵列基板之间，并且在所述像素电极和所述公共电极层之间设有绝缘层。

15.一种显示装置，包括权利要求1至14任意一项所述的内嵌式触摸屏。