MX2007015503A

MX2007015503A - Condensador ceramico dielectrico que comprende dielectrico irreducible.

Info

Publication number: MX2007015503A
Application number: MX2007015503A
Authority: MX
Inventors: Pascal G Pinceloup; James J Beeson
Original assignee: Kemet Electronics Corp
Priority date: 2005-06-07
Filing date: 2006-06-07
Publication date: 2008-03-18
Also published as: IL187896A0; US20060276325A1; EP1891649A1; US7172985B2; CN101194327A; WO2006133320A1; KR20080036004A

Abstract

Una ceramica dielectrica y condensador con la ceramica, en donde la ceramica tiene: mas o menos 94 - 9.99 % por peso un primer componente definido por la formula 1, en donde: x no es mas que mas o menos 0.06; y y no es mas que mas o menos 0.01; y m es por lo menos mas o menos 0.85 a no mas que mas o menos 1.15; y mas o menos 0.1 - 5 % por peso un componente secundario definido por la formula 2, en donde: a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la region definida por los puntos A(a=15, b=0, c=85), B(a=70, b=0, c=30), C(a=0, b=70, c=30,) y D(a=0, b=15, c=85) de un diagrama ternario en donde a es porcentaje molar SiO2; b es porcentaje molar aB2O3-(1- a)Li2O=; y c es porcentaje molar AO y a+b+c=100 incluyendo las lineas BC, CD y AD aunque excluyendo la linea AB; a = O para 1; A se selecciona de Mg, Ca, Sr, Ba o una combinacion de los mismos; y 0 -2 % por peso MnO2.

Description

CONDENSADOR CERÁMICO DIELÉCTRICO QUE COMPRENDE DIELÉCTRICO IRREDUCIBLE ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN La presente invención trata de un condensador cerámico dieléctrico que comprende capas alternadas de electrodos y cerámica en donde la cerámica comprende compuestos de calcio y circonio en un componente principal. Los condensadores cerámicos se conocen porque comprenden capas alternadas de electrodos interiores y dieléctrico cerámico. Ha habido, y continúa habiendo, un deseo de reducir el costo de los condensadores sin sacrificar la calidad.

También ha habido y continúa habiendo un deseo de reducir el tamaño de los condensadores y sacrificar ya sea la capacidad o la calidad. Estos deseos con frecuencia van en contra de los esfuerzos continuos de los expertos en la técnica al avance en la técnica de condensadores y la fabricación de los mismos . Un avance es el uso del níquel como el metal de electrodo. El níquel tiene beneficios en que el costo es bajo en comparación con los metales nobles tales como plata y paladio y las propiedades de resistencia son adecuadas para el uso en un condensador. Una ventaja con el níquel es la tendencia a oxidarse bajo aquellas condiciones necesarias para sinterizar el dieléctrico cerámico. El problema asociado con la oxidación ha sido mitigado por la sinterización de la cerámica a reducir la atmósfera por medio de la cual se asegura que el metal permanezca en estado metálico. Por desgracia, las cerámicas sinterizadas en atmósfera reductora tienen una resistencia específica más baja que es altamente indeseable. Esto ha conducido a un esfuerzo continuo por desarrollar cerámicas dieléctricas irreducibles que pueden sinterizarse en una atmósfera reductora abajo de la temperatura de fusión del níquel. Para la obtención de esta meta los esfuerzos concienzudos han conducido al desarrollo de una cerámica irreducible que puede ser sinterizada en atmósfera reductora sin perjuicio del electrodo produciendo de ese modo un condensador con alta continuidad de electrodos y excelentes propiedades eléctricas. SUMARIO DE LA INVENCIÓN Es un objeto de la presente invención proporcionar un condensador con propiedades mejoradas. Es otro objeto de la presente invención proporcionar un condensador con electrodo de níquel que tenga excelente continuidad de electrodo. Es otro objetivo de la presente invención proporcionar una cerámica que pueda encenderse en atmósfera reductora sin pérdida de resistencia. Es otro objeto de la presente invención proporcionar un condensador con un dieléctrico cerámico mejorado. Una característica particular de la presente invención es la capacidad de sinterizar la cerámica en atmósfera reductora al mismo tiempo que se mantiene una resistencia específica suficientemente alta para el dieléctrico. Una ventaja particular de la presente invención es la capacidad de sinterizar la cerámica en atmósfera reductora abajo de 1400° C. Estas y otras ventajas, como se realizarán se proporcionan en una cerámica dieléctrica que comprende: más o menos 94 - 99.9 % por peso de un primer componente definido por la fórmulal; [ (Ca1-xSrx)0]m(Zr1-yTiy)02 Fórmula 1 en donde : x no es más que más o meno 0.6; y y no es más que más o menos 0.1; y m es por lo menos más o menos 0.85 a no más que más o menos 1.15; y más o menos 0.1 - 5 % por peso de un componente secundario definido por la fórmula 2; aSi02.b [ aB203- ( 1 -a ) Li20 ] -cAO Fórmula 2 en donde : a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos A(a=15, b=0, c= 85), B(a=70, b=0, C=30), C(a=0, b=70, c=30) y D(a=0, b=15, c=85) de un diagrama ternario donde a es porcentaje molar Si02; b es porcentaje molar aB203- ( 1. a) Li20; y c es porcentaje molar AO y a+b+c= incluyendo las líneas BC, CD y AD pero excluyendo la línea AB; OÍ es 0 a 1 ; A se selecciona de Mg, Ca, Sr, Ba o una combinación de los mismos; y 0 - 2 t%Mn02. Una forma de realización más se proporciona en un condensador cerámico de varias capas con una pluralidad de capas de electrodos internos, una pluralidad de capas dieléctricas entre las capas de electrodos internos y electrodos externos en conductividad eléctrica con las capas de electrodos internos. Las capas eléctricas tienen una cerámica definida como: Más o menos 94 - 99-9 wt% de un primer componente definido de por la fórmula 1; [ (Ca?-xSrx)0]m(Zr?-yTiy)02 Fórmula 1 en donde: x no es más que más o menos 0.6; y y no es más que más o menos 0.1; y m es por lo menos más o menos 0.85 a no más que más o menos 1.15; y más o menos 0.1 - 5 % por peso de componente secundario definido por la fórmula 2; aSi02-b [aB203- (1-a) Li20] -cAO Fórmula 2 en donde : a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos A(a=15, b=0, c=85), B(a=70, b=0, c=30), C(a=0, b=70, c= 30,) y D(a=0, b=15, c=85) de un diagrama ternario en donde a es porcentaje molar Si02; b es porcentaje molar aB203-(l- )Li20=; y c es porcentaje molar AO y a+b+c=100 incluyendo las líneas BC, CD y AD aunque excluyendo la línea AB; a es 0 a 1 ; A se selecciona de Mg, Ca Sr, Ba o una combinación de los mismos; y 0 - 2 wt% Mn02. Una forma de realización más se proporciona en una cerámica dieléctrica con: Más o menos 95 - 99.5 % por peso de un componente definido por la Fórmula 1; [ (Ca1-xSrx)0]m(Zr1_yTiy)02 Formula 1 en donde: x no es más que más o menos 0.6; y y no es más que más o menos 0.1; y m es por lo menos más o menos 0.85 a no más que más o menos 1.15; y más o menos 0.35 a más o menos 4% por peso de un componente secundario definido por la fórmula 2; aSi02-b[ B203- ( 1-a) Li20] -cAO Fórmula 2 en donde: a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos A(a=15, b=0, c=85), B(a=70, b*=0, c=30), C(a=0, b=70, c= 30,) y D(a=0, b=15, c=85) de un diagrama ternario en donde a es porcentaje molar Si02; b es porcentaje molar aB203-(l- a)Li20=; y c es porcentaje molar AO y a+b+c=100 incluyendo las líneas BC, CD y AD aunque excluyendo la línea AB; OÍ es 0 a 1; A se selecciona de Mg, Ca, Sr, Ba o una combinación de los mismos: y más o menos 0.2 a más o menos 1.5 % por peso de Mn02. BREVE DESCRIPCIONES DE LOS DIBUJOS La Figura 1 es una vista transversal de un condensador de la presente invención La Figura 2 es un diagrama tenorio de Si02, B203-(l-a)Li20 y AO. DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN La invención se describirá con referencia a los dibujos adjuntos que forman una parte integral de la presente divulgación. Una vista transversal de un condensador de la presente invención se ilustra esquemáticamente en la Figura 1. En la Figura 1, el condensador, por lo general representado con 10, comprende una multiplicidad de electrodos interiores conductores 11, con cerámica 12, dispersa entre los mismos. Capas alternadas de la capa conductora terminan en terminales externas o contrarias 13, de polaridad opuesta. Una capa aislante 14 puede aplicarse.

Las capas de cerámica dieléctrica 12, se componen de una composición de cerámica dieléctrica que comprende un componente primario definido por la Fórmula 1. [ (Ca?-xSrx)0]m(Zri-yTiy)02 Formula 1 en donde: x no es más que 0.6, y no es más que 0.1 y m es por lo menos 0.85 a no más que 1.15. Cuando x esta arriba de más o menos 0.6 la temperatura en coeficiente de capacitancia se vuelve muy grande. Cuando ya está arriba de más o meno 0.1 de temperatura el coeficiente de capacitancia no es aceptable, el factor de calidad Q es menor y la cerámica se vuelve más sensible a reducción. Se prefiere más que x, la fórmula 1 que sea por lo menos 0.1 y no más que más o menos 0.5. Incluso se prefiere más aún que x en la fórmula 1 sea de por lo menos de más o menos 0.2 a no más que más o menos 0.4. Se prefiere más que y, en la formula 1 se por lo menos más o menos 0.01 y no más que más o menos 0.07. Incluso se prefiere que sea y, en la fórmula 1 por lo menos más o menos 0.02 a no más que más o menos 0.05. Además del componente primario la composición de cerámica dieléctrica comprende un componente secundario definido por la formula 2: aSi02_b [ B203- ( 1-a) Li20] -cAO Fórmula 2 en donde: a representa el porcentaje molar de dióxido de silicio, b representa el porcentaje molar de óxido de boro u óxido de litio o una combinación de los mismos (0 < a < 1), y se representa el porcentaje molar de por lo menos un óxido de tierra alcalina elegido entre los óxidos de magnesio, calcio, estroncio, bario y cualquier combinación de los mismos. El contenido a de Si02 , el contenido b (B203-Li20) , y el contenido c de óxido de tierra alcalina en el componente secundario de preferencia se encuentra en la región rodeada por puntos A(a=15, b=0, c=85), B(a=70, b=0, c=30) , C(a=0, b=70, c= 30,) y D(a=0, b=15, c=85) y el diagrama ternario de la Figura 2 que incluye la líneas BC, CD y AD pero que excluye la línea AB . El componente secundario como lo define la fórmula 2 se puede agregar en una variedad de formas, tales como, un compuesto de fase individual, un compuesto de múltiples fases o una mezcla de los mismos, en donde cada compuesto puede ser, aunque no se limita a: un polvo de vidrio, un óxido de elemento individual u óxido de múl tiples elementos , un carbona to, un elemento puro, un compuesto orgánico de metal , un alcóxido de metal , un polvo derivado de sol - gel y cualquier posible combinación de los mismos que conduzca después de sinteración a un componente secundario de la fórmula general aSi02-b [aB203- ( 1-a) Li20] -cAO. Arriba de un porcentaje molar de dióxido de silicio de más o menos 70 % mol, indicado como fuera de la línea BC en el diagrama ternario de la Figura 2 y hacia el polo de Si02 (a >70), la temperatura de sinterización aumenta. En una forma de realización particularmente preferida el porcentaje molar del dióxido de silicio, en la Formula 2 es más o menos 20 a 30 % mol. Arriba de un porcentaje de molar de la combinación de óxido de boro - óxido de litio de más o menos 70 % mol, indicado como afuera de la línea BC del diagrama ternario de la Figura 2 y hacia el polo de B203-Li20 (b>70) , las propiedades físicas de la cerámica son inferiores. En una forma de realización particularmente preferida el porcentaje molar del óxido de boro y/o el óxido de litio, en la formula 2 es de más o menos 15 a 30 % mol. Arriba de un porcentaje molar de AO de más o menos 85 % mol (c>85) la temperatura de sinterización aumenta demasiado. De manera más preferida el porcentaje molar de AO en la formula 2 es por lo menos más o menos 40% mol y no más que más o menos 70 % mol. En una forma de realización particularmente preferida el porcentaje molar de AO en la formula 2 es más o menos 42 a 60 % mol. La composición de cerámica dieléctrica preferiblemente comprende por lo menos 94 % por peso del componente primario a no más que 99.9 % por peso del componente primario. Debajo de más o menos 94% por peso del componente primario la constante dieléctrica es muy baja. Arriba de más o menos 99.9 % por peso el componente primario la temperatura de sinterización aumenta demasiado. De mayor preferencia el componente primario esta presente en una cantidad de por lo menos 95 % por peso a no más que 99.5 % por peso. Incluso se prefiere más que el componente primario esté presente en una cantidad de por lo menos 96 % por peso a no más que 99 % por peso. La composición de cerámica dieléctrica preferiblemente comprende por lo menos 0.1 % por peso del componente secundario a no más que el 5 % por peso del componente secundario. Debajo de 0.1 % por peso el componente secundario la dosificación es deficiente. Arriba de más o menos 5 % por peso el componente secundario la constante dieléctrica se reduce a un nivel inaceptable. Se prefiere más que el componente secundario esté presente en una cantidad de por lo menos 0.35 % por peso a no más que 4 % por peso. Incluso se prefieren más que el componente secundario esté presente en una cantidad de por lo menos 0.8 % por peso a no más que 2.5 % por peso. La composición de cerámica dieléctrica puede también comprender Mn02 en una cantidad de hasta 2 % por peso. Aunque no se limita a alguna teoría el Mn02 se cree que aumenta la capacidad de sinteración y mejora la resistencia al aislamiento de la cerámica activada. Se prefiere más que el Mn02 este presente en una cantidad de por lo menos más o menos 0.2 % por peso a no más que 1.5% por peso. De mayor preferencia el Mn02 esta presente en una cantidad de por lo menos 0.3 % por peso a no más que 1 % por peso. El dieléctrico de la presente invención se puede utilizar para preparar un condensador cerámico de varias capas con excelente resistencia de aislamiento, alta confiabilidad y que pueda activarse abajo de 1300° C en atmósferas reductoras se vuelva semiconductora. La cerámica resultante tiene pequeño coeficiente de capacitancia de temperatura (TCC) entre -30 y + 30 ppm / ° C en la gama de temperatura de -55° C a + 125° C, que cumpliendo así con la especificación de E IA COG. En el presente TCC(t) donde t es la temperatura en ° C se define como: TCC (t) =106X [Cap (t ) Cap(25)] / [Cap(25) x (t-25)] donde Cap(t) es la capacitancia del dispositivo en la temperatura (t). En la cerámica resultante también tiene una constante dieléctrica de más o menos 35. Otras ventajas de cerámica de la invención incluye un tiempo de vida acelerado largo de resistencia del aislamiento. El componente primario de preferencia tiene un tamaño de partícula promedio de 0.5 a 1.0 µm. Los electrodos internos, 11, se componen de un metal base tal como níquel, cobre, cromo con una aleación de los mismos. De mayor preferencia el metal base es el níquel ya que el níquel tiene la ventaja de poder ser totalmente explotado con la cerámica de la invención. La composición de las terminaciones de extremo externas 13, no se limita particularmente en el presente y cualquier composición típicamente empleada en la técnica es suficiente. La plata, el paladio, el cobre, el níquel o las aleaciones de estos metales mezclados con varios vidrios fritados son particularmente pertinentes. Una capa de chapado o múltiples capas de chapado se puede formar en las terminaciones de extremo externo. La preparación de los condensadores cerámicos de varias capas está bien documentada y la presente invención no altera el proceso de fabricación en ninguna medida con relación a los procedimientos típicos conocidos en la técnica.

Como ejemplo de un proceso de fabricación, se prepara una suspensión acuosa de cerámica mezclando y triturando los compuestos de cerámica descritos en el presente con un dispersante ya sea en agua o en un solvente orgánico tal como, por ejemplo, etanol, isopropanol, tolueno, etil acetato, propilacetato, butil acetato o una mezcla de los mismos. Después de triturar una tira de cerámica se prepara para moldeo de cinta agregando un aglutinante y un plastificante para controlar la reología y dar resistencia a la cinta. La tira obtenida se procesa entonces en una lámina delgada por moldeo de cinta. Después de secar la lámina, una multiplicidad de electrodos se colocan en un patrón sobre la lámina utilizando como por ejemplo, un método de impresión por serigrafía para formar lámina cerámica impresa. Un cuerpo no seco por completo de varias capas se prepara apilando sobre la sustancia tal como policarbonato, poliéster o un método similar: 1) cierto número de láminas de cerámica no impresas que representan las cubiertas inferiores, después 2) cierto número de láminas de cerámica impresas en direcciones alternadas de manera que se crean electrodos alternados que terminan en extremos opuestos y 3) un cierto número de láminas de cerámica no impresas que representan las cubiertas superiores . Variaciones en el orden de apilación de las láminas impresas y no impresas se pueden utilizar con el material dieléctrico de ésta invención. La pila entonces es comprimida entre 20° C y 120° C para promover la adhesión de todas las capas laminadas. El cuerpo no seco por completo de varias capas se corta entonces en fragmentos pequeños individuales no secos por completo. El fragmento pequeño no seco por completo se calienta pare remover el aglutinante. El aglutinante se puede remover calentando a más o menos 200 - 400° C en aire atmosférico o atmósfera ligeramente reductora durante más o menos 0.5 a 48 horas . El dieléctrico se sinteriza entonces en atmósfera reductora con presión parcial de oxígeno de 10~8 a 10"12 atm en una temperatura que no excede 1300° C. la temperatura preferida es de más o menos de 1200 a 1300° C. Después de sinterizar el dieléctrico se reoxidiza calentando a una temperatura de no más de más o menos 1100° C en una presión parcial de oxígeno de más o menos 10"5 a 10~10 atm. De mayor preferencia, la reoxidación se realiza en una temperatura de 800 a 1000° C. El material resultante de a partir esta etapa se denomina típicamente como fragmento pequeño sinterizado. El fragmento pequeño sinterizado se somete a trituración en superficie frontal por chorreo por municiones o de arena, como se conoce la técnica, seguido por la transferencia de la pasta de electrodo exterior para formar los electrodos externos. La cochura adicional se realiza entonces para concluir la formación de los electrodos externos. La cochura adicional se lleva a cabo típicamente en la atmósfera de nitrógeno en una temperatura de más o menos 600 a 1000° C durante más o menos 0.1 a 1 hora. Las capas de níquel y estaño se pueden enchapar entonces sobre los electrodos exteriores para aumentar la soldabilidad y prevenir la oxidación de los electrodos externos. EJEMPLOS Un polvo de [ (Ca?-xSrx) 0]m ( Zr?_yTiy) 02 se utiliza como el componente primario en todos los siguientes ejemplos. El polvo se preparó por calcinación a partir de CaC03, SrC03, Zr02 y Ti02 en relaciones que logran una composición con x=3, y=0.03 y m=1.000. El tamaño de partícula medio típico del polvo calcinado fue 0.7 µm y el área de superficie específica fue 4.5 m2 / g. Los polvos de vidrio para los compuestos secundarios se obtuvieron mezclando materias primas de CaC03, SrC03, Si02 y B203, derritiendo, enfriando rápido y triturando. La Tabla 1 da la formulación de los polvos de vidrio que se utilizaron.

Tabla 1 Polvo de Vidrio SiO2 (mol%) B203 (mol%) CaO (mol %) SrO(mol%) No. 30 20 50 B 30 20 35 15 30 20 20 30 Las formulaciones de cerámica se prepararon mezclando y triturando mezclas del componente primario, un componente secundario (polvo de vidrio+aditivo) y dióxido de manganeso en agua con un aglutinante plastificante a fin de preparar pastas acuosas espesas de cerámica. Las Tabla 2 y 3 proporcionan las formulaciones de cerámica preparadas con este proceso. La Tabla 2 proporciona el porcentaje por peso real de cada material utilizado y el tamaño de partícula promedio (D50) de la suspensión acuosa de espesa cerámica después de trituración. La Tabla 3 proporciona las composiciones resultantes de secundario solamente (vidrio + aditivo CaCo3 y SrC03) , después de la conversión de los carbonatos en óxido. Tabla 2 Tabla 3 A continuación, las suspensiones acuosas espesas de cerámica se formaron en láminas a través del método de escalpelo. El espesor de la lámina se controló para obtener los espesores del dieléctrico de más o menos 6 µm después de encendido. Una pasta conductora principalmente compuesta de níquel se aplicó entonces sobre la lámina no seca por completo de cerámica por impresión por serigrafía de manera que se formase los electrodos internos de un condensador cerámico monolítico. Una multiplicidad en láminas no secas por completo en cerámica con pasta conductora se laminaron entonces para formar un laminado no seco por completo de múltiples capas. La laminación se realizó de manera que en el condensador final de múltiples capas los electrodos quedasen expuestos alternadamente en ambos extremos. El laminado formado así se cortó entonces en las dimensiones deseadas y se calentó a entre 200 y 400° C en aire atmosférico o atmósfera ligeramente reductora para quemar los componentes orgánicos de laminado no seco por completo. Posteriormente, el laminado se sinterizó a una temperatura que aparece en la Tabla 4 en una atmósfera reductora de N2-H2-H20 para formar un cuerpo de cerámica sinterizada. Una pasta de cobre se aplicó entonces en ambos extremos del cuerpo sinterizado para formar los electrodos externos eléctricamente conectados a los electrodos internos del níquel. Las dimensiones exteriores de los condensadores cerámicos de múltiples capas acabados fueron de 2.0 mm de longitud por 1.25 mm de ancho por 1.25 mm de espesor. El espesor y el número de capas dieléctricas fueron 6 mm y 73 respectivamente. Las propiedades eléctricas de los capacitares se determinaron entonces. La capacitancia electrostática y el factor de disipación se midieron en IV, una frecuencia de 1 MHz y una temperatura de 25° C. La capacitancia promedio fue de más o menos 3800 pF. La constante dieléctrica relativa se calculó a partir de la capacitancia electrostática, las dimensiones de los electrodos internos y el espesor del dieléctrico. La resistencia del adiestramiento se midió a 125° C aplicando un voltaje de 50V con un tiempo de carga de 60 segundos. El coeficiente de capacitancia de temperatura (TCC) se calculó con base en las medidas de capacitancia en -55° C, + 25° C y + 125° C. (TCC) en una temperatura t se calculó (en ppm / ° C) utilizando la siguiente ecuación: TCC(t)=106x[Cap(t) - Cap(25)] / [Cap (25)x(t-25)] donde Cap(t) es la capacitancia del condensador en temperatura t, en ° C. Finalmente, la prueba debida altamente acelerada (HALT) se realizó en 20 condensadores monitoreando la resistencia al aislamiento en una temperatura de 175° C y un voltaje de 400V durante 92 h. El Tiempo Medio para Fallo (MTTF) se reporta en minutos. Si más del 50 % de los condensadores en una muestra no fallaron en 92 horas, el MTTF se reporta como > 5520 minutos. Los resultados de la caracterización eléctrica se resumen en la Tabla 4. Tabla 4 En conclusión, las muestras 1 a 12 tienen alta resistencia de aislamiento arriba de 200 GO a 125°C, un factor de disipación menor que 0.1%, gran voltaje de ruptura y un TCC en la gama de -32.3 a -13.7 ppm / °C en - 55° C_y en la gama de -6.4 a 5.9 ppm / °C cuando se activa en o abajo de 1300° C en condiciones reductoras compatibles con los electrodos de níquel. El tiempo medio promedio para la falla en una prueba de vida altamente acelerado 175° C, 400 C es mayor que 92h. La invención ha sido descrita con énfasis particular en formas de realización preferidas sin límite a la misma. Un experto en la técnica se daría cuenta de las enseñanzas en las formas de realización alternadas del presente que se encuentran dentro de las metas y límites de las reivindicaciones adjuntas al présente.

Claims

REIVINDICACIONES Una cerámica dieléctrica que comprende: Más o menos 94 - 99.9 % por peso un primer componente definido por la Formula 1; [ (Ca?-xSrx) 0]m (Zr?_yTiy) 02 Fórmula 1 en donde x no es más que más o menos 0.6; y y no es más que más o menos 0.1; y m es por lo menos más o menos 0.85 a no más que más o menos 1.15; y más o menos 0.1 - 5 % por peso de un componente secundario definido por la formula 2; aSi02-bB203-cAO Fórmula 2 en donde : a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos A(a=15, b=0, c=85), B(a=70, b=0, c=30), C(a=0, b=70, c= 30,) y D(a=0, b=15, c=85) de un diagrama ternario en donde a es porcentaje molar Si02; b es porcentaje molar B203; y c es porcentaje molar AO y a+b+c=100 incluyendo las líneas BC, CD y AD aunque excluyendo la línea AB; A se selecciona de Mg, Ca, Sr, Ba, o una combinación de los mismos; y 0 - 2 t% Mn02. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 que comprende más o menos 95 a más o menos 99.5 % por peso del primer componente. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 2 que comprende más o menos 96 a más o menos 99 % por peso del primer componente. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 que comprende más o menos 0.35 a más o menos 4 % por peso del segundo componente. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 4 que comprende más o menos 0.8 a más o menos 2.5 % por peso del componente secundario. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 que comprende más o menos 0.2 a más o menos 1.5 % por peso Mn02. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 6 que comprende más o menos 0.3 a más o menos 1 % por peso Mn02. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 en donde x es por lo menos más o menos 0.1 a no más que 0.5. 9. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 8 en donde x es por lo menos más o menos 0.2 a no más que más o menos 0.4. 10. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 en donde y es más o menos 0.01 a más o menos 0.07. 11. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 10 en donde y es más o menos 0.02 a más o menos 0.05. 12. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 en donde a es más o menos 20 a más o menos 30. 13. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 en donde b es más o menos 15 a más o menos 30. 14. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 1 en donde c es más o menos 40 a más o menos 70. 15. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 14 en donde c es más o menos 42 a más o menos 60. 16. Un capacitor que comprende un dieléctrico de la reivindicación 1. 17. Un condensador cerámico de varias capas que comprende: una pluralidad de capas de electrodos internos una pluralidad de capas dieléctricas entre las capas del electrodo interno en donde las capas dieléctricas comprenden una cerámica que comprende : más o menos 94 - 99.9 % por peso un primer componente definido por la fórmula 1 ; 1; [ (Ca?-xSrx)0]ra(Zr1_yTiy)02 Fórmula 1 en donde x no es más que más o menos 0.6; y y no es más que más o menos 0.1; y m es por lo menos más o menos 0.85 a no más que más o menos 1.15% ; y más o menos 0.1 - 5 % por peso un componente secundario definido por la fórmula 2; aSi02-bB203-cA0 Fórmula 2 en donde: a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos A(a=15, b=0, c=85), B(a=70, b=0, c=30), C(a=0, b=70, c= 30,) y D(a=0, b=15, c=85) de un diagrama ternario en donde a es porcentaje molar Si02; b es porcentaje molar aB203-(l- )Li20=; y c es porcentaje molar AO y a+b+c=100 incluyendo las líneas BC, CD y AD aunque excluyendo la línea AB; A se selecciona de Mg, Ca, Sr, Ba, o una combinación de ismos; y 0 - 2 wt% Mn02; y electrodos externos en conductividad eléctrica con las capas de electrodos internos. 18. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 17 que comprende más o menos a 95 más o menos 99.5 % por peso del primer componente. 19. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 18 que comprende más o menos a 96 más o menos 99 % por peso del primer componente. 20. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 que comprende más o menos 0.35 a más o menos 4 % por peso del componente secundario. 21. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde x es por lo menos más o menos 0.1 a no más que más o menos 0.5. 22. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 21 en donde x es por lo menos 0.2 a no más que más o menos 0.24. 23. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde y es más o menos 0.01 a más o menos 0.07. 24. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde y es más o menos 0.02 a más o menos 0.05. 25. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde a es más o menos 20 a más o menos 30. 26. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde b es más o menos 15 a más o menos 30. 27. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde c es más o menos 40 a más o menos 70. 28. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 que comprende más o menos 0.02 a más o menos 1.5 % por peso de Mn02. 29. El condensador cerámico de varias capas según la reivindicación 28 que comprende más o menos 0.3 a más o menos 1.0 % por peso de Mn02. 30. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde las capas de electrodos internos comprenden un metal. 31. El condensador cerámico de varias capas de la reivindicación 17 en donde el metal es níquel. 32. Una cerámica dieléctrica que comprende: Más o menos 95 - 99.5 % por peso un primer componente definido por la fórmula 1; [ (Ca?-xSrx)0]m(Zr1_yTiy)02 Fórmula 1 en donde: x no es más que más o menos 0.6; y y no es más que más o menos 0.1; y m es por lo menos más o menos 0.85 a no más que más o menos 1.15; y más o menos 0.1 a más o menos 5.0 % por peso un componente secundario definido por la fórmula 2; aSi02.b[aB203- (1-a) Li20]-cA0 Fórmula 2 en donde : a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos a, b y c se seleccionan para encontrarse dentro de la región definida por los puntos A(a=15, b=0, c=85), B(a=70, b=0, c=30), C(a=0, b=70, c= 30,) y D(a=0, b=15, c=85) de un diagrama ternario en donde a es porcentaje molar Si02; b es porcentaje molar aB203-(l- OÍ)LÍ20=; y c es porcentaje molar AO y a+b+c=100 incluyendo las líneas BC, CD y AD aunque excluyendo la línea AB; A se selecciona de Mg, Ca, Sr, Ba, o una combinación de los mismos; y más o menos 0 a más o menos 2 % por peso de Mn02; 33. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 32 que comprende más o menos 96 a más o menos 99 % por peso del primer componente. 34. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 32 que comprende más o menos 0.35 a más o menos 4 % por peso del componente secundario. 35. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 32 en donde x es por lo menos 0.1 a no más que 0.5. 36. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 35 en donde x es por lo menos 0.2 a no más que 0.4. 37. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 32 en donde y es 0.01 a 0.07. 38. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 32 en donde a es más o menos 20 a más o menos 30. 39. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 32 en donde b es más o menos 15 a más o menos 30. 40. La cerámica dieléctrica de la reivindicación 32 en donde c es más o menos 40 a más o menos 70. 41. Un condensador que comprende el dieléctrico de la reivindicación 32.