AT15266U1 - Connection setup for broken silicon cores made of polysilicon - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 86
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
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Abstract
Die vorliegende Erfindung offenbart einen Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium, der einen ersten gebrochenen Siliziumkern und einen zweiten gebrochenen Siliziumkern umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsaufbau ferner einen verbindenden Siliziumkern umfasst, wobei eine Endfläche des ersten gebrochenen Siliziumkerns mit einem ersten kegelförmigen Loch versehen ist, wobei eine Endfläche des zweiten gebrochenen Siliziumkerns mit einem zweiten kegelförmigen Loch versehen ist, wobei der verbindende Siliziumkern einen Verbindungskörper und sich von den zwei Enden des Verbindungskörpers erstreckende Verbindungsabschnitte umfasst, wobei die Verbindungsabschnitte eine kegelförmige Struktur aufweisen, die mit der Form des ersten kegelförmigen Lochs und der Form des zweiten kegelförmigen Lochs korrespondiert. Die beiden Verbindungsabschnitte werden jeweils in das erste und zweite kegelförmige Loch eingesetzt, wobei der erste gebrochene Siliziumkern und der zweite gebrochene Siliziumkern mittels des verbindenden Siliziumkerns miteinander verbunden werden. Durch den erfindungsgemäßen Verbindungsaufbau wird ermöglicht, dass gebrochene Siliziumkerne so verbunden werden, dass sie nach einem Verbinden die für den Reduktionsofen erforderliche Länge erreichen können und somit für die Erzeugung von Polysilizium im Reduktionsofen verwendet werden können, um den hohen Produktionsanforderungen gerecht zu werden und das Abfallmaterial aus Siliziumkernen erheblich zu reduzieren und somit die Ausbeute beim Schneiden zu erhöhen.The present invention discloses a compound structure for broken silicon cores of polysilicon comprising a first refracted silicon core and a second refracted silicon core, characterized in that the interconnect further comprises a connecting silicon core, wherein an end surface of the first refracted silicon core is provided with a first conical hole wherein an end face of the second refracted silicon core is provided with a second tapered hole, wherein the connecting silicon core comprises a joint body and connecting portions extending from the two ends of the joint body, the joint portions having a tapered structure shaped like the first tapered hole and the shape of the second tapered hole corresponds. The two connecting portions are respectively inserted into the first and second conical holes, wherein the first broken silicon core and the second broken silicon core are connected to each other by means of the connecting silicon core. The connection structure according to the invention enables broken silicon cores to be connected in such a way that after joining they can reach the length required for the reduction furnace and thus be used for the production of polysilicon in the reduction furnace to meet the high production requirements and the waste material From silicon nuclei significantly reduce and thus increase the yield during cutting.
Description
Beschreibungdescription
VERBINDUNGSAUFBAU FÜR GEBROCHENE SILIZIUMKERNE AUS POLYSILIZIUM TECHNISCHES GEBIETCONNECTING CONSTRUCTION FOR BROKEN SILICON GRAINS FROM POLYSILICIUM TECHNICAL AREA
[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Polysilizium-Produktionstechnologien und insbesondere einen Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium.The present invention relates to the field of polysilicon production technologies, and more particularly to a connection structure for broken silicon cores of polysilicon.
STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART
[0002] Derzeit kommt als Produktionsmethode für Polysilizium hauptsächlich das Siemens-Verfahren zum Einsatz, bei dem die Siliziumkerne im Reduktionsofen einer Reduktionsreaktion unterzogen werden, um Polysilizium zu erzeugen. Das Prinzip beruht darauf, dass die Reduktionsreaktion des Siliziumkerns in einem geschlossenen Reduktionsofen durchgeführt wird. Bei der Ofenbeschickung vor der Reduktionsreaktion werden die Siliziumkerne im Reduktionsofen vorab miteinander zu mehreren geschlossenen Schleifen verbunden, wobei jede geschlossene Schleife aus zwei stehenden Siliziumkernen und einem liegenden Siliziumkern besteht. Die zwei stehenden Siliziumkerne jeder geschlossenen Schleife sind jeweils mit den beiden Elektroden an der Unterseite des Reduktionsofens verbunden. Diese Elektroden sind jeweils mit der positiven und negativen Elektrode einer Gleichstromversorgung verbunden. Anschließend werden die Siliziumkerne erhitzt. Beim Erhitzen fungiert die Gruppe der verbundenen Siliziumkerne als ein großer Widerstand. Wasserstoff und Trichlorsilan werden in den geschlossenen Reduktionsofen eingeleitet, um die Reduktionsreaktion durchzuführen. Dadurch wird das gewünschte Polysilizium an der Oberfläche der Siliziumkerne gebildet.At present, as the production method of polysilicon, mainly the Siemens method is used, in which the silicon nuclei in the reduction furnace are subjected to a reduction reaction to produce polysilicon. The principle is based on the fact that the reduction reaction of the silicon nucleus is carried out in a closed reduction furnace. In the kiln feed prior to the reduction reaction, the silicon nuclei in the reduction furnace are pre-bonded together to form a plurality of closed loops, each closed loop consisting of two stationary silicon cores and a single silicon core. The two stationary silicon nuclei of each closed loop are each connected to the two electrodes at the bottom of the reduction furnace. These electrodes are connected to the positive and negative electrodes of a DC power supply, respectively. Subsequently, the silicon nuclei are heated. When heated, the group of bonded silicon nuclei acts as a large resistor. Hydrogen and trichlorosilane are introduced into the closed reduction furnace to carry out the reduction reaction. As a result, the desired polysilicon is formed on the surface of the silicon nuclei.
[0003] In diesem Verfahren werden alle Siliziumkerne, die dann geschlossene Schleifen bilden, aus unbehandelten Polysiliziumstäben gewonnen, wobei die unbehandelten Polysiliziumstäbe hierzu auf eine bestimmte Länge zugeschnitten werden müssen. Andernfalls lassen sich diese nicht in dem Reduktionsofen positionieren. Im Schneidprozess zur Gewinnung der Siliziumkerne aus den unbehandelten Polysiliziumstäben brechen einige der Siliziumkerne aufgrund von Einflussfaktoren (wie z. B. der Beanspruchung, dem Messer, der Klemmeinrichtung), wodurch die Längen dieser Siliziumkerne nicht der für das Beladen des Reduktionsofens erforderlichen Länge entsprechen, weshalb diese gebrochenen Siliziumkerne nicht verwendet werden können. In der Regel werden solche gebrochenen Siliziumkerne als Abfallmaterial rückgewonnen. Allerdings sind die Produktionskosten der Siliziumkerne dadurch sehr hoch. Außerdem bedingen solche unbrauchbaren Siliziumkerne eine enorme Materialverschwendung.In this method, all silicon cores, which then form closed loops, obtained from untreated polysilicon rods, the untreated polysilicon rods have to be cut to a specific length for this purpose. Otherwise they can not be positioned in the reduction furnace. In the cutting process for recovering the silicon nuclei from the untreated polysilicon rods, some of the silicon nuclei break due to factors of influence (such as stress, the knife, the clamping device), whereby the lengths of these silicon cores do not correspond to the length required for loading the reduction furnace these broken silicon cores can not be used. As a rule, such broken silicon cores are recovered as waste material. However, the production costs of the silicon cores are very high. In addition, such unusable silicon nuclei cause a tremendous waste of material.
AUFGABE DER ERFINDUNGOBJECT OF THE INVENTION
[0004] Angesichts der genannten Probleme ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung einen Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium bereitzustellen, durch den die gebrochenen Siliziumkerne verbunden werden können, sodass sie nach einem Verbinden die erforderliche Länge erreichen können, um für die Herstellung von Polysilizium im Reduktionsofen verwendet zu werden und den hohen Produktionsanforderungen gerecht zu werden, wobei die Menge an Abfallmaterial bildenden Siliziumkernen erheblich reduziert wird und somit die Ausbeute beim Schneiden erhöht werden kann.In view of the above problems, it is the object of the present invention to provide a connection structure for broken silicon cores made of polysilicon, by which the broken silicon cores can be connected so that they can reach the required length after connection, in order for the production of polysilicon in Reduction furnace to be used and to meet the high production requirements, wherein the amount of waste material forming silicon nuclei is significantly reduced, and thus the yield in the cutting can be increased.
TECHNISCHE LÖSUNGTECHNICAL SOLUTION
[0005] Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen Verbindungsaufbau, der die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale aufweist. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.This object is achieved by a connection structure having the features specified in claim 1. Further advantageous developments of the invention will become apparent from the dependent claims.
[0006] Zur Erreichung des obigen Ziels stellt die vorliegende Erfindung einen Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium bereit, der einen ersten gebrochenen Siliziumkern und einen zweiten gebrochenen Siliziumkern umfasst, wobei der Verbindungsaufbau ferner einen verbindenden Siliziumkern umfasst, wobei eine Endfläche des ersten gebrochenen Siliziumkerns mit einem ersten kegelförmigen Loch versehen ist, wobei eine Endfläche des zweiten gebrochenen Siliziumkerns mit einem zweiten kegelförmigen Loch versehen ist, wobei der verbindende Siliziumkern einen Verbindungskörper und sich von den zwei Enden des Verbindungskörpers erstreckende Verbindungsabschnitte umfasst, wobei die Verbindungsabschnitte eine kegelförmigen Struktur aufweisen, die mit der Form des ersten kegelförmigen Lochs und der Form des zweiten kegelförmigen Lochs korrespondiert. Die beiden Verbindungsabschnitte werden jeweils in das erste und zweite kegelförmige Loch eingesetzt, wodurch der erste gebrochene Siliziumkern und der zweite gebrochene Siliziumkern durch den verbindenden Siliziumkerns miteinander verbunden werden.To achieve the above object, the present invention provides a connection structure for broken polysilicon silicon cores comprising a first refracted silicon core and a second refracted silicon core, the interconnection further comprising a connecting silicon core, wherein an end face of the first refracted silicon core a first tapered hole, wherein an end face of the second crushed silicon core is provided with a second tapered hole, wherein the connecting silicon core comprises a connecting body and connecting portions extending from the two ends of the connecting body, the connecting portions having a tapered structure with corresponds to the shape of the first conical hole and the shape of the second conical hole. The two connecting portions are respectively inserted into the first and second tapered holes, whereby the first broken silicon core and the second broken silicon core are connected to each other by the connecting silicon core.
[0007] Vorzugsweise liegen die Verjüngungsgrade des ersten kegelförmigen Lochs, des zweiten kegelförmigen Lochs und des Verbindungsabschnitts in einem Bereich zwischen 1:8 und 1:12.Preferably, the degrees of taper of the first tapered hole, the second tapered hole and the connecting portion are in a range between 1: 8 and 1:12.
[0008] Vorzugsweise betragen die Verjüngungsgrade des ersten kegelförmigen Lochs, des zweiten kegelförmigen Lochs und des Verbindungsabschnitts jeweils 1:10.Preferably, the degrees of taper of the first tapered hole, the second tapered hole and the connecting portion are respectively 1:10.
[0009] Vorzugsweise beträgt die Länge des Verbindungsabschnitts 30 mm ± 5 mm.Preferably, the length of the connecting portion is 30 mm ± 5 mm.
[0010] Vorzugsweise liegt das Längenverhältnis von Verbindungskörper zu Verbindungsabschnitt in einem Bereich zwischen 1:0,7 und 0,7:1.Preferably, the aspect ratio of connecting body to connecting portion is in a range between 1: 0.7 and 0.7: 1.
[0011] Vorzugsweise haben der Verbindungsabschnitt, der erste gebrochene Siliziumkern und der zweite gebrochene Siliziumkern die gleiche Außenumfangsform.Preferably, the connecting portion, the first broken silicon core and the second broken silicon core have the same outer peripheral shape.
[0012] Vorzugsweise weisen der erste gebrochene Siliziumkern, der zweite gebrochene Siliziumkern und der Verbindungsabschnitt jeweils eine Querschnittsbreite von 8 mm ± 1 mm und eine Höhe von 8 mm ± 1 mm auf.Preferably, the first broken silicon core, the second broken silicon core and the connecting portion each have a cross-sectional width of 8 mm ± 1 mm and a height of 8 mm ± 1 mm.
[0013] Im Vergleich zum Stand der Technik ermöglicht der erfindungsgemäße Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium, dass die gebrochenen Siliziumkerne nach dem Verbinden die für den Reduktionsofen erforderliche Länge erreichen können und somit zur Erzeugung von Polysilizium im Reduktionsofen eingesetzt werden können, um den hohen Produktionsanforderungen gerecht zu werden und gleichzeitig die Menge an Siliziumkernen, die nichtbrauchbares Material bilden, erheblich zu reduzieren, wodurch die Ausbeute beim Schneiden erhöht wird.In comparison with the prior art, the connection structure according to the invention for broken silicon cores made of polysilicon, that the broken silicon cores can reach the required length for the reduction furnace after joining and thus can be used to produce polysilicon in the reduction furnace to the high production requirements while substantially reducing the amount of silicon nuclei which form unusable material, thereby increasing the cutting yield.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
[0014] Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung des Verbindungsaufbaus gemäß einemFig. 1 shows a schematic representation of the connection structure according to a
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei der erfindungsgemäße Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium im getrennten Zustand gezeigt ist, [0015] Fig. 2 zeigt eine weitere schematische Darstellung des Verbindungsaufbaus gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei der erfindungsgemäße Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium im verbundenen Zustand gezeigt ist.Embodiment of the present invention, wherein the connection structure according to the invention for broken silicon cores made of polysilicon in the separated state is shown, Fig. 2 shows another schematic representation of the connection structure according to an embodiment of the present invention, wherein the connection structure according to the invention for broken silicon cores in polysilicon connected state is shown.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELEDETAILED DESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS
[0016] Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen ausführlich beschrieben. Selbstverständlich sind die beschriebenen Ausführungsbeispiele lediglich bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Alle gleichwertigen Änderungen und Modifikationen, die gemäß der Beschreibung und den Zeichnungen der Erfindung von einem Fachmann auf diesem Gebiet vorgenommen werden können, fallen in den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings based on embodiments. Of course, the described embodiments are merely preferred embodiments of the present invention. All equivalent changes and modifications that can be made according to the description and the drawings of the invention by a person skilled in the art fall within the scope of the present invention.
[0017] Es wird auf die Fig. 1 und 2 verwiesen. Die vorliegende Erfindung stellt einen Verbin-dungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium bereit, der einen ersten gebroche nen Siliziumkern 1, einen zweiten gebrochenen Siliziumkern 2 und einen verbindenden Siliziumkern 3 umfasst. Hierbei sind der erste gebrochene Siliziumkern 1 und der zweite gebrochene Siliziumkern 2 als ein Siliziumkern definiert, der im Schneidprozess der Siliziumkerne aus unbehandelten Polysiliziumstäben aufgrund von Einflussfaktoren (wie z. B. der Beanspruchung, dem Messer, der Klemmeinrichtung) gebrochen ist und dessen Länge somit nicht die erforderliche Länge für das Beladen des Reduktionsofens erreicht und daher im herkömmlichen Prozess nicht verwendet werden kann. Der verbindende Siliziumkern 3 dient zur Verbindung von gebrochenen Siliziumkernen, sodass diese zu einem Siliziumkernelement kombiniert werden, das die für das Beladen des Reduktionsofens erforderliche Länge aufweist.Reference is made to FIGS. 1 and 2. The present invention provides a compound structure for broken silicon cores made of polysilicon, which comprises a first cracked silicon core 1, a second broken silicon core 2 and a connecting silicon core 3. Here, the first broken silicon core 1 and the second broken silicon core 2 are defined as a silicon core which is broken in the cutting process of silicon cores of untreated polysilicon rods due to influencing factors (such as the stress, the knife, the clamping device) and the length thereof not reached the required length for loading the reduction furnace and therefore can not be used in the conventional process. The connecting silicon core 3 serves to connect broken silicon cores so that they are combined into a silicon core element having the length required for loading the reduction furnace.
[0018] Es wird auf die Fig. 1 und 2 verwiesen. Bei dem erfindungsgemäßen Verbindungsaufbau ist eine Endfläche des ersten gebrochenen Siliziumkerns 1 mit einem ersten kegelförmigen Loch 11 versehen, wobei eine Endfläche des zweiten gebrochenen Siliziumkerns 2 mit einem zweiten kegelförmigen Loch 21 versehen ist. Der verbindende Siliziumkern 3 umfasst einen Verbindungskörper 31, wobei sich von den zwei Enden des Verbindungskörpers 31 Verbindungsabschnitte 32 erstrecken, wobei die Verbindungsabschnitte 32 jeweils eine kegelförmige Struktur aufweisen, die mit der Form des ersten kegelförmigen Lochs 11 und der Form des zweiten kegelförmigen Lochs 21 korrespondiert. Die beiden Verbindungsabschnitte 32 werden jeweils in das erste kegelförmige Loch 11 und in das zweite kegelförmige Loch 21 eingesetzt, wodurch der erste gebrochene Siliziumkern 1 und der zweite gebrochene Siliziumkern 2 mittels des verbindenden Siliziumkerns 3 miteinander verbunden werden. Hierbei haben der Verbindungsabschnitt 31, der erste gebrochene Siliziumkern 1 und der zweite gebrochene Siliziumkern 2 vorzugsweise die gleiche Außenumfangsform, beispielsweise weisen alle Teile einen rechteckigen Querschnitt auf, wobei die Breite des Querschnitts jeweils 8 mm ± 1 mm und dessen Höhe jeweils 8 mm ±1 mm beträgt. Vorzugsweise liegt das Längenverhältnis von Verbindungskörper zu Verbindungsabschnitt in einem Bereich zwischen 1:0,7 und 0,7:1.Reference is made to FIGS. 1 and 2. In the connection structure of the present invention, an end face of the first broken silicon core 1 is provided with a first tapered hole 11, and an end face of the second broken silicon core 2 is provided with a second tapered hole 21. The connecting silicon core 3 includes a connecting body 31, with connecting portions 32 extending from the two ends of the connecting body 31, the connecting portions 32 each having a tapered structure corresponding to the shape of the first tapered hole 11 and the shape of the second tapered hole 21 , The two connecting portions 32 are respectively inserted into the first tapered hole 11 and the second tapered hole 21, whereby the first broken silicon core 1 and the second broken silicon core 2 are connected to each other by means of the connecting silicon core 3. Here, the connecting portion 31, the first broken silicon core 1 and the second broken silicon core 2 preferably have the same outer peripheral shape, for example, all parts have a rectangular cross section, wherein the width of the cross section 8 mm ± 1 mm and the height of each 8 mm ± 1 mm. Preferably, the aspect ratio of connecting body to connecting portion is in a range between 1: 0.7 and 0.7: 1.
[0019] In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel können die Verjüngungsgrade des ersten kegelförmigen Lochs 11, des zweiten kegelförmigen Lochs 21 und des Verbindungsabschnitts 32 jeweils in einem Bereich von 1:8 bis 1:12 liegen. Vorzugsweise beträgt der Verjüngungsgrad 1:10.In a preferred embodiment, the degrees of taper of the first tapered hole 11, the second tapered hole 21, and the connecting portion 32 may each be in a range of 1: 8 to 1:12. Preferably, the degree of taper is 1:10.
[0020] In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel kann die Länge der Verbindungsabschnitte 32 jeweils 30 mm ± 5mm betragen. Ferner sollen die Länge des ersten kegelförmigen Lochs 11 und die Länge des zweiten kegelförmigen Lochs 21 aufeinander abgestimmt sein.In a preferred embodiment, the length of the connecting portions 32 may each be 30 mm ± 5mm. Furthermore, the length of the first conical hole 11 and the length of the second conical hole 21 should be matched to each other.
[0021] Zusammenfassend lässt sich festhalten, dass der erfindungsgemäße Verbindungsaufbau für gebrochene Siliziumkerne aus Polysilizium ermöglichen kann, dass gebrochene Siliziumkerne derart miteinander verbunden werden, dass das Verbundteil nach einem Verbinden die erforderliche Länge für die Beladung des Reduktionsofens erreichen kann und somit für die Erzeugung von Polysilizium im Reduktionsofen eingesetzt werden kann, um den hohen Produktionsanforderungen gerecht zu werden. Ferner wird dadurch die Menge an Abfallmaterial und somit die Verschwendung von Siliziumkernen erheblich reduziert und demzufolge die Ausbeute beim Schneiden erhöht. Darüber hinaus ist der Verbindungsaufbau einfach herstellbar und leicht zusammenzubauen. Die Verbindungsstellen des Verbindungsaufbaus sind zuverlässig, sodass ein sicherer Betrieb des Reduktionsofens gewährleistet ist.In summary, it can be stated that the connection structure according to the invention for broken polysilicon silicon nuclei can enable broken silicon cores to be connected to one another in such a way that the composite part can reach the required length for the loading of the reduction furnace after connection and thus for the production of Polysilicon can be used in the reduction furnace to meet the high production requirements. Furthermore, this significantly reduces the amount of waste material and thus the waste of silicon nuclei and consequently increases the yield during cutting. In addition, the connection structure is easy to manufacture and easy to assemble. The joints of the connection structure are reliable, so that a safe operation of the reduction furnace is guaranteed.
[0022] Es wird darauf hingewiesen, dass in der Beschreibung relationale Begriffe, wie beispielsweise „erste(r, s)" / „zweite(r, s)", „oben" / „unten" oder Ähnliches, lediglich verwendet werden, um eine Einheit oder eine Handlung von einer gleichförmigen, anderen Einheit oder Handlung zu unterscheiden, ohne notwendigerweise tatsächlich eine solche Beziehung oder Reihenfolge zwischen diesen Einheiten oder Handlungen zu erfordern oder zu implizieren. Die Begriffe „weist auf", „aufweisend" oder eine andere Variation derselben, sollen nicht abdecken, dass ein Prozess, Verfahren, ein Artikel oder eine Vorrichtung, die eine Mehrzahl von Elementen aufweisen, lediglich diese Elemente umfassen, sondern sind derart zu verstehen, dass auch andere Elemente, die nicht ausdrücklich aufgelistet sind, in einem solchen Prozess, Verfahren, einem solchen Artikel oder einer solchen Vorrichtung vorgesehen sein können. Ein Element, dem „weist ... ein(e, en) auf" vorausgeht, schließt ohne weitere Einschränkungen die Existenz von zusätzlichen identischen Elementen in dem Prozess, Verfahren, dem Artikel oder der Vorrichtung, die das Element aufweisen, nicht aus.It should be noted that in the description relational terms such as "first (r, s)" / "second (r, s)", "top" / "bottom" or the like are merely used to to distinguish a unit or action from a uniform, other unit or action, without necessarily requiring or implying such a relationship or order between these units or actions. The terms "pointing to," "having," or another variation thereof are not intended to cover a process, method, article, or device having a plurality of elements merely comprising these elements, but are to be understood as meaning that other elements that are not expressly listed may be provided in such a process, method, article or device. An element preceded by "does not exclude, without further limitations, the existence of additional identical elements in the process, method, article, or device having the element.
[0023] Die vorstehende Beschreibung stellt nur bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung dar und soll den Schutzumfang der Erfindung nicht beschränken. Alle gleichwertigen Änderungen und Modifikationen, die gemäß der Beschreibung und den Zeichnungen der Erfindung von einem Fachmann auf diesem Gebiet vorgenommen werden können, fallen in den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung. Der Schutzumfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.The foregoing description represents only preferred embodiments of the invention and is not intended to limit the scope of the invention. All equivalent changes and modifications that can be made according to the description and the drawings of the invention by a person skilled in the art fall within the scope of the present invention. The scope of the invention is defined by the appended claims.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ATGM50191/2016U AT15266U1 (en) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Connection setup for broken silicon cores made of polysilicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ATGM50191/2016U AT15266U1 (en) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Connection setup for broken silicon cores made of polysilicon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT15266U1 true AT15266U1 (en) | 2017-04-15 |
Family
ID=58505016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ATGM50191/2016U AT15266U1 (en) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Connection setup for broken silicon cores made of polysilicon |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT15266U1 (en) |
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2016
- 2016-09-12 AT ATGM50191/2016U patent/AT15266U1/en not_active IP Right Cessation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM01 | Lapse because of not paying annual fees |
Effective date: 20190930 |