[go: up one dir, main page]

NL7905817A - Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. Download PDF

Info

Publication number
NL7905817A
NL7905817A NL7905817A NL7905817A NL7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A NL 7905817 A NL7905817 A NL 7905817A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
silver
electrode
addition
bismuth
weight
Prior art date
Application number
NL7905817A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7905817A priority Critical patent/NL7905817A/nl
Priority to GB8024163A priority patent/GB2054960A/en
Priority to FR8016238A priority patent/FR2462783A1/fr
Priority to DE19803028018 priority patent/DE3028018A1/de
Priority to US06/171,693 priority patent/US4336281A/en
Priority to JP10062680A priority patent/JPS5621385A/ja
Priority to AU60750/80A priority patent/AU6075080A/en
Publication of NL7905817A publication Critical patent/NL7905817A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20Electrodes
    • H10F77/206Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

t *4 12-07-1979 1 PHN 9542 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel".
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel bevattende een sili-ciumschijf met een aan een hoofdvlak grenzend gebied van het n-geleidingstype, waarbij op het n-type gebied met be-5 hulp van een zeefdrukproces een electrode wordt aangebracht die zilver bevat.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit het Conference Record van de 12e IEEE Photovoltaic Specialists Confe-recen 1976, blz. 303-308.
10 Het aanbrengen van electrodes op een siliciumschijf ter verkrijging van een zonnecel door zeefdrukken verdient wegens zijn eenvoud voorkeur boven bekende op zichzelf goede resultaten gevende opdamptechnieken.
Het blijkt echter dat door zeefdrukken verkregen 15 zilverelectroden op silicium vaak onvoldoende hechten en daardoor slechte electrische contacten geven.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd deze problematiek althans in belangrijke mate te vermijden. De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat door toe-20 voegingen aan het zilver en door aangepaste behandeling van door zeefdrukken verkregen zilverelectroden het electrische contact van de zilverelectroden belangrijk kan worden verbeterd.
Volgens de uitvinding wordt de in de aanhef vermelde werkwijze daardoor gekenmerkt, dat bij het zeef- 79058 1 7 » ·* 12-07-1979 2 PHN 95^2 drukproces een pasta wordt toegepast, die behalve zilver een toevoeging in elementaire vorm bevat, welke toevoeging behoort tot de groep van elementen bestaande uit bismut, magnesium en indium, dat na het aanbrengen van de electrode g een warmtebehandeling in oxiderende atmosfeer plaats vindt en dat vervolgens de electrode aan een chemische of mechanische behandeling ter verbetering van de overgangsweer-stand met het silicium wordt onderworpen.
De genoemde elementen wijzigen het electrisch ge-leidend vermogen of het geleidingstype van het gecontacteerde silicium niet of nagenoeg niet.
De temperatuur van de genoemde warmtebehandeling ligt tussen ca. 550°C en 700°C. Dezelfde temperaturen worden toegepast indien op een p-type substraat van de schijf .jg een aluminiumhoudende zilverelectrode wordt aangebracht.
Een voordeel van de werkwijze volgens de uitvinding is dat de warmtebehandelingen van beide genoemde electroden gecombineerd kunnen worden.
Bij voorkeur wordt als toevoeging bismut toege- 2q past.
De warmtebehandeling kan in lucht plaatsvinden.
Bij warmtebehandeling in uitsluitend stikstof bijvoorbeeld is de hechting van .de electrode aan het hoofdvlak en dus het electrische contact onvoldoende of afwezig.
20 Met de mechanische behandeling, bijvoorbeeld door schuren, of de chemische behandeling, bij voorkeur met een sodaoplossing, wordt de overgangsweerstand van de electrode naar het silicium belangrijk verlaagd.
Zonnecellen verkregen met behulp van de werkwijze 30 volgens de uitvinding hebben electrische en mechanische eigenschappen die vergelijkbaar zijn met die van zonnecellen met electroden welke door opdampen zijn verkregen.
De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld en van bijgaande tekening.
35 In de tekening stelt figuur 1 schematisch een bovenaanzicht voor van een zonnecel in een stadium van vervaardiging met behulp van dé werkwijze volgens de uitvinding en toont figuur 2 een doorsnede volgens de lijn II-II van 7905817 12-07-1979 3 ΡΗΝ 95^2 ΐ. Λ figuur 1.
Χη liet voorbeeld wordt een zonnecel vervaardigd bevattende een siliciumschijf 1 (zie de figuren 1 en 2) met een aan een hoofdvlak 2 grenzend gebied k van het n-geleidingstype.
Op het n-type gebied wordt met behulp van een zeefdrukproces een electrode 3 aangebracht die zilver bevat.
Volgens de uitvinding wordt bij het zeefdrukproces een pasta toegepast, die behalve zilver een toevoeging ^ in elementaire vorm bevat behorende tot de groep bestaande uit bismut, magnesium en indium.
Na het aanbrengen van de electrode 3 vindt een warmtebehandeling in oxiderende atmosfeer plaats en vervolgens wordt de electrode 3 aan een chemische of mechanische behandeling ter verbetering van de overgangsweerstand met
iC
het silicium onderworpen.
Bij de vervaardiging wordt bijvoorbeeld uitgegaan van een p-type siliciumlichaam 5 met een diameter van ca.
5cm en eeD· dikte van 0,3 mm en een soortelijke weerstand 20 van 2 -Λ- cm.
Het lichaam 5 wordt op een gebruikelijke wijze van een 0,3-0,5 yrum dikke n-type epitaxiale laag voorzien, die het gebied 4 vormt.
Op het hoofdvlak 2 wordt met behulp van een ge-25 bruikelijk zeefdrukproces een kamvormige electrode 3 gevormd. Tanden 6 van de kam 3 zijn bijvoorbeeld 300 ^um breed en liggen op een onderlinge afstand van 0,3 cm.
De bij het zeefdrukproces toegepaste paste bevat 80 g zilver gesuspendeerd in 20 g binder, bijvoorbeeld 30 ethylcellulose opgelost in bijvoorbeeld terpineol. Als toevoeging wordt bij voorkeur bismut toegepast. Zeer bevredigende resultaten worden verkregen wanneer de bismutconcen-tratie ligt tussen 0,5 en 15 gewichtsprocenten van het gewicht aan zilver en bij voorkeur tussen 1 en 2 gewichts-35 procenten.
Vervolgens vindt een warmtebehandeling van de siliciumschijf gedurende 10 minuten bij 630° in lucht plaats.
7905817 12-07-1979 b PHN.95^2
- * V
Hierna wordt als mechanische behandeling de electrode 3 gedurende 10 seconden met de hand met fijne staalwol geschuurd.
Eventuele op het electrodeoppervlak achter-5 blijvende staaldeeltjes kunnen op eenvoudige wijze door spoelen met water worden verwijderd.
Het effect van de.werkwijze volgens de uitvinding kan gemeten worden door een doorsnede te maken door de siliciumschijf met de electroden loodrecht op de tanden 6 10 van de electrode 3, zodanig dat zich op het schijfdeel 1 cm lange niet verbonden kamdelen bevinden.
De weerstand tussen naburige kamdelen wordt bepaald door de zeer geringe en bekende werstand van de zilverelectroden, door de weerstand van de overgangen van 15 de zilverelectroden naar de siliciumschijf en door de weerstand van het silicium*
De weerstand wordt nu gemeten tussen een extreem gelegen kamdeel en andere kamdelen als functie van de afstand tot het eerstgenoemde kamdeel. Door extrapolatie 20 naar afstand gelijk nul kan de overgangsweerstand van de electrode naar het silicium worden bepaald en uit de helling van de weerstand als functie van de afstand kan de weerstand van het silicium worden bepaald.
Het blijkt dat met de werkwijze volgens de 25 uitvinding de weerstand van het silicium niet of nagenoeg niet verandert maar dat de overgangsweerstand tussen de electrode en de siliciumschijf een orde van grootte daalt, bijvoorbeeld van 20 è. 40 il. tot 2 h 3 Xi»·
De werkwijze volgens, de uitvinding is niet be-30 perkt tot het gegeven voorbeeld. In plaats van bismut kan indium of magnesium worden toegepast, met behulp van pasta’s die deze elementen bevatten met een concentratie van 2 ge-wichtsprocenten van het gewicht aan zilver.
In plaats van de schuurbehandeling ter verbe-35 tering van de overgangsweerstand kan ook een andere mechanische bewerking of een chemische, bijvoorbeeld een behandeling met een waterige oplossing van 10 gewichtsprocenten natriumcarbonaat gedurende 3 minuten bij 90°C worden toege- 790 58 1 7 12-07-1979 5 PHN.95^2 past.
Het tegenover het hoofdvlak 2 gelegen hoofdvlak 7 kan ook door middel van zeefdrukken van een electrode worden voorzien. Bijvoorbeeld wordt hier een pasta toege-5 past die naast zilver als toevoeging aluminium bevat.
Op een gebruikelijke wijze kan de silicium-schijf met electroden worden verwerkt tot een zonnecel.
10 15 20 25 30 35 7905817

Claims (8)

  1. 9%. 12-07-1979 phn.9542 CONCLUSIES;
  2. 1. Werkwijze voor liet vervaardigen van een zonne cel bevattende een siliciumscnijf met een aan een hoofdvlak grenzend gebied van het n-geleidingstype, waarbij op het n-type gebied met behulp van een zeefdrukproces een elec-5 trode wordt aangebracht die zilver bevat, met het kenmerk, dat bij het zeefdrukproces een pasta wordt toegepast, die behalve zilver een toevoeging in elementaire vorm bevat, welke toevoeging behoort tot de groep van elementen bestaande uit bismut, magnesium en indium, dat na het aan-10 brengen van de electrode een warmtebehandeling in oxiderende atmosfeer plaats vindt en dat vervolgens de electrode aan een chemische of mechanische behandeling ter verbetering van de overgangsweerstand met het silicium wordt onderworpen.
  3. 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als toevoeging bismut wordt toegepast.
  4. 3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de bismutconcentratie ligt tussen 0,5 en 15 gewichts-procenten van het gewicht aan zilver. 20 4, Werkwijze volgens conclusie 3» met het kenmerk, dat de bismutconcentratie ligt tussen 1 en 2 gewichtspro-centen.
  5. 5· Werkwijze volgens conclusie 1, dat als toevoe ging magnesium of indium wordt toegepast met een concen- 790 58 1 7 * 'M 12-07-1979 7 PHN 9542 tratie van ca. 2 gewichtsprocenten van het gewicht aan zilver.
  6. 6. Werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 5, met het kenmerk, dat als mechanische behandeling 5 een schuurbewerking wordt toegepast.
  7. 7· Werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 5> niet het kenmerk, dat als chemische behandeling een behandeling met een sodaoplossing wordt toegepast.
  8. 8. Zonnecel vervaardigd met behulp van de werkwijze 10 volgens een van de voorgaande conclusies. 15 20 25 30 35 7905817
NL7905817A 1979-07-27 1979-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel. NL7905817A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7905817A NL7905817A (nl) 1979-07-27 1979-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel.
GB8024163A GB2054960A (en) 1979-07-27 1980-07-23 Solar cell electrodes
FR8016238A FR2462783A1 (fr) 1979-07-27 1980-07-23 Procede pour la realisation d'une cellule solaire ayant une electrode serigraphiee, et cellule solaire ainsi obtenue
DE19803028018 DE3028018A1 (de) 1979-07-27 1980-07-24 Verfahren zur herstellung einer sonnenzelle
US06/171,693 US4336281A (en) 1979-07-27 1980-07-24 Method of manufacturing a solar cell
JP10062680A JPS5621385A (en) 1979-07-27 1980-07-24 Method of manufacturing solar battery
AU60750/80A AU6075080A (en) 1979-07-27 1980-07-24 Forming leads on a solar cell

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7905817A NL7905817A (nl) 1979-07-27 1979-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel.
NL7905817 1979-07-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7905817A true NL7905817A (nl) 1981-01-29

Family

ID=19833606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7905817A NL7905817A (nl) 1979-07-27 1979-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4336281A (nl)
JP (1) JPS5621385A (nl)
AU (1) AU6075080A (nl)
DE (1) DE3028018A1 (nl)
FR (1) FR2462783A1 (nl)
GB (1) GB2054960A (nl)
NL (1) NL7905817A (nl)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4375007A (en) * 1980-11-26 1983-02-22 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Silicon solar cells with aluminum-magnesium alloy low resistance contacts
US4388346A (en) * 1981-11-25 1983-06-14 Beggs James M Administrator Of Electrodes for solid state devices
JPS58155772A (ja) * 1982-03-10 1983-09-16 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池
AU570309B2 (en) * 1984-03-26 1988-03-10 Unisearch Limited Buried contact solar cell
US4923524A (en) * 1985-05-06 1990-05-08 Chronar Corp. Wide ranging photovoltaic laminates comprising particulate semiconductors
JPS6249676A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Sharp Corp 太陽電池
DE3627641A1 (de) * 1986-08-14 1988-02-25 Telefunken Electronic Gmbh Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
JPH0745971Y2 (ja) * 1989-01-30 1995-10-18 日本電気株式会社 電歪効果素子
US5151377A (en) * 1991-03-07 1992-09-29 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming contacts
US5557146A (en) * 1993-07-14 1996-09-17 University Of South Florida Ohmic contact using binder paste with semiconductor material dispersed therein
RU2139600C1 (ru) * 1998-12-04 1999-10-10 ООО Научно-производственная фирма "Кварк" Способ изготовления толстопленочного контакта с пониженным переходным сопротивлением к кремниевым солнечным элементам
DE102006040352B3 (de) * 2006-08-29 2007-10-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen von elektrischen Kontakten auf halbleitende Substrate, halbleitendes Substrat und Verwendung des Verfahrens
CN101816045A (zh) * 2007-10-18 2010-08-25 E.I.内穆尔杜邦公司 无铅导电组合物以及用于制造半导体装置的方法:含镁添加剂
KR20100080614A (ko) * 2007-10-18 2010-07-09 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 공정: Mg-함유 첨가제
US10784383B2 (en) 2015-08-07 2020-09-22 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4165241A (en) * 1977-06-08 1979-08-21 Atlantic Richfield Company Solar cell with improved printed contact and method of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE3028018A1 (de) 1981-02-19
FR2462783A1 (fr) 1981-02-13
AU6075080A (en) 1981-01-29
GB2054960A (en) 1981-02-18
US4336281A (en) 1982-06-22
JPS5621385A (en) 1981-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7905817A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel.
US4703553A (en) Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells
US4595790A (en) Method of making current collector grid and materials therefor
CA1123965A (en) Semiconductor contact formed by serigraphy
US3990097A (en) Silicon solar energy cell having improved back contact and method forming same
US4647711A (en) Stable front contact current collector for photovoltaic devices and method of making same
US8481419B2 (en) Method for producing a metal contact on a coated semiconductor substrate
US6552405B2 (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JPH08191152A (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
US8748310B2 (en) Method for producing a metal contact structure of a photovoltaic solar cell
CN1038902A (zh) 一种制造太阳能电池接触的改进方法
JPH11140689A (ja) 酸化第1銅膜の堆積法及び該酸化第1銅膜堆積法を用いた半導体デバイスの製造方法
DE102010024307A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle
NL2006956C2 (en) Photovoltaic cell and method of manufacturing such a cell.
US4595791A (en) Thin-film photovoltaic devices incorporating current collector grid and method of making
JP4903444B2 (ja) 光電変換素子
US4612410A (en) Contact system for thin film solar cells
JP3968000B2 (ja) 太陽電池素子の形成方法
US20060118898A1 (en) Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same
JPH05129640A (ja) 太陽電池およびその製造方法
JP4272414B2 (ja) 太陽電池素子の形成方法
KR20050087249A (ko) 나노입자의 페이스트를 이용하여 형성된 전극을 포함하는태양전지 및 그 제조방법
KR100322708B1 (ko) 자체전압인가형태양전지의제조방법
RU2303830C2 (ru) Толстопленочный контакт кремниевого фотоэлектрического преобразователя и способ его получения
JP2815729B2 (ja) 薄膜太陽電池の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed