WO2003018525B1 - Polymere sensible a la lumiere, polymere de diacetylene de type compose, cristaux de carboxylates d'ammonium, et leurs procedes de production - Google Patents

Claims

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補正書の請求の範囲

補正書の請求の範囲 [2003年 2月 5日 （05. 02. 03 ) 国際事務局受理：出願当 初の請求の範囲 8、 1 1、 1 7及び 23は補正された；他の請求の範囲は変更なし。 （5 頁） ] の結晶の製造方法。

7. カルボキシル基を有する重合体の層状結晶に対して、 次の一般式

-A r - N=N -A r ' 一

(上記式中、 八 ！：ぉょび ！： ' は、 それぞれ独立して、 芳香族炭化水 素 2価基を表す） で表される 2価基を持つァミンがインター力レー トされた光応答性高分 子。

8. (補正後） 少なく と も 1種類のカルボン酸と、 少なく とも 1種類 のアミ ンとを用い、 上記カルボン酸およびアミ ンのう ちの少なく と も 1 種類の化合物がジアセチレン誘導体であり、 上記カルボン酸のカルボキシル基と上記アミ ンのアミ ノ基とを結合さ せて配列させる、 カルボン酸アンモニゥムの結晶の製造方法。

9. 上記カルボン酸およびアミ ンのう ちの少なく と も 1種類の化合物 がジァセチレン誘導体であり、 さ らに、 少なく と も 1種類の他の化合物 がジェン誘導体である、 請求の範囲第 8項に記載のカルボン酸アンモニ ゥムの結晶の製造方法。

1 0. 上記ジェン誘導体と して、 カルボキシル基を有する共役ジェン の重合体の層状結晶を用い、 上記ジアセチレン誘導体と して、 アミ ンを 用い、

上記アミ ンを、 上記層状結晶にインター力レー トする、 請求の範囲第

9項に記載のカルボン酸アンモニゥムの結晶の製造方法。

1 1 . (補正後） 少なく とも 1種類のカルボン酸と、 少なく と も 1種 類のアミ ンとを組み合わせてなり、 上記カルボン酸およびアミ ンのう ち の少なく と も 1種類の化合物がジアセチレン誘導体であり、

補正された^紙 （条約第 19条） 89 上記カルボン酸のカルボキシル基と上記ァミ ンのァミ ノ基とが結合す ることによ り 、 カルボン酸層とアンモニゥム層とが交互に層状に積層し ている、 力ノレボン酸アンモニゥムの結晶。

補正された^紙 （条約第 19条) 90

1 5. 少なく と も 1種類のカルボン酸がジェン誘導体である場合、 該 カルボン酸は、 一般式

X'_ (C H₂) i,_ C = C— C = C—（C H₂)j.— C O OH

(式中、 X²は C O O H又は Hであり 、 i ， ， j ' はそれぞれ、 0以上 1 8以下の整数を示す） にて表され、

上記ァミ ンがジェン誘導体である場合、 該ァミ ンは、 一般式

Y²- (C H₂)_P. - C = C - C = C - (C H₂)_q. - NH₂

(式中、 ²は^^1¾₂又は11でぁり、 p ' , q ' はそれぞれ、 0以上 1 8 以下の整数を示す） にて表される、 請求の範囲第 1 4項に記載のカルボ ン酸アンモニゥムの結晶。

1 6. 上記ジェン誘導体が、 カルボキシル基を有する共役ジェンの重 合体の層状結晶であり、 上記ジアセチレン誘導体がァミ ンである、 請求 の範囲第 1 4項に記載のカルボン酸アンモニゥムの結晶。

1 7. (補正後） 少なく と も 1種類のカルボン酸と、 少なく と も 1種 類のァミ ンとを組み合わせてなると と もに、 上記カルボン酸およびアミ ンのう ちの少なく と も 1種類の化合物がジアセチレン誘導体であり、 か つ上記カルボン酸のカルボキシル基と上記ァミ ンのァミ ノ基とが結合す ることによ り、 カルボン酸層とアンモニゥム層とが交互に層状に積層し ているカルボン酸アンモニゥムの結晶が重合してなる積層型ジァセチレ ン重合体。

1 8. 上記カルボン酸アンモニゥムの結晶は、 少なく と も 1種類の力 ルボン酸がジアセチレン誘導体である場合、 該カルボン酸は、 一般式 X¹— ( C H₂) i_ C≡ C _ C≡ C— ( C H₂) 」一, G O OH

(式中、 X¹は C O O H又は Hであり 、 i ， j はそれぞれ、 0以上 1 8 補正された^紙 （条約第 19条) 91 以下の整数を示す） にて表され、 少なく とも 1種類のァミ ンがジァセチ レン誘導体である場合、 該ァミ ンは、 一般式

Y¹- ( C H₂) _p— C≡ C— C≡ C— (C H₂) _q— NH₂

補正された用紙 （条約第 19条） 92 以下の整数を示す） にて表される、 請求の範囲第 2 0項に記載の積層型 ジァセチレン重合体。

2 2 . 上記カルボン酸アンモニゥムの結晶は、 上記ジェン誘導体が、 カルボキシル基を有する共役ジェンの重合体の層状結晶であり、 上記ジ アセチレン誘導体がァミ ンである、 請求の範囲第 2 0項に記載の積層型 ジアセチレン重合体。

2 3 . (補正後） 少なく と も 1種類のカルボン酸と、 少なく とも 1種 類のァミ ンとを組み合わせてなると と もに、 上記カルボン酸およびァミ ンのう ちの少なく と も 1種類の化合物がジァセチレン誘導体であり、 か つ上記カルボン酸のカルボキシル基と上記ァミ ンのアミ ノ基とが結合す ることによ り、 力ルボン酸層とアンモニゥム層とが交互に層状に積層し ているカルボン酸アンモニゥムの結晶に対して、 光照射又は加熱処理を 施す積層型ジァセチレン重合体の製造方法。

2 4 . 上記カルボン酸アンモニゥムの結晶は、 上記カルボン酸および ァミ ンのう ちの少なく と も 1種類の化合物がジアセチレン誘導体であり 、 さ らに、 少なく と も 1種類の他の化合物がジェン誘導体である、 請求 の範囲第 2 3項に記載の積層型ジアセチレン重合体の製造方法。

2 5 . 上記カルボン酸アンモニゥムの結晶は、 上記ジェン誘導体が、 カルボキシル基を有する共役ジェンの重合体の層状結晶であり、 上記ジ アセチレン誘導体がァミ ンである、 請求の範囲第 2 4項に記載の積層型 ジアセチレン重合体の製造方法。

i正された用紙 （条約第 19条）

93 第 1 9条 （ 1 ) の規定に基づく説明書 出願時における対応する請求の範囲第 8項、 第 1 1項、 第 1 7項、 第 2 3项に 記載のカルボン酸アンモニゥムの結晶は、 ジアセチレン誘導体であるカルボン酸 又はア ミ ンを含むと と もに、 カルボン酸層とアンモニゥム層とが交互に屑状に禾 ί'ί 層した層状結晶であり、 補正では、 この点を明確にした。

引用文献 1 (松本章一， "f匕学， 2000, Vol . 55, No. 12, ρ· 22— 26) には、 ト ポケミカル反応の一例と して、 ジアセチレンの固相重合が挙げられており 、 引用 文献 2 (†公本章一， 高分—了-, 1997, Vol. 46, No. 9, p. 703— 708) に（ま、 力ノレ ボン酸系のジアセチレン誘導体の固相重合に関する記載がある。

さ らに、 引用文献 3 ( J P 4 - 2 4 8 8 1 8 A) には、 カルボキシル ¾の 対陽イオンと してアンモニゥムイオンを有するジアセチレン重合体が記載されて レ、る。 弓 I用文献 4 (Ma t sumo t o, A. e t al. , J . Am. Chem. Soc . , 2000 , vol . 122, p. 9109-9119) および引用文献 5 (Odani, T. et a 1. , Macromol . Rap id Commun. , 2000 , vol . 21 , o. 1 , p. 40 44) に（ま、 ジェン誘導体の お I 重合に関する記載がある。

一方、 本願発明のカルボン酸アンモニゥムの結晶は、 カルボン酸およびア ミ ン を含むことによって、 層状構造を形成するよ う に配列規制がなされている。 した がって、 このカルボン酸アンモニゥムを固相重合するこ とによ り、 ポリマー鎖の 配向方向が制御された、 層状構造の積層型ジアセチレン重合体を得るこ とができ る。 特に、 積層型ジアセチレン重合体は、 その層状構造に依存した光吸収特性を 有しているので、 用いるカルボン酸およびァ ミ ンの種類を適宜選択して、 カルボ ン酸アンモニゥムの結晶の層状構造を制御すれば、 種々の吸収特性を冇する積^ 型ジアセチレン重合体を提供するこ とができると考えられる。