[go: up one dir, main page]

Follow
Эшбой Раббимов
Эшбой Раббимов
Доцент,ДжизПИ
Verified email at edu.uz
Title
Cited by
Cited by
Year
Energy spectra of SiO2 nanofilms formed on a silicon surface by ion implantation
YS Ergashov, DA Tashmukhamedova, E Rabbimov
Journal of surface investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques …, 2015
252015
Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS
БЕ Умирзаков, ЖШ Содикжанов, ДА Ташмухамедова, АА Абдувайитов, ...
Письма в Журнал технической физики 47 (12), 3-5, 2021
192021
ВЛИЯНИЕ ОКИСНОЙ ПЛЕНКИ НА КОЭФФИЦИЕНТЫ РАСПЫЛЕНИЯ КРЕМНИЯ
ЭА Раббимов, ЮО Иняминов
Universum: технические науки, 25-27, 2022
172022
Исследование свойства поверхности монокристалла и создание наноразмерных структур на основе MgO для приборов электронной техники
ЭА Раббимов, НМ Жўраева, УТ Ахмаджонова
Экономика и социум, 190-192, 2020
172020
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ НАНОПЛЕНОК SiO2, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ Si ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ
ЁС Эргашов, ДА Ташмухамедова, Э Раббимов
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 38-38, 2015
142015
Влияние окисной пленки на коэффициенты распыления кремния
ЭА Раббимов, НМ Жўраева, УТ Ахмаджонова
Экономика и социум, 187-189, 2020
132020
ОПРЕДЕЛЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТЕРМОДЕСОРБЦИИ И ГЕТЕРОГЕННОЙ РЕАКЦИИ ДИССОЦИАЦИИ МОЛЕКУЛ МОРФИНА НА ПОВЕРХНОСТИ ОКИСЛЕННОГО ВОЛЬФРАМА
БЕ Умирзаков, ЭА Раббимов, АИ Хамзаев
Экономика и социум, 748-758, 2023
82023
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CaF2, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ Ва+
ЭА Раббимов
Экономика и социум, 1198-1204, 2024
72024
Влияние ионной бомбардировки на плотность состояний валентных электронов пленок CdS
БЕ Умирзаков, ДА Ташмухамедова, ЭА Раббимов, ЖШ Содикжанов, ...
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 76-80, 2019
72019
Effect of Ion Bombardment on the Density of States of Valence Electrons in CdS Films
BE Umirzakov, DA Tashmukhamedova, EM Rabbimov, JS Sodikjanov, ...
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques …, 2019
52019
ПЕРЕНОС ВЕЩЕСТВА В ТРЕЩИНОВАТО-ПОРИСТОЙ СРЕДЕ С УЧЕТОМ РАВНОВЕСНОЙ И НЕРАВНОВЕСНОЙ АДСОРБЦИИ
ДА Мустофокулов, АИ Усмонов
Фундаментальные и прикладные научные исследования: актуальные вопросы …, 2019
32019
ЭКОНОМИКА И СОЦИУМ
К РАЗЗОКОВ
ЭКОНОМИКА 9, 542-545, 0
3
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК СаF2, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ Ba+
Б Умирзаков, Э Раббимов, М Турсунов, Ю Иньяминов
Современная наука: актуальные вопросы, достижения и инновации, 40-44, 2021
22021
Формирования трехкомпонентных нанопленок на поверхности GaAs при бомбардировке низкоэнергетическими ионами Na+ и Al+
СБ Донаев, Э Раббимов, АК Ташатов, ДА Ташмухамедова
Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2015, 80-82, 2015
22015
Manifestation of quantum-size effects in two-component semiconductor nanostructures; Proyavlenie kvantovorazmernykh ehffektov v dvukomponentnykh poluprovodnikovykh nanostrukturakh
DA Tashmukhamedova, BE Umirzakov, E Rabbimov, KK Boltaev
Uzbekiston Fizika Zhurnali 15, 2013
12013
Электронная спектроскопия поверхности пленок CaF2 имплантированных ионами низких энергий
ЭА Раббимов
11995
Modification of electron structure of Si surface after ion implantation. Izmenenie ehlektronnoj struktury poverkhnosti Si v rezul'tate ionnoj implantatsii
BE Umirzakov, MT Normuradov, EA Rabbimov
Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Fizicheskaya;(Russian Federation) 56 (7), 1992
11992
Influence of laser irradiation and temperature heating on the impurity atoms distribution profiles of ion-doped samples of Si and CaF [sub 2]. Vliyanie lazernogo oblucheniya i …
BE Umirzakov, MT Normuradov, E Rabbimov, AK Tashatov
Poverkhnost': Fizika, Khimiya, Mekhanika;(USSR) 2, 1992
11992
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНКИ CAF2/SI, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ БАРИЯ
ЭА Раббимов
Экономика и социум, 789-792, 2025
2025
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ НИЗКИХ ЭНЕРГИЙм
ЭА Раббимов
Экономика и социум, 1048-1053, 2024
2024
The system can't perform the operation now. Try again later.
Articles 1–20