[go: up one dir, main page]

TW200536720A - Fluid ejection device with address generator - Google Patents

Fluid ejection device with address generator Download PDF

Info

Publication number
TW200536720A
TW200536720A TW094108782A TW94108782A TW200536720A TW 200536720 A TW200536720 A TW 200536720A TW 094108782 A TW094108782 A TW 094108782A TW 94108782 A TW94108782 A TW 94108782A TW 200536720 A TW200536720 A TW 200536720A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
signal
address
transistor
shift register
voltage level
Prior art date
Application number
TW094108782A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI319355B (en
Inventor
Trudy L Benjamin
James P Axtell
Original Assignee
Hewlett Packard Development Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Development Co filed Critical Hewlett Packard Development Co
Publication of TW200536720A publication Critical patent/TW200536720A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI319355B publication Critical patent/TWI319355B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/05—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers produced by the application of heat
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/0458—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits controlling heads based on heating elements forming bubbles
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P31/00—Antiinfectives, i.e. antibiotics, antiseptics, chemotherapeutics
    • A61P31/04—Antibacterial agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04541—Specific driving circuit
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04543—Block driving
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04546—Multiplexing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/0455—Details of switching sections of circuit, e.g. transistors

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Pharmacology & Pharmacy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Oncology (AREA)
  • Communicable Diseases (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Surgical Instruments (AREA)
  • Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
  • Automatic Analysis And Handling Materials Therefor (AREA)
  • Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

200536720 九、發明說明： 【明戶斤屬^标冷頁 相關申請案之交互參照 本發明係關於美國專利申請案第10/827.030號，代理人 5 檔號200210152-1，名稱「流體喷出裝置」；美國專利申請 案第10/827,030號，代理人檔號2002091688-1，名稱「流體 喷出裝置」；美國專利申請案第10/827,045號，代理人檔號 200311485-1，名稱「具有閘極組配成迴路結構之裝置」； _ 美國專利申請案第_J虎，代理人檔號200209559-1，名 10稱「流體喷出裝置」·’以及美國專利申請案第_號，代 理人檔號200209237-1，名稱「具有識別單元之流體噴出裝 置」各案皆邊與本案之受讓人且與本案之同一日提出申 請，各案以引述方式併入此處彷彿其完整陳述於此處般。 本發明係有關於具有位址產生器之流體噴出裝置。 15 【先前技術】 發明背景 ® 一種喷墨列印系統作為流體喷出系統之一具體例，該 喷墨列印系統可包括一噴墨頭、一提供液體墨水至該噴墨 頭之墨水供應源、以及一控制該喷墨頭之電子控制器。喷 20墨頭作為流體噴出裝置之一具體例，噴墨頭係經由多個孔 口或唷嘴而唷出墨滴。墨水係朝向列印媒體如紙張投射來 列印一影像於該列印媒體上。喷嘴典型係排列成一或多陣 列，因此當喷墨頭與列印媒體相對於彼此移動時，由喷嘴 適當定序喷出墨水，造成符號或其它影像被列印於列印媒 5 200536720 體上。 於典型熱喷墨列印系統，喷墨頭係藉快速加熱小量位 於氣化室内之墨水，熱墨滴經喷嘴喷出。墨水係以小型電 熱器諸如此處稱為發射電阻器之薄膜電阻器加熱。加熱墨 w 5 水，造成墨水氣化，而經由喷嘴喷出。 欲喷出墨滴，控制喷墨頭之電子控制器作動一來自喷 墨頭外部之電源供應器之電流。電流通過選定之發射電阻 器，來加熱於相對應之經選定之氣化室之墨水，以及經由 φ 相對應之喷嘴噴出墨水。已知之墨滴產生器包括一發射電 10 阻器、一對應氣化室、及一對應喷嘴。 隨著噴墨頭的演進，喷墨頭的墨滴產生器數目增加， 來改良列印速度及/或品質。每個喷墨頭之墨滴產生器數目 •增加，結果導致於喷墨頭晶粒上致能較多發射電阻器所需 .輸入墊之數目相對應地增加。於一型喷墨頭，各個發射電 15 阻器係耦接至一對應輸入墊來供電而作動該發射電阻器。 隨著發射電阻器數目的增加，每個發射電阻器耦接一個輸 # 入墊變不實際。 於另一型有基元之喷墨頭，每個輸入墊之墨滴產生器 數目顯著增加。於一個基元，單一電力引線可供電給全部 20 發射電阻器。各個發射電阻器係串列耦接電力引線及對應 場效電晶體(FET)之汲極-源極路徑。於一個基元之各個FET 之閘極係耦接至可分開供電之位址引線，該位址引線係由 多個基元所共享。 製造商仍然持續嘗試減少一個喷墨頭晶粒上之輸入襯 6 200536720 墊數目及增加墨滴產生器數目。具有較少輸入墊之喷墨頭 典型可比有較多輸入墊之喷墨頭成本降低。此外，有較多 墨滴產生器之喷墨頭典型係以較高品質及/或列印速度列 印。為了維持成本以及提供特殊列印條帶高度，噴墨頭晶 5 粒大小可能不會隨墨滴產生器數目之增加而顯著改變。隨 著墨滴產生器密度之增高與輸入墊數目之減少，喷墨頭晶 粒佈局逐漸變複雜。 由於此等及其它理由，因而對本發明有需求。 _ 【發明内容】 10 本發明揭露一種流體喷出裝置，包含··發射單元；組 配來接收一串列脈波之信號線；以及組配來由該串列脈波 接收脈波且響應於接收得之脈波而產生一組位址信號集合 之位址產生器，其中該位址信號集合係適合用來作動該等 發射單元發揮作用。 15 圖式簡單說明 第1圖顯示喷墨列印系統之一具體例。 # 第2圖為略圖顯示一喷墨頭晶粒之一具體例之一部分。 第3圖為略圖顯示於一喷墨頭晶粒之一具體例，位於沿 墨水進給開槽之墨滴產生器之佈局圖。 20 第4圖為略圖顯示於喷墨頭晶粒之一具體例採用之發 射單元之一具體例。 第5圖為示意圖顯示噴墨頭發射單元陣列之一具體例。 第6圖為示意圖顯示預充電發射單元之一具體例。 第7圖為示意圖顯示喷墨頭發射單元陣列之一具體例。 7 200536720 第8圖為時程圖顯系&射單元陣列之一具體例之操作。 第9圖為略圖顯禾於噴墨碩晶粒之位址產生器之_ 具體例。 第10A圖為略圖顯示於一移位暫存器之一移位暫存器 5 單元。 第10B圖為略圖顯示一方向電路。 第11圖為時稃圖顯不於正向方向之位址產生器之操 作。 • 第12圖為時稃圖顯不於反向方向之位址產生器之操 10 作。 第13圖為略圖顯系於一噴墨頭晶粒之2位址產生器及 六個發射群之一具體例 ‘第14圖為時秘圖顯示於一噴墨頭晶粒之位址產生器之 正向及反向操作。 15 第15圖為方塊圖顯示於一噴墨頭晶粒之位址產生器、 位址閂鎖及6發射群之/具體例。 ⑩ 帛16圖為略圖顯示_暫存器之-具體例。 第17圖為時程圖説明閃鎖暫存器之一具體例之範例操 作。 /、 20 第I8圖為略圖顯示單向移位暫存器單元之一具體例。 第19圖為略圖顯示一位址產生器，其使用該單:移位 暫存器單元來提供於正向方向及反向方向之位址。 弟20圖為略圖顯示_ 暫存器之該單向移位暫存 位址產生态，其使用於一個移位 态單元來提供於正向方向及反向 8 200536720 方向之位址。 第21圖為略圖顯示一喷墨頭晶粒之一具體例之範例佈 局。 第22圖為略圖顯示一喷墨頭晶粒之一具體例之範例佈 5 局之另一方面。 第23圖為略圖顯示喷墨頭晶粒之一具體例之一區段之 平面圖。 第24圖為略圖顯示一喷墨頭晶粒之另一具體例之範例 佈局。 10 第25A圖及第25B圖為略圖顯示可用來耦接外部電路 至一喷墨頭晶粒之撓曲電路之接觸區。 L實方方式I 較佳實施例之詳細說明 後文詳細說明係參照附圖作說明，附圖構成本發明之 15 一部分，以可實作本發明之特定具體例舉例說明。就此方 面而言，方向術語例如「頂」、「底」、「前」、「後」、「首」、 「尾」等係參照所述該圖之方向性使用。由於本發明之具 體例之組成元件可設置於多個不同方向，因此方向術語僅 供舉例說明之用而非限制性。須了解可未悖離本發明之範 20 圍，利用其它具體例、及做出其它結構或邏輯變化。因此 後文詳細說明絕非視為限制性，本發明之範圍係由隨附之 申請專利範圍定義。 第1圖顯示喷墨列印系統20之一具體例。喷墨列印系統 20組成一流體喷出系統之一具體例，喷墨列印系統20包括 9 200536720 一流體喷出裝置諸如喷墨頭總成22，及一流體供應總成， 诸如墨水供應總成24。嘴墨列印糸統20也包括一安裝纟Φ、成 26、一媒體傳送總成28、及一電子控制器3〇。至少一電源 供應器32供電給喷墨列印系統20之各個電氣組成元件。 5 一具體例中，喷墨頭總成22包括一個喷墨頭或噴墨頭 晶粒40 ’ f墨頭晶粒40經由多個孔口或喷嘴34朝向列印媒 體36喷射墨滴，因而列印於列印媒體36上。喷墨頭4〇為流 體喷出裝置之一具體例。列印媒體36可為任何型別之適當 薄片材料，諸如紙張、卡片、透明片、密勒塑膠(Mylar)、 10織物等。典型地，喷嘴34排列成一或多行或一或多陣列， 因此由喷嘴34適當排序噴出墨水，造成當噴墨頭總成22與 列印媒體36相對於彼此移動時，文字、符號、及/或其它圖 形或影像被列印於列印媒體36上。雖然後文係參照由噴墨 頭總成22喷出墨水作說明，但須了解其它液體、流體、或 15流動性材料（包括澄清流體）皆可由噴墨頭總成22喷出。 墨水供應總成24作為流體供應總成之一具體例，墨水 供應總成24提供墨水給喷墨頭總成22，墨水供應總成24包 括一儲存墨水之貯槽38。如此，墨水由貯槽38流至喷墨頭 總成22。墨水供應總成24及喷墨頭總成22可形成單向墨水 20 輸送系統或循環墨水輸送系統。於單向墨水輸送系統，實 質上全部供應喷墨頭總成22之墨水係於列印期間被耗盡。 而於循環墨水輸送系統，則供應噴墨頭總成22之墨水只有 部分於列印期間被耗用。如此於列印期間未被耗用之墨水 迴送至墨水供應總成24。 10 200536720 一具體例中，喷墨頭總成22及墨水供應總成24一起被 罩^喷墨卡s或噴墨筆内。噴墨卡£或噴墨筆構成流體喷 出裂置之-具體例。另一具體例中，墨水供應總成％與喷 墨頭總成22分開，墨水供應總成24經由介面連結裝置例如 5供應管（圖中未顯示）而提供墨水給喷墨頭總成22。任一種情 況下，墨水供應總成24之貯槽38可被去除、更換及/或再填 充。一具體例中，此處噴墨頭總成22及墨水供應總成24一 起被罩於噴墨卡£内，貯槽38包括一位於卡£内部之局部 貝丁槽，也包括一與喷墨卡匣分開之大型貯槽。如此分開之 10大型貯槽係用來再填充該局部貯槽。如此，分開之大型貯 槽及/或局部貯槽可被去除、更換及/或再填充。 安裝總成26將噴墨頭總成22相對於媒體傳送總成28定 位媒體傳送總成28將列印媒體36相對於噴墨頭總成μ定 位士此列印區段37係界限於喷墨頭總成22與列印媒體 36間之相_於噴嘴34之_區。—具體例中，噴墨頭總成^ 屬於掃描型喷墨頭總成。如此，安裝總成26包括一卡曜 中未絲頁不），用來移動噴墨頭總成Μ相對於媒體傳送總成^ 來知描列印媒體36。另一具體例中，噴墨頭總成Μ為非掃 描型喷墨頭總成。如此，安裝總成26將喷墨頭總成22固定 20於相對於媒體傳送總成28之規定位置。如此，媒體傳送總 成28將列印媒體36相對於喷墨頭總成22定位。 電子控制器或印表機控制器30典型包括一處理器， 月豆及/、匕电子瓜置，或其任一種組合來與喷墨頭總成、 女衣k'成26、及媒體傳送總成28通訊及控制該等總成。電 11 200536720 子控制器30接收來自主機系統諸如電腦之資料39，通常包 括暫時儲存資料39之記憶體。典型地，資料39係沿電子、 紅外線、光或其它資訊傳送路徑而進送至喷墨列印系統 20。資料39例如表示欲列印文件及/或欲列印檔案。如此， 5資料39構成喷墨列印系統20之列印工作，資料39包括一或 多項列印工作命令及/或命令參數。 一具體例中，電子控制器30控制喷墨頭總成22來由喷 嘴34噴出墨滴。如此，電子控制器3〇定義可形成文字、符 號、及/或其它圖形或影像於列印媒體36上的喷出之墨滴圖 10 案。噴出之墨滴圖案係由該列印工作命令及/或命令參數決 定。 一具體例中，噴墨頭總成22包括一喷墨頭40。另一具 體例中’噴墨頭總成22為寬陣列或多頭噴墨頭總成。於寬 陣列具體例中，噴墨頭總成22包括一載具，該載具載運喷 15墨頭晶粒40，提供噴墨頭晶粒40與電子控制器30間之電通 訊’以及提供噴墨頭晶粒40與墨水供應總成24間之流體連 通。 第2圖為略圖，顯示喷墨頭晶粒4〇之部分具體例。喷墨 頭晶粒40包括列印元件或流體噴出元件芯之陣列。列印元 件42係形成於基材44上，基材上有墨水進給開槽仏成形於 其中。如此，墨水進給開槽46提供液體墨水供給列印元件 42之供應源。墨水進給開槽邾為流體進給源之一具體例。 流體進給源之其它具體例包括（但非限制性）進給對應氣化 室之對應個別墨水進給孔口，以及各自進給對應之流體喷 12 200536720
10 出兀件、、且群之多個較短的墨水進給溝槽。薄膜結構48有墨 X進、、°通逼54形成於其中，該通道係與形成於基材44之墨 K進給開槽46連通。孔口層％有—正面他、以及一形成於 ^面5〇a之喷嘴開口 34。孔口層50也有-噴嘴 室或氣化室56 化成於其巾’該室额噴嘴開口 34及賴結構48之墨水進 通道54連通。發射電阻器52係設置於氣化室56内部，弓| ^58係電純發射電阻ϋ52至電路，控制選定之發射 二阻态來施加電流。此處所稱墨滴產生器⑼包括發射電阻 器52、氣化室56、及噴嘴開口 34。 15 20 歹Ρ/月間，墨水由墨水進給開槽46經由墨水進給通道 =流至氣化室56。噴嘴開σ 34係工作式結合發射電阻器 讓氣化至56内部之墨水小滴於發射電阻器52被激活 了 t由喷嘴開口 34(例如實f上正交於發射電阻的平面） 朝向列印媒體36噴出。 喷墨頭曰曰粒4〇之具體實施例包括熱喷墨頭、壓電喷墨 唷墨頭、或業界已知可整合成一多層結構之任何 :广別之流體喷出裝置。基材44例如係由矽、玻璃、陶 '或適當聚合物製成，薄膜結構仙製造成从括一或多 =氧㈣、碳切、氮切、组、複Μ玻璃、或其它 -材料製成之被動層或絕緣層。薄膜結構抑也包括至少 傳導層，傳導層48界定發射電㈣％及引線％。一呈體 例中，傳導層例如包含鋁、全金屬合金一具體例中，料纽、钮务或其它金屬或 ...射早疋電路(容後詳述)係於基材 及溥膜層如基材44及薄膜結構仳實作。 13 200536720
ίο 15
2〇 一具體例中，孔口層50包含可光成像之環氧樹脂，例 如稱作為SU8由微化學（Micro—chem)公司（麻省牛頓）出售 之環氧樹脂。使用SU8或其它聚合物製造孔〇層5〇之範例技 術細節述於美國專利第6，162,589號，該案以引用方式併入 此處。一具體例中，孔口層50係由分開兩層製成，二層係 稱作為一阻障層（例如乾膜光阻阻障層）、及一形成於該阻障 層上方之金屬孔口層（例如鎳、銅、鐵/鎳合金、纪、金、或 錢層）。但其它適當材料也可用來製造孔口層5〇。 第3圖為略圖，顯示於喷墨頭晶粒40之一具體例中，位 於沿墨水進給開槽46之墨滴產生器60。墨水進給開槽牝包 括相對兩側之墨水進給開槽側46a及46b。墨滴產生器6〇係 沿墨水進給開槽側46a及46b個別設置。共n個墨滴產生器6〇 係沿墨水進給開槽46設置’ m個墨滴產生器6〇係沿墨水進給 開槽側46a設置，以及n-m個墨滴產生器6〇係沿墨水進給開 槽側46b設置。一具體例中，n=200墨滴產生器6〇係沿墨水 進給開槽46設置，m=l〇〇墨滴產生器6〇係個別沿墨水進給 開槽側46a及46b設置。其它具體例中，任何適當數目之墨 滴產生器60可沿墨水進給開槽46設置。 墨水進給開槽46提供墨水給沿墨水進給開槽46設置之 '^滴產生器60之各個產生器。n個墨滴產生器6〇各自包 %夂:嘵阻态52、一氣化室56、及一噴嘴34。η個氣化室 =係％由至少一墨水進給通道54而流體耦接至墨水進 '° 、墨滴產生為60之發射電阻器52係以經過控制之 、、敖’否，由氣化室56經由噴嘴34噴出流體來列印影像 14 200536720 於列印媒體36上。 第4圖為略圖，顯示於喷墨頭晶粒4〇之一具體例採用之 一發射單元70之一具體例。發射單元70包括一發射電阻哭 52、一電阻器驅動開關72、及一記憶體電路％。發射電阻 器52為墨滴產生器6〇之一部分。驅動開關乃及記憶體電路 74為經由發射電阻器52控制電流之施加的電路之一部分。 發射單元70係形成於薄膜結構48以及形成於基材44上。 10 15 20 一具體例中，發射電阻器52為薄膜電阻器，電阻器驅 ^開關72為場效電晶體(FET)。發射電阻器&係電耗接至一 發射線76及該驅動開關72之汲極_源極路徑。轉開關72之 徑也電耦接至—參考線78，參考線78係麵接至 記憶體電路74，复=位°__72之_係電耗接至 /、k制驅動開關72之狀態。 記憶體電路74仫 資料線_收表〜、至―資料線8G及—致能線82。 轉收控制記憶^像之—部分之資料信號，以及致能線 元藉該致能信號^路74之操作之致能錢。於—資料位 元。所儲存之資料仅能時’記憶體電路74儲存—資料位 (例如開或關、導通^之邏輯位準設定驅動開關72之狀態 擇信號及-或多個1非導通）。致能信號可包括-或多個選 弋址信號。 务射線76接I)欠句 波給發射電阻如^能脈波之能信號’叹提供一能脈 30提供，而有定日具體例中’能脈波係'由電子控制器 能量來加熱與時間紋時持續時間，來提供適量 ^滴產生器60之氣化室56内部之流體。 15 200536720 若驅動開關72為可作動（導通），則能脈波加熱發射電阻器 52 ’來加熱且喷出來自墨滴產生器6〇之流體。若驅動開： 72為不可動作（非導通），則能脈波不加發射電阻器52，流俨 留在墨滴產生器60内部。 5 第5圖為示意圖，顯示喷墨頭發射單元陣列（示於1〇〇) 之一具體例。發射單元陣列100包括多個發射單元7〇排列成 η個發射群102心10211。一具體例中，發射單元7〇排列成6個 發射群102a-l〇2n。其它具體例中，發射單元7〇可排列成任 何適當數目之發射群102a-102n，諸如4個或4個以上之發射 10 群 102a-l〇2n 〇 於發射單元陣列1〇〇之發射單元70係示意排列成為[列 及m行。L列發射單元70係電耦接至接收致能信號之致能線 104。各列發射單元70於此處稱作為發射單元7〇之列子群或 子群各列係電輕接至子群致能線1 1 〇6L之一集合。子 15群致能線106a_l〇6L接收可致能對應發射單元7〇子群之子 群致能信號SGI、SG2、...SGt。 m行係電耦接至分別接收資料信號〇卜〇2.^㈤之历資 料線108a-l〇8m。m行各自包括於n發射群1〇2a_1〇2n之各群 之發射單兀70，各行發射單元7〇於此處稱作為資料線群或 20資料群，各行係電耦接至資料線108a-108m之一。換言之， 各貧料線108a-108m係電耦接至於一行之各發射單元7〇，包 括於各發射群l02a-102n之發射單元7〇。例如資料線1〇%係 電搞接至最左行之各發射單元7〇，&括於各發射群 102a-102n之發射單元7〇。資料線1〇扑係電耦接至於相鄰行 16 200536720 之各發射單元7〇等等，吉丨 田 J且匕3貧料線108m係電耦接 丁之各發射單元7G ’包括各發射群隐脑之發射單 :咖中’發射單元陣列丨。。排列成六 w2n’六個發射物a_1G2n各自包括13子群及 線群。其它具體例中，發射單元陣列1〇〇可排列成任何適者 數目之發射群1G2a_1G2n，以及湖成任何適當數目之^ 及㈣線群。任一具體例中，發射群i〇2a_i〇2n非僅限於有 才等數目之子群及資料線群。反而，各發射群搬相 對於任何其它發射群咖贿可有不同數目之子群及域 資料線群。此外，各子群比較任何其它子群可有不同數目 《射單it 7G ’各資料線群比較任何其它資料線群可有不 同數目之發射單元7〇。 於各發射群102a-l〇2n之發射單元7〇係電耦接至發射 線110a」l〇n之一。於發射群1〇2a，各發射單元川係電輛接 至接收發射信號或能信號FIRE丨之發射線11〇&。於發射群 l〇2b，各發射單元7〇係電耦接至接收發射信號或能信號 FIRE 2之發射線丨丨此等等，直到且含於發射群1〇2n，其中 各叙射單元70係電_接至接收發射信號或能信號FIRE ^之 2〇务射線U〇n。此外，於各發射群l〇2a-102n之各發射單元7〇 係電耦接至一接地之共通參考線112。 操作時，子群致能信號SGI、SG2、...SGl被提供於子 群致能線106a-106L上來致能發射單元70之一子群。被致能 之發射單元70儲存提供於資料線108a_108m上之資料信號 17 200536720 D1、D2...Dm。資料信號D1、D2...Dm被儲存於經致能之發 射單元70之記憶體電路74。各個被儲存之資料信號D1、 D2...Dm設定於一被致能之發射單元70之一之驅動開關72 之狀態。驅動開關72係基於所儲存之資料信號值而被設定 5 為導通及非導通。 於經選定之驅動開關72之狀態設定後，能信號 FIREl-FIREn被提供於對應於包括該被選定之發射單元7〇 子群之發射群l〇2a-102n之發射線110心11〇11上。能信號 FIRE1 -FIREn包括能脈波。能脈波被提供於所選定之發射線 10 ll〇a-110n來激活於具有導通之驅動開關72之發射單元7〇之 發射電阻器52。經激活之發射電阻器52加熱且噴出墨水至 列印媒體36上，來列印資料信號Dl、D2...Dm所表示之影 像。致能一發射單元70子群、儲存資料信號D1、D2...Dm 於被致能之子群、以及提供能信號HREl-FIREn來激活於被 15致能之子群中之發射電阻器52,處理持續至列印停止為止。 一具體例中，當能信號FIREl-FIREn提供給一經選定之 發射群102a-102n時，子群致能信號SG卜SG2、...SGl改變 來選擇且致能於不同之發射群1〇2a_1〇2n之另一子群。新致 月匕之子群儲存於資料線l〇8a-108m所提供之資料信號di、 2〇 D2 · · ·Dm，能信號HRE1 -HREn於發射線11 〇a-丨丨0n之一提供 來激'舌於新被致能之發射單元7〇之發射電阻器52。任何時 間’只有一個發射單元70子群被子群致能信號SG1、 C rs •. SGl所致此，來储存育料線1 〇§1 所提供之資 料乜旒Dl、D2...Dm。就此方面而言，資料線1〇8a-1〇8m之 18 200536720 資料信細、D2...Dm為分時多卫:聽信號。此外，於一 選定之發射群㈣_1G2n中之有—子群包括驅動開關72，當 Μ號则侧n被提供至該選定之發射群廳-咖 吟，该驅動開關72被設定為導通。但 -從彳/、、、、e不同發射群 1 〇2a- Η)%之能信划腦丨_FIREn可重疊且確實重疊。 10 15 20 第6圖為示意圖，顯示經預充電之發射單元⑽之一具 體例。經預充電之發射單元丨碼發射單元％之—且體例' 經預充電之發射單切〇包括_電_至_發射電阻器Μ 之驅動開關Π2。-具體例中，驅_關π為場效電晶體 (FET)，FET包括-祕_源極路徑，該路徑於_端係電轉接 至發射電阻器52之-終端，以及於另-端係電耦接至參考 線122。爹考線m係接至參考電壓，諸如地電位。發射带 阻器52之另-終端係電純至_發射線124，發射線12= 收包括能脈波之發射信號或能信__。若__172 為作動（導通）’則能脈波激活發射電阻器52。 驅動開關172之閘極形成1存節點電容126，儲存節 點電容126係作為記憶體元件，來於循序激活預充電電晶體 m及選擇電晶體13G後儲存:#料。預充f電晶體128之^ -源極路徑及閘極係電_至_接收預充電信號之預充電 線132。驅動開關Π2之開極係電_至預充電電晶體⑶: 及極-源極路彳纟、及選擇電晶體13()之錄_源極路徑。選擇 電晶體13G之閘極係電_接至接收選擇信號之選擇線以。 儲存節點電容126係以虛線表示，制在於儲存節點電容 126為驅動開關172之-部分。另外，與驅動開關172分開之 19 200536720 電容器可用作為記憶體元件。 資料電晶體136、第一位址電晶體138、及第二位址電 晶體140包括並聯電耦接之汲極_源極路徑。資料電晶體 136、第一位址電晶體138、及第二位址電晶體140之並聯組 5 合係電耗接於選擇電晶體130之沒極-源極路徑與參考線 122間。選擇電晶體13〇耦接至資料電晶體136、第一位址電 晶體138、及第二位址電晶體140之並聯組合所組成的串聯 電路，係跨驅動開關172之節點電容126而電耦合。資料電 晶體136之閘極係電耦接至接收資料信號〜DATA之資料線 10 142。第一位址電晶體138之閘極係電耦接至接收位址信號 〜ADDRESS 1之位址線144，以及第二位址電晶體140之閘極 係電耦接至接收位址信號〜ADDRESS2之第二位址線146。 如信號名稱起點之否定記號(〜)指示，資料信號〜DATA及位 址信號〜ADDRESS 1及〜ADDRESS2於低電壓位準時為激 15 活。節點電容126、預充電電晶體128、選擇電晶體130、資 料電晶體136、及位址電晶體138及140構成一個記憶體胞 元。 操作時，節點電容126經由預充電電晶體128，藉提供 尚位準電壓脈波於預充電線132而被預充電。一具體例中， 20於預充電線132之高位準電壓脈波後，資料信號〜data被提 供於資料線142來設定資料電晶體136之狀態，以及位址信 號〜ADDRES S1及〜ADDRES S2被提供於位址線144及146來 設定第一位址電晶體138及第二位址電晶體14〇之狀態。夠 大之電壓脈波被提供於選擇線134來導通選擇電晶體130 ; 20 200536720 若資料電晶體136、第一位址電晶體138、及/或第二位址電 晶體140為可動作，則節點電容126放電。另外，若資料電 晶體136、第一位址電晶體138、及第二位址電晶體14〇全部 皆為無動作，則節點電容126維持充電。 5 若二位址信號〜ADDRESS1及〜ADDRESS2為低，則經 預充電之發射單元120為該被定址之發射單元；若資料信號 〜DATA為高，則節點電容126被放電；或若位址信號 〜ADDRESS1及〜ADDRESS2為低，則節點電容126維持充 電。若有位址信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2中之至少— 1〇者為高，則經預充電之發射單元120非為被定址之發射單 兀，且節點電容126放電，而與資料信號〜DATA之電壓位準 …、關。第一位址電晶體136及第二位址電晶體138包含一位 曰角午馬為，右經預充電之發射單元12〇經過定址，則資料電 曰月且136控制節點電容126之電壓位準。 社媒、預充甩之發射單元120可利用任何其它數目之拓樸 或或排~ 〃要可維持前述操作關係即可。舉例言之， 馬接至位址線144及146,其輸出端係祕至單-電 弟7圖兔+ 土 rsn 20 體例。發射。^…顯示喷墨頭發射單元陣列綱之一具 120排列成6早7陣列包括多個經經預充電之發射單元 元120示意排列^^射群2G2a'2G2f^經經預充電之發射單 元陣列2^0之及8行。發射群202a-202f、及發射單 列及8行，細、包之發射單元丨2〇示意顯示排列成為78 I、、、里預充電之 ^射早7L數目及其佈局可視需要而 21 200536720 改變。 卜預充兔之發射單元120係電耦接至分別接收資料
〇 2···〜之8資料線208a-208h。8行（前文說明 為貝料線群或貢料群）各自包括六個發射群202a-202f之個 別、、工預充％之發射單元12()。於各行經預充電之發射單元 12〇之各個發射單元120係電耦接至資料線208a捕h之 於各貝料線群之全部經經預充電之發射單元12〇係電搞 接至相同資料線，該資料線2G8a-2G8h係電純至 η亥行之、、二預充電之發射單元12〇之資料電晶體136之閘極。 貢料線2 0 8 a係電耦接至最左列之各個經預充電之發射 單元120’包括各發射群2〇2a_2〇2f之經預充電之發射單元。 貝料線2 0 8b係電耦接至相鄰該行之各個經預充電之發射單 兀120等等’直到且包含資料線208h係電耦接至最右行之各 個經預充電之發射單元12〇為止，包括於各發射群2〇2a_2〇2f 之經預充電之發射單元12〇。 成列經預充電之發射單元120係電耦接至分別接收位 址信號〜A卜〜A2···〜A7之位址線206a-206g。於一列經預充 電之發射單元12〇之各個經預充電之發射單元12〇(於此處 稱作為一列子群或子群經預充電之發射單元12 0)係電搞接 20 至位址線206a-206g之二。於一列子群之全部經預充電之發 射單元120係電耦接至相同二位址線206a-206g。 發射群202a-202f之子群係被識別為於發射群1 (FG1) 202a之子群SGM至SG1-13、發射群2 (FG2) 202b之子群 SG2-1至SG2-13等等，直到發射群6 (FG6) 202f之子群SG6-1 22 200536720 至SG6-13。其它具體例中’各個發射群2〇2&_2似可 何適當數目之子群，諸如14或14以上之子群。 經預充電之發射單元12G之各個子群係電㈣至二位 址線206a-206g。對應一子群之二位址線2〇6&_2〇6§係電耗接 5至該子群之全部經預充電之發射單元⑶之第—位址電晶 體138及第―位址電晶體14()。_位址線2__2响係電輛接 至第一位址電晶體及第二位址電晶體14〇之一之閑極， 而另-位址線2〇6a-206g係電輕接至第一位址電晶體i38及 第一位址電晶體140之另一者之閘極。位址線2〇6a_2〇6g接 10收位址说〜A卜〜A2···〜A7 ’且轉接來提供位址信號〜A1、 〜A2···〜A7給發射單元陣列200之子群如後： 列子群位址信號 列子群 〜A1、〜A2 SGl-i > SG2-1...SG6-1 〜A1、〜A3 SG1-2 > SG2-2...SG6-2 〜A1、〜A4 SGl-3、SG2-3...SG6-3 〜A1、〜A5 SG1-4、SG2-4...SG6-4 〜A1、〜A6 SG1-5 > SG2-5...SG6-5 〜A1、〜A7 SG1-6、SG2-6...SG6-6 〜A2、〜A3 SG1-7、SG2-7...SG6-7 〜A2、〜A4 SG1-8、SG2-8...SG6-8 〜A2、〜A5 SG1-9、SG2-9...SG6-9 〜A2、〜A6 SGM〇 , SG2-10...SG6-10 〜A2、〜A7 SGMi , SG2-11...SG6-11 〜A3、〜A4 SGl-12 > SG2-12...SG6-12 〜A3、〜A5 SGM3 > SG2-13...SG6-13 23 200536720 經預充電之發射單元120之子群係經由提供位址信號 〜A1、〜A2···〜A7於位址線2〇6a-206g來定址。一具體例中， 位址線206a-206g係電耦接至設置於喷墨頭晶粒4〇的一或 多個位址產生器。 5 預充電線210a'21〇f接收預充電信號PRE1、 PRE2...PRE6 ’且提供該預充電信號pRE1、pRE2麗别給 對應發射群202a-202f。預充電線2i〇a係電麵接至FG1 2〇2a 之全部經預充電之發射單元12〇。預充電線21〇b係電耦接至 FG2 202b之全部經預充電之發射單元12〇等等，且包含預充 10電線係電輕接至FG6 202f之全部經預充電之發射單元 120。預充電線210a-210f各自係電耦接至對應發射群 202a-202f之全部預充電電晶體128之閘極及汲極_源極路 徑；發射群202a-202f之全部經預充電之發射單元12〇則僅電 耦接至一預充電線210a-210f。如此，於發射群2〇2a_202f之 15全部經預充電之發射單元120之節點電容126係經由提供對 應之預充電k ^PREl、PRE2...PRE6給對應之預充電線 210a-210f而充電。 選擇線212a-212f接收選擇信號SEL1、SEL2...SEL6， 且提供選擇信號SEL1、SEL2...SEL6給對應之發射群 20 202a-202f。選擇線212a係電耦接至FG1 202a之全部經經預 充電之發射單元120。選擇線212b係電耦接至FG2 202b之全 部經經預充電之發射單元12〇等等，直到選擇線212f係電耦 接至FG6 202f之全部經經預充電之發射單元12〇。各選擇線 212a-212f係電耦接至對應發射群2〇2a_2〇2f之全部選擇電 24 200536720 晶體130之閘極，而發射群2〇2a_2〇2f之全部經預充電之發射 單元120係只電耦接至一選擇線2丨2a_2丨2f。 舍射線214a-214f接收發射信號或能信號FIRE1、 FIRE2...FIRE6，且提供能信號FIRE1、nRE2 FIRE6給對 5應發射群202a-202f。發射線214a係電耦接至FG1 202a之全 邛t預充黾之發射單元12〇。發射線214b係電輕接至FG2 202b之全部經預充電之發射單元12〇等等，且包含發射線 214f係電耦接至FG6 202f之全部經預充電之發射單元12〇。 各發射線214a-214f係電耦接至對應發射群2〇2a—2〇2f之全 10部發射電阻器52，一發射群2〇2a-202f之全部經預充電之發 射單元120只電耦接至一發射線214a_214f。發射線 214a-214f係藉適當介面襯墊（參考第25A圖及第25B圖）而電 耦接至外部供應電路。發射單元陣列2〇〇之全部經預充電之 發射單元120係電耦接至一接至參考電壓（諸如地電位）之參 15考線216。如此，於一列子群經預充電之發射單元120之該 經預充電之發射單元120係電耦接至相同位址線 206a-206g、預充電線210a-210f、選擇線212a-212f、及發射 線214a-214f。 於操作時，於一具體例中，發射群2〇2a-202f被選定來 20 連續發射。FG1 202a係於FG2 202b之前被選定，後者又於 FG3前被選定等等直到FG62〇2f。於FG6 202f後，發射群又 以FG1 202a開始循環。但可利用其它順序及非循序選擇。 位址信號〜A1、〜A2···〜A7循環通過π列子群位址，隨 後重複一列子群位址。提供位址線2〇6a-206g上之位址信號 25 200536720 〜A1、〜A2...〜A7於各自循環通過發射群202a-202f期間，被 設定為一列子群位址。位址信號〜A1、〜A2···〜A7對一次循 環通過發射群202a-202f之各個發射群202a-202f選擇一列 子群。對次一循環通過發射群202a-202f，位址信號〜A1、 5〜A2···〜A7改變成選擇於各發射群202a-202f之另一列子 群。如此持續至位址信號〜A1、〜A2···〜A7選擇發射群 202a-202f之最末列子群。於最末列子群後，位址信號〜A1、 〜A2···〜A7選擇第一列子群，而開始再度重複通過位址循 環。 10 於另一操作方面，發射群202a-202f之一係經由提供預 充電信號PRE1、PRE2...PRE6於一發射群202a-202f之預充 電線210a-210f而操作。預充電信號PRE1、PRE2...PRE6界 定於一發射群202a-202f之各驅動開關172之節點電容改變 成高電壓位準期間之一段預充電時間或期間，來預充電該 15 一發射群202a-202f。 位址信號〜A1、〜A2···〜A7係提供於位址線2〇6a-206g來 定址各發射群202a-202f之一列子群，包括經預充電之發射 群202a-202f之一列子群。資料信號〜D1、〜D2...〜D8提供於 資料線208a-208h來對全部發射群202a-202f提供資料，包括 20 於經預充電發射群202a-202f之該經定址之列子群提供資 料。 其次，於經預充電之發射群202a-202f之選擇線 212a-212f提供一選擇信號SEL1、SEL2...SEL6，來選擇該 經預充電之發射群202a-202f。選擇信號SEU、SEL2...SEL6 26 200536720 定義-段放電時間，來放電於一經預充電之發射單元i2〇之 各個驅動Mm之節點電容I%，該發射單元非於所選定 之發射群2〇2a-202f之經定址之列子群，或定址於該選定之 發射群202a_202f ’其接收高位準資料信號〜⑴、 5〜D2...〜D8。節點電容126未放電定址於經敎之發射群 202a-2〇2f之經航電之發射單元12〇，而節點電容126接收 低位準貧料信號〜D卜〜D2··.〜D8。節點電容126之高電壓位 準將驅動開關172轉為導通(傳導）。 於經選定之發射群2〇2a-202f之驅動開關i 72被設定為 1〇導通或非導通後，能脈波或電壓脈波提供經選定之發射群 202a-肅之發射線214a-214f。具有導通之驅動開關⑺之 經預充電之發射單元丨20 ’傳導電流通過發射電阻器52，來 加熱墨水且由對應之墨滴產生器60噴出墨水。 發射群2〇2a-2〇2f係連續操作，一個發射群2〇2a_2〇2f之 15選擇信號SEL1、SEL2".SEL6用作為下個發射群202a-202f 之預充笔 U虎PRE1、PRE2...PRE6。一 個發射群2〇2a_2〇2f 之預充電k號PRE1、PRE2...PRE6係在該發射群2〇2a-202f 之遠擇#號SEL1、SEL2...SEL6及能信號FIRE1、 FIRE2...FIRE6之㈤。於預充電信號prei、ppjg2 pRE6之 20後，資料信號〜D1、〜D2...〜D8於時間上多工化，藉選擇信 號SEL1、SEL2...SEL6而儲存於該一發射群2〇2a_2〇2f之該 經定址之列子群。經選定之發射群2〇2a_2〇2f之選擇信號 SEL1、SEL2...SEL6也是下個發射群2〇2a_2〇2f之預充電信 號PRE1、PRE2...PRE6。於經選定之發射群2〇2a_2〇2f之選 27 200536720 擇信號SELl、SEL2...SEL6完成後，提供下個發射群 202a-202f之選擇信號SEL1、SEL2...SEL6。當能信號 FIRE1、FIRE2...FIRE6包括能脈波提供給該經選定之發射 群202a-202f時，於該經選定之子群之經預充電之發射單元 5 120基於所儲存之資料信號〜D卜〜D2...〜D8發射墨水或加熱 墨水。 第8圖為時程圖，顯示發射單元陣列200之一具體例之 操作。發射群202a-202f係基於資料信號〜D卜〜D2...〜D8 300 來連續激活經預充電之發射單元120。資料信號〜D1、 10〜D2…〜D8 300係對各列子群位址與發射群202a-202f之組 合噴出流體之噴嘴（於302)而改變。位址信號〜A1、 〜A2···〜A7 304於位址線206a-206g提供來由各發射群 202a-202f定址一列子群。位址信號〜A1、〜A2···〜A7 304對 一次循ϊ衣通過發射群202a-202f設定於一個位址(於306)。於 15 該循環完成後，於304之位址信號〜A1、〜A2…〜A7於308改 變來由各發射群202&-202『定址一不同列子群。於304之位址 信號〜A1、〜A2.··〜A7通過各個列子群遞增，來以循序順序 由1定址列子群至13，然後再由13返回1。其它具體例中， 於304之位址信號〜A1、〜A2···〜A7係以任一種適當順序設定 20 來定址列子群。 於循環通過發射群202a-202f期間，耦接至FG6 202f之 選擇線212f及耦接至FG1 202a之預充電線21〇a接收 SEL6/PRE1信號309，包括SEL6/PRE1信號310。一具體例 中，選擇線212f及預充電線210a共同電耦接來接收同一個 28 200536720 k唬。另一具體例中，選擇線212f及預充電線2i〇a未共同 電搞接，但接收類似的信號。 於預充電線210a上之SEL6/PREl信號脈波（於3lo)預充 電於FG1 202a之全部發射單元120。於FG1 202a之各個經經 5預充電之發射單元120之節點電容126改成高電壓位準。於 一列子群SG1-K(指示於311)之經預充電之發射單元12〇之 節點電容126於312被預充電至高電壓位準。列子群位址(於 306)選擇子群SG1-K，一資料信號集合於314提供給全部發 射群202a-202f之全部經預充電之發射單元12〇(包括位址經 10 選定之列子群SG1-K)之資料電晶體136。 FG1 202a之選擇線212a、及FG2 202b之預充電線2l〇b 接收SEL1/PRE2信號315，該信號包括SEL1/PRE2信號脈波 316。如此於選擇線212a上之SEL1/pRE2信號脈波316導通 於FG1 202a之各個經預充電之發射單元12〇之選擇電晶體 15 130。於!^1 202a之非屬於位址經選定之列子群8<3卜反之全 部經預充電之發射單元120,該發射單元120之節點電容126 被放電。於位址經選定之列子群SG1_K，於314之資料被儲 存（指示於318)於列子群SG1-K之驅動開關172之節點電容 126 ’来導通驅動開關（傳導）或截斷驅動開關（非傳導）。 20 於預充電線210b之SEL1/PRE2信號脈波316預充電於 FG2 202b之全部發射單元120。於FG2 202b之各個經經預充 電之發射單元120之節點電容126被充電至高電壓位準。於 一列子群8〇2-1<：(指示於319)之經預充電之發射單元120之 節點電容126於320被預充電至高電壓位準。於3〇6之列子群 29 200536720 位址選擇子群SG2-K，於328之資料信號集合提供給全部發 射群202a-202f之全部經預充電之發射單元12〇，包括位址經 選定之列子群SG2-K。 發射線214a接收能量信號nREl(指示於323)包括於 5 322之能脈波’來激活於FG1 2〇2a之具有經導通之驅動開關
172之經預充電之發射單元120之發射電阻器52。當 SEL1/PRE2信號脈波316為高，以及當非導通驅動開關172 之節點電谷126被主動拉低時（於324指示於能信號fireI 323) ’ FIRE1能脈波322走高。當節點電容126被主動下挽 10時，將能脈波322切換為高，阻止當能脈波322走高時，節 點氣谷126思外經由驅動開關172而不慎充電。SEL1 /PRJE2 信號315走低，能脈波322提供給FG1 202a經歷一段預定時 間，來對應於導通之經預充電之發射單元12〇，加熱墨水及 經喷嘴34喷出墨水。 15 FG2 202b之選擇線212b及FG3 202c之預充電線210c接 收SEL2/PRE3&號325，包括SEL2/PRE3信號脈波326。於 SEL1/PRE2信號脈波316走低以及能脈波322為高後，於選 擇線212b之SEL2/PRE3信號脈波326導通於FG2 202b之各 個經預充電之發射單元丨2〇之選擇電晶體13〇。於FG2 2〇沘 20之非屬位址經選定之列子群SG2-K之全部經預充電之發射 單元12〇，節點電容126皆被放電。子群SG2-K之資料信號 集合328儲存於（指示於330)子群SG2-K之經預充電之發射 單元120來導通驅動開關172(導通）或截斷(非導通）。預充電 線210c之SEL2/PRE3信號脈波預充電於FG3 202c之全部經 30 200536720 預充電之發射單元12〇。 發射線214b接收（標示於331)包括能脈波332之能信號 FIRE2，來激活mFG2 2〇2]3之具有導通之驅動開關172之經 預充電之發射單元丨2〇之發射電阻器52。nRE2能脈波332 5走咼，SEL2/PRE3信號脈波326為高（標示於334)。 SEL2/PRE3信號脈波326走低及FIRE2能脈波332維持為 高，來加熱墨水，及由對應之墨滴產生器60喷出墨水。 於SEL2/PRE3信號脈波326走低以及能脈波332為高之 後，SEL3/PRE4信號提供來選擇17(}3 2〇2c及預充 電FG4 10 202d。預充電、選擇、及提供能信號（包括能脈波)之過程持 續直到且包含FG6 202f為止。 預充電線210f之SEL5/PRE6信號預充電於202f之 全部發射單元120。於FG6 202f之各個經經預充電之發射單 元120之節點電容126被充電至高電壓位準。於一列子群 15 SG6-K之經預充電之發射單元12〇之節點電容126(標示於 339)於341被預充電至咼電壓位準。於3〇6之列子群位準選 擇子群SG6_K，資料信號集合338提供給全部發射群 202a-202f之全部經預充電之發射單元12〇(其包括位址經選 定之列子群SG6-K)之資料電晶體丨36。 20 FG6 202f之選擇線212f及FG1 202a之預充電線2l〇a於 336接收第二SEL6/PRE1信號脈波。於選擇線2i2f之第二 SEL6/PRE1#號脈波336導通於FG6 202f之各個經預充電之 發射單元120之選擇電晶體130。於FG6 202f之非屬位址經 選定之列子群SG6-K之全部經預充電之發射單元12〇之節 31 200536720 "’:占包谷126經放電。於位址經選定之列子群SG6_k，資料別 於340被儲存於各個驅動開關172之節點電容126來導通或 截斷驅動開關。 於預充電線21 〇a之SEL6/PRE1信號預充電（標示於342) 5於170^ 202&之全部發射單元120(包括於列子群SG1_K之發 射單元120)之節點電容126至高電壓位準。於FG1 2〇2a之發 射單元120經預充電，而位址信號〜Ai、〜a]. ·〜A7 3〇4選定 列子群SG1-K、SG2-K等等直到列子群SG6-K。 务射線214f接收能信號FIRE6(標示於343)包括能脈波 10 (344)來激活於FG6 202f之具有導通之驅動開關172之經經 預充電之發射單元120之發射電阻器52。當SEL6/PRE1信號 脈波336為高，以及非導通驅動開關172之節點電容126被主 動下挽(4示不於346)時，能脈波344走高。當節點電容126被 主動下挽時，將能脈波344切換為高，可阻止能脈波ye走 15咼時節點電容126被意外經由驅動開關m充電。 SEL6/PRE1信號脈波336走低，及能脈波344維持於高經歷 一段預定時間，來經由對應於導通之經經預充電之發射單 元120之喷嘴34加熱墨水與噴出墨水。 於SEL6/PRE1信號脈波336走高以及當能脈波344為高 20 時，位址信號〜A1、〜A2···〜A7 304於308改變來選擇另一子 群集合SGl-K+：l、SG2-K+1 等等至SG6_K+卜 FG1 2〇2a之選 擇線212&及？〇2 20213之預充電線21013接收8£1^1/?1^2信號 脈波(標示於348)。於選擇線212&之8£1^1/?1^2信號脈波348 導通於FG1 202a之各個經預充電之發射單元12〇之選擇電 32 200536720 晶體13〇。於FG12G2a之非屬位址經選定之子群sGi_K+a 全部經預充電之發射單元120，節點電容i26被放電。列子 群仙糾之資料信號集合350健存於子群sgi_k+i之經預 充電之發射單元120來導通或截斷驅動開關172。預充電線 5 210b之SEL1/PRE2信號脈波348預充電fg2鳩之全部發
射單元120。 X 發射線214a接收能脈波352來激活發射電阻器52以及 FG1 202a之具有導通之驅動開關i 72之經預充電之發射單 元120。當SEL1/PRE2信號脈波348為高時，能脈波352走 10南。SEL1/PRE2信號脈波348走低，能脈波352維持為高， 來加熱且由對應墨滴產生器60噴出墨水。處理繼續至列印 完成為止。 第9圖為略圖，顯示於噴墨頭晶粒仙之一位址產生器 400之一具體例。位址產生器400包括一移位暫存器4〇2、一 15方向電路404及一邏輯陣列406。移位暫存器402係經由方向 控制線408而電耦接至方向電路404。此外，移位暫存器4〇2 係經由移位暫存器輸出線41〇a-410m而電耦接至邏輯陣列 406 ° 後述具體例中’位址產生器400提供位址信號給發射單 20元12〇。一具體例中，位址產生器400接收外部信號，參考 第25圖，外部信號包括一控制信號CSYNC及6時序传藥 T1-T6，響應於此而提供7位址信號〜A1、〜A2 Δ7 ^ 信號〜A1、〜A2···〜A7處於低電壓位準時為具有活性，如各 信號名稱前方之〜表示。一具體例中，時序信號Τ1_Τ6係於 33 200536720 選擇線(例如第7圖所示選擇線212a_212f)提供。位址產生器 400為控制電路之一具體例，該控制電路係組配來響應於— 控制信號(例如CSYNC)，而初始化致能發射單元12〇被激活 之-串列（例如位址〜A卜〜A2 · · ·〜八7於正向順序或反向順序 5 之串列）。 位址產生器400包括電阻器劃分網路412、414及416其 接收時序信5虎T2、T4及T6。電阻器劃分網路412係經時: 信號線418接收時序信號T2，向下劃分時序信號丁2之電壓位 準，來於第一評比信號線420提供具有降低電壓位準之乃 1〇時序信號。電阻器劃分網路414係經時序信號線似接收時 序信號Τ4，向下劃分時序信號Τ4之電壓位準，來於第二評 比信號線424提供具有降低電壓位準之τ 4時序信號。電阻器 劃分網路416係經時序信號線426接㈣序信號τ6，向下; 分時序信號Τ6之電壓位準，來於第三評比信號線似提供具 15有降低電壓位準之Τ6時序信號。 〃 移位暫存益402經控制信號線43〇接收控制信號 CSYNC ’以及經由方向信號線術接收方向信號。此外，移° 位暫存器402經由時序信號線432接收時序信號们作為第二 預充電信號PRE1。經由第—評估信號線42()接收電壓較低 N之丁2時序信號作為第-評估信號EVAU。時序信 妳 =時序信號線434接收作為第二預充電信號pRE2:及經由 第二評估信號線424接收電壓較低之了4時序信號作為、^二 評估信號EVAL2。移位暫存㈣2提供移位暫存器輪出； S01-S013於移位暫存器輪出線41〇a_41〇m。 34 200536720 β移位暫存器402包括13移位暫存器單元403a-403m，其 ki、13私位暫存器輸出信號8〇1_8〇13。各個移位暫存器單 元4〇3a-403m提供移位暫存器輸出信號s〇i_s⑽之—^ 個移位暫存器'單元鲁條係串列電輕接來提供於正向 =反向之私位。其它具體例中，移位暫存器術包括任何適 g數目之移位暫存器單元4〇3來提供任何適當數目之移位 暫存器輸出信號來提供任何數目之所需位址信號。 15 20 移位暫存器單元她提供移位暫存器輸出信號咖於 ^立暫存II輪出線41Ga。移位暫存器單元娜提供移位斬 輸出信細2於移位暫存器輸出線侧。移位暫存器^ ^ ί、私位暫存為輸出信號S 〇 3於移位暫存器輸出線 暫存器單元4崎供移位暫存器輸出信號S04 Γ暫存11輸出線侧。移位暫存轉元條提供移位 Γ存器輸出信號s〇5於移位暫存器輸出線她。移位暫存哭 2几撕提供移位暫存器輸出信號S06於移位暫存器輸出 於/ m位暫存㈣7114G3g提供移位暫存11輸出信號s 07 2位暫存II輸出線41Gg。移㈣_單元侧提 :存器^信號s〇8於移位暫存器輪出線侧。移位暫 線侧。移位暫存器單元綱提2叫位暫存器輸出 多位暫存器輪出線叫。移位暫存器單⑽‘二 =暫存器輸出信號SOn於移位暫存器輪出線 ^ =單元提供移位暫存器輪出信號_於移二 ^出線侧以及移位暫存器單元彻爪提供移位暫存器輸 35 200536720 出信號SQ13於移位暫存器輸出線4版。 5 10 15 20 方向電路404接收控制信號CSYNC於控制信號線 。時序信號T3接收於時序信號線简為第四預充電作 號PRE4。電壓位準較低之了4時序信號接收於評估信號線 424作為弟四Sf估信號EVAL4。時序信號L接收於時序信號 線436作為第三預充電信號咖以及電懸準較低之^ 序信號接㈣評估㈣線428作為第三評估㈣evau。經 由方向信號線408提供方向信號給移位暫存器4〇2。 邏輯陣列概包括位址線預充電電晶體438a-43 8g、位 址評估電晶體44〇a-44〇m、評估阻止電晶體仙及鄉及邏 輯評估預充電電晶體444。此外，邏輯陣列傷包括位址電 晶體對446、448、···，位址電晶體對解碼於移位暫存器 輸出線彻以版之移位暫存器輸出信號s〇i_s〇i3來提供 位址信號〜A1、〜A2···〜A7。邏輯陣列條包括位址i電晶體 446a及446b、位址2電晶體448a及448b、位址3電晶體45〇a 及450b、位址4電晶體452a及452b、位址5電晶體454a及 454b、位址6電晶體456a及456b、位址7電晶體458a及458b、 位址8電晶體460a及460b、位址9電晶體462a及462b、位址 1〇電晶體464a及464b、位址n電晶體46如及46讣、位址12 電晶體468a及468b、以及位址13電晶體叼⑽及”肋。 位址線預充電電晶體438a-438g係電耦接至T3信號線 43 4及位址線4 72a-4 72g。位址線預充電電晶體43 8a之閘極及 汲極-源極路徑一側係電耦接至T3信號線434。位址線預充 電電晶體438a之汲極-源極路徑之另一側係電耦接至位址 36 200536720 =:ΓΠΓ電電晶體438b之閘極及沒極姻 側係_接至T3信號線434。位址線預充電電晶體侧 極路徑之另—側係編至位址線4挪 體斷閑極—極㈣ ^線物。位址線預充電電晶體概之沒極_源極路 位之另―側係餘接至位址線低。位 10 15 20 。位址線預充電電晶體侧之酿源極純之另一側 二L接至位址線472d。位址線預充電電晶體43 8e之閘極 雷=雜路彳纟—__接至73錢線434。位址線預 充電电晶體438e之汲極.源極路徑之另_側係電搞接至位 ^4726。位址線預充電電晶體樣之閘極及隐源極路 、側係电耗接至T 3信號線43 4。位址線預充電電晶體43 8 f 之;及極-源極路徑之另一側係電耗接至位址線4 7 2卜位址線 預充電電晶體•之閘極及汲極·源極路徑—側係電耗接 ^加號線434。位址線預充電電晶體•之汲極-源極路 位之另伽J係電耗接至位址線ο%。一具體例中，位址線 預充電電晶體438a-438g係電耗接至T4信號線422，而非電 =Γ3信號線434 °Τ4信號線422係、電_至位址線預充 电电日日體438a-438g各自之閘極及;;及極-源極路徑之一側。 ^位址評估電晶體44〇a_44〇m各自之閘極係電耦接至邏 輯6平估信號線474。位址評估電晶體440a-440m各自之汲極-源極路徑之一側係電耦接至地電位。此外，位址評估電晶 脰44〇a之汲極-源極路徑係電耦接至評估線476a。位址評估 37 200536720 笔晶體娜之汲極·源極路徑係料接至評 評估電㈣她之祕糾。立址 :::-電《侧之^_雜路心⑷=^線 估2ΓΓ㈣㈣他^祕_係賴接至評 至評估線476f。他評估t，44n， 飞耦接 柄接至評估極·_電 政μ千^ 止㈣电曰曰體⑽之沒極-源極 10 15 20 工係―接至評估線476i。位址評估電晶_」之沒極_ 源極路徑係電輕接至評估線476j。位址評估電晶體條之 沒極-源極純係_接至評估線佩。㈣評估電晶體 侧之沒極-源極路徑係電福接至評估線彻。位址評估電 晶體4槪之祕源極路徑係電減至評估線杨以。 邏輯評估預充電電晶體蝴之閘極及汲極-源極路徑之 :側係_接至了5信號線436，而祕_源極路徑之另一側 係电耗接至邈輯評估信號線474。評估阻止電晶體4仏之閘 極係电輕接至T3信號線434。評估阻止電晶體4心之汲極_ 源極路徑於-㈣祕至邏輯評估信號線* 7 4，以及於另一 側电耗接至於478之參考電位。評估阻止電晶體442b之閘極 係电搞接至T4信號線422。評錄止電晶體442b之没極_源 極路徑於-#j f域至邏輯評估信號線4 74，以及於另一側 電輕接至於478之參考電位。 位址電晶體對446、448、...470之汲極-源極路徑係電 耦接於位址線472a-472g與評估線476a-476m間。位址電晶 38 200536720 體對446、448、...470之閘極係經由移位暫存器輸出線 41〇a~41〇m而藉移位暫存器輸出信號S01-S013驅動。 位址1電晶體446a及446b之閘極係電耦接至移位暫存 器輸出線41〇a。位址丨電晶體446a之汲極_源極路徑於一側係 5電耦接至位址線472a，而於另一側係電耦接至評估線 476a。位址1電晶體446b之汲極-源極路徑於一側係電耦接 至位址線472b，而於另一側係電耦接至評估線47如。當位 址評估電晶體44〇a藉邏輯評估信號線474之高電壓位準評 估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線41如之高位 1〇準移位暫存器輸出信號S01導通位址丨電晶體4術及4顿。 位址1電晶體446a及位址評估電晶體44如導通而主動下挽 位址線472a至低電壓位準。位址丨電晶體44牝及位址評估電 晶體440a導通而主動下挽位址線472b至低電壓位準。 位址2電晶體448a及448b之閘極係電耦接至移位暫存 15器輸出線410b。位址2電晶體448a之汲極-源極路徑於一側 係電耦接至位址線472a，而於另一側係電耦接至評估線 476b。位址2電晶體448b之汲極-源極路徑於一側係電耦接 至位址線472c，而於另一側係電耦接至評估線47讣。當位 址评估電晶體440b藉邏輯評估信號線474之高電壓位準評 2〇估化號1^¥八1^所導通時，於移位暫存器輸出線410b之高位 準移位暫存器輸出信號s〇2導通位址2電晶體448a&448b。 位址2電晶體448a及位址評估電晶體440b導通，而主動下挽 位址線472a至低電壓位準。位址2電晶體44扑及位址評估電 晶體440b導通，而主動下挽位址線472c至低電壓位準。 39 200536720 位址3電晶體45Ga及機之閘極係電域至移值暫存 器輸出線慨。位址3電晶體他之沒極-源極路徑於一側係 t純至位址線472a，而於另—㈣電_接至評估線 476c。位址3電晶體45〇b之汲極_源極路徑於一側係電 5錄址線472d，而於另—難_接至評估線做。當位 址評估電晶體440c藉邏輯評估信號線们4之高電壓位準評 估㈣LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線她之高位 準移位暫存器輸出信號S〇3導通㈣3電晶體他及4地。 _ 位址3電晶體450a及位址評估電晶體條導通而主動下挽 1〇位址線4?2a至低電壓位準。位址3電晶體45%及位址評估電 晶體440c導通而主動下挽位址線472(1至低電壓位準。 位址4電晶體452a及452b之閘極係電耦接至移位暫存 器輸出線410d。位址4電晶體452a之汲極-源極路徑於一側 係電耦接至位址線472a，而於另一側係電耦接至評估線 15 476d。位址4電晶體452b之汲極-源極路徑於一側係電耦接 至位址線472e，而於另一側係電耦接至評估線”⑺。當位 # 址評估電晶體_藉邏輯評估信號線474之高電壓位二評 估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線“⑽之高位 準移位暫存器輸出信號S04導通位址4電晶體452&及45孔。 20位址4電晶體452a及位址評估電晶體440d導通而主動下挽 位址線472a至低電壓位準。位址4電晶體45沘及位址評估電 晶體440d導通而主動下挽位址線472e至低電壓位準。 位址5電晶體454a及454b之閘極係電耦接至移位暫存 器輸出線410e。位址5電晶體454a之汲極-源極路徑於一側係 40 200536720 接至位址線472a’而於另一側係電耗接至評估線 e。位址5電晶體顿之跡·源極路徑於—側係電輕接 至㈣線4W，而於另一側係電福接至評估線476e。當位 ㈣估電晶體44〇e藉高電虔位準評估信號leval所導通 T於移位暫存器輸出線.之高位準移位暫存器輪出信 伽5導通位址5電晶體仙及伽。位址$電晶體咖及位 址汗估電晶體440e導通而主動下挽位址線咖至低電壓位 準。位址5電晶體454b及位址評估電晶體物e導通而主動下 挽位址線472f至低電壓位準。 10 15 20 位址6電晶體低及佩之閑極係電键至移位暫存 器輸出線衡。位址6ta日aM456a之祕_源極路徑於一側係 電_至位址線472a ’而於另—側係電輕接至評估線 術。位址6電晶體佩之汲極_源極路徑於一側係電柄接至 位址線472g ’而於另一側係電麵接至評估線476f。當位址 評估電晶體44_高電壓位準評估信號le胤所導通時， 於移位暫存器輸出線4 i 〇化高位準移位暫存器輸出信號 犯6導通位址6電晶體仙及佩。位址6電晶體伽及位址 評估電晶體4撕導通而主動下挽位址線仙至低電壓位 準。位址6電晶體456b及位址評估電晶體44〇f導通而主動下 挽位址線472g至低電壓位準。 。。位址7電晶體458a及·之閘極係電搞接至移位暫存 态輪出線410g。位址7電晶體458a之汲極-源極路徑於一側 係電耦接至位址線472b，而於另_側係電耦接至評估線 位址7電晶體458b之沒極·源極路徑於一側係電麵接 41 200536720 至位址線472c，而於另一側係電耦接至評估線47化。當位 址評估電晶體440g藉高電壓位準評估信所導通 ^於私位暫存為輸出線41 〇g之高位準移位暫存器輸出信 號S07導通位址7電晶體45%及45扑。位址7電晶體衫心及位 5址評估電晶體440§導通而主動下挽位址線472b至低電壓位 準。位址7電晶體45 8b及位址評估電晶體44〇g導通而主動下 挽位址線472c至低電壓位準。 位址8電晶體460a及460b之閘極係電耦接至移位暫存 器輸出線410 h。位址8電晶體46 0a之汲極-源極路徑於一側 10係電耦接至位址線472b，而於另一側係電耦接至評估線 476h。位址8電晶體獅之沒極_源極路徑於一側係電麵接 至位址線472d，而於另-側係電轉接至評估線476h。當位 址評估電晶體440h藉高電壓位準評估信號leval所導通 時，於移位暫存器輸出線41Gh之高位準移位暫存器輸出作 15號⑽導通位址8電晶體她及4_。位址8電晶體彻 址評估電晶體440h導通而主動下挽位址線472b至低電壓位 準。位址8電晶體460b及位址評估電晶體44〇h導通而主動下 挽位址線472d至低電壓位準。 位址9電㈣4 62a及462b之閘極係電純至移位暫存 20器輸出線4UM。位址9電晶體462a之沒極_源極路徑於一 ^係 電麵接至位址線472b，而於另一側係電輕接至評估線 476i。位址9電晶體462b之沒極_源極路徑於一側係電麵接至 位址線472e，而於另一側係電搞接至評估線47&。當位址評 估電晶體44〇i藉高電壓位準評估信號LEVALm導通時，於 42 200536720 $位暫存器輸出線僅之高位準移位暫存器輪出信號S〇9 導通位址9電晶體462a及462b。位址9電晶體4仏及位址評 估電晶體440i導通而主動下挽位址線伽至低電壓位準: 位址9電晶體462b及位址評估電晶體料⑴導通而主動下挽 5 位址線472e至低電壓位準。 位址10電晶體464a及464b之閘極係電耦接至移位暫存 器輸出線例。位址1G電晶體464a之沒極_源極路徑於一側 係包耦接至位址線472b，而於另一側係電耦接至評估線 47句。位址1〇電晶體464b之汲極-源極路徑於一側係電 至位址線472f，而於另-側係電轉接至評估線,。當位址 評估電晶體440j藉高電壓位準評估信所導通時， 於私位暫存讀出線綱之高位準移位暫存器輸出信號 soio導通位址10電晶體464a及464b。位址1〇電晶體牝如及 位址评估電晶體44〇j導通而主動下挽位址線们沘至低電壓 15位準。位址10電晶體464b及位址評估電晶體440j導通而主 動下挽位址線472f至低電壓位準。 位址11電晶體466a及466b之閘極係電耦接至移位暫存 器輸出線41〇k。位址11電晶體466a之汲極_源極路徑於一側 係電耦接至位址線472b，而於另一側係電耦接至評估線 2〇们讣。位址11電晶體46讣之汲極-源極路徑於一側係電耦接 至位址線472g，而於另一側係電耦接至評估線”狄。當位 址評估電晶體44 0k藉高電壓位準評估信號L E VA L所導通 日寸，於移位暫存器輸出線41〇k之高位準移位暫存器輸出信 號S〇11導通位址11電晶體466a&466b。位址11電晶體466a 43 200536720 2位址評估電晶體44Gk導通而主動下挽位址線472b至低電 壓位準。位址U電晶體466b及位址評估電晶體術導通而 主動下挽位址線472g至低電壓位準。 即位址12電晶體468a及468b之閘極係電耦接至移位暫存 / ^出線41〇1。位址12電晶體468a之汲極-源極路徑於一側 係电轉接至位址線472(；，而於另—側係電㈣至評估線 彻。位址12電晶體獅之沒極-源極路徑於一側係電麵接 至位址線472d，而於另-側係電搞接至評估線·。當位 址評估電晶體權藉冑電壓位準評估信紅£胤所導通 時，於移位暫存器輸出線犧之高位準移位暫存器輸出信 號S012導通位址12電晶體條及偏b。位址⑽晶體條 錄址評估電晶體術導通而主動下挽位址線伽至低電 壓位準。位址12電晶體468b及位址評估電晶體侧導通而 主動下挽位址線472d至低電壓位準。 15 位址13電晶體47如及47此之閘極係電耦接至移位暫存 器輸出線41〇m。位址13電曰曰曰體47〇a之沒極一源極路徑於一側 係電麵接至位址線472e，而於另-側係電㈣至評估線 476m。位址13電曰曰曰體470b之沒極姻亟路徑於一側係電柄接 至位址線472e，而於另-側係電李禺接至評估線4編。當位 址評估電晶體440m藉高電壓位準評估信號leval所導通 時’於移位暫存器輸出線41Gm之高位準移位暫存器輸出信 號S013導通位㈣電晶體470a及4鳩。位址13電晶體4術 及位址評估電晶體440m導通而主動下挽位址線472c至低電 壓位準。位址I3電曰曰曰體47〇b及位址評估電晶體4杨導通而 44 200536720 主動下挽位址線472e至低電壓位準。 移位暫存器402將單-高電墨位準輸出信號由一移位 暫存器輸出信號細幾之移至次一移位暫存顧 5 10 15 20 隱線41⑹胞。移位暫存器4_收於控制線430之控制 信號CSYNC之一控制脈波、以及一串列來自時序信號 T1^4之時序脈波而將所接收得之控制脈波移位至移位暫 存裔術。響應於此，移位暫存器402提供單一高電壓位準 移位暫存器輸出信號s〇1或s〇13。全部其它移位暫存器輸 出信號S〇1-S013皆係以低電塵位準提供。移位暫存器術 由日$序^號丁1-丁4接收另一串列時序脈波，以及將單一高電 壓位準輸出信號由-移位暫存器輸出信號s〇i_s〇i3移至 -人-移位暫存器輸出信號s〇1-S〇13，而全部其它移位暫存 讀出信號S01-S013皆係以低電壓位準提供。移位暫存器 402接收重複串列之時序脈波，響應於各串列之時序脈波^ 移位暫存器4〇2移位單-高電壓位準輸出信號，來提供一串 列多達13高電壓位準移位暫存器輸出信號8〇1別13。各個 高電壓位準移位暫存器輸出信號S01-S013導通兩個位址 電晶體對446、448、...470來提供位址信號〜a卜〜Α2.·.〜Α7 給發射單元12〇。位址信號〜Α卜〜八2…〜Α?係於ls位址時槽 提供，該13時槽係對應於13移位暫存器輸出信號 S01-S013。另一具體例中，移位暫存器4〇2可包括任何適 备數目之移位暫存器輸出信號（諸如14信號）來以任何適當 數目之位址時槽（諸如14位址時槽）提供位址信號〜Αι、 〜A2···〜A7 〇 45 200536720 移位暫存器術係經由方向信號線術接收得自方向電 路404之方向信號。方向信號設定於移位暫存請之移位 方向。移位暫存器術可設定來於正向移位高電難準輸出 信號由移位暫存器輸出信號s〇1至移位暫存器輸出信號 5 S013，或於反向移位高電虔位準輸出信號由移位暫存器輸 出信號S013至移位暫存器輸出信號8〇1。 於正向’移㈣存⑽2接收於㈣信奶寶之控 制脈波，以及提供高電壓位準移位暫存器輸出錢s〇i。: 部其它移位暫存器輸出信號s〇2_sou皆於低電壓位準提 Μ供。移位暫存器撕接收次一串列之時序脈波，且提供高電 麼位準移位暫存器輸出信號S〇2，而全部其它移位暫存界輸 。出信號SCM及SQ3侧削於低電缝準提供。移位暫存 时4〇2接收次-串列之時序脈波，且提供高電壓位準移位暫 存器輸出信號S〇3 ’而全部其它移位暫存器輸出信號SO卜 b S02及S04_S01”係於低電壓位準提供。移位暫存哭術 繼續響應於各串列時序脈波移位高位準輸出信號，直至且 包含提供—高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇13，全部其 匕移位暫存器輸出信號801_8012皆係於低電壓位準提 加:於提供高電壓位準移位暫存器輸出信號scm後，移位 :接收次一串列時序脈波，且對全部移位暫存器輸 伽1·3提供低電壓位準信號。於控號CSYNC 之另k制脈波係用來起始或初始化移位暫存器撕於正 向方向移位該等高電壓位準輸出信號串列由移位暫存器輸 出信號S〇1至移位暫存器輪出信號S013。 46 200536720 於反向，移位暫存器402接收於控制信號〇8¥]^〇之控 制脈波以及提供南電慶位準移位暫存器輪出信號^⑽。 戸^、匕私位暫存态輸出“號s〇】-S〇12皆於低電壓位準 提供。移位暫存器402接收次一串列之時序脈波，且提供高 5電虔位準移位暫存器輸出信號⑽〕，而全部其它移位暫存 器輸出信號S〇1-S011W〇13皆係於低電塵位準提供。移位 暫存器402接收次一串列之時序脈波，且提供高電塵位準移 位暫存器輸出信號s〇u，而全部其它移位暫存器輸出信號 SO1-SO10、S012及S013皆係於低電壓位準提供。移位暫 存。口 402纟k續響應於各串列時序脈波移位高位準輸出信 就’直至且包含提供一高電壓位準移位暫存器輸出信號 S0卜全部其它移位暫存器輸出信號s〇2-S〇13皆係於低電 C位準提供。於提供高電壓位準移位暫存器輸出信號灿 後’移位暫存器術接收次一串列時序脈波，且對全部移位 15暫存為輸出信號8〇1_8〇13提供低電壓位準信號。於控制信 唬CSYNC之另一控制脈波係用來起始或初始化移位暫存器 於反向方向移位該等高電壓位準輸出信號串列由移位 暫存器輸出信號S013至移位暫存器輸出信號8〇1。 方向電路404經由方向信號線4〇8提供二方向信號。方 20向信號設定移位暫存器4〇2之正/反移位方向。此外，方向 ^唬也可用來由移位暫存器4〇2清除高電壓位準輸出信號。 方向電路404由時序信號T3-丁6接收一重複串列之時序 脈波。此外，方向電路4〇4於控制線430於控制信號CSYNC 接收控制脈波。方向電路4〇4響應於接收到一與來自時序信 47 200536720 號T4之時序脈波重合之控制脈波，而提供正向方向信號。 °向彳"號"又定私位暫存器402而於正向由移位暫存器 輸出信號s〇1移位至移位暫存器輸出信號s〇i3。方向電: 404各應於接❹卜與得自時序信號π之時序脈波重合之 5控繼波，而提供反向方向信號。反向方向信號設定移位 曰存叩402於反向，由移位暫存器輸出信號灿3移位至移位 暫^器輸出信號S〇1。響應於方向電路404接收到與得自時 序^號T4之時序脈波及得自時序信號丁6之時序脈波重合之 抆制脈波|向電路4〇4提供方向信號其清除移位暫存器 10 402 。 避輯陣列406於移位暫存器輸出信號線410a-410m接收 矛夕位暫存輸出^就s〇1_s〇i3，以及由時序信號線似、 2及436之日彳序彳§針3 _T5接收時序脈波。響應於移位暫存 1輸出信號S01-S013之單一高電壓位準輸出信號、及得自 $序L號T3-T5之時序脈波，邏輯陣列娜提供7位址信號 A1 A2···〜A7中之二低電壓位準位址信號。 避輯陣列406接收一得自時序信號T3之時序脈波，該時 序脈波v通评估阻止電晶體442a，將評估信號線474下挽至 低電壓位準’以及截斷位址評估電晶體440。此外，得自時 序化號丁3之日寸序脈波經由位址線預充電電晶體438而將位 址線472a-472g充電至高電壓位準。一具體例中，得自時序 L#uT3之時序脈波由得自時序信號以之時序脈波替代來經 由位址線預充電電晶體438將位址線472a-472g充電至高電 壓位準。 200536720 得自時序信號T4之時序脈波導通評估阻止電晶體 442b，將評估信號線474下挽至低電壓位準，以及截斷位址 評估電晶體440。移位暫存器輸出信號8〇1_8〇13於得自時 序信號丁4之時序脈波期間沉降來生效輸出信號。於移位暫 5存器輸出信號S01-S013之單一高電壓位準輸出信號提供 給於邏輯陣列406之位址電晶體對446、448、...470之閘極。 得自時序信號T5之時序脈波將評估信號線474充電至高電 £位準’來導通位址評估電晶體44〇。當位址評估電晶體44〇 被導通時，接收該高電壓位準移位暫存器輸出信號 10 S01-S013之邏輯陣列4〇6之位址電晶體對4扣、448、…或 470被導通而放電對應位址線472。對應位址線472經由導通 之位址電晶體對446、448、...470及導通之位址評估電晶體 440而被主動挽低。其它位址線472仍維持充電至高電壓位 準。 15 邏輯陣列406於各個位址時槽提供7位址信號〜A1、 〜A2···〜八7中之二低電壓位準位址信號。若移位暫存器輸出 信號SOI係於高電壓位準，則位址】電晶體4伽及暢導通 而將位址線472a及472b下挽至低電壓位準，以及提供活性 低位址信號mA2。若移位暫存器輸出錢s〇2係於高 20電壓位準，則位址2電晶體4彻及44扑導通而將位址線低 及472c下挽至低電壓位準，以及提供活性低位址信號〜ai 及〜A3。若移位暫存器輸出信號8〇3係於高電壓位準，則位 址3電晶體450a及450b導通而將位址線47以及472d下挽至 低電壓位準，以及提供活性低位址信號〜A1及〜A4等等適用 49 200536720 於各個移位暫存器輸出信號S04-S013。對應移位暫存器輸 出信號S01-S013之13位址時槽各自之位址信號〜A1、 〜A2...〜A7列舉於下表： 位址時槽 活性位址信號 1 〜A1及〜A2 2 〜A1及〜A3 3 〜A1及〜A4 4 〜A1及〜A5 5 〜A1及〜A6 6 〜A1及〜A7 7 〜A2及〜A3 8 〜A2及〜A4 9 〜A2及〜A5 10 〜A2及〜A6 11 〜A2及〜A7 12 〜A3及〜A4 13 〜A3及〜A5
另一具體例中，邏輯陣列406可對13位址時槽各自提供 5 活性位址信號〜A1、〜A2…〜A7，且列舉於下表： 50 200536720 位址時槽 活性位址信號 1 〜A1及〜A3 2 〜A1及〜A4 3 〜A1及〜A5 4 〜A1及〜A6 5 〜A2及〜A4 6 〜A2及〜A5 7 〜A2及〜A6 8 〜A2及〜A7 9 〜A3及〜A5 10 〜A3及〜A6 11 〜A3及〜A7 12 〜A4及〜A6 13 〜A4及〜A7
此外，其它具體例中，邏輯陣列406包括位址電晶體， 其對南電壓位準輸出信號S01-S013各自提供任何適當數 目之低電壓位準位址信號〜A1.、〜A2···〜A7，且呈任何適者 5順序之低電壓位準位址信號〜A1、〜A2···〜A7。例如可細由 適當定位各個電晶體對446、448、···47〇來放電任二期2 址線472a-g而執行。 此外，其它具體例中，邏輯陣列406可包括任何適當數 目之位址線來提供任何適當數目之位址信號於任何適當數 10 目之位址時槽。 田 操作時，由時序信號T1_T6提供重複串列之6時序脈 波。各個時序信號Τ1_Τ6提供各串列6個時序脈波中之一個 51 200536720 :序脈j。传自時序信號時序脈波接著為得自時序信 ::::寺=波’接著為得自時序信號τ3之時序脈波，接 =: 之時序脈波，接著為得自時序_ 5 才氏/接者為得自時序信號丁6之時序脈波。該串形 個％序脈波係以6時序脈波之重複串列而重複。 广^一 t列6時序脈波中’方向電路404接收—得自時序 %序脈波於第四預充電信號PRE4。於第四預充恭 h虎觸4之該時序脈波充電方向線侧中之第—者至^ 10 壓tr方向電路4__時序罐4之降低電二 之㈣脈波於第四評估信號戰L4。若方向電路4〇4接收於 嫌言號™C之一控制脈波係與第四評估信號_4重 5(同時）’則方向電路物放電第—方向咖。若方向電路 撕接收低電壓位準控制信號csync而與第 EVAL4之時序脈波重合 彳°唬 15壓位準。 心-方向線顿維持充電至高電 20 其=向電_接收—得自時序信號乃之時序脈波 於弟二預充電信號PRE3。於第三預充電信號廳之該時序 ^皮充電方向線儀中之第二者。方向電路姻接收得自時 序信號T6之降低電壓位準之時序脈波於第三評估^ 3:若一方向電路•接收於控制信號cstoc之一控制脱： 波係與第二坪估信號EVAU重合，則方向電路刪放電第二 方向線顿至低電壓位準。若方向電路撕接收低電壓位準 控制龍CSYNC而與第三評估信號£之時序脈波重 合’則第二方向線侧維持充電至高位準。 52 200536720 若第一方向線408被放電至低電壓位準，而第二方向線 4〇8維持於高電壓位準，則第一方向線4〇8及第二方向線4⑽ 之k號位準設定移位暫存器4〇2於正向移位。若第一方向線 408維持於高電壓位準，而第二方向線4〇8放電至低電壓位 5準，則方向線408之信號位準設定移位暫存器402於反向移 位。若第一及第二方向線4〇8皆放電至低電壓位準，則阻止 移位暫存器4〇2提供高電壓位準移位暫存器輸出信號 S01-S013。方向線408之方向信號係於各串列6時序脈波期 間設定。 / 1〇 開始時，於一串列6時序脈波設定方向，於次一串列6 日守序脈波移位暫存器4〇2被初始化。為了初始化移位暫存器 402，移位暫存器402接收來自時序信號T1之時序脈波於第 一預充電信號PRE1。第-預充電信號PRE1之時序脈波預充 電13移位暫存器單元(顯示於4〇3a_4〇3m)各自之内部節點。 is移位暫存器4〇2接收來自時序信號T2之降低電壓位準時序 脈波於第-評估信號EVAL1。若控制信號CSYNa控制脈 波由移位暫存器402接收而與第-評估信#uEVAL1之時序 脈波重合，則移位暫存器4〇2放電13移位暫存器單元之一之 内部節點，來於放電後之内部節點提供低電壓位準。若控 2〇制信號CSYNC維持於低電壓位準，且與於第_評估信號 EVAL1之時序脈波重合，則13移位暫存器單元各自之内部 節點維持於高電壓位準。 移:暫存器402由時序信號T3接收一時序脈波於第二 預充電信號PRE2。於第二預充電信號舰2之時序脈波預充 53 200536720 電13移位暫存器輪出線她··m之各輪出線，來提供高恭 ，位準移位暫存器輪出信號·s〇13。移位暫存器 時序信號T4接收降低電齡準之時序脈波於第二評估信衆 EVAL2。若移位暫存器單元彻之内部節點係於低電^ - 5準，例如，由控制信號CSYNC接收控制脈波重合第—評估 ##°EVAL1之時序脈波後，移位暫存器術維持移位暫存器 輸出信號S01.S013於高電慶位準。若移位暫存器單元4〇3 之内部節點係於高電壓位準，諸如全部其它移位暫存器單 籲元4〇3之電麼位準’則移位暫存器4〇2放電移位暫存器輸出 10線410 a- 410m來提供低電壓位準移位暫存器輸出信號 SOI-SOI3。移位暫存器術於一串列6時序脈波初始化。移 位暫存器輸出信號S01-S013於第二評估信號EVAL2之得 自時序信號T4之時序脈波期間維持有效，且保持有效直到 次一串列6時序脈波之得自時序信號乃之時序脈波為止。於 15隨後之各串列之6時序脈波，移位暫存器402將高電壓位準 移位暫存為輸出信號SQ140丨3由一個移位暫存器單元 # 移位至下一個移位暫存器單元403。 邏輯陣列406接收移位暫存器輸出信號S01-S013。一 具體例中，邏輯陣列406接收得自時序信號T3之時序脈波， 20來預充電位址線472，以及截斷位址評估電晶體440。一具 體例中，邏輯陣列406接收得自時序信號Τ3之時序脈波，來 截felt位址评估電晶體440，以及接收得自時序信號Τ4之時序 脈波，來預充電位址線472。 當移位暫存器輸出信號S01-S013沉降而讓移位暫存 54 200536720 器輸出信號SOl-SOU生效時，邏輯陣列4〇6接收得自時序 信號τ4之時序脈波來截斷位址評估電晶體44〇。若移位暫存 器402經初始化，則於得自時序信號Τ4之時序脈波後，—個 移位暫存器輸出信號S01_S013維持於高電麼位準。邏輯陣 5列概接收得自時序信號丁5之時序脈波，來充電評估信號線 474及士通位址评估電晶體。位址電晶體對446、 •••470接收尚電壓位準移位暫存器輸出信號 S〇l-S〇13 ’位址電晶體對446、448、47〇被導通而將7位 址線472a-472g中之二位址線下挽至低電壓位準。於位址信 1〇號〜A1、〜A2.··〜A7之二低電壓位準位址信號用來致能發射 單元120及發射單元子群供激活。於得自時序信號Τ'5之時序 脈波期間，位址信號〜A1、〜Α2·.·〜Α7變有效，且維持有效 直到次一串列6時序脈波之得自時序信號Τ3之時序脈波為 止。 15 右移位暫存器402未初始化，則全部移位暫存器輸出線 410皆放電，來提供低電壓位準移位暫存器輸出信號 S01-S013。低電壓位準移位暫存器輸出信號s〇i_s〇i3截斷 位址電晶體對446、448、...470 ;位址線472維持充電來提 供高電壓位準位址信號〜A1、〜Α2···〜Α7。高電壓位準位址 2〇信號〜Α1、〜Α2···〜Α7阻止發射單元120及發射單元子群被致 能而激活。 雖然第9圖說明位址電路之一具體例，但可利用其它採 用不同邏輯元件及組成元件之具體例。舉例言之，可利用 接收前文說明之輸入信號(如信號Τ1-Τ6)以及提供位址信號 55 200536720 〜A1、〜A2···〜A7之控制器。 第10Α圖為略圖，題 哭„ H 〜不於私位暫存器4〇2之一移位暫存 °。早 移位暫存器術包括13移位暫存器單元 術塵其提供13移位暫存器輸出信號SCM-SOU。夂個 移位暫存器單元4〇3a-4〇3m：fe祉你^ ° 楗供移位暫存器輸出信號 S01-S013之一，且久[51梦仏去 σ夕位曰存器單元403a-403m係類似 移位暫存器單元403a。13 ^貝似 和位暫存器單元403係串聯電耦 接，來提供於正向及反向 位。其匕具體例中，移位暫 存器402包括任何適當數 ’ 10 15 20 何Μ數目存11單元彻來提供任 17週田數目之移位暫存器輪出信號。 移位暫存器單元403a& 、，+A & - 弟一階段其為輸入階段， 以虛線私不於500及包括一第— — 卩白1又其為輸出階段以虛線 才曰不於502。弟一階段5〇〇包 ^弟一預充電電晶體504、一 弟一評估電晶體5〇6、一正向輸 帝曰辦^10、一 门翰入私日日體508、一反向輸入 屯日日體0 正向方向電 ςΐ/1卜νν 包日日to512及一反向方向電晶體 514。弟二階段502包括一第二 估電晶體518、及—内部節^日:日日體516、一弟二評 Μ #即點電晶體52〇。 ^ ^充電電晶體5G4之閘極及汲極- 接至時序信號線432。時序信號線 = 給移位暫存器402作為第—預充電信號 PRE1。弟一預充電電晶體5〇4 ’極原極路徑之另一側係 經由内部節點522電耦技$锿 ^ 第一评估電晶體506之汲極-源 極路徑之一側及内部節 co , P”、、占电日日體520之閘極。該内部節點 5 22提供階段5 00與階段 间之私位暫存器内部節點信號 56 200536720 SN1給内部節點電晶體52〇之閘極。
10 15 20 第17平估電晶體506之閘極係電耦接至第一評估信鱿 線420。第一評估信號線420提供降低電壓位準之T2時序伶 號給移位暫存11 4G2作為第一評估信號EVAU。第-評估電 晶體506之沒極·源極路徑之另一側係經由内部路經524: 電耦接至正向輪入電晶體5〇8之汲極_源極路徑之一側、及 反向輸入電晶體510之汲極-源極路徑之另一侧。 …向輪入電晶體508之汲極-源極路徑之另一側係於 526電耦接至正向方向電晶體512之汲極_源極路徑之— ^ ^及反向輪入電晶體510之汲極-源極路徑之另一側係 於528 4接至反向方向電晶體之③極_源極路徑之— 正向方向電晶體512及反向方向電晶體514之汲極-源極 路徑係於530電㈣至參考電位(例如接地）。 正向方向電晶體512之閘極係電耦接至方向線408a，其 =收來自方向電路4()4之正向方向信號服F。反向方向電晶 版514之閘極係電麵接至方向線娜，其接收來自方向電路 404之反向方向信號DIRR。 、於第二階段502,第二預充電電晶體516之閘極及汲極_ 原極e路;L之一側係電耗接至時序信號線434。時序信號線 434提供4序信號T3給移位暫存㈣2作為第二預充電信號 PRE2。第一猫亡+ ^ 一貝充笔電晶體516之汲極-源極路徑之另一側係 耦接至第—评估電晶體518之汲極-源極路徑之一側，以 1_接至移位暫存器輸出線m第二評估電晶體川之 及極源極路彳空之另—側係於M2電撼至内部節點電晶體 57 200536720 520之汲極-源極路經之一侧筮- 側弟一坪估電晶體518之閘極係 電相接至第二評估信號線424，來提供降低電準之T4 時序信號給移位暫存器搬作為第二評估信號隱L2。 内部節點電晶體52〇之閘極係電轉接至内部節點522 5内部即點電晶體5 2 〇之沒極_源極路徑之另一側係於別電 耦接至參考電位，諸如地電位。内部節點電晶體别之閉極 包括電容於536來儲存移位暫存器單元内部節點信號_。 移位暫存諸出㈣線她包括—電諸538來儲存移位 暫存器輸出信號SOI。 10 於—串列13移位暫存器單元彻之各個移位暫存器單 ^3a-4()3m係類似移位暫存器單元她。於各個移位暫存 -單元4〇3a 4〇3m之正向方向電晶體5〇8之問極係電輕接至 控制線430或移位暫存器輸出線他·侧之一，來於正向方 向移位。於各個移位暫存器單元4〇3“〇3m之反向方向電晶 I5體51〇之閘極係電㈣至控制線或移位暫存器輸出線 41^410^—來於反向移位。移位暫存器輸出信號線物 2電輕接至—個正向方向電晶體5G8及-個反向方向電晶 " 仁私位暫存為輸出信號線410a及移位暫存器輸出传 號線4l〇m除外。移位暫存器輸出信號線.係電輕接於移 Μ位暫存器單元娜之正向方向電晶體但未電㈣妾至反 向方向電晶體51〇。移位暫存器輸出信號線41〇m係電耗接至 私位暫存器單元4031之反向方向電晶體510，但未電輕接至 正向方向電晶體508。 田矛夕位暫存為4〇2係於正向方向移位時，移位暫存哭單 58 200536720 15 20 為該串列13移位暫存器4〇3之第一移位暫存哭4的 移位暫存器單元403a之正向輸入電晶體爾之係電3耦 接至控制信號線430來接收控制信號CSYNC。第二移位^存 器單元403b包括正向輸入電晶體之閘極電輕接轉位= 5器輪出線410a來接收移位暫存器輸出信號s〇i。第三移:暫 存，單元403c包括正向輸入電晶體之閘極電_至移位; 存器輸出線機來接收移位暫存器輸出信號s〇2。第四移: 暫存。器單元403d包括正向輸入電晶體之閘極電輕接至移位 暫存器輸出線她來接收移位暫存器輸出信號s〇3。第五移 ，位暫存器單元她包括正向輸入電晶體之間極電轉接轉 位暫存器輸出線侧來接收移位暫存器輸出信號s〇4。第丄 移位暫存器單元撕包括正向輸入電晶體之閑極電搞魅 移㈣存器輸出線她來接收移位暫存器輸出信號咖。第 =位暫存器單以吻包括正向輸人電晶體之閘極電叙接 ^暫存器輸出線撕來接收移位暫存器輸出信號 第八移位暫存器單元4〇3h包括正向輸入電晶體之閉極 =接至移位暫存11輸出線41Gg來接收移的存11輸出信 :命帛九私位暫存裔單兀4〇3i包括正向輸入電晶體之閘 广讀接至移位暫存器輸出線侧來接收移位暫存器輸出 閉ΓΓ8。第十移位暫存11單元侧包括正向輸人電晶體之 2電叙接至移位暫存器輸出線410i來接收移位暫存器輸 /號S09。第十_移位暫存器單元缝包括正向輸入電晶 2間極電轉接至移位暫存器輸出線綱來接收移位暫存 益輪出信號S⑽。第十二移位暫存器單元包括正向輪 59 200536720 ==!_至移位暫存器輪出辕.來接收移 曰子“ UbS〇】】。第十三移位暫存器單元403m包括 體之難餘接至移位暫存器輪出線侧來 接收私位暫存器輸出信號S012。 5 10 15 ^移位暫存器術於反向移位時，移位暫存器單元她 :仙列13純暫存11單元之最末-個移位暫存器單 U於移位暫存器單元她之反向輸入電晶體训之閑 ^輕接至刚一個移位暫存器輸出線優來接收移位暫 移位暫存器W包括反向輸入電晶 二接至移位暫存器輸出線她，來接收移位暫 =，，S〇3。移位暫存器單元她包括反向輸入電晶 甲極私耦接至移位暫存器輸出線，來接收移位暫 ^輸*信號S04。移位暫存器單元·包括反向輸入電晶 之閘極電耦接至移位暫存器輸出線她，來接收移位 =子器輸出信號S〇5。移位暫存器單元她包括反向輸入電晶 =間極電耦接至移位暫存器輸出線砸，來接收移位暫 雕〗t#uS06。移位暫存器單元4〇3f包括反向輸入電晶 =閘極電耗接至移位暫存器輪出線㈣，來接收移位暫 鱗輪出S〇7。移位暫存器單元4〇3§包括反向輸入電晶 閘極電耗接至移位暫存器輪出線犧，來接收移位暫 雕出仏波808。移位暫存器單元403h包括反向輸入電晶 5問極電|馬接至移位暫存器輸出線4i〇i，來接收移位暫 雕'出L^S〇9。移位暫存器單元403i包括反向輸入電晶 ㈤之閘極電輕接至移位暫存器輪出線糊】，來接收移位暫 20 200536720 10 陣列406 =輸出信號S01〇。移位暫存器單元綱包括反向輸入電 二豆，閘極電糕接至移位暫存器輸出線41。卜來接收移位 出信號sou。移位暫存器單元4〇3k包括反向輸入 电曰曰組^極電㈣至移位暫存ϋ輪出線侧，來接收移 位輪出信號8012。移位暫存器單元侧包括反向輸 $曰曰收之閘極電麵接至移位暫存器輸出線仙m，來接收 私位曰存讀出信號s〇13。移位暫存器單元彻爪包括反向 輸入電晶體之閘極電麵接至控制信號線43G來接收控制信 號CSYNC。#位暫存器輸出線4i〇a_4i〇m也電耗接至邏輯 移位暫存器402接收控制信號CSYNC之控制脈波，以 及提供單-高電壓位準輸出信號。如前文說明及容後詳 述’響應方向信號DIRF及DIRR設定移位暫存器4〇2之移位 方向’方向信號DIRF及腿祕於時序信號丁'π之時序脈 μ波期間，基於控制信號線430之控制信號csync而產生。若 移位暫存器術係於正向移位，響應於控制脈波及時序信號 T1-T4之時序脈波’移位暫存器術設定移位暫存器輸出線 4l〇a及移位暫存器輸出信號s〇1為高電壓位準。若移位暫存 器402係於反向移位’響應於控制脈波及時序信號τι_τ4之 2〇 4序脈波，移位暫存設定独暫存器輸丨糾㈣及移 位暫存器輸出信號Sq13為高電壓位準。高電壓位準輸出信 號SOI或S013係響應於時序信號Τ1_Τ4之時序脈波，而經由 移位暫存器4〇2，由一個移位暫存器單元4〇3移至下 位暫存器單元403。 夕 61 200536720 祕500純正向移位暫_輸人錢畑及反向移位暫存 器輸入㈣SIR。當於時序㈣T1_T4之時序脈波被接收 時’於移位暫存器術之全部移位暫存器單元403皆設定為 於同向且同時移位。 使用兩次預充電操作、及兩次評估操作，移位暫存哭 術於控制脈波移位，以及移位單_高位準輪出信號由； 移位暫存器單元稱移至下_個移位暫存器單元·。各個 移位暫存H單元4G3之第—階段5_收正向方向信號〇阳 及反向方向信號脈R。此外，各個移位暫存㈣2之第—
10 各個移㈣存科元彻之第-階段5_於正向移位 暫存器輸入信號SIF移位，或於反向移位暫存器輸入信號 SIR私位。所避疋之移位暫存器輸入信號細或孤之高電壓 位準或低電壓位準提供作為移位暫存器輸出信號 S〇1-S〇13。各個移位暫存器單元彻之第一階段綱係於得 15自時序信號T1之時序脈波期間預充電内部節點522;以及於 得自時序信號丁2之時序脈波期間評估該經選定之移位暫存 器輸入信號SIF或SIR。各個移位暫存器單元4〇3之第二階段 502係於得自時序信號T3之時序脈波期間預充電移位暫存 器輸出線410a-410m;以及於得自時序信號η之時序脈波期 20間評估内部節點信號SN(如SN1)。 方向信號DIRF及DIRR設定移位暫存器單元仙知、及移 位暫存器4〇2之全部其它移位暫存器單元彻之移位之正/ 反方向。若正向方向信號DIRF係於高電壓位準及反向方向 信號DIRR係於低位準，則移位暫存器4_於正向移 62 200536720 位。若反向方向信號DIRR係於高電壓位準及正向方向信號 DIRF係於低電壓位準’則移位暫存器4〇2係於反向移位。若 二方向信號DIRF及DIRR皆係於低電壓位準，則移位暫存器 402未於任何方向移位，全部移位暫存器輸出信號 5
10 15
20 S01-S013皆被清除至無活性之低電壓位準。 移位暫存器單元4〇3a於正向方向操作時，正向方向信 號DIRF被設定於高電壓位準，及反向方向信號腿r被設定 為低電壓位準。高電壓位準正向方向信號mRF導通正向方 向電晶體512，低電壓位準反向方向信號脈尺截斷反向方 向電晶體5丨4。得自時序信號T1之時序脈波於第一預充電信 號PREi提供給移位暫存器纽，來經由第一預充電電晶體 504充電内部節點522至高電壓位準。其次，得自時序信號 T2之日寸序脈波提供給電阻器劃分網路412,降低電壓位準η 時序脈波於第-評估信MVAL1提供給移位暫存器搬。於 第-評估信號EVAL1之時序脈波導通第—評估電晶體 5〇6。若正向移位暫存器輸入信號如係於高電壓位準，則 正向輸入電晶體508被導通；正向方向電晶體M2已經被導 通’内部節點522放電來提供低電壓位準内部節點作號 SN1。内部節點522係經由第一評估電晶體506、正向輸^ 晶體職正向方向電晶體512放電。若正向移位暫存哭： 入信號训躲低電壓位準，敎向輸人電晶體5〇8被截 斷，以及内部節點522維持充電來提供高電壓位準内部節點 信號SNi。反向移位暫存器輸入信號陳控制反向輪入恭曰 體51。。但反向方向電晶體514被截斷，讓内部節點二 63 200536720 經由反向輪入電晶體51〇而放電。 於内部節點522之内邱r科> 晶請。蝴㈣部節1:=SN1酬部節點^ σ ”、咸SN1截斷内部節點+ 體520，高電壓位進出如斤 Η即點電晶 门兒&位皁内部節點信號s 5 520 。 令逋内邛即點電晶體 Τ3之枯序脈波提供給移位 為第二預充電信號PRE2。於第 存』2作 以瓦弟—預充電信號PRE2
10 15
7由第二預充電電晶體5l6充電移位暫存線· 至高電壓位準。其攻 出線410a 電阻哭蚩彳八_跋二 亍寸S唬T4之時序脈波提供給 成口，j刀網路414，以及降低電壓位準之 給移位暫存器術作為第二評估信號嫩L2。於第；= 號舰2之時序脈波導通第二評估電晶體51:= 電晶體520為截斷，則移 内P即占 m + 輸出線他維持充電至高 準。1内部節點電日日日體5戦導通，則移位暫存器輸 放電至低電壓位準。移位暫存器輸出信號灿為内 •點信號SN1之高/低反相，而内部節點信號咖為正向 移位暫存器輸入信號SIF之高/低反相。正向移位暫存器輸入 信號SIF之位準移位至移位暫存器輸出信號_。 於移位暫存器單元4〇3a，正向移位暫存器輸入信號畑 2〇為控制線430之控制信號CSYNC。為了放電内部節點522至 低電壓位準，於控制信號CSYNC之控制脈波係於第一評估 传號EVAL1之時序信號之同時而提供。與得自時序信號丁2 之時序脈波重合之該控制信號CSYNC之控制脈波，初始化 移位暫存器4〇2來於正向移位。 64 200536720 移位暫存器單元403a於反向移位操作時，正向方向信 號瓣設定為低電壓位準，反向方向信號聰設定為高電 £位準低电壓位準正向方向信號服F截斷正向方向電晶 體512 ’高電壓位準反向方向信號mRR導通反向方向電晶 體51'件自時序信號们之時序脈波於第—預充電信號 PRE1 供，來經由笛— _ 、、乐一預充电電晶體504，充電内部節點 522至南電壓位準。1 + s 付自蚪序信號T2之時序脈波提供 =阻=分網路412，降低轉位準⑶時序脈波係於第 10 15 ^估^就EVAL1提供。於第—評估信號e胤1之時序脈 SIR^1一評估電晶體5〇6。若反向移位暫存器輸入信號 ^於㊅電壓位準，狀向輪人電晶㈣峨導通，且反 ==4已經被導通’故内部節_被放電來提 位準内部節點信號咖。内部節點522係經由第一 準，則1二向、t位暫存益輸入信號sir係於低電壓位 充電來提二:::"體51°被截斷’以及内部節點522維持 =::?位準内部節點信號SN1。正向移位暫存器 20 電。 犯被截：Γ:正向輸入電晶體508。但正向方向電晶體 電破截崎，故内部節點522無法經由正向輪入電晶體规放 =時序信號了3之時序脈波提供於第二預充 電==_#號之、 體516充電移位暫存器輸出線4l0a至高雨塵位康。1 次，得自時序信號丁4之時序脈 电 ，八 斤皮鈇供給電阻器劃分網路 65 200536720 於 •評估信號 川’以及降低電壓位準之T4時序脈波提供 電晶體518^^=f^AL2之時序脈波導通第二評估 輪出_•持二 A逡、s 1位準。若内部節點電晶體520 二:ΓΓ暫存器輸出線41〇a放電至低電塵位準。移 號S01為内部節點信號SN1之高/低反相， 。即點彳5#USN1為反向移位暫存器輪人信號孤之高/
10 15
/ 向移㈣存11輸人錢邮之位準純至移位暫 存為輸出信號SOI。 於移位=存器單元彻a，反向移位暫存器輸入信號孤 :，、、私位暫存$輸出線41%之移位暫存器輸出信細2。於移 位暫存器單元4G3m ’反向移位暫存輯人信號观為控制 線43〇之控制信號CSYNC。為了將移位暫存器單元他之 内士部節點522放電至低電壓位準，與第—評估信號E·之 日π序脈波同％ ’提供控制脈波於控制信紅SYNC。與得自 π序L 5虎了2之k序脈波重合之控制信號以彻^之控制脈 波初始化移位暫存器術，來由移位暫存ϋ單元403m於反向 朝向移位暫存器單元4〇3a移位。 於β除私位暫存态單元4〇3&及移位暫存器仙2之全部 私位曰；^f^4G3之麵作中，方向信號dirf^dirr被設 定為低電壓位準。低電壓位準正向方向信號腺罐斷正向 方向電晶體512，低電壓位準反向方向信號腺喊斷反向 方向電晶體514。得自時序信號T1之時序脈波於第一預充電 信號PRE1提供來充電内部節點522，以及提供高電壓位準 66 200536720 内部節點㈣SN1 °得自時相號T2之時序脈波提供作為 第二評估信號EVAU之降低電壓位準^Τ2時序脈波，來導 通弟-評估電晶體5G6。正向方向電晶體512及反向方向電 晶體514被_ ’讓内部節點522不會經由正向輪人電日曰^ 5〇8或反向輸入電晶體51〇放電。 高電壓位準内部節點信號S N1導通内部節點電晶# 5f〇。得自時序信號T3之時序脈波於第二預充電信號^
10 15 20 ，i、’來充電移位暫存器、輸出錢線41Qa及全部移位暫存 讀出信號線謂。其次，得自時序信號T4之時序脈波於第 :評餘號EVAL2提供作為降低電壓縛_序脈波，來 導通第二評估電晶體518。移位暫存器輸出線恤經由第二 評估電晶體518及㈣節點電晶體5職電，來提供低電壓 =準之移位暫存器輸出信號s〇卜此外，全部其它移位暫存 。輪出線41G被放f純供峨低㈣位準純暫存器 出信號S02-S013。 °口’ 第ιοΒ圖為略圖說明方向電路4〇4。方向電路4〇4包括正 向方向信號電路550及反向方向信號電路552。正向方向信 ^路550包括第三預充電電晶體554、第三評估電晶體说 晶體 控制電㈣558。反向方向信號電路扣包括第四預 电電晶體560、第四評估電晶體沿、及第二控制電 第三預充電電晶體554之閘極及祕源極路徑之一側 輕接至時序信號線436。時序信號線436提供時序信號 -方向電路404作為第三預充電信號pRE3。第三預充電 67 200536720 包曰日554之汲極-源極路徑之另_側係經由方向信號線 4〇8a私耗接至第二評估電日日日體556之沒極_源極路徑之一 側方向仏唬線4 〇 8 a提供正向方向信號mRF給於移位暫存 器術之各個移位暫存器單元4〇3之正向方向電晶體之問 °諸如#位暫存$單元4()3&之正向方向電晶體512之閘 極第…平估電晶體556之閘極係電輕接至第三評估信號線 似一^其提供降低電壓位準之丁6時序信躲方向電路·。 第一。平估私晶體556之汲極-源極路徑之另一側係於兄6電 耗接至彳工制$晶體558之&極_源極路徑。控制電晶體说之 1〇汲極^原極路徑也於568_接至參考電位，如地電位。控 制電晶體558之閘極係㈣接至控制線來接收控制信號 CSYNC 〇 ^第四預充電電晶體560之閑極及汲極-源極路徑之一側 係電搞接至時序信號線434。時序信號線434提供時序信號 15 丁3給方向電路404作為第四預充電信號PRE4。第四預充電 電晶體560之汲極·源極路徑之另—側係經由方向信號線 8b电耦接至第四評估電晶體562之汲極_源極路徑之一 側方向k號線4〇8b提供反向方向信號DIRR給於移位暫存 各個私位暫存态單元4〇3之反向方向電晶體之閘 2〇極\諸如移位暫存器單元她之反向方向電晶體514之閘 極。第四評估電晶體5 62之閘極係電麵接至第四評估信號線 其提供降低電㈣準之T辦序信號給方向電路綱。 第四《平估電晶體562之汲極_源極路徑之另一側係於別電 叙接至控制電晶體564之沒極·源極路徑。控制電晶體制之 68 200536720 沒極-源極路徑也於572魏接至參考電位，如地電位。控 制電晶體564之閘極係、電_至控制線43()來接收控制信號 CSYNC。 ° ~ 方向信號DIRF及DIRR設定於移位暫存器4〇2之移位方 5向。右正向方向信號DIRF設定為高電壓位準而反向方向信 號DIRR設定為低電壓位準，則正向方向電晶體諸如正向方 向電晶體512被導通，而反向方向電晶體如反向方向電晶體 514被截斷。移位暫存器4〇2係於正向移位。若正向方向信 唬DIRF設定為低電壓位準而反向方向信號DIRRs定為高 ίο電壓位準，則正向方向電晶體諸如正向方向電晶體512被截 斷，而反向方向電晶體如反向方向電晶體514被導通。移位 暫存器402係於反向移位。方向信號DIRF&DIRR係於得自 時序信號T3-T6之各串列時序脈波期間，當移位暫存器4〇2 係於正向或反向主動移位時設定。為了結束移位暫存器4⑽ 15之移位或阻止移位暫存器402之移位，方向信號dirf及 DIRR被設定為低電壓位準。如此由移位暫存器輸出信號 S01-S013清除單一高電壓位準信號，讓全部移位暫存器輸 出信號S01-S013皆係於低電壓位準。低電壓位準移位暫存 器輸出#號S01-S013截斷全部位址電晶體對446、 20 448、…470，而位址信號〜A1、〜A2···〜A7維持於高電壓位 準，無法致能發射單元120。 操作時，時序信號線434係於第四預充電信號PRE4提 供得自時序信號T3之時序脈波給方向電路4〇4。於第四預充 電信號PRE4之時序脈波充電反向方向信號線4〇扑至高電 69 200536720 [位準传自％序仏號T4之時序脈波提供給電阻器劃分網 路414其於第四5平估信號E VA L 4提供降低電壓位準之τ * 時序脈波給方向電路4〇4。於第四評估信號EVAL4之時序脈 波導通第四評估電晶體562。若與於第四評估信號EVAM之 5時序脈波提供給第四評估電晶體5 62同時，得自㈣㈣ CSYNC之控制脈波提供給控制電日日日體⑽之閘極，則反向方 向信號線408b放電至低電壓位準。若當第四評估信號 E VAL4之時輕波提供給f四評估電晶體$ &時控制信號 • CSYN<：維持於低電壓位準，則反向方向信號線4G8b維持充 10 電至高電壓位準。 時序信號線436係於第三預充電信號pRE3提供得自時 序信號T5之時序脈波給方向電路侧。於第三預充電信號 PRE3之時序脈波充電正向方向信號線她至高電壓位準。 付自日7序化號丁6之時序脈波提供給電阻器劃分網路仙，其 is於第三言平估信號EVAL3提供降低電塵位準之τ6時序脈波給 方向电路4〇4。於第三評估信號—壯3之時序脈波導通第三 • 則线晶體556。若與於第三評估信號EVAL3之時序脈波提 供給第三評估電晶體556同時，得自控制信號csync之控制 脈波提供給控制電晶體558之閘極，則正向方向信號線侧& 2〇 ,電至低電壓位準。若當第三評估信號eval3之時序脈波 提供給第三評估電晶體556時控制信號CSYNC維持於低電 魘位準，則正向方向信號線4〇8a維持充電至高電壓位準。 第11圖為時程圖，說明位址產生器400於正向方向之操 作。時序信號T1-T6提供一串列6重複脈波。各個時序信號 70 200536720 T1-T6提供於6脈波串列中之一個脈波。 於一串列6脈波中，於600之時序信號T1包括時序脈波 602 ’於604之時序信號T2包括時序脈波606，於608之時序 k號T3包括時序脈波61〇，於612之時序信號T4包括時序脈 5波614，於616之時序信號T5包括時序脈波618，以及於62〇 之時序信號T6包括時序脈波622。控制信標示於 624)包括控制脈波，控制脈波設定於移位暫存器4〇2之移位 方向，且初始化移位暫存器402來產生位址信號〜A1、 〜A2···〜A7(標示於625)。 1〇 時序信號11之時序脈波602於第一預充電信號PRE1提 供_)給移位暫存器術。於時序脈波6〇2期間，於各個移 位暫存器單元403a-403m之内部節點522充電來提供高電壓 位準之内部節點信號SN1-SN13。全部移位暫存器之内部節 點信號SN(標示於626)於628被設定為高電壓位準。高電壓 15位準内部節點信號SN 626導通於各個移位暫存器單元 4〇3a-403m之内部節點電晶體52〇。本實施例中，於時序脈 波6〇2之月ij，遺串列6時序脈波已經被提供，移位暫存哭搬 尚未被初始化，故全部移位暫存器輸出信號so(標示糾0) 破放電至低電壓位準（標示於632)，全部位址信號〜A1、 2〇〜A2···〜A7(625)_於高電壓位補示於奶）。 時序信號乃之時序脈細於第一評估信號EVAU於 6〇4提供給移位暫存⑽2。時序脈波_導秘各個移位暫 存器單元4〇3a-4〇3m之第一評估電晶體5〇6 CSYNC 624維持於低電麼位 Μ 1 +(634)，及全部移位暫存器輸 71 200536720 2號SO 630維持於低電壓位準(636)時，於各個移位暫存 =::3a’3m之正向輪入電晶體508及反向輸入電晶體 510被截斷。非導通之正向輸入電晶體及非導通之反向 輸入U體51G可阻止於各個移㈣存II單元仙-彻狀 ㈣。即點522被放電至低電壓位準。全部移位暫存器内部節 點信號SN 626於638維持於高電壓位準。
10 15
時序信號T3之時序脈波_於第二預充電信號鹏， 於6〇8提供給移位暫存_ ;於第四預充電信號顧提供 給方向電路物’以及於邏輯陣觸6提供給定址線預充電 電晶體438及評估阻止電晶體咖。於第二預充電信號p跪 之時序脈波⑽期間，全部移位暫存器輸出信號SO,皆於 640充電至高電壓位準。此外，於第四預充電信號觸之 時序脈波61G顧，反向方向錢DIRR⑷於⑷充電至高 電壓位準。此外’時序脈波610於_充電全部位址信號625 至高電壓位準’及於65G導料估阻止電晶體422棟將邏輯 η平估k號LEVAL 648下挽至低電壓位準。 時序信號T4之時序脈波614於第二評估信號隱。，於 612提供給移位暫存器搬，於第四評估信駐胤愤供給 方向電路404，以及於邏輯陣列4〇6提供給評估阻止電晶體 2〇 442b。於第二評估信號15^1^之時序脈波614導通於各個移 位暫存器單元403a-403m之第二評估電晶體518。於高電壓 位準之内部節點信號SN 626已經導通於各個移位暫存器單 元403a-403m之内部節點電晶體52〇，全部移位暫存器輸出 信號SO 630於652放電至低電壓位準。此外，於第四評估信 72 200536720 號EVAL4之時序脈波614導通第四評估電晶體562。控制信 號CSYNC 624之控制脈波654導通控制電晶體564。第四評 估電晶體562及控制電晶體564導通，方向信號dirr⑷放 電至低電壓位準656。此外，時序脈波614導通評估阻止電 5晶體442b，來維持邏輯評估信號LEVAL 648於低電壓位準 ㈣。低電壓位準邏輯評估信號LEVAL 6简斷位址評估電 晶體440。 時序信號T5之時序脈波618(616)於第三預充電信號 • PRE3提供給方向電路_，以及於邏輯陣列406提供給· 10評估預充電電晶體444。於第三預充電信號PRE3之時序脈 波618期間，正向方向信號mRF 658充電至高電壓位準 _。高電壓位準正向方向信號DIRF 658導通於各個移位暫 存器單元403a-403m之正向方向電晶體512，來設定移位暫 _ 存器4〇2於正向方向移位。此外，於時序脈波618期間，邏 15輯評估信號LEVAL 648充電至高電壓位準662，其導通全部 邏輯評估電晶體440。全部移位暫存器輸出信號8〇63〇純 φ d位準’全部位址電晶體對446、448、···被截斷，以 及全部位址信號〜A;l、〜A2••〜八7於625維持於高電塵位準。 得自時序信號T6之時序脈波622於62〇提供給方向電路 2〇 404作為第二評估信^VAL3。日夺序脈波導通第三評估 電晶體556。因控制信號CSYNC 624於664維持於低電壓位 準故控制甩晶體558截斷，以及正向方向信號DIRF 658 維持问電壓位準。高電塵位準正向方向信號D·⑽及低 電壓位準反向方向信號DIRR 642設定各個移位暫存器單元 73 200536720 403a-403m於正向移位。 ,於次-串列之6時序脈波，時序脈波666充電全部内部 節點信號SN 626至高電壓位準。時序脈編導通於各個移 位暫存器單元4〇3a-403m之第一評估電晶體5〇6。控制信號 5 CSYNC 624於67()提供控制脈波給於移位暫存器單元慨 之正向輸入電晶體508。正向方向電晶體512已經導通，移 位暫存器單元4咖之内部節點信號SN1於672放電至低電壓 位準。移位暫存器輸出信號S〇 630於674係於低電壓位準， 其截斷於移位暫存器單元彻m之正向輸人電晶體。正 H)向輸人電晶體截斷之情況下，於移位暫存器單元彻㈣加 之王部其它内部節點信號SN2_SN13s676維持於高電壓位 準。 於日寸序脈波678期間，全部移位暫存器輸出信號s〇 63〇 皆於680充電至高電壓位準，反向方向信號腿汉⑽於如 15充電至高電壓位準。此外，於時序脈波678期間，全部位址 仏唬A1、〜A2···〜A7 625於684被充電至高電壓位準，邏輯 評估信號LEVAL 648於686被放電至低電壓位準。低電壓位 準之邂輯評估信號LEVAL 648截斷位址評估電晶體44〇，阻 止位址電晶體對446、448、...470將位址信號〜八卜〜八2 .〜八7 20 625下挽至低電壓位準。 於時序脈波688期間，移位暫存器輸出信號8〇24〇13 於690放電至低電壓位準。因内部節點信號SN1於672截斷移 位暫存器單元403a之内部節點電晶體520，故移位暫存器輸 出信號S01於692維持於高電壓位準。此外，時序脈波688 74 200536720 導通第二評估電晶體562，控制脈波694導通控制電晶體 564，來於696放電反向方向信號mRR 642至低電壓位準。 此外，時序脈波688導通評估阻止電晶體4桃，來於柳將 遴輯评估#唬LEVAL 648下挽至低電壓位準，且維持評估 5 電晶體440為截斷。 於日守序脈波700期間，正向方向信號DIRF 658維持於高 电壓位準，邏輯評估信號1^^乙648將於7〇2被充電至高電 壓位準。高電壓位準邏輯評估信號LEVAL 648k7〇2導通評 估電晶體440。高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇i於柳 1〇導通位址電晶體對446a&446b ;位址信號〜A1及〜A2 625於 7〇4被主動下挽至低電壓位準。其它移位暫存器輸出信號 S〇2-S〇13K690被下挽至低電壓位準，讓位址電晶體桃、 450、...470被截斷，位址信號〜A3—A7維持於高電壓位準(標 示於706)。位址信號〜A1、〜A2••〜A7 625於時序信號乃之 15 %序脈波700期間，於616變有效。時序脈波708導通第三評 估電晶體556。但控制信號CSYNC 624於71〇係於低電壓位 準，正向方向信號DIRF 658於712維持於高電壓位準。
於次一串列之6時序脈波中，時序脈波714於716充電全 部内部節點信號SN 626至高電壓位準。若於各個移位暫存 2〇器單元403心403111之正向輸入信號SIF係於高電壓位準，則 時序脈波718導通於各個移位暫存器單元4〇3a-4〇3m之第一 評估電晶體506來允許節點522的放電。於移位暫存器單元 4〇3a之正向輸入信號SIF為控制信號Csync以々，控制信號 CSYNC 624於720為低電壓位準。於其它移位暫存器單元U 75 200536720 403b-4034自之正向輸人㈣畑為前—個移位暫存器單 兀403之純暫存器輸出㈣SQ㈣。… SOI於^ 曰存為輸出信號 電壓位準，且為第二移位暫存器單元概 號SIF。移位暫存器輪出信號so_3_ 全部皆於低電壓位準。 於 10 15 移位暫存器單元403a及她_403m接收低電壓位準正 向輸入信號SIF’其截斷於各個移位暫存器單元他及 .義之正向輸入電晶體綱，故内部節點信號⑽及 洲侧於722維持為高。移位暫存科元娜接收高電 昼位準之移位暫存轉出信號SQ1作為正向輸人信號证， 其導通正向輸人電晶體，來於724放電内部節點信號_。 於時序脈波726期間，全部移位暫存器輸出信號s〇63〇 皆於728被充電至高電壓位準，以及反向方向信號酿請2 於730被充電至高電難準。料，日铸脈波μ於732將全 部位址信號〜A1、〜A2...〜A7 625朝向高電壓位準充電，且 導通評估阻止電晶體442a，來於734將以胤⑽拉至低電 壓位準。 _ 位址信號〜A1、〜A2.··〜A7 625於下述範圍為有效，由 時間位址信號〜A1及〜A2於704被挽低，至全部位址信號 2〇〜A1、〜A2···〜A7 625於732被挽高為有效。位址信號〜A1、 A2···〜A7 625於下述期間為有效，前一串列6時序脈波之得 自時序信號T6之時序脈波708 (於62〇)至本串列6時序脈波 之得自時序信號T1之時序脈波714 (6〇〇)及得自時序信號丁2 之時序脈波718 (604)期間為有效。 76 200536720 〜時序脈波736導通於各個移位暫存器單元她_购之 弟-評估電晶體518來評估内部節點信號伽626。内部節點 . 信細1及_侧細係於高她轉，以及於爾 電移位暫存器輸出信號灿及抓咖至低電麼位準。内 • 5 «點信號SN2於724係於低電齡準，截斷移位暫存哭單 以㈣之㈣節點電晶體，且於7_轉移㈣存器輸出信 號S02於高電壓位準。 當第四評估電晶體562藉時序脈波736被導通，於 _ CSYNC 624之控制脈波742導通控制電晶體564時，反向方 10向信號DIRR 642於744放電至低電壓位準。方向信號脈& 642及DIRF 658於各串列6時序脈波期間經設定。此=，時 序脈波736於746導通評估mB^442b來轉leval 648於低電壓位準。 於4序脈波748期間，正向方向信號mRF㈣於乃〇維 15持於南電壓位準，LEVAL 648於752充電至高電壓位準。高 電壓位準邏輯評估信號LEVAL 648於752導通評估電晶$ • 44〇°高電壓位準移位暫存器輸出信號S〇2於74〇導通位址電 晶體448a及448b，來於754將位址信號〜A1及〜八3下挽至低 電壓位準。其它位址信號〜A2及〜八4一八7於756維持於高電 20 壓位準。 時序脈波758導通第三評估電晶體556。控制信號 CSYNC 6M於76〇維持於低電壓位準·，來截斷控制電晶體 558，且維持正向方向信號DIRF 642於高電壓位準。 次一串列之6時序脈波移位高電壓位準移位暫存器輪 77 200536720 出仏唬S02至次一移位暫存器單元4〇允，該移位暫存器單元 條提供高電壓位準移位暫存器輸出信號SG3。以各串列6 日守序脈波繼續移位，至各個移位暫存器輸出信號§〇1卻13 白芰咼一次為止。於移位暫存器輸出信號s〇l3已經變高， 5 5亥串列鬲電壓位準移位暫存器輸出信號SO 630中止。移位 暫存态402可再度藉提供控制脈波於控制信號CSYNC(例如 控制脈波670)重合得自時序信號T2之時序脈波而於604被 初始化。 於正向操作，於控制信號CSYNC 624之控制脈波係於 1〇 612與得自時序信號T4之時序脈波重合，來設定移位方向於 正向。此外，得自控制信號CSYNC 624之控制脈波於604 與得自時序信號T2之時序脈波重合提供，來開始或初始化 移位暫存器402，經由移位暫存器輸出信號S01-S013移位 高電壓信號。 15 第12圖為時序圖，顯示位址產生器400於反向之操作。 ^序^號丁1-丁6提供重複串列之6時序脈波。時序信號τι-丁6 各自提供一串列6時序脈波中之一個脈波。於一串列6脈波 中’於800之時序信號T1包括時序脈波802，於804之時序信 號T2包括時序脈波8〇6，於808之時序信號T3包括時序脈波 20 810，於812之時序信號T4包括時序脈波814，於816之時序 k號T5包括時序脈波818，以及於820之時序信號T6包括時 序脈波822。控制信號CSYNC 824包括控制脈波，其設定於 牙夕位暫存器402之移位方向’於825初始化移位暫存器々ο]來 產生位址信號〜A1、〜A2...〜A7。 78 200536720 N·序脈波8 02於第一預充電信號p RE丨提供給移位暫存 。。402於日守序脈波802期間，於各個移位暫存器單元 403a-403m之内部節點522充電來提供對應之高 電壓位準内 部節點信號陳视3。移位暫存器内部節點信號训η6於 5 828°又疋為同電壓位準。向電壓位準内部節點信號SN 826 導通於移位暫存器單元4〇3之内部節點電晶體52〇。本實施 例中’ -串列6時序脈波已經於時序脈波8〇2之前且未初始 化移位暫存器術提供，讓全部移位暫存ϋ輸出信號SO請 • 被放電至低電壓位準(832)，以及全部位址信號〜Μ、 10〜Α2··_〜A7 825於833維持於高電壓位準。
時序脈波810於第二 态402 ’提供給於第四預 及提供給於邏輯陣列4〇6 阻止電晶體422a。於時戾 弟二預充電信號P RE 2提供給移位暫存 四預充電信號PRE4之方向電路4〇4，以 日寸序脈波8G6於第-評估信號EVAU提供給移位暫存 器術。時序脈波806導通於各個移位暫存器單元條賓^ 之第-評估電晶體506。控制信號CSYNC 824於834維持於 低屯壓位準，全部移位暫存器輪出信號s〇請於伽維持於 I5低包壓位準，來截斷於各個移位暫存器單元彻心4〇加之正 力輸入電晶體508及反向輸入電晶體510。非導通之正向輸 •=電晶體508及非導通之反向輸入電晶體M0可阻止於各個 • 6之定址線預充電電晶體438及評估 於時序脈波810期間，全部移位暫存器輪 79 200536720 出h號SO 830於840被充電至高電壓位準。此外，於時序脈 波810期間，反向方向信號DIRR 842於844被充電至高電壓 位準。此外，時序脈波81〇維持全部位址信號825至高電壓 位準以及導通砰估阻止電晶體422a，來於850將邏輯評估 5 #號LEVAL 848下挽至低電壓位準。 時序脈波814於第二評估信號^^以提供給移位暫存 夯402，於第四评估#號eVaL4提供給方向電路仙4，以及 於遨輯陣列4〇6提供給評估阻止電晶體料沘。時序脈波814 導通於各個移位暫存器單元403a_4〇3m之第二評估電晶體 10 518。内部節點信號SN 826於高位準，該信號導通於各個移 位暫存器單元403a-403m之内部節點電晶體52〇，全部移位 暫存杰輸出信號SO 830於852放電至低電壓位準。此外，時 序脈波814導通第四評估電晶體562及控制信號CSYNC 824 來提供低電壓來截斷控制電晶體564。控制電晶體564被截 15斷，方向信號DIRR 842維持充電至高電壓位準。此外，時 序脈波814導通評估阻止電晶體442b，來維持邏輯評估信號 LEVAL 848於低電壓位準858。低電壓位準邏輯評估信號 LEVAL 848截斷位址評估電晶體440。 時序脈波818於第三預充電信號pRE3提供給方向電路 20 404，以及於邏輯陣列406提供給邏輯評估預充電電晶體 444。於時序脈波818期間，正向方向信號]^^^ 858充電至 高電壓位準860。此外，於時序脈波818期間，邏輯評估信 號LEVAL 848充電至高電壓位準862，來導通全部邏輯評估 電晶體440。全部移位暫存器輸出信號s〇 83〇皆於低電壓位 80 200536720 準，全部位址電晶體對446、448、…·皆被截斷，以及全 部位址信號〜A1、〜A2.··〜A7於825皆維持於高電壓位準。 時序脈波822提供給方向電路4 〇 4作為第三評估信號 EVAL3。時序脈波822導通第三評估電晶體556。控制信號 5 CSYNC 824提供控制脈波864來導通控制電晶體558，以及 正向方向信號DIRF 858於865放電至低電壓位準。低電壓位 準正向方向信號DIRF 858及高電壓位準反向方向信號 DIRR 842設定各個移位暫存器單元彻a_彻瓜來於反向移 位。 1〇 於次一串列之6時序脈波，於時序脈波866期間，全部 内部節點信號SN 826皆被充電至高電壓位準。時序脈波 導通於各個移位暫存器單元403a_4〇3m之第一評估電晶體 5〇6。控制脈波870可於控制信號CSYNC，提供來導 位暫存器單元403m之反向輸入電晶體；反向方向電晶體被 15導通，内部節點信號SN13放電至低電壓位準，示於872。移 位暫存器輸出信號S0 830於874係於低電壓位準，截斷於移 位暫存器單元403“031之反向輸人電晶體。反向輸入電晶 體為截斷，其它各個内部節點信號咖_伽12於876維持於 高電壓位準。 2〇 於時序脈波878期間，全部移位暫存器輸出信號s〇 830 皆於880被充電至高電壓位準，而反向方向信號〇職如 於882維持於咼電壓位準。此外，時序脈波878維持全部位 址信號〜A1、〜A2·..〜A7 825於高電壓位準8料，以及於 將邏輯評估信號LEVAL 848下挽至低電壓位準。低電壓位 200536720 準之邏輯評估㈣LEVAL 848㈣評估電晶體物，阻止位 址電晶體對446、448、…470下挽位址信號〜M、〜Α2···〜Α7 825至低電壓位準。 於％序脈波888期間，移位暫存器輸出信號§〇1_3〇12 5於：0被放電至低電壓位準。絲於m之低電壓位準之内 部即點信號SN13，其截斷移位暫存器單元4〇如之内部節點 電晶體520，移位暫存器輸出信號S013於892維持於高電壓 位準。此外，時序脈波m導通第二評估電晶體，以及控制 信號CSYNC 824截斷控制電晶體⑹，來於8%維持反向方 1〇向信號DIRR 842於高電壓位準。此外，時序脈波888導通評 估阻止電晶體442b，來維持邏輯評估信號LEVAL 848於低 電壓位準898，以及維持評估電晶體物被截斷。移位暫存 器輸出信號SO 830於時序脈波_期間沉降，故一個移位暫 存器輸出信號S013係於高電壓位準，而全部其它移位暫存 15為輸出^號S〇U012皆係於低電壓位準。 日寸序脈波900期間，正向方向信號脈^^ 858於9〇1充電 至问電壓位準，以及於邏輯評估信號LEVAL 848K9〇2充電 至南電壓位準。於902之高電壓位準邏輯評估信號LEVAL 848導通評估電晶體44〇。於的2之高電壓位準移位暫存器輸 2〇出^號8013導通位址電晶體47如及4鳩，以及位址信號 〜A3及〜A5於904被主動下挽至低電壓位準。其它移位暫存 器輸出信號S01-S012於890被下挽至低電壓位準，故位址 電晶體對446、448、...468被截斷，而位址信號〜a卜〜A2、 〜A4、〜A6及〜A7維持於高電壓位準，示於9〇6。於時序脈波 82 200536720 900期間，位址信號〜A1、〜Α2..·〜Α7 825變有效。時序脈波 908導通第三評估電晶體556，於控制信號CSYNC 824之控 制脈波910導通控制電晶體⑽，來於912放電 mRF 858至低轉位準。 ㈣ 5 於其次各串列之6時序脈波中，於時序脈波914期間， 全部内部節點信號阳826皆於916被充電至高電壓位準。若 於口個私位暫存為單元4〇3a_4〇3m之反向輸入信號观係於 南電壓位準，則時序脈波训導通於各個移位暫存器單元 釀 403a-403m之第-評估電晶體5〇6來充電節點522。於移位暫 1〇存器單元彻瓜之反向輸入信號SIR為控制信號以覽 824 ’其於920係處於低電壓位準。於其它各個移位暫存器 早凡條-4031之反向輸入信號SIR為隨後移位暫存器單元 4〇3之移位暫存器輸出信號S〇 830。移位暫存器輸出信號 S013於892係於高電壓位準，且為移位暫存器單元·之反 15向輸入信號SIR。移位暫存器輸出信號3〇1^〇12於_皆係 於低電壓位準。移位暫存器單元4〇3“·及4〇如具有低電 • 綠準之反向輸入信號SIR，反向輸入信號SIR導通反向輸 入電晶體510,故内部節點信號sm-SN11及_3於922維持 於高電壓位準。移位暫存器單元接收高電壓位準移位 20暫存器輸出信號S013作為反向輸入信號SIR，反向輸入信 號SIR $通反向輸入電晶體來於924放電内部節點信號 SN12 〇
於時序脈波926_，全《位暫存H輪出㈣so請 於928皆被充電至高電壓位準，反向方向信號DIRR 842於 83 200536720 930維持於高電壓位準。此外，於時序脈波926期間，全部 位址，號〜A1、〜Α2···〜Α7 825皆於932被充電至高電壓位 準，汗估阻止電晶體442a被導通來於934下挽le靴⑽至 低電壓位準。位址信號〜A1、〜A2···〜A7 825由時間位址信 5號〜A3及〜A5於904被挽低，直至全部位址信號〜A1、 • A7 825於932被挽高皆有效。位址信號〜A1、 〜A2···〜A7 825於時序脈波9〇8、914及918期間皆有效。 時序脈波936導通於各個移位暫存器單元4〇3a_4〇3m之 第-#估電晶體518，來評估内部節點信號观似。内部節 1〇點信號SN1-SN11及咖於922皆處於高電壓位準，來於938 放電移位暫存器輸出信號S01-S011及S013至低電壓位 準内部節點信號8]^12於924係於低電壓位準，截斷移位暫 存的單元4031之内部節點電晶體，且於94〇維持移位暫存器 輸出信號S012於高電壓位準。 15 此外’時序脈波936導通第四評估電晶體562，控制信 號CSYNC 824係於低電壓位準來截斷控制電晶體564，來於 944維持反向方向信號DIRR 842於高電壓位準。此外，時序 脈波936導通評估阻止電晶體鄕，來於946維持[隱[ 848於低電壓位準。 0 於日可序脈波948期間，正向方向信號DIRF 858充電至高 電壓位準950，以及LEVAL 848充電至高電壓位準952。於 952之高電壓位準邏輯評估信號LEVal 848導通評估電晶 體440。於940之高電壓位準移位暫存器輸出信號SCM2導通 位址電晶體468认娜，來於954下挽位址信號〜A3及〜A4 200536720 至低電壓位準。其它位址信號〜A1、〜A2及〜A5_〜A7則於956 維持於高電壓位準。 時序脈波958導通第三評估電晶體556。於控制信號 CSYNC 824之控制脈波960導通控制電晶體558，正向方向 5 信號DIRF 842於962放電至低電壓位準。 其次各串列之6時序脈波移位高電壓位準移位暫存器 輸出信號S012至次一移位暫存器單元4〇3k，該移位暫存器 單元403k提供高電壓位準移位暫存器輸出信號§〇11。各串 列6時序脈波持續移位至各個移位暫存器輸出信號 10 S01-S013皆已經變高一次為止。於移位暫存器輸出信號 SOI為高後，該串列高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇 830中止。經由與得自時序信號T2 8〇4之時序脈波重合，提 供控制脈波如控制脈波870,移位暫存器402再度被初始化。 於反向操作，來自CSYNC 824之控制脈波與來自時序 15信號T6之時序脈波820重合，提供來設定移位方向成為反 向。此外，來自CSYNC 824之控制脈波與得自時序信號Τ2 之時序脈波804重合提供，來開始或初始化移位暫存器 402,移位高電壓位準信號通過暫存器輸出信號s〇1-S〇13。 第13圖為方塊圖，顯示二位址產生器1〇〇〇及1〇〇2及6 20個發射群1004a_10〇4f之一具體例。位址產生器1〇〇〇及1〇〇2 各自係類似第9圖之位址產生器400，以及發射群 10043-10041^係類似第7圖所示發射群2023-202£。位址產生 器1000係經第一位址線1〇〇6而電耦接至發射群 1004a-1004f。位址線1006提供來自位址產生器1〇〇〇之位址 85 200536720 信號〜A1、〜A2···〜A7給各個發射群1004a-i〇〇4c。此外，位 址產生為1000係電耦接至控制線1010。控制線1010接收傳 導控制信號CSYNC給位址產生器1〇〇〇。一具體例中， CSYNC信號由外部控制器提供給列印頭晶粒，於該列印碩 5晶粒上製作二位址產生器1000及1002以及六個發射群 1004a-1004f。此外，位址產生器1〇〇〇係電耦接至選擇線 1008a-1008f。選擇線1008a-1〇〇8f係類似第7圖所示選擇線 212a-212f。選擇線10〇8a_1〇〇8f傳導選擇信號SEU、 SEL2、...SEL6至位址產生器1〇〇〇，以及傳導至對應之發射 10 群l〇〇4a-1004f(圖中未顯示）。 選擇線1008a傳導選擇信號SEL1至位址產生器1〇〇〇，於 一具體例為時序信號T6。選擇線i〇〇8b傳導選擇信號SEL2 至位址產生裔1000，於一具體例為時序信號们。選擇線 1008c傳導選擇信號SEL3至位址產生器1〇〇〇,於一具體例為 15時序信號丁2。選擇線10〇8d傳導選擇信號SEL4至位址產生 器1000，於一具體例為時序信號丁3。選擇線1〇〇80傳導選擇 k號SEL5至位址產生器1〇〇〇，於一具體例為時序信號丁4 ·， 以及選擇線1008f傳導選擇信號SEL6至位址產生器1〇〇〇，於 一具體例為時序信號T5。 20 位址產生器1002係經由第二位址線1012而電耦接至發 射群1004cM004f。位址線1〇12提供得自位址產生器1〇〇2之 位址信號〜B1、〜B2···〜B7給各個發射群i〇〇4d-l〇〇4f。此外， 位址產生器1002係電耦接至控制線1〇1〇，其傳導控制信號 CSYNC給位址產生器1〇〇2。此外，位址產生器1〇〇2係電耦 86 200536720 接至選擇線1008a-1008f。選擇線1008a-1008f傳導選擇信號 SEU、SEL2、...SEL6給位址產生器1002以及對應之發射群 1004a-10〇4f(圖中未顯示）。 選擇線1008a傳導選擇信號SEL1至位址產生器1002,於 5 一具體例為時序信號T3。選擇線1008b傳導選擇信號SEL2 至位址產生器1002，於一具體例為時序信號T4。選擇線 1008c傳導選擇信號SEL3至位址產生器1002,於一具體例為 時序信號T5。選擇線l〇〇8d傳導選擇信號SEL4至位址產生 器1002，於一具體例為時序信號T6。選擇線1008e傳導選擇 10 信號SEL5至位址產生器1002，於一具體例為時序信號T1以 及選擇線1008f傳導選擇信號SEL6至位址產生器1002,於一 具體例為時序信號T2。 選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6包括一串列6脈波以6 脈波之重複串列重複。各個選擇信號SEL1、SEL2、…SEL6 15 包括於該串列6脈波中之一個脈波。一具體例中，於選擇信 號SEL1之一脈波接著為選擇信號SEL2之脈波，接著為選擇 信號SEL3之脈波，接著為選擇信號SEL4之脈波，接著為選 擇信號SEL5之脈波，接著為選擇信號SEL6之脈波。於選擇 信號SEL6之脈波後，串列由選擇信號SEL1之脈波重複開 20 始。控制信號CSYNC包括與選擇信號SEU、SEL2、...SEL6 之脈波重合之脈波來初始化位址產生器1000及1002，以及 設定移位方向或於位址產生器1000及1002之位址產生，如 就弟11圖及第12圖之討論。為了初始化由位址產生器1 〇〇〇 產生位址，控制信號CSYNC包括與時序信號T2之時序脈波 87 200536720 重合之控制脈波，其係對應於選擇信號SEL3之時序脈波。 位址產生器1000響應於選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6 及控制化號〇8丫1^，而產生位址信號〜A1、〜A2···〜A7。位 址信號〜A1、〜A2···〜A7經由第一位址線1〇〇6提供給發射群 5 1004a-1004c。 於位址產生器1000，於對應於選擇信號SEL1、SEL2 及SEL3之時序脈波的時序信號T6、T1及T2之時序脈波期 間，位址信號〜A1、〜A2···〜A7為有效。控制信號CSYNC包 括控制脈波其重合時序信號T4之時序脈波且對應選擇信號 10 SEL5之時序脈波，來設定位址產生器1000於正向方向移 位。控制信號CSYNC包括一重合時序信號T6之時序脈波之 控制脈波，其係對應於選擇信號SEL1之時序脈波，來設定 位址產生器1000供於反向方向移位。 發射群1004a-1004c於選擇信號SEL1、SEL2及SEL3之 15 脈波期間接收有效位址信號〜A1、〜A2·.·〜A7。當於1004a 之發射群1 (FG1)接收位址信號〜A卜〜A2·.·〜A7及選擇信號 SEL1之脈波時，於選定之列子群SG1之發射單元120藉發射 信號FIRE1致能而作動。當於1004b之發射群2 (FG2)接收位 址信號〜A卜〜A2···〜A7及選擇信號SEL2之脈波時，於選定 20 之列子群SG2之發射單元120藉發射信號F1RE2致能而作 動。當於1004c之發射群3 (FG3)接收位址信號〜A1、 〜A2...〜A7及選擇信號SEL3之脈波時，於選定之列子群SG3 之發射單元120藉發射信號FIRE3致能而作動。 位址產生器1002響應於選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6 88 200536720 及控制信號CSYNC而產生位址信號〜B1、〜B2 ••〜。位址 信號〜B1、〜B2···〜B7經由第二位址線1〇12提供給發射群 1004d-1004f。於位址產生器1〇〇2，位址信號〜m、〜β2 係於時序信號T6、T1及T2之時序脈波期間為有效，該等時 5序脈波係對應於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波。 控制“包括一控制脈波重合於時序信號之時 序脈波而該脈波係對應於選擇信號SEL2之時序脈波，來設 定位址產生器1002於正向移位。控制信號CSYNC包括一控 制脈波重合於時序信號T6之時序脈波而該脈波係對應於選 10擇信號SEL4之時序脈波，來設定位址產生器10〇2於反向移 位。為了初始化由位址產生器1〇〇2產生位址，控制信號 CSYNC包括一控制脈波重合於時序信號χ2之時序脈波，而 該脈波係對應於選擇信號SEL6之時序脈波。 發射群1004d-1004f於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之 15脈波期間接收有效位址信號〜B1、〜B2···〜B7。當於l〇〇4d 之發射群4 (FG4)接收位址信號〜B1、〜Β2···〜Β7及選擇信號 SEL4之脈波時，於選定之列子群SQ4之發射單元12〇藉發射 4吕號HRE4致能而作動。當於i〇〇4e之發射群5(FG5)接收位 址信號〜B1、〜B2···〜B7及選擇信號SEL5之脈波時，於選定 2〇之列子群SG5之發射單元120藉發射信號FIRE5致能而作 動。當於1004f之發射群6 (FG6)接收位址信號〜B1、 〜B2.··〜B7及選擇信號SEL6之脈波時，於選定之列子群SG6 之發射單元120藉發射信號FIRE6致能而作動。 於一範例操作中，於一串列之6脈波期間，控制信號 200536720 CSYNC包括控制脈波重合選擇信號SEL2及SEL5之時序脈 波來設定位址產生器1〇〇〇及1002於正向移位。控制脈波重 合選擇信號SEL2之時序脈波來設定位址產生器1〇〇2於正向 移位。控制脈波重合選擇信號SEL5之時序脈波來設定位址 5 產生為1000於正向移位。 於次一串列6脈波中，控制信號CSYNC包括控制脈波 重合選擇信號SEL2、SEL3、SEL5及SEL6之時序脈波。重 合選擇信號SEL2及SEL5之控制脈波設定於位址產生器 1000及1002之移位方向為正向。重合選擇信號SEL3&SEL6 10 之控制脈波初始化位址產生器1000及1002來產生位址信號 〜A1、〜A2·.·〜A7及〜B1、〜B2··•〜B7。重合選擇信號SEL3之 時序脈波之控制脈波初始化位址產生器1〇〇〇 ;重合選擇信 號SEL6之時序脈波之控制脈波初始化位址產生器10〇2。 於第三串列時序脈波期間，位址產生器1000產生位址 15 信號〜A1、〜A2···〜A7，其於選擇信號SEL1、SEL2及SEL3 之時序脈波期間為有效。有效之位址信號〜A1、〜A2...〜A7 用來致能於發射群1004a-1004c之發射群FG卜FG2及FG3之 列子群SG卜SG2及SG3之發射單元120供作動。於第三串列 時序脈波期間，位址產生器1002產生位址信號〜B1、 20〜B2···〜B7，其於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波 期間為有效。有效之位址信號〜B1、〜B2···〜B7用來致能於 發射群1004d-1004f之發射群FG4、FG5及FG6之列子群 SG4、SG5及SG6之發射單元120供作動。 於選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6之第三串列時序脈波 90 200536720 期間，位址信號〜A1、〜Α2.··〜Α7包括低電壓位準信號其係 對應於13位址之一，以及位址信號〜m、〜β2 ••〜β7包括低 電壓位準信號其係對應於13位址中之該同一位址。於得自 遥擇L 5虎SEL1、SEL2、...SEL6之為主各串列時序脈波期 5間，位址信號〜A1、〜Α2···〜Α7及位址信號〜Β1、〜Β2··.〜Β7 包括低電壓位準信號，其係對應於13位址之該同一位址。 各串列時序脈波為-位址時槽，故於各串列時序脈波期間 提供13位址之一。 於正向操作期間，位址丨首先由位址產生器1〇〇〇及1〇〇2 1〇提供，接著為位址2等等至位址13。於位址13之後，位址產 生器1000及1002提供全部高電壓位準位址信號〜A1、 〜A2".〜A7及〜B1、〜B2···〜B7。此外，於來自選擇信號SEL1、 SEL2、...SEL6之各串列時序脈波期間，控制脈波係與選擇 信號SEL2及SEL5之時序脈波提供來繼續於正向移位。 15 於另一範例操作中，於一串列之6脈波期間，控制信號 CSYNC包括控制脈波重合選擇信號SEL1及SEL4之時序脈 波來設定位址產生器1000及1〇〇2於反向移位。控制脈波重 合選擇信號SEL1之時序脈波來設定位址產生器1〇〇〇於反向 移位。控制脈波重合選擇信號SEL4之時序脈波來設定位址 2〇 產生器1002於反向移位。 於次一串列6脈波中，控制信號CSYNC包括控制脈波 重合選擇信號SEL1、SEL3、SEL4及SEL6之時序脈波。重 合選擇信號SEL1及SEL4之控制脈波設定於位址產生器 1000及1002之移位方向為反向。重合選擇信號SEL3&SEL6 91 200536720 之控制脈波初始化位址產生器⑺⑻及⑺⑽來產生位址信號 〜A1、〜A2···〜A7及〜B1、〜B2·.·〜B7。重合選擇信號SEL3之 時序脈波之控制脈波初始化位址產生器1〇〇〇 ;重合選擇信 號SEL6之時序脈波之控制脈波初始化位址產生器1〇〇2。 5 於第三串列時序脈波期間，位址產生器1000產生位址 信號〜A1、〜A2···〜A7，其於選擇信號SEL1、SEL2及SEL3 之時序脈波期間為有效。有效之位址信號〜A1、〜A2...〜A7 用來致能於發射群l〇〇4a-l〇〇4c之發射群FG卜FG2及FG3之 列子群SG卜SG2及SG3之發射單元120供作動。於第三串列 10時序脈波期間，位址產生器1002產生位址信號〜B1、 〜B2···〜B7，其於選擇信號SEL4、SEL5&SEL6之時序脈波 期間為有效。有效之位址信號〜B1、〜B2...〜B7用來致能於 發射群1004d-1004f之發射群FG4、FG5及FG6之列子群 SG4、SG5及SG6之發射單元120供作動。 15 於反向操作於選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6之第三串 列時序脈波期間，位址信號〜A1、〜A2··.〜A7包括低電壓位 準信號其係對應於13位址之一，以及位址信號〜B1、 〜B2···〜B7包括低電壓位準信號其係對應於13位址中之該 同一位址。於得自選擇信號SEL卜SEL2、之為主各 20串列時序脈波期間，位址信號〜A1、〜A2…〜A7及位址信號 〜B1、〜B2···〜B7包括低電壓位準信號，其係對應於13位址 之該同一位址。各串列時序脈波為一位址時槽，故於各串 列時序脈波期間提供13位址之一。 於反向操作期間，位址13首先由位址產生器1000及 92 200536720 1002¼供，接著為位址12等等至位址1。於位址1之後，位 址產生器1000及1002提供全部高電壓位準位址信號〜A1、 〜A2···〜A7及〜B1、〜B2···〜B7。此外，於來自選擇信號SEU、 SEL2、…SEL6之各串列時序脈波期間，控制脈波係與選擇 5信號SEL1及SEL4之時序脈波提供來繼續於反向移位。 為了結束或阻止位址產生，控制信號CSYNC包括重合 k擇L號SEL1、SEL2、SEL4及SEL5之時序脈波之控制脈 波。如此清除於位址產生器1〇〇〇及1002之移位暫存器如移 位暫存器402。於控制信號CSYNC之恆常高電壓位準或一串 10 列咼電壓脈波也結束或阻止位址之產生；控制信號csynC 之怪常低電壓位準不會初始化位址產生器1〇〇〇及1〇〇2。 第14圖為時程圖，顯示位址產生器1〇〇〇及1〇〇2之正向 操作及反向操作。用來於正向移位之控制信號為 CSYNC(FWD) 1124,以及用來於反向移位之控制信號為 15 CSYNC(REV) 1126。於1128之位址信號〜A1、〜Α2 ·.〜八7係 由位址產生器1000提供且包括正向及反向操作之位址參 考。於1130之位址信號〜Β1、〜Β2···〜Β7係由位址產生器1〇〇2 k供且包括正向及反向操作之位址茶考。 選擇信號SEU、SEL2、...SEL6提供重複串列之6脈波。 20選擇信號SEL1、SEL2、SEL6各自包括於該串列6脈波中之 一個脈波。於一串列之重複串列6脈波中，於11〇〇之選擇信 號SEL1包括時序脈波11〇2，於1104之選擇信號SEL2包括時 序脈波1106，於11〇8之選擇信號SEL3包括時序脈波111〇， 於Π12之選擇信號SEL4包括時序脈波1114，於ι116之選擇 93 200536720 信號SEL5包括時序脈波1118以及於1120之選擇信號SEL6 包括時序脈波1122。 於正向操作，控制信號CSYNC(FWD) 1124包括於1104 重合選擇信號SEL2之時序脈波1106之控制脈波1132。控制 5 脈波1132設定位址產生器1002供於正向方向移位。此外， 控制信號CSYNC(FWD) 1124包括於1116重合選擇信號 SEL5之時序脈波1118之控制脈波1134。控制脈波1134設定 位址產生器1000供於正向方向移位。 修 於其次各重複串列之6脈波中，於1100之選擇信號SEL1 1〇 包括時序脈波1136，於1104之選擇信號SEL2包括時序脈波 1138，於1108之選擇信號SEL3包括時序脈波1140，於1112 之選擇信號SEL4包括時序脈波1142，於1116之選擇信號 SEL5包括時序脈波1144以及於1120之選擇信號SEL6包括 _ 時序脈波1146。 15 控制信號CSYNC(FWD) 1124包括與時序脈波1138重 合之控制脈波1148，來繼續設定位址產生器1〇〇2供於正向 # 移位，以及包括與時序脈波1144重合之控制脈波1152，來 繼續設定位址產生器1000供於正向移位。此外，控制信號 CSYNC(FWD) 1124於1108包括控制脈波1150，該控制脈波 20 1150係與選擇信號SEL3之時序脈波1140重合。控制脈波 1150於1128初始化位址產生器1000來產生位址信號〜A1、 〜A2···〜A7〇此夕卜，控制信號CSYNC(FWD) 1124於1120包括 控制脈波1154，該控制脈波1154係與選擇信號SEL6之時序 脈波1146重合。控制脈波1154於1130初始化位址產生器 94 200536720 1002來產生位址信號〜B1、〜Β2·.•〜π 0 於次一串列之6脈波或第三串列之6脈波，於1100之選 擇信號SEL1包括時序脈波1156，於11〇4之選擇信號SEL2包 括時序脈波1158，於1108之選擇信號SEL3包括時序脈波 5 1160，於1112之選擇信號SEL4包括時序脈波1162，於1116 之選擇信號SEL5包括時序脈波1164以及於1120之選擇信號 SEL6包括時序脈波丨丨66。控制信號csYNC(FWD) 1124包括 與時序脈波1158重合之控制脈波1168，來繼續設定位址產 ® 生器1002供於正向移位，以及包括與時序脈波1164重合之 10控制脈波1170,來繼續設定位址產生器1〇〇〇供於正向移位。 位址產生器1000於1128提供位址信號〜A1、 〜A2···〜A7。於正向操作初始化後，位址產生器1000及於 1128之位址信號〜A1、〜A2···〜A7於1172提供位址1。於1172 - 之位址1於選擇信號SEL6之時序脈波1146期間於1120維持 15 有效，且仍然維持有效直到於1112之於選擇信號SEL4之時 序脈波1162為止。於1172之位址1於1100、1104及1108之於 _ 選擇信號SEL1、SEL2及SEL3之時序脈波1156、1158及1160 期間為有效。 位址產生器1002於1130提供位址信號〜B1、 20〜B2···〜B7。於正向操作初始化後’位址產生器1〇〇2及於 1130之位址信號〜B1、〜B2···〜B7於1174提供位址1。於1174 之位址1於選擇信號SEL3之時序脈波1160期間於1108維持 有效，且仍然維持有效直到於1100之於選擇信號SEL1之時 序脈波1176為止。於1174之位址1於1112、1116及1120之於 95 200536720 選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波！】π、}} 6仏i i % 期間為有效。 於1128之位址信號〜Ai、〜A2···〜A7及於n3〇之位址信 號〜B1、〜B2···〜B7提供相同位址亦即於1172及1174之位址 5 1。位址1係於下述串列之6時序脈波期間提供，該串列時序 脈波係始於時序脈波1156而終於時序脈波1166，此乃位址i 之位址時槽。於次一串列之6脈波期間，始於時序脈波 1176，於1128之位址信號〜A1、〜Α2···〜Α7提供於1178之位 址2’以及於1130之位址信號〜31、〜；32...〜37也提供位址2。 10藉此方式位址產生器1000及1002於正向提供由位址丨至位 址13之各個位址。於位址13後，位址產生器1〇〇〇及1〇02再 度初始化而以相同方式再度循環通過各個有效位址。 於反向操作，控制信號CSYNC(REV) 1126包括於1100 重合選擇信號SEL1之時序脈波11〇2之控制脈波1180。控制 15 脈波1180設定位址產生器1000供於反向方向移位。此外， 控制信號CSYNC(REV) 1126包括於1112重合選擇信號 SEL4之時序脈波1114之控制脈波1182。控制脈波1182設定 位址產生器1002供於反向方向移位。 控制信號CSYNC(REV) 1126包括與時序脈波1136重合 20 之控制脈波1184，來繼續設定位址產生器1〇〇〇供於反向移 位，以及包括與時序脈波1142重合之控制脈波1188，來繼 續設定位址產生器1002供於反向移位。此外，控制信號 CSYNC(FWD) 1126於1108包括控制脈波1186，該控制脈波 1186係與選擇信號SEL3之時序脈波1140重合。控制脈波 96 200536720 1186於1128初始化位址產生為1000來產生位址信號〜A1、 〜A2···〜A7。此外，控制信號CSYNC(REV) 1126於1120包括 控制脈波1190，該控制脈波1190係與選擇信號SEL6之時序 脈波1146重合。控制脈波1190於1130初始化位址產生器 5 1002來產生位址信號〜B1、〜B2·.·〜B7。 控制信號CSYNC(REV) 1126包括與時序脈波1156重合 之控制脈波1192，來繼續設定位址產生器1〇00供於反向移 位，以及包括與時序脈波1162重合之控制脈波1194，來繼 續設定位址產生器1002供於反向移位。 10 位址產生器1〇〇〇於1128提供位址信號〜A1〜A7。於正向 操作初始化後，位址產生器1〇〇〇及於1128之位址信號〜A1、 〜A2···〜A7於1172提供位址13。於1172之位址13於時序脈波 1146期間變有效，且仍然維持有效直到時序脈波1162為 止。於1172之位址13於11〇〇、11〇4及11〇8之於選擇信號 15 SEU、SEL2及SEL3之時序脈波1156、1158及1160期間為有 效。 位址產生器1002於1130提供位址信號〜B1、 〜B2···〜B7。於反向操作初始化後，位址產生器1〇〇2及於 1130之位址化號〜B1、〜B2···〜B7於1174提供位址13。於1174 20之位址13於時序脈波1160期間維持有效，且仍然維持有效 直到時序脈波1176為止。於1174之位址13於1112、1116及 1120之於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波1162、 1164及1166期間為有效。 於1128之位址信號〜A1、〜Α2···〜Α7及於113〇之位址信 97 200536720 號〜B1、〜B2···〜B7提供相同位址亦即於1172及1174之位址 13。位址13係於下述串列之6時序脈波期間提供，該串列時 序脈波係始於時序脈波1156而終於時序脈波1166，此乃位 址13之位址時槽。於次一串列之6脈波期間，始於時序脈波 5 1176 ’於1128之位址信號〜Α1、〜Α2···〜Α7提供於1178之位 址12，以及於1130之位址信號〜Β1、〜Β2.··〜Β7也提供位址 12。位址產生器1〇〇〇及1〇〇2於反向提供由位址〇至位址}之 各個位址。於位址1後，位址產生器1〇〇〇及1〇〇2再度初始化 而再度循環通過各個有效位址。 10 第15圖為方塊圖顯示於一喷墨頭晶粒40之一位址產生 器1200、一閂鎖電路1202、及6發射群1204a-1204f之一具體 例。位址產生器1200係類似第9圖之位址產生器400，及發 射群1204a-1204f係類似第7圖所示發射群202a-202f。 位址產生器1200係經由位址線1206而電耦接至發射群 15 1204a-1204c及電耦接至閂鎖電路1202。此外位址產生器 1200係電耦接至控制線1210，控制線1210傳導控制信號 CSYNC給位址產生器1200。此外，位址產生器1200係電耦 接至選擇線1208a-1208f。選擇線I208a-1208f係類似第7圖 所示之選擇線212a-212f。選擇線I208a-1208f傳導選擇信號 2〇 SEU、SEL2、...SEL6給位址產生器1200，以及傳導給對應 之發射群1204a-1204f(圖中未顯示）。 選擇線1208a傳導選擇信號SEL1至位址產生器1200,該 選擇信號SEL1於一具體例為時序信號T6。選擇線1208a傳 導選擇信號SEL1至位址產生器1200，該選擇信號SELIM — 98 200536720 具體例為時序信號T6。選擇線1208b傳導選擇信號SEL2至 位址產生器1200，該選擇信號SEL2於一具體例為時序信號 T1。述擇線1208c傳導選擇信號SEL3至位址產生器12〇〇， 4¾擇仏號SEL3於一具體例為時序信號T2。選擇線i2〇8d 5傳導選擇信號SEL4至位址產生器12〇〇，該選擇信號SEL4於 一具體例為時序信號T3。選擇線I208e傳導選擇信號SEL5 至位址產生器1200，該選擇信號SEL5於一具體例為時序信 號T4，以及選擇線i2〇8f傳導選擇信號至位址產生器 1200，该選擇信號SEL6於一具體例為時序信號T5。 閂鎖電路1202係經由位址線1212而電耦接至發射群 1204a-1204f。此外，閂鎖電路1202係電耦接至選擇線12〇^ 及1208f及評估信號線1214。選擇線1208a及1208f接收選擇 k號SEL1及SEL6，且提供所接收之選擇信號seu&SEL6 給閂鎖電路1202。評估線1214傳導評估信號EVAL(評估信 15號EVAL類似選擇信號SEL1之反相）給閂鎖電路1202。此 外，閃鎖電路1202係電耦接至位址線12〇6，位址線12〇6傳 導位址信號〜A1、〜A2、…〜A7給閂鎖電路12〇2。一具體例 中’评估信號EVAL係於喷墨頭晶粒4〇由選擇信號SEL1、 SEL2、...SEL6而產生。 20 選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6提供一串列6脈波，如 就第13圖及第14圖之說明，係以重複6脈波之串列而重複。 控制信號CSYNC包括重合選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6 之脈波之脈波來初始化位址產生器12〇〇，以及設定於位址 產生态1200之移位方向及位址產生方向。 99 200536720 位址產生裔1200響應於選擇信號SELl、SEL2、...SEL6 及控制信號CSYNC而產生位址信號〜A;[、〜A2、…〜A7。位 址U虎〜A1、〜A2、.· 〜Α7經由位址線i2〇“提供給發射群 1204a 1204c。於位址產生器12〇〇，於與選擇信號8£以 、SEL2 5及SEL3之時序脈波相對應之時序信號刊、丁】及丁2之時序脈 波期間，位址信號〜A1、〜Α2、· 〜Α7為有效。控制信號 CSYNC包括一控制脈波，該控制脈波係與選擇信號之 時序脈波相對應之時序信號以之時序脈波重合，來設定位 址產生器1200於正向方向移位。控制信號⑽敗包括一控 制脈波，該控制脈波係與選擇信號㈣之時序脈波相_ 之時序信號T6之時序脈波重合，來設定位址產生器⑽於 反向方向移位。為了初始化由位址產生器1200產生位址， 控制《CSYNC包括-控制脈波，該控制脈波係與選擇信 唬SEL3之時序脈波相對應之時序信號T2之時序脈波重合。 15 閂鎖電路12〇2相對於接收位址信號〜A1、〜A2、·..〜八7、 廷擇_SEL1及SEL6、及評估信號EVAL而提供位址信號 〜B1、〜B2、.··〜B7。位址閃鎖12〇2於選擇信號肌工之時序 脈波期間接收有效位址信號〜A1、〜A2、···〜A7，且閃鎖於 有效位址信號〜A1、〜A2、…〜A7來提供位址信號〜m、 2〇〜Β2、·，·〜Β7。位址信號〜A卜〜A2、…〜A7及〜Bi、〜B2、〜的 係於一個位址時槽期間提供相同位址給發射群 l:〇4a-12〇4f。位址信號〜m、〜B2、〜B7經由位址線⑵2 提供給發射群l204c-1204f。位址信號〜B1、〜B2、··〜^了係 於選擇信號SEL3、SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波期間為 100 200536720 有效。 於一範例操作中，於一串列6脈波期間，控制信號 CSYNC包括重合選擇信號SEL5之時序脈波之一控制脈 波，來設定位址產生器1200於正向方向移位；或包括與選 5擇信號SEL1之時序脈波重合之一控制脈波，來設定位址產 生态1200於反向方向移位。位址產生器12〇〇於本串列6脈波 期間未被初始化，且於本例中提供全部高電壓位準位址信 號〜A1、〜A2、…〜A7。閂鎖電路1202閂鎖於高電壓位準位 址信號〜A1、〜A2、···〜A7，來提供高電壓位準位址信號 10 〜B1、〜B2、…〜B7 〇 於次一串列之6時序脈波期間，控制信號CSYNC：包括 與選擇信號SEL5或選擇信號SEL1之時序脈波重合之一控 制脈波來設定位址產生器12〇〇所選定之移位方向。此外， 控制信號CSYNC包括與選擇信號SEL3之時序脈波重合之 15 一控制脈波，來初始化位址產生器1200產生有效位址信號 〜A1、〜A2、…〜A7。於此第二串列之6脈波期間，位址產生 态1200提供全部高電壓位準之位址信號〜A1、〜a]、...〜， 以及閂鎖電路1202閂鎖於位址信號〜A1、〜A2、···〜A7來提 供全部高電壓位準之位址信號〜B1、〜B2、...〜B7。 20 於次一串列之6時序脈波期間，控制信號CSYNC包括 與選擇信號SEL5或選擇信號SEL1之時序脈波重合之一控 制脈波，來設定於位址產生器丨2〇〇所選擇之移位方向。於 此第三串列之6脈波期間，位址產生器12〇〇於來自選擇信號 SEL1、SEL2及SEL3之時序脈波期間提供有效位址信號 101 200536720 〜A1、〜A2、…〜A7包括低電壓位準信號。有效位址信號 〜A1、〜A2、…〜A7用來於1204a-1204c致能於發射群FG1、 FG2及FG3之列子群SGI、SG2及SG3之發射單元120發揮作 用。閂鎖電路1202閂鎖於有效位址信號〜A1、〜A2、...〜A7， 5 且提供有效位址信號〜B1、〜B2、…〜B7。閂鎖電路1202於 來自選擇信號SEL3、SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波期間 提供有效位址信號〜B1、〜B2、…〜B7。有效位址信號〜B1、 〜B2、…〜B7用來於1204c-1204f致能於發射群FG3、FG4、 FG5及FG6之列子群SG3、SG4、SG5及SG6之發射單元120 10 發揮作用。 於第三串列之得自選擇信號SEL卜SEL2、.._SEL6之時 序脈波期間，位址信號〜A1、〜A2、…〜A7包括與13位址之 一相對應之低電壓位準信號，以及位址信號〜、 〜B2、…〜B7包括與該13位址之同一個位址相對應之低電壓 15位準信號。於隨後各串列之得自選擇信號SEL1、 SEL2、...SEL6之6脈波期間，位址信號〜Ai、〜A2、...〜A7 及〜B1、〜B2、…〜B7包括與13位址之同一個位址相對應之 低電壓位準信號。各串列之時序脈波為一位址時槽，因此 於各串列之6脈波期間提供13位址之一。 20 於正向方向操作，首先由位址產生器1200及閂鎖電路 1202提供位址1，接著為位址2等等至位址13。於位址13後， 位址產生器1200及閂鎖電路1202提供全部皆為高電壓位準 之位址信號〜A1、〜A2、···〜A7及〜B1、〜B2、…〜B7。 於反向方向操作，首先由位址產生器12〇〇及閂鎖電路 102 200536720 1202提供位址13，接著為位址12等等至位址丨。於位址丨後， 位址產生裔1200及閂鎖電路12〇2提供全部皆為高電壓位準 之位址信號〜A1、〜A2、...〜A7及〜B1、〜B2、…〜B7。此外， 於各串列之得自選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6之6脈波期 5間，提供與選擇信號SEL5或SEL1之時序脈波重合之一控制 脈波來持續於該選定之方向移位。 第16圖為略圖顯示閂鎖暫存器1220之一具體例。閃鎖 電路1202包括7閂鎖暫存器，諸如閂鎖暫存器122〇。各個閂 鎖暫存裔122〇閃鎖於7位址信號〜A1、〜A2、···〜A7之一，且 ⑺ ^供相對應之被問鎖之位址信號〜B1、〜B2、…〜B7。閃鎖 暫存^§ 1220包括'一弟一閃鎖階段1222、一第二閃鎖階段 1224、及一閂鎖電晶體1226。第一閂鎖階段1222係於1228 電1¾接至閃鎖電晶體1226之汲極-源極路徑之一側，以及第 二閂鎖階段1224係於1230電耦接至閂鎖電晶體丨226之汲極 15 -源極路徑之另一側。閂鎖電晶體1226之閘極係電耦接至信 號線1208a，其傳導選擇信號SEL1給閂鎖電晶體丨226作為閂 鎖信號LATCH。 第一閂鎖階段1222包括一第一預充電電晶體1234、一 選擇電晶體1236、一位址電晶體1238及一位址節點電容器 20 1240。第一預充電電晶體1234之閘極係電耦接至第一預充 電電晶體1234之沒極，且電|馬接至一信號線i2〇gf，信號線 1208f傳導選擇信號SEL6給第一預充電電晶體丨234作為第 一預充電信號PRE1。第一預充電電晶體1234之源極係於 1228電耦接至閂鎖電晶體1226之汲極-源極路徑之一側，以 103 200536720 位址節點電容器⑽之—側。位址節點電容器 欣 “铡係電耦接至一參考電壓，諸如地電位。此外， 狄員充笔电晶體1234之源極係電耦接至選擇電晶體1236 =之一侧。選擇電晶體咖之沒極係電輕接 8a，該信號線1208a傳導選擇信號肌1給選擇 ^晶體1236 1擇電晶體1236之祕·源極路#之另_側係 ,接至位址電晶體1238找極·源極路徑之_側。位址電 曰·曰體1238之沒極_源極路徑之另一側係電耦接至參考電 10 15 20 " 电位位址電晶體1238之閘極係電輕接至位址 線1206之一。 第二閂鎖階段1224包括一第二預充電電晶體1246 #估電晶體1248、-經問鎖之位址電晶體125()、及_經閃 鎖^位址即點電容器1252。第二預充電電晶體㈣之間極 係電耦接至第二預充電電晶體1246之汲極，且電耦接至俨 線1208a其傳導選擇信號§]£1^給第二預充電電晶體1246 作^第二預充電㈣PRE2。第二預充電電晶體1246之源極 係包耦接至評估電晶體1248之汲極-源極路徑之一側以及 U禺接至經閃鎖之位址線1212之—。評估電晶體⑽之閑 極係電編妾至評估位址線⑵4。評估電晶體㈣之沒極-源 極路徑之另—側係電_至經關之位址電晶體1250之汲 極姻亟路徑。經_之位址電晶體125〇之沒極·源極路徑之 另側係笔輕接至參考電壓，諸如地電位。經閂鎖之位址 電晶體1250之閘極係於1230電耦接至閂鎖電晶體1226之汲 極•源極路徑。此外，經閃鎖之位址電晶體125〇之閘極係於 104 200536720 1230接至無閃鎖之位址節點電容器⑵2之—側。經問 貞 止節”、、占黾谷裔1252之另一側係電搞接至參考電壓， 諸如地電位。 第預充電電晶體1234係經由信號線1208a接收預充 5電信號PRE1，以及選擇電晶體1236係經由信號線12〇83接收 選擇信號SEL1。若選擇信號SEU係設定於低電壓位準，以 及預充^h^PRE1係設定於高電壓位準，則選擇電晶體 1236被截斷（非導通），以及位址節點電容器124〇經由預充電 電晶體1234充電至高電壓位準。 10 位址電晶體1238經由位址線1206接收位址信號〜A1、 〜A2、·.·〜A7之—。若接收得之位址信號〜A卜〜A2、...〜A7 係设定於高電壓位準，則位址電晶體1238被導通(傳導）；以 及若接收得之位址信號〜A1、〜A2、…〜A7被設定為低電壓 位準，則位址電晶體1238被截斷（非傳導）。當選擇信號SEL1 15變遷至高電壓位準時，選擇電晶體1236被導通。若位址電 晶體1238被導通，則位址節點電容器124〇放電至低電壓位 準。若位址電晶體1238為截斷且位址節點電容器1240被充 電至高電壓位準，則位址節點電容器1240未放電而維持於 該高電壓位準。 20 閂鎖電晶體1226係經由信號線1208a接收閂鎖信號 LATCH。若閂鎖信號LATCH係設定為高電壓位準，貝U閂鎖 電晶體1226被導通；若閂鎖信號LATCH被設定為低電壓位 準，則閂鎖電晶體1226為截斷。閂鎖電晶體1226被導通而 將位址節點電容器1240之電壓位準進送至經閂鎖之位址節 105 200536720 點電容器1252。位址節點電容器124〇之電容約比經問鎖之 位址節點電容器1252之電容大三倍，故當電荷介於位址節 點電容器1240與經問鎖之位址節點電容器1252間移動時， 充分高電壓位準或充分低電壓位準維持於電容器124〇及電 5 容器1252。 若當位址節點電容器1240經由第一預充電電晶體1234 而充電至高電壓位準時，閂鎖電晶體1226為截斷，則經閂 鎖之位址節點電容器12S2之電壓位準維持不變。位址節點 ® 電谷裔被預充電，而不影響閂鎖暫存器1220之第二閂 10鎖階段1224，包括經閂鎖之位址線1212上之經閂鎖之位址 仏號。右當位址郎點電容器1240經由第一預充電電晶I# 1234充電至高電壓位準時閂鎖電晶體1226為導通，則經問 鎖之位址節點電容器1252被充電至高電壓位準，以及經閂 \ 鎖之位址電晶體1250被導通。當位址節點電容器1240及經 15閂鎖之位址節點電容器1252經由第一預充電電晶體1234被 充電至高電壓位準時，第二閂鎖階段1224，包括經閃鎖之 • 位址線1212上之經閂鎖之位址信號於受影響。一具體例 中，閂鎖電晶體1226由第一閂鎖階段1222與第二閃鎖階段 1224間被去除。此外，經閂鎖之位址節點電容器1252可被 20 去除，以及位址節點電容器1240之電容值可降低，原因在 於位址節點電容器1240不再需要充電或放電經閂鎖之位址 節點電容器1252之故。本具體例中，位址節點電容器丨240 經由弟一預充電電晶體1234預充電，來導通於第二閃鎖階 段1224之經閂鎖之位址電晶體1250，位址節點電容器1240 106 200536720 之預充電並未與第二閂鎖階段1224隔開。 第二預充電電晶體·經由信號線12Q8a接收預充電 信號PRE2，評估電晶體1248經由評估信號線^%接收呷Z 信號EVAL。若評估信號EVAL設定為低電壓位準，且預充 電信號赃咖為高電壓位準，則評估電晶體⑽被截 斷，以及、㈣鎖之位址線1212經由第二預充電電晶體⑽ 而充電至高電壓位準。 閃鎖電晶體1226被導通來將位址節點電容器124〇之電 屋位準進送至經閃鎖之位址節點電容器1252。高電壓位: 1〇導通經閃鎖之位址電晶體125〇，以及低電壓位準截斷經閃 鎖之位址電日日日體125()。若鮮，鎖之位址電晶體咖被導 通，則評估信號EVAL設定為高電壓位準來導通評估電晶體 I248 ’以及放電經卩之位址信號至低電壓位準。若當評 估電晶體⑽為導通時經問鎖之位址電晶體⑽為截斷， 15則經閃鎖之位址線1212維持於高電壓位準。閃鎖電晶體 I226被截斷相鎖於關鎖之位址節點電容器⑵2之電堡 位準及經閂鎖之位址電晶體1250之狀態。 於閃鎖暫存器1220之-具體例之範例操作中，第—預 充包k唬PRE1、選擇信號SEL丨及閂鎖信號LATCH^設定為 2〇低電壓位準。此外，第二預充電信號pRE2被設定為低電壓 位準，以及評估信號£^!^被設定為高電壓位準。閂鎖信號 latch於低電壓位準，閂鎖電晶體1226被截斷來閂鎖於經 閂鎖之位址節點電容器1252之電壓位準，其設定經閂鎖之 位址電晶體1250之開關態。以評估信號EVAL設定於高電壓 107 200536720 位準，若經閃鎖之位址電晶體1250被導通’則評估電晶㈣ 1248被導通來放電該經閂鎖之位址信號。以預充電信號 PRE2設定為低電壓位準，經閃鎖之位址線1212之電壓位準 係對應於經閂鎖之位址電晶體1250之狀態。若經閂鎖之位 5 址電晶體1250為導通，則經閂鎖之位址線1212之經問鎖之 位址信號〜Β1、〜Β2、…〜Β7被主動驅動至低電壓位準。若 經閂鎖之位址電晶體1250為截斷，則經閂鎖之位址線1212 之經閂鎖之位址信號〜Β1、〜Β2、…〜Β7維持於經預充電之 高電壓位準。 10 第一預充電信號PRE1被設定於高電壓位準，來預充電 位址節點電容器1240至高電壓位準。當位址節點電容器 1240被充電至高電壓位準時，有效位址信號〜A1、 〜A2、…〜A7提供於位址線1206給位址電晶體1238。有效位 址信號〜A1、〜A2、…〜A7設定位址電晶體1238之開關態， 15 以及預充電信號PRE1於第一預充電時段結束時變遷至低 電壓位準。 其次’選擇信號SEL1、閂鎖信號LATCH及預充電信號 PRE2被設定為高電壓位準；以及評估信號eVAL被設定為 低電壓位準。選擇信號SEL1導通選擇電晶體1236，以及問 20鎖信號1^：1<：：11導通閂鎖電晶體1226。若信號線1206之有效 位址信號〜A1、〜A2、···〜A7係於高電壓位準，則位址電晶 體1238被導通，以及伋址節點電容器124〇及經閂鎖之位址 節點電容器1252被放電至低電壓位準。若信號線12〇6之有 效位址信號〜A1、〜A2、…〜A7係於低電壓位準，則位址電 108 200536720 晶體1238被截斷，以及位址節點電容器1240將經閃鎖之位 址節點電容器1252充電至高電壓位準。信號線1206接收之 有效位址信號〜A1、〜A2、…〜A7之反相信號儲存於電容器 1240及電容器1252。 5 經閂鎖之位址節點電容器1252之電壓位準設定緩問鎖 之位址電晶體1250之開關狀態。以評估信號EVAL設定為低 電壓位準以及預充電信號PRE2設定為高電壓位準，評估電 晶體1248被截斷，以及閂鎖位址線1212被充電至高電壓位 > 準。於選擇時段結束時，選擇信號SEL1、閂鎖信號Latch 10 及預充笔k就PRE2被設定為低電壓位準。以閃鎖作穿 LATCH於低電壓位準，閂鎖電晶體1226被截斷來閂鎖於經 閂鎖之位址電晶體1250之狀態。 其次，評估信號EVAL被設定為高電壓位準來導通評估 電晶體1248。若經閂鎖之位址節點電容器1252被充電至高 15電壓位準來導通經閂鎖之位址電晶體1250，則經閃鎖之位 址線1212放電至低電壓位準。若經閂鎖之位址節點電容器 ® 1252係於低電壓位準來截斷經閂鎖之位址電晶體Η%，則 經閂鎖之位址線1212維持充電至高電壓位準。如此，位址 仏號〜A1、〜A2、…〜A7之反相存在於經閂鎖之位址節點電 20容器1252，以及經閂鎖之位址節點電容器1252之電壓位準 之反相存在於經閃鎖之位址線1212作為被閃鎖之位址信號 〜B1、〜B2、··.〜B7。位址信號〜A1、〜A2、…〜八7被問鎖於 閂鎖暫存為1220，且提供作為經閂鎖之位址線1212之被閂 鎖之位址彳吕號〜B1、〜B2、…〜B7。當預充電信號pRE1變高 109 200536720 來充電位址節點電容器1240，且閂鎖電晶體1226被截斷 時’經閃鎖之位址信號〜m、〜B2、··〜以維持有效。當選 擇信號SEL1、閃鎖信號LATCH及預充電信號PRE2被設定為 回甩壓位準’以及評估信號EVAl被設定為低電壓位準時， 5經閃鎖之位址信號〜B1、〜B2、…〜B7變無效。
第17圖為時程圖顯示閂鎖暫存器122〇之一具體例之範 例才呆作。位址信號〜A1、〜A2、…〜A7 13〇〇於13〇2變遷。預 充電信號PRE1 1304於1306設定為高電壓位準經歷一時 段，指示於1308。於時段1308期間，選擇信號SEU 131〇 〇及閂鎖信1312被設定為低電壓位準來分別截斷 選擇電晶體1236及閂鎖電晶體1226。於1306之預充電信號 PRE1之高電壓位準經由預充電電晶體1234而充電位址節 點電容器1240。以閂鎖電晶體1226為截斷，經閂鎖之位址 節點電容器1252之電壓位準保持不變。此外，於時段13〇8 15期間，於1314之預充電信號PRE2係於低電壓位準，以及於 16之評估信號EVAL係於高電壓位準來導通評估電晶體 1248。於1318之經閃鎖之位址信號〜B1、〜Β2、· 〜Β7維持 不變。 位址信號〜Α1、〜Α2、…〜Α7 1300係由位址產生器12〇〇 2〇提供，於132〇變成有效位址信號〜Α卜〜Α2、·,·〜Α7。於132〇 之有效位址信號〜A：l、〜Α2、…〜Α7之-提供於信號線12〇6 來设疋位址電晶體1238之開關狀態。預充電信號ρ^Ει Bo# 於時段1308結束時變遷為低1322。 位址信號〜A1、〜A2、···〜A7削於下_時段期間（示 110 200536720 於I326)維持有效⑽。於時段⑽期間，預充電信號酬i 1304維持於低電壓位準；選擇信號§£1^ i3i〇變遷至高電壓 位準1328，閂鎖信號LATCH 1312變遷至高電壓位準丨33〇， 預充電信號PRE2 1314變遷至高電壓位準1332,以及評估信 5號EVAL1316變遷至高電壓位準1334。有效位址信號〜ai、 〜A2、…〜A7 1324設定位址電晶體1238之開關狀態。以選擇 信號SEL1 131〇設定於高電壓位準以及閂鎖信號latch 1312狀於高位準，位址節點電容H12懈經問鎖之 位址節點電容器1252之電壓位準係基於位址電晶體測之 1〇狀態決定。若位址電晶體1238係藉有效位址信號〜A1、 〜A2、…〜A7 13 24被導通，則位址節點電容器} 24〇及經閃鎖 之位址節點電容器1252被放電至低電壓位準。若 體㈣係藉有效位址信號〜A1、〜A2、.·〜A7 1324被截斷阳 則位址節點電容器1240及經問鎖之位址節點電容器HU維 15 持於高電壓位準。 以預充電彳§號？1^2 1314設定於高電壓位準1332以及 砰估“號EVAL 1316設定於低電壓位準1334，評估電晶體 1248被截斷，以及經閂鎖之位址線1212經由第二預充電電 晶體1246被充電至高電壓位準。當評估信號eval μ變遷 20為低電壓位準1334以及預充電信號PRE2 1314變遷為高電 壓位準1332時，經閂鎖之位址信號〜m、〜B2、...〜β7 於1336變遷為無效之經閂鎖之位址信號。於時段^%結束 時，選擇信號SEL1 1310於1338變遷至低電壓位準來截斷選 擇電晶體1236,閂鎖信號LATCH1312k134〇變遷至低電壓 111 200536720 位準來f斷閃鎖電晶體咖，以及預充電信號咖2 1314 = 342變遷至低電壓位準來停止經由預充電電晶體襲充 電經閃鎖之位崎1212。截_鎖電晶體咖，閃鎖於經 門鎖之位址即點電容器1252之電壓位準來導通或截斷經閂 5鎖之位址電晶體1250。
;人日守段（指示於1346)期間，評估信號EVAL 1316變 遷至:包壓位準1344。當評估信號eval MM於變遷至 咼黾二位準日守，經閂鎖之位址信號〜則、〜Η]、...〜B7 mg 包括經閃鎖之位址線1212之信號於1348變有效。由位址產 1〇生器1200提供之位址信號〜A1、〜A2、…〜A7 13〇〇於時段 1346期間維持有效。此外，位址信號〜Ah〜A2、···〜A7 1300 及經閃鎖之位址信號〜B1、〜B2、···〜Βγ 1：?18於接續之時段 (指示於1350)維持有效。 位址信號〜A1、〜Α2、"·〜Α7 13崎時段1354之起點變 15無效位址信號1352。此外，位址信號〜Α卜〜Α2、.〜Α713〇〇 於日(4曰示於1356)期間維持無效。經閂鎖之位址信號 〜Β1、〜Β2、···〜Β7於時段1354及時段1356期間維持有效。 位址仏號〜Α1、〜Α2、···〜Α7 1300於時段1360期間於 1358變遷，而變成有效位址信號〜Ai、〜Α2、...〜a? 1362。 2〇預充笔彳3號PRE1 13 04变遷為向電壓位準13 64，經問鎖之位 址信號〜Β1、〜Β2、…〜Β7於時段136〇期間為有效。時段136〇 係類似時段1308，且重複循環通過時段1326、1346、135〇、 1354及1356 。 本具體例中，該循環週期包括6時段諸如1326、1346 112 200536720 1350、1354、1356及 1360。位址信號〜A卜〜A2、··.〜A7 1300 為有效經歷3時段1326、1346及1350 ;經閂鎖之位址信號 〜B1、〜B2、...〜B7 1318為有效經歷4時段1350、1354、1356 及1360。位址信號〜A1、〜A2、…〜A7 1300及經閂鎖之位址 5 信號〜B1、〜B2、…〜B7 1318於時段1350期間皆為有效。當 經閂鎖之位址信號〜B1、〜B2、...〜B7 1318無效經歷2時段 諸如時段1326及1346時，閂鎖暫存器1220閂鎖於位址信號 〜A1、〜A2、…〜A7 1300。其它具體例中，一個循環週期之 時段數目可設定為任何適當時段數目，以及閂鎖電路12〇2 1〇可於2或2以上之時段閂鎖於位址信號〜A1、〜Α2、·〜Α7 1300 〇 第18圖為略圖，顯示單向移位暫存器單元14〇〇之一具 月丑例用於其它提供正向方向及反向方向位址之位址產生器 具體例。移位暫存器單元14〇〇包括第一階段其為輸入階 15段，以虛線指示於1402 ;以及包括一第二階段其為輸出階 奴，以虛線指示於1404。第一階段14〇2包括一第一預充電 電晶體1406、一第一評估電晶體1408及一輸入電晶體 141〇。第二階段1404包括一第二預充電電晶體1412、一第 一σ平估電晶體14丨4及一内部節點電晶體1416。 於。亥第一階段1402，第一預充電電晶體14〇6之閘極及 沒極喝極㈣之-側係妓接至第—預充電線剛。第一 預充兒線1418傳導第-預充電信號pRE1之時序脈波給移 y子-單元1400。第-預充電電晶體14〇6之汲極_源極路 徑之另-側係經由内部節點142〇而電麵接至第一評估電晶 113 200536720 版1408之及極-源極路徑之一側與内部節點電晶體μη之 閘極。内部即點142〇介於階段14〇2與14〇4間提供内部節點 信號SN給内部節點電晶體1416之閘極。 第ΰ平估電晶體1408之閘極係電耦接至第一評估信號 線I422其傳$第一評估信號evali之時序脈波給移位暫 存器單元1400。第一評估電晶體1408之沒極-源極路徑之另 -側係於1424電_至輸人電晶體141()之跡·源極路徑 之一側。輸入電晶體1410之閘極係電至輸入線⑷i。 輸入:曰曰體1410之汲極.源極路徑之另一側係於⑽電輕 10接至參考電位，諸如地電位。 、、 ^乐一頂兄電電晶體1412之閘極及 及極-源極馳之_側係電減至第二預充電線⑽。第二 預充電線1428傳導第-;百亡+ 蜍弟一預充電化號p RE 2之時序脈 位暫存器單元1400。 i、'“夕 15 20 ^ 弟一預充電電晶體1412之汲極_源極路 徑之另一側係電耗接 路經之-側及移位晶體141咖 ldl/1 存时輸出線143〇。第二評估電曰髀 叫之閘鋪_接至第二評純料1432 =體 坪估信號隱u給移位暫存器單元 平=弟二 1414之汲極源極路 #估電晶體 點+曰邮， 另—側係於〗434電耦接至内邻多々 之•源極路徑之-側。内部節點電:體 、極路徑之另-側係·6電_至::； 位，諸如地電位。内部^ 篸考電 内部節點信號SN用之極包括〜錯存 括儲存移位暫存哭單元^ 私位暫存器輸出線咖包 早兀輪出信號S〇之電容1440。 114 200536720 私位暫存态單元1400接收輸入信號SI，以及經由一串 列預充電操作及評估操作，移位暫存器單元测儲存該輸 入七號SI值作為輸出信號SQ。第―階段1術接收輸入信號 s 乂及儲存輸入化號SI之反相作為内部節點信號SN。第 卩白&1404接收内部節點信號SN，以及儲存内部節點信號 SN之反相作為輸出信號s〇。 才木作時，移位暫存器單元14〇〇接收第一預充電信號 PRE1之日才序脈波，其經由第一預充電電晶體1406，預充電 • 内部節點142°及内部節點信號SN至高電壓位準。其次，移 10位暫存器單元丨侧接收第—評估信MVAL1之時序脈波， ^ 坪估電晶體1408。若輸入信號SI係於低電壓位 準其截斷輸入電晶體141〇，則内部節點142〇及内部節點信 唬SN維持充電至高電壓位準。若輸入信號&係於高電壓位 - 準其導通輸入電晶體1410，則内部節點1420及内部節點信 15號放電至低電壓位準。 移位暫存器單元14〇〇接收第二預充電信號pRE2之時 籲 序脈波，其預充電輸出信號線143〇及輸出信號SO至高電壓 位準。於第二預充電信號PRE2之時序脈波之前，輪出線 1430可儲存有效輸出信號so。其次，移位暫存器單元14〇〇 20接收第二評估信號EVAL2之時序脈波，其導通第二評估電 晶體1414。若内部節點信號SN係於截斷内部節點電晶體 1416之低電壓位準，則輸出線1430及輸出信號SO維持充電 至咼電壓位準。若内部節點信號SN係於導通内部節點電晶 體1416之高電壓位準，則輸出線1430及輸出信號S〇放電至 115 200536720 低電壓位準。 圖’顯示位址產生器·，其使 =早w來於正向方向及反向方向提供他。位址產 生态1500包括一第一移位暫 一 5 仔1502、一弟二移位暫存哭 广、一第一邏輯電物6、—第二邏輯 二 向電路1510。 乃 10 第一移位暫存器15〇2係經由移位暫存器輸 ^-1512喊電_至第1輯跡移位暫存 =⑽彻咖独暫存賴信細取:邏 =路⑽分別作為邏輯電路輪人信號An•則。此外， 弟私位暫存器咖係電轉接至控制信號線咖，立傳 ^信號CSYNC給第—移位暫存器⑽。此外，第:移位 4器⑽接收來自時序信號加4之時序脈波。 15 20 移位暫存器15()2電_至第—時序信號線咖， 其傳輸時序信助給第—純暫存^地 ^號PRE1。第一妒办嶄六包 152“ ~ 曰存益1502係經由第—評估信號線 而电耦接至第-電阻器劃分網路1518 分網路1518係電耦接至第_ 信號T2給第ft 線22，其傳輸時序 咖姐衫1518。第1阻賴分網路 、^由弟-料㈣線⑽，提供較低電壓位準之 ^號給第-移位暫存器撕作為第—評估信號隱^。 移位暫接至第三信 ::信飢給第-移位暫存器简為第二預充電:號 。弟一移位暫存器15G2係經由第二評估信號線⑽而 116 200536720 /弟-電阻器劃分網路1526。第二電阻器劃分網路 1526係^接至第四時序信號線1別，其提供時序信號丁4 、口，μ阻②劃分網路1526。第二電阻器劃分網路1526經 第平估彳°唬線1528，提供較低電壓位準之丁4時序信號 ’口第/位暫存器15()2作為第二評估信號。 第私位暫存裔1504係經由移位暫存器輸出線 1532a-1532m而電_至第二邏輯電路15〇8。移位暫存器輸 10 15 20 出線1532a]532m傳輸移位暫存器輸出信號SOI-SOI3給邏 輯電路1·分別作為邏輯電路輸入信號aii3_紹。此外， 第-移位暫存器1504係電輕接至控制信號線⑸4，盆傳輸 控號CSYNc給第二移位暫存器屢。此外，第I移: 暫存器15〇4接收來自時序信號T1_T4之時序脈波。 第二移位暫存器1504係電㈣至第-時序信號線 ⑸6，其傳輸時序信油給第二移位暫存器簡作為第— 預充電信號㈣1。第二移位暫存器⑽係、電_至第一坪 估h虎線⑽，其傳輸較低電壓位準之如序信號給第二 移位暫存器1504作為第一評估作跋 〜 ”札唬EVAL1。第二移位暫存 為1504係電耦接至第三時序作 請n線1524，其傳輸時序信號 a弟-移位暫存器丨504作為第二預充電信獅啦。第二 移位暫存心_電減至第二評估錢線簡，盆料 減電壓位準之T4時序信號給第二移位暫存器15〇4作為第 一5平估k ^EVAL2。 方向電路⑽係經由正向方向信號線i54〇而電叙接至 第一移位暫存器㈣，以及經由反向方向信號線1542而電 117 200536720 搞接至第二移位暫存器測。正向方向信號線154〇傳輸正 向方向<°#bDIRF由方向電路151〇至第-移位暫存器脈。 反向方心说線1542傳輸反向方向信號dirr由方向電路 Μ /夕位暫存器1504。此外，方向電路1510係電耦 &制七錢1514，其傳輸控制信號CSYNC給方向電路 1510。此外，方a带 内兒路1510接收來自時序信號丁3-丁6之時序 脈波。
10 15 2〇 方向電路1510係電輕接至第三時序信號線1524，其傳 序信號T3給方向電路151〇作為第四預充電信號 ^方向電路Μ10係電減S第二評估信號線⑽，其 ^較低電壓位準之以時序信號給方向電路15_為第四 EVAL4。此外，方向電路151()係電㈣至第五時 一 V線1544 ’其傳輸時序信號T5給方向電路mo :預充電信號PRE3。此外，方向電路15_經由第三評估 ^虎線1548而電祕至第三電阻器劃分網路1546。第三電 =劃分網路1546係電_至第六時序信號線155G，其傳 雨日守序仏號T6給第三電阻器劃分網路1546。第 分網路Μ提供較低電壓位準之⑽序信⑽方向= 1510作為第三評估信號EVAL3。 第一邏輯電路1506係電库禺接至移位暫存器輸出線 l5l2a-1512m來接收移位暫存器輸出信號s〇1_s〇i3分別作 為輪入^#bAIl_AI13。此外，第一邏輯電路15()6係電輛接 至值址線1552a-1552g來分別提供位址信號〜ai、 〜八2、···〜A7。第二邏輯電路15嶋㈣接至移位暫存器輸 118 200536720 出線來接收移㈣存㈣幻㉔分 別作為輸人信號ΑΙ13·ΑΙ1。此外，第二邏輯電路测係電 _馬接至位址線 〜Α2、···〜Α7 〇 1552a_1552g來分別提供位址信號〜Α1
第一移位暫存器㈣及第-邏輯電路提供於位址 信號〜A!、〜A2、...〜人7之低電壓位準信號來如前文說明提 供！3位址。第-移位暫存器⑽及第—邏輯電路测提供 由位址i至位址13之於正向方向之13個位址。第二移位暫存 器测及第二邏輯電路測提供低電髮位準信號於位址信 號〜A1、〜A2、...〜A7，來提供由位址13至位址i之於反向方 向之i3個位址。方向電路傳輸方向信號磨及腿r， 該等信號致能第-移位暫存器15〇2於正向方向操作、或第 一移位暫存器1504之反向方向操作。 時序信號T1-T6提供於重複串列6脈波之一串列_ 波。各個時序信號丁印包括於該串列罐波中之一個脈 波’以及時序信號係以由時序信助至時序信號丁6 之順序來提供脈波。 第一移位暫存器15〇2包括13個移位暫存器單元，諸如 2〇移位暫存器單元刚。13個移位暫存器單元剛係串列電 馬接彳目移位暫存&單元丨彻之輸出線丨彻電_接至次 —個移位暫存器單元_之輸入線14U。串列中之第一移 位暫存器單元1400接收控制信號CSYNC作為輸入信號幻， 以^提供輸出㈣SQ1。下—個移位暫存器單元刚接收輸 L就SOI作為輸入信號81且提供輸出信號等等，直到 119 200536720 最末一個移位暫存器單元1400其接收前一個輸出信號8〇12 作為輸入信號si且提供輸出信號s〇13。 第一移位暫存器15 〇 2係經由接收與時序信號τ 2之時序 脈波重合之控制信號CSYNC之控制脈波而被初始化。響應 5於此，於S01提供單一高電壓位準信號。於隨後各串列6時 序脈波期間，第一移位暫存器15〇2移位單一高電壓位準信 號至下一個移位暫存器單元14〇〇，及移位暫存器輸出信號 S02-S013。單一高電壓位準信號由移位暫存器輸出信號 SOI移位至移位暫存器輸出信號S02等等直到移位暫存器 1〇輸出信號8〇13為止。於移位暫存器輸出信號S013已經被設 定至高電壓位準後，全部移位暫存器輸出信號8〇14〇13皆 被設定為低電壓位準。 第一邏輯電路1506係類似邏輯電路406(如第9圖所 不）。第一邏輯電路1506接收單一高電壓位準信號作為輸入 15信號AI1_AI13，且提供相對應之低電壓位準位址信號於位 址信號〜A卜〜A2、···〜A7。響應於高電壓位準輸入信號An， 第一邏輯電路1506提供位址1位址信號〜A1及〜八2於低電壓 位準。響應於高電壓位準輸入信號AI2,第一邏輯電路15〇6 k供位址2位址彳§ s虎〜A1及〜A3於低電壓位準等等，直到高 2〇電壓位準輸入信號AI13，且第一邏輯電路1506提供位址13 位址信號〜A3及〜A5於低電壓位準。 第二移位暫存器1504係類似第一移位暫存器15〇2。第 二移位暫存器1504響應於藉控制脈波（與時序信號T2之時 序脈波重合）初始化而提供單一高電壓位準信號作為移位 120 200536720 暫存器輸出信號s〇1。響應於隨後各串列之6脈波，高電壓 位準信號移位至下—個純暫存料元剛及移位暫存器 輸出MS〇2-S013。高電壓位準信號由移位暫存器輸出信 二純至&位暫存^輪出錢S Ο2等等直到移位暫存 ^，出UbS013為止。於移位暫存器輸出信娜⑽已經被 又疋至rj $£位準後’全部移位暫存器輸出信號犯i_s〇i3 皆被設定為低電壓位準。 第一遨輯電路1508係類似邏輯電路4〇6(如第9圖所 不）接收回電壓位準輸出信號S01-S013作為輸入信號 1〇 AI13-AI1。第二邏輯電路15〇8以由位址13至位址！之反向順 f提供13個位址。響應於被接收作為輸人信號“η之高電 壓位準#號S01，第二邏輯電路15〇8提供位址13之低電壓位 準位址信號〜A3及〜A5。其次，響應於被接收作為輸入信號 AI12之高電壓位準信號s〇2，第二邏輯電路15〇8提供位址 15 12之低電壓位準位址信號〜A3及〜A4等等直到響應於被接 收作為輸入信號All之高電壓位準信號son，第二邏輯電 路1508提供位址1之低電壓位準位址信號〜A1及〜A2。 方向電路1510係類似第10B圖之方向電路404。若方向 電路1510接收與時序信號T4之時序脈波重合之控制信號 20 CSYNC之控制脈波，則方向電路1510提供低電壓位準方向 信號DIRR&高電壓位準方向信號DIRF來於正向方向移 位，由位址1移位至位址13。若方向電路1510接收與時序信 號了6之時序脈波重合之控制脈波，則方向電路1510提供低 電壓位準方向信號DIRF及高電壓位準方向信號DIRR來於 121 200536720 反向方向移位，由位址13移位至位址i。 各個移位暫存器1502及1504包括一方向電晶體（圖中 未顯示）於該串列之移位暫存器單元14〇〇中之第一移位暫 存的單元1400方向電晶體係與輸入電晶體14ι〇串列設 5置，類似第10A圖所示於移位暫存器單元他中，方向電晶 體512與514之串聯_。方向電㈣係_接於輸入電晶 體1410之錄·源極路#與參考電位1426間。於料列移位 暫存器單元1400之第-移位暫存器單元剛之方向電晶體 | 仙類似第1GA®之移位暫存器單元彻&之方向電晶體犯 及514之方式操作。高電壓位準之方向信號dirfw腿導 通方向電晶體來致能移位暫存器咖或测，該等移位暫 存器15〇2或15〇4欲藉與時序信號丁2之時序脈波重合之控制 信號CSYNC之控制脈波初始化。低電壓位準之方向信號 DIRF或mRR截斷方向冑晶體來去能移位暫存器15〇2或 15 1504。 於正向插作，一串列6脈波中，方向電路151〇接收與時 • 序信號T4之時序脈波重合之控制信號CSYNC之控制脈 波，來於正向方向提供位址信號〜Ai、〜α2、· 〜Α7。高電 壓位準之方向^^dirf作動第-移位暫存器ls〇2，以及低 20私壓位準之方向“唬DIRR讓第二移位暫存器1504無法作 用。 於次一串列之6脈波中，控制信號CSYNC之控制脈波 係與時序信號T2之時序脈波重合提供。與時序信號T2之時 β脈波重合之控制脈波藉經由第-評估電晶體14()8、輸人 122 200536720 電晶體1410及方向電晶體（圖中未顯示）放電内部節點剛 而初始化第一移位暫存器1502。第二移位暫存器⑽由於 處於無作用狀態故不被初始化。 第私位暫存器1502提供單一高電壓位準輸出信號 5 SOI給第-邏輯電路15〇6，其提供位址1之位址信號〜^ϋ Α2…〜Α7。Ik後各串列之6脈波，移位該高電壓位準信 號至下-個移位暫存器輸出信號8〇2_^〇13。第_邏輯電路 1506接收各個高電壓位準之輸出信號s〇i_s〇i3，且提供位 • 址信號〜A卜〜A2、···〜A7之對應位址，由位至位址^。 H)於移位暫存器輸出信號Sq13變高後，全部移位暫存器輸出 信號S01-S013皆設定為低電壓位準，以及全部位址信號 〜A1、〜A2、…〜A7皆設定於高電壓位準。 於反向操作，-串列6脈波中，方向電路i5i〇接收與時 序信號T6之時序脈波重合之控制信號csync之控制脈 15波，來於反向方向提供位址信號〜M、〜A2、…〜A7。低電 壓位準之方向信號DIRF作動第—純暫存扣Μ，以及$ • 電壓位準之方向信號刪1讓第二移位暫存器15〇4無法作 用。 於次一串列之6脈波中，控制信號Csync之控制脈波 2〇係與時序信號T2之時序脈波重合提供。與時序信號τ2之時 序脈波重合之控制脈波藉經由第一評估電晶體剛、輸入 電晶體剛及方向電晶體（圖中未顯示）放電内部節點⑽ 而初始化第二移位暫存器1504。坌 土々 于叩 弟—移仅暫存器1502由於 處於無作用狀態故不被初始化。 123 200536720 第备位暫存為1504提供單一高電壓位準輸出信 SOI給第二邏輯雷 " 科兒路1508，其提供位址13之位址信號〜Ai、 A2 ··· A7。隨後各串列之6脈波，移位該高電壓位準信 號至下一個移位暫存器輸出信號S02-S013。第二邏輯電路 1508接收各個向電壓位準之輸出信號⑹Μου，且提供位 址U虎A卜〜Α2、· 〜Α7之對應位址，由位址^至位址1。 ;私位曰存杰輸出信號s〇1變高後，全部移位暫存器輸出信 號SOI S013皆投定為低電壓位準，以及全部位址信號 A1 A2、···〜A7皆設定於高電壓位準。 1〇 帛2G圖為略81，顯示—種位址產生H16GG，其使用移 位暫存器單元1400於一個移位暫存器1602來提供於正向方 向及反向方向之位址。位址產生器1600包括一移位暫存器 1602正向邏輯電路1604、一反向邏輯電路16〇6及一方 向電路1608。 15 隸暫存 而電編妾至正向邏輯電路16〇4及反向邏輯電路祕。移位 暫存器輸出線161〇a-161〇m提供移位暫存器輸出信號 S01-S013給正向邏輯電路16〇4分別作為輸入信號 All AI13移位暫存裔輸出線161〇心161〇仍提供移位暫存器 20輸出信號8〇14〇13給反向邏輯電路1606分別作為輸入传 號AI13-AI1。此外，移位暫存器16〇2係電耦接至控制信號 線1612,其提供控制信號(：8¥^〇：給移位暫存器16〇2。此外， 移位暫存器1602接收來自時序信號T1-T4之時序脈波。 移位暫存器1602係電耦接至第一時序信號線1614，並 124 200536720 提供時序信號τ 1給移位暫存器丨6〇2 ppPl 作為弟一預充電信號 PRE1。移位暫存器16〇2係經 〜 弟砰估信號線1618而電耦 10 15 20 =弟—電阻關分娜1616。第_電_财網路祕 係=接至第：時序㈣線咖，其傳輪時序信號η給第 1阻賴分纟腾祕。第1阻㈣仏财1616經由第 好子如錢⑹8提供較低電壓位準之了2時序信號給移位 :子心_為第一評估信細如。移位暫存器係 2接至帛三料信號線1622，其提供日铸料了3給移位 财器⑽2作為第二預充電信號PRE2。移位暫存器係 第二㈣信號線1626而電_至第二電阻_分網路 1624。第二電阻器·網路咖係電_至第四時序信號 線⑽，其傳輸時序信號T4給第二電阻器劃分網路測。 弟二電阻_分麟職料第二評储料祕提供較 低電壓位準之Τ4時序㈣給移位暫存器⑽料第二評估 信號EVAL2。 方向電路1608係經由正向方向信號線咖電搞接至正 向邏輯電路16〇4’以及經由反向方向信號線咖而電耗接 至反向邏輯電路腿。正向方向信號線163〇提供正向方向 «mRF由方向電路議至正向邏輯電路16〇4。反向方向 信號線1632提供反向方向信號DIRR由方向電路至反 向邏輯電路1606。此外’方向電路獅係電麵接至控制信 號線1612,其提供控制信奶資給方向電路刪。此外， 方向電路1608接收來自時序信號T3_T6之時序脈波。 方向電路·係電輕接至第三時序信號線，來接 125 200536720 收時序信號T3作為第四預充電信號咖4 二評估信號線1626來接收較低帝厣 电禺妾至第 第四評估信號EVAL4。此外，方^準之Τ4時序信號作為 五時序信號_4，其提供^ 年 才斤唬Τ5給方向電路1608作 為弟二預充電信號咖3。此外，方向電路刪翻乍 獅號線1638而嶋至第三電阻器劃分網路祕。； 2阻續分網路祕係電_至第六時序錢線⑽， 其提供時序錢Τ6給第三電阻_分網路脳。第三電阻 10 器劃分網路祕提供較低電壓位準之了6時序賴給方^ 路1608作為第三評估信號EVAL3。 私 正向邏輯電路1604係電輕接至移位暫存器輸出線 161〇a-1610m，來接收移位暫存器輸出信號奶1§〇13分別 作為輸入信號AI1-AI13。此外，正向邏輯電路祕係電柄 接至位址線1642a_1642g來分別提供位址信號〜^、 15〜A2、...〜A7。反向邏輯電路16〇6係電耦接至移位暫存器輸 出線1610a-1610m，來接收移位暫存器輸出信號S()1_s〇13 分別作為輸入信號AI1_AI13。此外，反向邏輯電路16〇6係 電耦接至位址線1642a-1642g來分別提供位址信號〜A1、 〜A2、···〜A7。 移位暫存器1602及正向邏輯電路1604及反向邏輯電路 1606提供低電壓位準信號於位址信號〜Ai、〜A2、…〜a?， 來如前文說明提供13位址。移位暫存器1602及正向邏輯電 路1604提供該13位址於由位址1至位址13之正向方向。移位 暫存器1602及反向邏輯電路1606提供該13位址於由位址13 126 200536720 之反向方向。方向電細8提供方向信號卿及 R，其作動正向邏輯電路刪執行正向操作或作動反向 邂幸耳电路1606執行反向操作。 曰日守序信號T1-T6提供-串列6脈波。各個時序传號n r 提料串列6脈波中之一個脈波，以及時序信號^6係以 由時序信號Τ1至時序信號Τ6之順序提供脈波。
10 15 口^位暫存器16G2包括13移位暫存器單元，諸如移位暫 存器單元_。Π個移位暫存n單元Μ嶋一電麵接， 其中-個移位暫存器單元剛之輸出線测係電耗接至下 個移位暫存器單元14〇〇之輸入線1411。串列中之第一個 私位暫存ϋ單it 1彻接收控制信號CSYNC作為輸入信號 SI’及提供輸出信號SOI。下-個移位暫存器單Μ働接收 輸出信號S01作為輸入信號81且提供輸出信號s〇2等等，直 到最末-個移位暫存器單幻權，其接收前_個輸出信號 S012作為輸入信號SI以及提供輸出信號s〇13。
移位暫存器1602係藉與時序信號T2之時序脈波重合之 控制信號CSYNC中之控制脈波來初始化。響應於此，單一 高電壓位準信號於S01提供。於隨後各串列之6時序脈波期 間移位暫存器16〇2移位該單一高電壓位準信號至下一個移 位暫存态單元14〇〇及移位暫存器輸出信號SQUOU。該單 一高電壓位準信號係由移位暫存器輸出信號S01移位至輪 出信號S02等等直到移位暫存器輸出信號s〇13。於移位暫 存器輪出信號S013已經被設定為高電壓位準後，全部移位 暫存器輸出信號S01-S013皆被設定為低電壓位準。 127 200536720 正向避輯電路16〇4係類似邏輯電路4〇6(如第9圖所 7F) jL向避輯電路16〇4接收該單一高電壓位準信號作為輸 ’以及提供對應之低電壓位準位址信號於 位址信號〜 〜A2、…〜A7。響應於高電壓位準輸入信號 5 AI1 ’正向避輯電路1604提供於低電壓位準之位址1位址信 號〜A1及〜A2。響應於高電壓位準輸入信號aI2，正向邏輯 私路1604提供於低電壓位準之位址2位址信號〜A1及〜A3等 等直到南電壓位準輸入信號AI13，以及正向邏輯電路1604 提供於低電壓位準之位址13位址信號〜A3及〜A5。 1〇 反向遴輯電路1606係類似邏輯電路406(如第9圖所 不）’分別接收高電壓位準之輸出信號s〇1-S〇13作為輸入信 號AI13-AI1。反向邏輯電路16〇6提供該13位址於由位址13 至位址1之反向順序。響應於接收作為輸入信號AI13之高電 壓位準信號SOI，反向邏輯電路16〇6提供於低電壓位準之位 15址13位址信號〜A3及〜A5。其次，響應於接收作為輸入信號 AI12之高電壓位準信號s〇2，反向邏輯電路16〇6提供於低 電壓位準之位址12位址信號〜A3及〜A54等等直到響應於接 收作為輸入信號All之高電壓位準信號S013，反向邏輯電 路1606提供於低電壓位準之位址丨位址信號〜A1及〜A2。 20 方向電路1608係類似第10B圖之方向電路404。若方向 電路1608接收與時序信號T4之時序脈波重合之控制信號 CSYNC之控制脈波’則方向電路1608提供低電壓位準方向 4吕號DIRR及尚電壓位準方向信號dirf來由位址1至位址13 於正向方向移位。若方向電路1608接收與時序信號丁6之時 128 200536720 序脈波重合之控制脈波，則方向電路咖提供低電麼位準 方向信號DIRF及高―位準方向信號贿來由位址取 位址1於反向方向移位。 一具體例中，邏輯電路刪及祕各自包括—方向電 5晶體位置串聯邏輯評估線預充電電晶體444。於各個邏輯電 路及1606方向電晶體之沒極-源極路徑係電麵接於邏 輯評估線預充電電晶體444之汲極·源極路徑與邏輯評估信 號線474間。於正向邏輯電路16〇4之方向電晶體之間極係電 | 雛至正向方向線丨⑽來接收正向方向信細rf。於反向 10邏輯電路1606之方向電晶體之間極係電轉接至反向方向線 1632來接收反向方向信細RR。另—具體例中，邏輯電路 1604及祕各自包括—方向電晶體位置串聯邏輯評估電晶 體440。於各個邏輯電路16G4及祕，方向電晶體之沒: 源極路徑係電耦接於邏輯評估電晶體44〇各自之汲極-源極 15 路徑與參考電位478間。 ’、 一具體例中，高電壓位準方向信號〇11^導通於正向邏 _ 肖電路16G4之方向電晶體，來讓時序信號T5之時序脈波充 電邏輯評估信號線474,其導通於正向邏輯電路16⑽之邏輯 烀估電晶體440來提供於正向方向之位址信號〜μ、 20〜A2、…〜A7。低電壓位準之方向信號以处截斷該方向電曰 體來讓正向邏輯電路16〇4無法作用。高電壓位準方向俨號 DIRR導通於反向邏輯電路i6〇6之方向電晶體，來讓時序俨 號T5之時序脈波充電邏輯評估信號線474，其導通於反向邏 輯電路1606之邏輯評估電晶體44〇來提供於反向方向之位 129 200536720 址信號〜A1、，、…〜A7。低電 斷於反向邏輯電路祕之該方向1/之方向信號DIR_ 1606無法作用 雙曰曰體來讓反向邏輯電路 於正向操作，於一串列6脈竣， 序信號T4之時序脈波重合 肖電路接收與時 波，供於正向方向之健 電壓位準之方向信號服F作動 ··· A7°冋 歐Μ、、隹+ 士 向邂輯電路1604，而低電 G位準之方向信號DIRR讓反向
10 15 、軻電路1606無法作用。 r由 串列之6脈波中，提供控制信號CSYNC之控制 脈波而與時序信號T2之時序脈 广α A。與時序信號T2之時 序脈波重合之控制脈波初始化移位暫存器腕。移位暫存 益驗提供單—高電壓位準之輪出信號咖給正向邏輯電 路^ ’其提供位址i位址信號〜A卜〜A2、…〜a?。也提供 控制信號CSYNC之-控制脈波，其係與時序信號η之時序 脈波重合來繼續於正向方向提供位址信號〜Μ、 〜A2、…〜A7。
於隨後各串列之6脈波，控制信號CSYNC之控制脈波 係與時序《Τ4之時序脈波重合提供來持續於正向方向提 供位址信號〜A1、〜A2、…〜A7。此外，於隨後各串列之6 20脈波，移位暫存器1602將高電壓位準信號由一個移位暫存 器輸出信號S01-S013移位至下一個移位暫存器輸出信號 S01-S013。正向邏輯電路1604接收各個高電壓位準之輸出 信號S01-S013，以及由位址1至位址13提供於位址信號 〜A1、〜A2、···〜A7之對應位址。於移位暫存器輪出信號s〇n 130 200536720 變高後，全部移位暫存器輸出信號_切13皆設定為低電 壓位準，以及全部位址信號〜A1、〜A2、 電壓位準。 .··〜A7皆設定為高
10 於反向操作，於-串列6脈波，方向電路刪接收與時 序信號T6之時序脈波重合之控制信號以實之控制脈 波，來提供於反向方向之位址信號〜A1、〜A2、…〜八了。低 電壓位準之方向信號DIRF讓正向邏輯電路刪無作用，以 及高電壓位準之方向信號DIRR作動反向邏輯電路祕。 於次-串列之6脈波中，提供控制信號csync之控制 脈波而與時序健了2之時序脈波重合。與時序信號T2之時 序脈波重合之控制脈波初始化移位暫存器觸。移位暫存 器驗提供單-高電壓位準之輸幻讀sm給反向邏輯電 路祕作綠人信號AI13j向邏輯電路祕提供位㈣ 15 位址信號〜A：l、〜A2、...〜A7。此外，提供控制信號以欺 之-控制脈波，錢與日铸域取時序脈波重合來繼續 ...〜A7 〇 於反向方向提供位址信號〜A1、〜A2
20 於隨後各串列之6脈波，控制信號CSYNC之控制脈波 係與時序㈣T6之時序脈波重合提供來持續於反向方向提 供位址#號〜A1、〜A2、..·〜A7。此外，於隨後各串列之6 脈波，移位暫存111602將高電壓位準信號由—個移位暫存 器輸出信號_補3移位至下—個移位暫存器輸出;號 S01-S013。反向邏輯電路1606接收各個高電壓位準之輸出 信號S01-S013，以及由位址13至位址！提供於位址信號 〜A卜〜A2、··.〜A7之對應位址。於移位暫存器輸出信號⑽ 131 200536720 變高後’全部移位暫存器輸出信號S〇1_S〇13皆設定為低電 壓位準，以及全部位址信號〜A1、〜A2、…〜A7皆設定為高 電壓位準。 第21圖為略圖顯示噴墨頭晶粒17〇〇之一具體例之範例 5佈局。噴墨頭晶粒1700包括6發射群i702a-1702f沿3個墨水 流體進給源（此處顯示為進給開槽17〇4、17〇6及17〇8)設置。 發射群1702a及1702d係沿墨水進給開槽17〇4設置，發射群 1702b及1702e係沿墨水進給開槽17〇6設置，以及發射群 , 1702c及1702f係沿墨水進給開槽17〇8設置。墨水進給開槽 10 1704、1706及1708彼此平行，且各自包括縱向係沿噴墨頭 曰曰粒1700之y方向延伸。一具體例中，墨水進給開槽口〇4、 1706及1708各自供給不同色墨水給發射群17〇2心17断之墨 滴產生為60。本具體例中，墨水進給開槽口⑼供給黃色墨 水’墨水進給開槽1706供給洋紅色墨水，以及墨水進給開 15槽1708供給彀青色墨水。#它具體例中，墨水進給開槽 1704、1706及1708供給同色或不同色之任何適當彩色墨水。 # 發射群17〇2a-1702f係劃分為8資料線群，指示於 D1-D8。各個資料線群m_D8包括得自各個發射群 1702a-1702f之經預《電之發射單元12〇。於_資料線群 2〇 m-D8之各個經預充電之發射單^2()係電減至二資料線 208a-208h。*料線群m(指示於mGa_i7i()f)包括電麵接至 資料線鳥之經預充電之發射單元12〇。資料線群m(指示 於1712a-1712f)包括電耦接至資料線2〇扑之經預充電之發 射單元120。資料線卿(指示於鼎㈣叫包括電麵魅 132 200536720 貧料線208c之經預充電之發 次 射早兀120。貧料線群^^ 於1716a-1716f)包括電鉍垃^ 一 V日不 ⑼接m_8d之經預充 射單元120。資料線群D5rit — # 、 不於 1718a_1718f)包括電 資料線職之經預充電之發射單元12〇。資料線群^ 於i720a-17_包括電轉接至資料線2之經預充電之^ 射單元12G。韻線物㈣Wf)包括電輕私 資料線啊之經預充電之發射單元1观及資料線群m(指 不於1724a_ 172叫包括電輕接至資料線2〇8h之經預充電: 10 發射單元i2〇。於噴墨頭晶粒^⑻之各個發射單元ι2〇只電 耦接至一資料線208a-208h。各資料線208心2〇8h係電耦接至 對應之資料線群DD 8之發射單元丨2 〇之全部資料電晶體 136之閘極。 發射群1 (FG1) 1702a係沿墨水進給開槽丨7〇4之半長設 置。墨水進給開槽1704包括沿噴墨頭晶粒17〇〇iy方向之相 15對兩側1704a&1704b。於噴墨頭晶粒1700之經預充電之發 射單元120包括屬於墨滴產生器60之一部分之發射電晶體 52。於FG1 1702a之墨滴產生器60係沿墨水進給開槽17〇4之 相對兩側1704a及1704b之各側設置。於FG1 1702a之墨滴產 生器60係流體輕合至墨水進給開槽1704來接收來自墨水進 20 給開槽1704之墨水。 於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示於 1710a、1714a、1718a及1722a)係沿墨水進給開槽1704之一 側1704a設置，以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產 生器60(指示於1712a、1716a、1720a及1724a)係沿墨水進給 133 200536720 開槽1704之一側1704b設置。於資料線群D1、D3、D5及D7 之墨滴產生器60(1710a、1714a、1718a及1722a)係設置於噴 墨頭晶粒1700之一側1700a與墨水進給開槽1704間，以及於 資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(指示於1712a、 5 1716a、172〇a及1724a)係沿墨水進給開槽17〇4與墨水進給開 槽1706間之喷墨頭晶粒1700之内側路由通道設置。一具體 例中，於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示 於1710a、1714a、1718a及1722a)係沿墨水進給開槽1704之 φ 一側1704a之縱向設置，以及於資料線群D2、D4、D6及D8 10之墨滴產生器60(指示於1712a、1716a、1720a及1724a)係沿 墨水進給開槽1704之對側1704b設置。於資料線群D1於 1710a之墨滴產生器60係與於資料線群〇2之於1712a之墨滴 產生器60相對。於資料線群D3於1714a之墨滴產生器60係與 於資料線群04之於1716a之墨滴產生器60相對。於資料線群 15 D5於1718a之墨滴產生器60係與於資料線群D6之於1720a 之墨滴產生器60相對；以及於資料線群〇7於1722a之墨滴產 _ 生器60係與於資料線群D8之於1724a之墨滴產生器60相對。 發射群4(FG4) 1702d係沿墨水進給開槽1704之長度之 另一半設置。於FG4 1702d之墨滴產生器60係沿墨水進給開 20 槽1704之相對兩側1704a及1704b設置，且流體耦合至墨水 進給開槽1704來接收來自墨水進給開槽17〇4之墨水。於資 料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示於1710d、 1714d、1718d及1722d)係沿墨水進給開槽1704之一側1704a 設置；以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器6〇(指 134 200536720 示於1712d、1716d、1720d及1724d)係沿墨水進給開槽1704 之對側1704b設置。於資料線群D1、D3、D5及D7之墨滴產 生器60(1710d、17Md、1718d及1722d)係設置於喷墨頭晶粒 1700之一側1700a與墨水進給開槽1704間；以及於資料線群 5 D2、D4、D6 及 D8 之墨滴產生器 60(1712d、1716d、l72〇d 及1724d)係沿介於墨水進給開槽1704與墨水進給開槽17〇6 間之喷墨頭晶粒1700之内側路由通道設置。一具體例中， 於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(17l〇d、 1714d、1718d及1722d)係沿墨水進給開槽1704 —側17〇如之 10 縱向設置；以及資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器 60(1712d、1716d、1720d及 1724d)係沿墨水進給開槽 17〇4 之對側1704b設置。於資料線群D1於1710d之墨滴產生器6〇 係與於資料線群D2於1712d之墨滴產生器60相對。於資料線 群D3於1714d之墨滴產生器60係與於資料線群D4於i7i6d 15之墨滴產生器60相對。於資料線群D5於1718d之墨滴產生器 60係與於資料線群D6於1720d之墨滴產生器60相對；以及於 資料線群D7於1722d之墨滴產生器60係與於資料線群Dg於 1724d之墨滴產生器60相對。 發射群2$02) 17021)係沿墨水進給開槽17〇6之半長設 20置。墨水進給開槽1706包括沿噴墨頭晶粒17〇〇ty*向之相 對兩側1706a及1706b。於FG2 1702b之墨滴產生器6〇係沿墨 水進給開槽1706之相對兩側n〇6a及1706b之各側設置。於 FG2 1702b之墨滴產生器60係流體耦合至墨水進給開槽 1706來接收來自墨水進給開槽1706之墨水。 135 200536720 於資料線群D1、D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示於 1710b、1714b、1718b及1722b)係沿墨水進給開槽1706之一 側1706b設置，以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產 生器60(指示於1712b、1716b、1720b及1724b)係沿墨水進給 5 開槽1706之一側1706a設置。於資料線群Dl、D3、D5及D7 之墨滴產生器60(1710b、1714b、1718b及1722b)係設置於墨 水進給開槽1706與墨水進給開槽1708間之内側通道設置， 以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(指示於 1712b、1716b、1720b及1724b)係沿墨水進給開槽1704與墨 10 水進給開槽1706間之噴墨頭晶粒1700之内側路由通道設 置。一具體例中，於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產 生器60(指示於171 Ob、1714b、1718b及1722b)係沿墨水進給 開槽1706之一側1706b之縱向設置，以及於資料線群D2、 D4、D6及D8之墨滴產生器60(指示於1712b、1716b、1720b 15 及1724b)係沿墨水進給開槽1706之對側1706a設置。於資料 線群D1於1710b之墨滴產生器60係與於資料線群D2之於 1712b之墨滴產生器60相對。於資料線群D3於1714b之墨滴 產生器6 0係與於資料線群D 4之於1716 b之墨滴產生器6 0相 對。於資料線群D5於1718b之墨滴產生器60係與於資料線群 20 D6之於P20b之墨滴產生器60相對；以及於資料線群D7於 1722b之墨滴產生器60係與於資料線群08之於丨724b之墨滴 產生器60相對。 發射群5(FG5) 1702e係沿墨水進給開槽1706之長度之 另一半設置。於FG5 1702e之墨滴產生器60係沿墨水進給開 136 200536720 槽1706之相對兩側H〇6a及1706b設置，且流體耦合至墨水 進給開槽1706來接收來自墨水進給開槽1706之墨水。於資 料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示於1710e、 1714e、1718e及1722e)係沿墨水進給開槽1706之一側1706b 5 設置；以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(指 示於1712e、1716e、1720e及1724e)係沿墨水進給開槽1706 之對側1706a設置。於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產 生器60(1710e、1714e、1718e及1722e)係設置於墨水進給開 槽1706與墨水進給開槽1708間之内側通道設置；以及於資 10 料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(1712e、1716e、 1720e及1724e)係沿介於墨水進給開槽1704與墨水進給開槽 1706間之噴墨頭晶粒1700之内側通道設置。一具體例中， 於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(1710e、 1714e、1718e及1722e)係沿墨水進給開槽1706—側1706b之 15 縱向設置；以及資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器 60(1712e、1716e、1720e及1724e)係沿墨水進給開槽1706之 對側1706a設置。於資料線群D1於1710e之墨滴產生器係 與於資料線群D2於1712e之墨滴產生器60相對。於資料線群 D3於1714e之墨滴產生器60係與於資料線群於171&之 20墨滴產生器60相對。於資料線群D5於1718e之墨滴產生器6〇 係與於資料線群D6於1720e之墨滴產生器60相對；以及於資 料線群D7於1722e之墨滴產生器60係與於資料線群D8於 1724e之墨滴產生器6〇相對。 發射群3(FG3) 1702(：係沿墨水進給開槽1708之半長設 137 200536720 置。墨水進給開槽1708包括沿喷墨頭晶粒Π00之y方向之相 對兩側1708a及1708b。於FG3 1702c之墨滴產生器60係沿墨 水進給開槽1708之相對兩側1708a及1708b之各側設置。於 FG3 1702c之墨滴產生器60係流體耦合至墨水進給開槽 5 1708來接收來自墨水進給開槽1708之墨水。 於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示於 1710c、1714c、1718c及1722c)係沿墨水進給開槽1708之一 側1708a設置，以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產 生器60(指示於1712c、1716c、1720c及1724c)係沿墨水進給 10 開槽1708之一側1708b設置。於資料線群Dl、D3、D5及D7 之墨滴產生器60(1710c、1714c、1718c及1722c)係設置於墨 水進給開槽1706與墨水進給開槽1708間之内側通道設置， 以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(指示於 1712c、1716c、1720c及1724c)係設置於喷墨頭晶粒1700之 15 一側1700b與墨水進給開槽1708間。一具體例中，於資料線 群D卜D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示於1710c、1714c、 1718c及1722c)係沿墨水進給開槽1708之一側1708a之縱向 設置，以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(指 示於1712c、1716c、1720c及1724c)係沿墨水進給開槽1708 20 之對側1708b設置。於資料線群D1於1710c之墨滴產生器60 係與於資料線群D2之於1712c之墨滴產生器60相對。於資料 線群D3於1714c之墨滴產生器60係與於資料線群D4之於 1716c之墨滴產生器60相對。於資料線群D5於1718c之墨滴 產生器60係與於資料線群D6之於1720c之墨滴產生器60相 138 200536720 對；以及於資料線群D7於1722c之墨滴產生器60係與於資料 線群D8之於1724c之墨滴產生器60相對。 發射群6(FG6) 1702f係沿墨水進給開槽1708之長度之 另一半設置。於FG6 1702f之墨滴產生器60係沿墨水進給開 5 槽1708之相對兩側1708a及1708b設置，且流體耦合至墨水 進給開槽1708來接收來自墨水進給開槽1708之墨水。於資 料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產生器60(指示於1710f、 1714f、1718f及1722f)係沿墨水進給開槽1708之一側1708a 設置；以及於資料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(指 10 示於1712f、1716f、1720f及1724f)係沿墨水進給開槽1708 之對側1708b設置。於資料線群Dl、D3、D5及D7之墨滴產 生器60(1710f、1714f、1718f及1722f)係設置於墨水進給開 槽1706與墨水進給開槽1708間之内側通道設置；以及於資 料線群D2、D4、D6及D8之墨滴產生器60(1712f、1716f、 15 172时及1724f)係設置於噴墨頭晶粒1700之一側1700a與墨 水進給開槽1708間。一具體例中，於資料線群D卜D3、D5 及D7之墨滴產生器60(1710f、1714f、1718f及1722f)係沿墨 水進給開槽1708—側1708a之縱向設置；以及資料線群D2、 D4、D6及D8之墨滴產生器6〇(1712f、1716f、1720f及 1724f) 20係沿墨水進給開槽Π〇8之對側1708b設置。於資料線群Dl 於171 Of之墨滴產生器6〇係與於資料線群D2於1712f之墨滴 產生器60相對。於資料線群D3於1714f之墨滴產生器60係與 於資料線群D4於1716f之墨滴產生器60相對。於資料線群D5 於1718f之墨滴產生器60係與於資料線群D6於1720f之墨滴 139 200536720 產生器60相對；以及於資料線群〇7於1722f之墨滴產生器60 係與於資料線群D8於1724f之墨滴產生器60相對。 墨水進給開槽1704與喷墨頭晶粒1700之一側1700a間 之墨滴產生器60屬於資料線群D1於1710a及1710d，D3於 5 1714a 及 1714d，D5 於 1718a 及 1718d 以及 D7 於 1722a 及 1722d。介於墨水進給開槽1708與喷墨頭晶粒1700之另一側 1700b間之墨滴產生器60係屬於資料線群〇2於1712c及 1712f、D4於 1716c及 1716f、D6於 1720c及 1720f 以及 D8於 1724c 及 1724f。如此，4資料線 208a、208c、208e 及 208g 係 10 路由於墨水進給開槽1704與喷墨頭晶粒1700之一側1700a 間，而非路由全部8資料線208a-208h。此外，4資料線208b、 208d、208f及208h係路由於墨水進給開槽17〇8與噴墨頭晶 粒1700之另一側1700b間，而非路由全部8資料線 208a-208h。 15 此外，介於墨水進給開槽1704與墨水進給開槽1706間 之墨滴產生器60係屬於資料線群D2於1712a、1712b、1712d 及1712e ; D4於1716a、1716b、1716d及1716e ; D6於1720a、 1720b、1720d及 1720e ;以及D8於 1724a、1724b、1724d及 1724e。此外，介於墨水進給開槽17〇6與墨水進給開槽1708 20間之墨滴產生器60係屬於資料線群D1於1710b、1710c、 1710e及1710f ; D3於1714b、1714c、1714e及1714f ; D5於 1718b、1718c、1718e及 1718f ;以及D7於 1722b、1722c、 1722e 及 1722f。如此，4 資料線 208b、2〇8d、208f 及 208h 係 介於墨水進給開槽1704與1706間路由，以及4資料線208a、 140 200536720 208c、208e及208g係介於墨水進給開槽17〇6與17〇8間路 由’而非全部8資料線208a-208h皆係介於墨水進給開槽 1704與1706間路由以及介於墨水進給開槽17〇6與17〇8間= 由。喷墨頭晶粒1700之尺寸因路由4資料線而非8資料線 5 208a-208h因而尺寸縮小。 一具體例中，噴墨頭晶粒1700包括6〇〇個墨滴產生器 60。6發射群1702a-1702f各自包括1〇〇個墨滴產生器6〇。於 各個發射群1702a-1702f之6資料線群包括13墨滴產生器 60 ;以及於各個發射群n〇2a-1702f之資料線群之二包括n 10墨滴產生器60。其它具體例中，噴墨頭晶粒17〇〇可包括任 何適當數目之墨滴產生器60，諸如400個墨滴產生器6〇或 600個以上之墨滴產生器60。此外，噴墨頭晶粒17〇〇可包括 任何適當數目之發射群、資料線群、及墨滴產生器6〇於各 發射群之資料線群。此外，噴墨頭晶粒可包括較少數或較 15 多數流體進給源。 笫22圖為略圖顯不育墨頭晶粒17〇〇之一具體例之範例 佈局之另一方面。噴墨頭晶粒1700包括資料線2〇8a-2〇8h、 發射線214a-214f、墨水進給源如墨水進給開槽17〇4、17〇6 及1708及6發射群17〇2a-1702f。此外，噴墨頭晶粒17〇〇包括 2〇 位址產生杰180〇a及1800b及兩組位址線集合11806g及 1808a-1808g。位址產生器1800a係電耦接至位址線 1806a-1806g，以及位址產生器180%係電耦接至位址線 1808a-1808g。位址線1806a-1806g係電耦接至發射群 1702a-1702c之列子群之經預充電之發射單元HQ;以及位址 141 200536720 線1808a-1808g係電耦接至發射群丨7〇2d_丨7〇2f之列子群之 經預充電之發射單元120。位址線1806a-1806g及 1808&-18088分別如前文對位址線2〇6心2068之說明，係電耦 接至列子群中之經預充電之發射單元120。 5 位址產生器WOOa及1800b係類似第13圖所示位址產生 器1000及1002。如此位址產生器i800a&1800b之適當具體 例可如第9-12圖所示實作。 位址產生器1800a及1800b經由位址線1806a-1806g及 1808a-1808g供給位址信號〜A1、〜A2、…〜A7及〜B1、 10〜B2、…〜B7給發射群I702a-1702f。位址產生器1800a係經 由位址線1806a-1806g供給位址信號〜A1、〜A2、…〜A7給發 射群1702a-1702c。位址產生器woob係經由位址線 1808a-1808g供給位址信號〜B1、〜B2、…〜B7給發射群 1702d-1702f。位址信號〜A卜〜A2、…〜A7係如同選擇信號 15 SEL1、SEL2及SEL3提供於選擇線212a-212c而由位址產生 器1800a提供給發射群n〇2a-1702c。位址信號〜B1、 〜B2、…〜B7係如同選擇信號SEL4、SEL5及SEL6提供於選 擇線212d-212f而由位址產生器i8〇〇b提供給發射群 1702d-1702f。於一次循環通過發射群n〇2a-1702f，位址產 2〇 生器1800a供給位址信號〜A1、〜A2、…〜A7給半數發射群 1702a-1702c ;以及位址產生器i8〇〇b供給位址信號〜B1、 〜B2、…〜B7給半數發射群I702d-1702f。一具體例中，位址 產生器1800a與1800b同步化來於一次循環通過發射群 1702a-1702f期間提供相同位址於位址線i806a-1806g及 142 200536720 1808a-1808g。於各次循環通過發射群17〇2a-1702f後，位址 產生器1800a及1800b改變位址信號〜Ai、〜A2、···〜A7及 〜B1、〜B2、…〜B7來定址於該13列子群順序中之接續次一 列子群。 位址產生器1800a及1800b係位於噴墨頭晶粒17〇〇之對 角。位址產生器1800a係位於由喷墨頭晶粒邊17〇〇1)及17〇(^ 所界限之角隅。位址產生器l800b係位於由喷墨頭晶粒邊 1700a及1700d所界限之角隅。 • 7位址線1806a-1806S係路由於墨水進給開槽17〇8與喷 1〇墨頭晶粒邊17〇〇b間，以及沿喷墨頭晶粒邊17〇〇(：路由至墨 水進給開槽1704與噴墨頭晶粒邊17〇〇a間。此外位址線 1806a-1806g係路由於墨水進給開槽丨7〇4與墨水進給開槽 Π06間以及路由於墨水進給開槽17〇6與墨水進給開槽i7〇8 • 間。位址線1806a_1806g係沿墨水進給開槽1704、1706及 15 1708長度之一半路由而電耦接發射群1702a-1702c之經預充 電之發射單元120。位址產生器18〇〇a&18〇〇b之佈局可改 ^ 變，且可用來經由縮短至發射單元12〇之信號路徑長度來提 高操作頻率。 7位址線1808a-1808g係路由於墨水進給開槽丨7〇4與噴 20墨頭晶粒邊170(^間，以及沿喷墨頭晶粒邊1700d路由至墨 水進給開槽1708與喷墨頭晶粒邊170%間。此外，位址線 1808a-1808g係路由於墨水進給開槽17〇4與墨水進給開槽 1706間以及路由於墨水進給開槽17〇6與墨水進給開槽17〇8 間。位址線1808a-1808g係沿墨水進給開槽17〇4、17〇6及 143 200536720 17〇8長度之另一半路由而電耦接發射群n〇2cM702f之經預 充電之發射單元120。 資料線208a、208c、208e及208g係路由於喷墨頭晶粒 邊170〇a與墨水進給開槽17〇4間，以及路由於墨水進給開槽 5 1706與墨水進給開槽Π〇8間。路由於喷墨頭晶粒邊i7〇〇a與 墨水進給開槽1704間之資料線208a、208c、208e及208g各 自電耦接至2發射群1702a及1702d之經預充電之發射單元 120。路由於墨水進給開槽1706與墨水進給開槽17〇8間之資 料線208a、208c、208e及208g各自係電耦接至4發射群 10 17〇2b、n〇2c、17〇2e及1702f之經預充電之發射單元12〇。 資料線208a係電_接至於1710之資料線群D1之經預充電之 务射單元120來提供資料信號〜D1。資料線2〇8c係電编接至 於1714之資料線群D3之經預充電之發射單元12〇來提供資 料信號〜D3。資料線208e係電耦接至於1718之資料線群D5 15之經預充電之發射單元12 〇來提供資料信號〜D 5以及資料線 2 〇 8 g係電耦接至於1722之資料線群D 7之經預充電之發射單 元120來提供資料信號〜D7。資料線2〇8a、2〇8c、2〇8e&2〇8g 接收資料信號〜D1、〜D3、〜D5及〜D7，以及提供資料信號 〜D1、〜D3、〜D5及〜D7給各個發射群I702a-1702f之經預充 20電之發射單元120。一具體例中，資料線2〇8a、208c、208e 及2〇8g未路由墨水進給開槽17〇4、17〇6及17〇8之全長。反 而各資料線2〇8a、208c、208e及208g只由發射群I702a-1702f 中隶接近負料線群之沿嘴墨頭晶粒1700旁側之連結概塾， 路由至其個別之資料線群。資料線208a及208c係沿喷墨頭 144 200536720 晶粒1700之侧邊1700c而電搞接至一連結襯墊，·以及資料線 208e及208f係沿喷墨頭晶粒丨700之側邊丨7〇〇d而電福接至 一連結襯墊。 資料線208b、208d、208f及208h係路由於墨水進給開 5槽1704與1706間，以及路由於墨水進給開槽1708與喷墨頭 晶粒側邊1700b間。路由於墨水進給開槽17〇4與17〇6間之資 料線208b、208d、208f及208h各自係電耦接至4發射群 1702a、1702b、1702d及1702e之經預充電之發射單元12〇。 • 路由於墨水進給開槽1708與喷墨頭晶粒側邊17〇〇b間之資 10料線2〇8b、208d、208f及208h各自係電耦接至2發射群17〇九 與1702f間之經預充電之發射單元12〇。資料線2〇讣係電耦 接至於1712之資料線群D2之經預充電之發射單元12〇來提 供資料信號〜D2。資料線2〇8d係電耦接至於1716之資料線群 D4之經預充電之發射單元12〇來提供資料信號〜D4。資料線 15 2〇8f係電耦接至於Π20之資料線群D6之經預充電之發射單 兀120來提供資料信號〜D6，以及資料線2〇8h係電耦接至於 ® 丨724之資料線群D8之經預充電之發射單元12〇來提供資料 信號〜D8。資料線208b、2〇8d、2〇8£及2〇811接收資料信號 〜D2、〜D4、〜D6及〜D8，以及提供資料信號〜D2、〜D4、〜D6 20及〜D8給各個發射群1702a-1702f之經預充電之發射單元 120。一具體例中，資料線2〇8b、208d、208f及208h未路由 墨水進給開槽1704、1706及1708之全長。反而各資料線 2〇8b、208d、2〇8f及208h只由發射群1702a-1702f中最接近 貢料線群之沿噴墨頭晶粒1700旁側之連結襯墊，路由至其 145 200536720 個別之資料線群。資料線20813及208(1係沿噴墨頭晶粒17〇〇 之側邊1700c而電耦接至一連結襯墊；以及資料線208f及 2〇811係沿喷墨頭晶粒1700之側邊1700d而電耦接至一連結 襯塾。 $通之發射線214a-214f係沿墨水進給開槽1704、1706 及1708來分別供給能信號HRE1、FIRE2...FIRE6給發射群 1702a-1702f。發射線214a_214f供給能量給導通之經預充電 之發射單元120之發射電阻器52，來加熱墨水及由墨滴產生 為60賀出墨水。為了由發射群1702a-1702f之各個墨滴產生 1〇器6〇均勻喷出墨水，對應之發射線214a-214f係經組配來均 勻供給能量給於發射群i7〇2a_丨7〇2f之各個發射電阻器52。 月έϊ變化為散逸通過發射群17〇2卜17〇;^之一中之任二 發射電阻器52之最大百分比差異。最高功率係出現於一發 射群1702a-1702f之第一發射電阻器52，亦即最靠近接收能 5 miREl、FIRE2...FIRE6之連結襯墊之該發射電阻器 2原口在於/、有單一發射電阻器52被供電。最低功率出 現於-1射群17G2a_17G2f之最末發射電阻n52，原因在於 於-列子群之全部發射電阻器52皆被作動。促成能量變化 之佈局包括發射線寬度、地線寬度、金屬厚度及發射線 14a 214f之長度i崎佈局及分類之—具體例說明且揭示 於同在審查中之吴國專利申請案第趣丛嫌號，名稱「流 體喷出裝置」，巾請日同本案轉與本案之受讓人，該案全 文内容以引用方式併入此處。以1〇%至15%之能變化為佳， 兩達20%之能變化為適當能變化。 146 200536720 發射群1702a-1702f及發射線2丨4a-214f係沿墨水進給 開槽1704、1706及1708佈局來達成適當能變化。於一發射 群1702a-1702f之經預充電之發射單元丨20係沿墨水進給開 槽1704、1706或1708之相對兩側設置。替代於一發射群 5 1702a-1702f之全部經預充電之發射單元12〇皆係沿墨水進 給開槽1704、1706或1708之一側之全長，於一發射群 1702a-1702f經預充電之發射單元12〇係沿墨水進給開槽 1704、1706或1708之相對兩側之各側之半長延伸。對應發 射線214a-214f之長度比較墨水進給開槽π〇4、1706及1708 10 之全長縮短為距墨水進給開槽1704、1706及1708之一側邊 之墨水進給開槽1704、1706或1708之半長。各發射線 214a-214f係設置於墨水進給開槽17〇4、1706或1708之兩 側，且電麵接於墨水進給開槽1704、1706或1708 —端來形 成實質上U字形之發射線214a-214f。實質上U字形之發射線 15 為沿墨水進給開槽1704、1706及1708全長之發射 線長度之有效長度之半。下表比較實質U字形發射線 214a-214f之能變化與直線發射線之能變化，亦即沿墨水進 給開槽1704、1706及1708—側邊全長延伸之發射線之能變 化。 20 147 200536720 列 發射群形狀 發射線寬度 地線寬度 晶粒見度 金屬厚度 %能變化 A 實質U字形 250微米 115微米 4200微米 360奈米 11% B 直線 250微米 115微米 4200微米 360奈米 52% C 直線 250微米 115微米 4200微米 1440奈米 (4x 厚） 36% D 直線 750微米 615微米 〜7200微米 360奈米 11% E 直線 515微米 380微米 〜5790微米 1140奈米 (4x 厚） 11% 如表中顯示，使用具有相同發射線、地線及晶粒寬度 之直線發射群，結果獲得較大且不當之能變化（11%相對於 52%)。經由增加金屬厚度4倍，來降低發射線電阻，可略為 5 改良能變化差異。但能變化仍然不適合（11%相對於36%)。 另外，為了降低於直線發射群排列之能變化至11%，增加 晶粒見度。 實質U字形之發射線214a-214f係電耦接至沿墨水進給 開槽1704、1706及1708之相對兩側之各側設置之經預充電 10 之發射單元I20。發射線214a係於1702a電编接至FG1之各個 經預充電之發射單元120。發射線214a係沿墨水進給開槽 1704之相對兩側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽 1704之一端延伸至墨水進給開槽1704之半長。發射線21如 於1702a供給能信號FIRE1及能脈波給FG1。 15 發射線2丨仆係於1702b電_接至FG2之各個經預充電 之發射單元120。發射線214b係沿墨水進給開槽丨7〇6之相對 兩側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽17〇6之一端延 伸至墨水進給開槽1706之半長。發射線2丨扑於1702b供給能 信號FIRE2及能脈波給FG2。 148 200536720 、务射線214c係於職電轉接至阳3之各個經預充電之 务射早兀120。發射線2⑷係沿墨水進給開槽测之相對兩 側之各側4置’且於以向由墨水進給開槽1观之—端延伸 至墨水進給開槽ms之半長。發射線μ於m2e供給能信 號F1RE3及能脈波給fg3。
發射線2Md係於17_電轉接至⑽之各個經預充電 之發射單元12〇。發射線洲係沿墨水進給開槽⑽之相對 兩側之各側設置’且於作向由墨水進給開槽⑽之一端延 伸至墨水進給開槽1：7〇4之半長。發射線叫你口⑽供給能 10信號FIRE4及能脈波給FG4。 發射線214e係於17心電耗接至FG5之各個經預充電之 發射單to 12G。發射線214e係沿墨水進給開槽m6之相對兩 側之各側δ又置，且於y方向由墨水進給開槽17〇6之一端延伸 至墨水進給開槽1706之半長。發射線214e於1702〇供給能信 15 號FIRE5及能脈波給FG5。 發射線214f係於i702f電耦接至FG6之各個經預充電之 發射單元120。發射線214f係沿墨水進給開槽17〇8之相對兩 側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽17〇8之一端延伸 至墨水進給開槽1708之半長。發射線2i4f於l702f供給能信 20 號FIRE6及能脈波給FG6。 第23圖為略圖顯示喷墨頭晶粒17〇〇之一具體例之一區 段1820之平面圖。該區段1820係位於墨水進給開槽1704與 1706間之通道，以及於1720a及1720b相鄰於資料線群D6。 該區段1820包括位址線1806a-1806g、發射線214a及214b及 149 200536720 資料線208b、208d、208f及208h。此外，區段1820包括交 叉連接線1822a-1822c。位址線1806a-1806g、資料線208b、 208d、208f及208h及發射線214a及214b係彼此平行設置， 且係平行於墨水進給開槽1704及1706之縱向設置。交叉連 5 接線1822a-1822c設置正交於墨水進給開槽1704及1706。 位址線 1806a-1806g及資料線208b、208d、208f及208h 為形成作為第一層金屬之一部分之導線。發射線214a及 214b為形成作為第二層金屬之一部分之導線，以及交叉連 接線1822a-1822c係形成作為複晶矽之一部分。複晶矽層係 10以第一絕緣層而與第一層金屬絕緣。第一層金屬係藉第二 絕緣層而與第二層金屬分開及絕緣。 位址線1806a-1806g係設置於發射線214a與214b間，讓 位址線1806a-1806g與發射線214a及214b不相重疊。沿墨水 進給開槽1704及1706縱向方向實質上全部位址線 15 1806a_1806g與發射線214a及214b之重疊實質上最小化，來 比較重疊之發射線214a及214b與位址線1806a-1806g間之串 擾’降低發射線214a及214b與位址線1806a-1806g間之串 擾。資料線208b、208d、208f及208h與發射線214a及214b 係沿墨水進給開槽1704及1706之縱向方向重疊。 20 位址線1806a-1806g接收來自板上位址產生器i8〇〇a之 位址信號〜A1、〜A2、…〜A7;以及資料線208b、208d、208f 及2〇8h接收來自外部電路之資料信號〜D2、〜D4、〜D6及 〜138。交又連接線1822a-1822c係經由複晶矽層與第一層金 屬間之通孔而電耦接至經選定之資料線208b、208d、208f 150 200536720 及208h或經選定之位址線18〇6a_18〇6g。交叉連接線 18223-1822(：接收信號，以及跨墨水進給開槽17〇4與17〇6間 之通道供給信號給個別經預充電之發射單元12〇。發射線 214a及214b接收來自外部電路之能信號FIRE1&FIRE2。 5 於區段1820之路由體系係用於墨水進給開槽1704與 1706間、墨水進給開槽1706與17〇8間、墨水進給開槽17〇4 與喷墨頭晶粒1700之一側i7〇〇a間、以及墨水進給開槽1708 與喷墨頭晶粒1700之另一側n〇〇b間。 φ 第2 4圖為略圖顯示喷墨頭晶粒190 0之一具體例之範例 10佈局。噴墨頭晶粒1900包括類似喷墨頭晶粒17〇〇之組成元 件之組成元件，以及對類似之元件使用類似之號碼。喷墨 頭晶粒1900包括資料線208a-208h、發射線214a-214f、墨水 進給開槽1704、1706及1708、以及6發射群示於 1702a-1702f。此外，噴墨頭晶粒1900包括位址產生器1902、 15 位址閃鎖1904、位址線1908a-1908g及經閃鎖之位址線 1910a-1910g。位址產生器1902係電耦接至位址線 φ 19〇8a-1908g，以及位址閂鎖1904係電耦接至經閂鎖之位址 線1910a-1910g。此外，位址產生器1902係經由互連線 1906a-1906g而電耦接至位址閂鎖1904。 20 位址產生器1902之一具體例係類似第15圖所示之位址 產生器1200。如此，位址產生器1902之適當具體例可如第 9-12圖所示而實作。 位址閂鎖1904屬於位址產生器之一具體例，可用來替 代喷墨頭晶粒1900之第二位址產生器。雖然位址產生器 151 200536720 1902係基於全部外部信號（例如C SYNC及時序信號τ丨_T6) 而產生位址，但位址閃鎖1904係基於接收得之由位址產生 器1902所提供之内部位址，以及基於外部時序信號來產生 位址。位址閂鎖1904之適當具體例係類似第15圖所摘閂鎖 5電路1202，閂鎖電路1202包括7閂鎖暫存器如閂鎖暫存器 1220，如第16圖及第17圖所示。 位址線1908a-1908g係電|馬接至發射群、17〇%及 發射群1702c之第一部分之經預充電之發射單元12〇。經閂 鎖之位址線1910a-1910g係電|馬接至發射群17〇2d_17〇2f^ 务射群1702c之第二部分之經預充電之發射單元12〇。發射 群1702c之第一部分係設置於墨水進給開槽17〇6與墨水進 給開槽1708間，且包括資料線群di、D3、D5及D7於1710c、 1714c、1718c及1722c。發射群i7〇2c之第二部分係設置於 墨水進給開槽1708與噴墨頭晶粒側面間，且包括資料 15 線群D2、D4、D6及D8於 1712c、1716c、17施及17施。發 射群1702c之第一部分包括於發射群17〇2c之經預充電之發 射單元120之一半，以及發射群17〇2c之第二部分包括於發 射群1702c之經預充電之發射單元12〇之另一半。位址線 1908a-1908g及經閂鎖之位址線191〇a-191〇g分別係如前文 〇對位址線206a_206g之說明而電耦接至列子群。換言之，如 同位址線206a係電耦接至列子群，位址線19〇8^191如係電 耦接至列子群；如同位址線2〇6b係電耦接至列子群，位址 線1908b/1910b係電耦接至列子群；等等直到如同位址線 2〇6g係電耦接至列子群，位址線19〇8§/191〇§係電耦接至列 152 200536720 子群。 位址產生器1902供給位址信號〜A1、〜A2、···〜A7給位 址閃鎖1904，及給發射群17〇2a、n〇2b、及發射群1702c之 第一部分。位址產生器1902係經由互連線1906a-1906g而供 5給位址信號〜A1、〜A2、…〜A7給位址閂鎖1904，以及經由 位址線1908a-1908g供給位址信號〜A1、〜A2、…〜A7給發射 群1702a、1702b、及發射群1702c之第一部分。位址線〜A1 係於互連線1906a及位址線1908a供給，位址線〜A2係於互連 線1906b及位址線19〇8b供給等等直到位址線〜A7係於互連 10 線1906g及位址線I908g供給。 位址閂鎖1904接收位址信號〜A1、〜A2、…〜A7，且供 給經閃鎖之位址信號〜B1、〜B2、···〜B7給發射群1702d-1702f 及發射群1702c之第二部分。位址閂鎖丨9〇4接收位址信號 〜A1、〜A2、…〜A7於互連線1906a-1906g上。接收得之信號 15〜A1、〜A2、…〜A7被閂鎖於位址閂鎖1904，位址閂鎖1904 供給對應之經閂鎖之位址信號〜B1、〜B2、…〜B7。經閂鎖 之位址信號〜B1、〜B2、…〜B7係經由經閃鎖之位址線 1910a-1910g而供給發射群1702d-1702f及發射群1702c之第 二部分。 2〇 位址閂鎖1904接收位址信號〜A1於互連線1906&上，且 閂鎖於位址信號〜A1來供給經閂鎖之位址信號〜B1於經閂 鎖之位址線1910a。位址閂鎖1904接收位址信號〜A2於互連 線1906b上，且閂鎖於位址信號〜A2來供給經閂鎖之位址信 號〜B2於經閂鎖之位址線191 Ob等等直到位址閂鎖1904接收 153 200536720 位址信號〜A7於互連線19〇6§上，且閃鎖於位址信號〜八7來 供給經閃鎖之位址信號〜B7於經閃鎖之位址線i9i〇g。 位址產生态1902供給有效位址信號〜Ai、〜A2、.〜A7 經歷三時段。於此三時段期間，選擇信號sel1、sel2&sel3 5分別供給發射群1702心1702c，每一時段供給一個選擇信號 SEL1、SEL2或SEL3。如同選擇信號SEU供給發射群 1702a ’位址閂鎖1904閂鎖於有效位址信號〜Ai、 〜A2、…〜A7。如同選擇信號SEL2供給發射群17〇2b，位址 | 閂鎖1904之輸出信號固定於有效經閂鎖之位址信號〜⑴、 10〜B2、…〜B7。如同選擇信號SEL3供給發射群17〇2c，有效 位址信號〜A1、〜A2、··.〜A7及有效經閃鎖之位址信號〜B1、 〜B2、…〜B7供給發射群1702c。位址閂鎖19〇4供給有效經 閂鎖之位址k號〜B1、〜B2、…〜B7經歷四時段。於此四時 段期間’選擇信號SEL3、SEL4、SEL5及SEL6分別供給發 15射群17〇2c-1702f ’每一時段供給一個選擇信號sel3、 SEL4、SEL5 或 SEL6。 ⑩ 位址產生器1902改變位址信號〜A1、〜A2、…〜A7來定 址於包含選擇信號SEL3之時段後13列子群之次一列子群。 新位址信號〜A1、〜A2、…〜A7於下一週期開始前以及包含 20远擇#號SEL1之該時段前為有效。於包含選擇信號之 時段後，位址閂鎖1904閂鎖於新位址信號〜Ai、 〜A2、…〜A7。經閂鎖之位址信號〜B1、〜：B2、…〜B7於次一 週期期間於包含選擇信號SEL3之時段之前為有效。 於通過發射群1702a-1702f之一個週期中，如同選擇信 154 200536720 號SEL1、SEL2及SEL3供給發射群17〇2a、17〇处及17心， 位址產生器供給位址信號〜A1、〜A2、···〜从給發射群 a、胤之第-部分。此外，如同選擇信號 SEL3、SEL4、SEL5及SEL6之供給發射群m2c_i7〇2f，經 問鎖之位址信號〜m、〜B2、··.，供給發射群i7〇2c之第二 部分及發射群17〇2cM7〇2f。位址產生器19〇2及位址閃鎖 i9〇4係於通過發射群1702a_1702f之一週期期間供給相同位 址於位址線1908a-1908g及經閃鎖之位址線191〇a_191〇g。
10 15
20 位址產生器1902係设置相鄰於位址閃鎖1904於由喷墨 頭曰a粒側邊1900b與f墨頭晶粒側邊19〇〇cm劃界之喷墨頭 晶粒1900之一個角隅。位址產生器19〇2與位址閂鎖19〇4彼 此相鄰，由位址產生器1902進送位址信號〜A卜〜A2、...〜A7 至位址閂鎖1904之可靠度比較經由較長的互連線 1906a-1906g進送位址信號〜A1、〜a2、〜Αγ之可靠度改良。 其它具體例中，位址產生器1902及位址閂鎖1904可設 置於育墨頭晶粒1900之不同位址。一具體例中，位址產生 器1902可設置於由喷墨頭晶粒側邊丨9〇〇|3與噴墨頭晶粒側 邊1900c所界限之該喷墨頭晶粒1900角隅，以及位址閂鎖 1904可設置於沿喷墨頭晶粒側邊190013之發射群17〇2〇與 1702f間。本具體例中，互連線i9〇6a-1906g用來供給位址信 號〜A1、〜A2、···〜A7給介於墨水進給開槽1708與噴墨頭晶 粒側邊1900b間之發射群1702C之第二部分。位址產生器 1902供給位址信號〜A1、〜A2、…〜A7給3發射群 1702a-1702c ;以及位址閂鎖19〇4供給經閂鎖之位址信號 155 200536720 〜B1、〜B2、···〜B7給3發射群 17〇2d_17〇2f。 該具體實施例中，7位址線19〇8a_1908g係沿喷墨頭晶 粒側邊1900c路由至墨水進給開槽丨7〇4與喷墨頭晶粒側邊 1900a間。此外，位址線1908a-1908g係路由於墨水進給開槽 5 1704與1706間，以及路由於墨水進給開槽1706與1708間。 位址線1908a-1908g係沿墨水進給開槽17〇4、17〇6及17〇8長 度之半長路由至與於發射群1702a、1702b、及發射群1702c 之第一部分之經預充電之發射單元12〇電耦接。 7經閃鎖之位址線1910a-1910g係沿墨水進給開槽1708 10與噴墨頭晶粒側邊1900b間之墨水進給開槽1708之全長路 由。經閂鎖之位址線1910a-1910g也沿噴墨頭晶粒側邊 1900d路由至墨水進給開槽17〇4與喷墨頭晶粒側邊19〇〇a 間。此外，經閃鎖之位址線191〇a-191〇g係路由於墨水進給 開槽1704與1706間，以及路由於墨水進給開槽17〇6與17〇8 15間。位址線1910a-1910g係沿墨水進給開槽1708與喷墨頭晶 粒側邊1900b間之墨水進給開槽17〇8之全長路由，以及沿墨 水進給開槽17〇4、1706及1708之長度之另一半長路由，來 與發射群1702(:之第二部分以及發射群1702d、1702e及1702f 之經預充電之發射單元120電耦接。 2〇 貧料線208a、208c、208e及208g係路由於喷墨頭晶粒 邊1900a與墨水進給開槽17〇4間，以及路由於墨水進給開槽 1706與墨水進給開槽1708間 。路由於噴墨頭晶粒邊1900a與 墨水進給開槽Π04間之資料線208a、208c、208e及208g各 自電搞接至2發射群1702a及1702d之經預充電之發射單元 156 200536720 120。路由於墨水進給開槽17〇6與墨水進給開槽間之資 料線施、2.、及2Q8g各自係電編妾至4發射群 1702b、17G2e、17G2eA1肅之經預充電之發射單元心 資料線2〇8a係電耦接至於1710之資料線群Di之經預充電之 5發射單兀120來提供資料信號〜D1。資料線208c係電耦接至 於Π14之資料線群03之經預充電之發射單元12〇來提供資 料信號〜D3。資料線208e係電耦接至於1718之資料線群D5 之經預充電之發射單元120來提供資料信號〜D5以及資料線 2〇8g係電耦接至於1722之資料線群D7之經預充電之發射單 10元120來提供資料信號〜D7。資料線208a、208c、208e及208g 接收資料信號〜Dl、〜D3、〜D5及〜D7，以及提供資料信號 〜D1、〜D3、〜D5及〜D7給各個發射群1702a]7〇2f之經預充 電之發射單元12〇。一具體例中，資料線2〇8a、2〇8c、2〇8e 及208g未路由墨水進給開槽1704、1706及1708之全長。反 15 而各資料線208&、208(：、2086及208§只由發射群1702&-1702€ 中最接近資料線群之沿喷墨頭晶粒1900旁側之連結襯墊， 路由至其個別之資料線群。資料線2〇8a及208c係沿喷墨頭 晶粒1900之側邊1900c而電_接至一連結襯墊；以及資料線 208e及208f係沿喷墨頭晶粒1900之側邊1900d而電耦接至 2〇 —連結襯塾。 資料線208b、208d、208f及208h係路由於墨水進給開 槽1704與17〇6間，以及路由於墨水進給開槽1708與喷墨頭 晶粒側邊1900b間。路由於墨水進給開槽1704與1706間之資 料線208b、208d、208f及208h各自係電耦接至4發射群 157 200536720 1702a、1702b、 、1702d及1702e之經預充電 S欠i你;祍4人b曰丄,L 之發射單元120。
元120來提供資料信號〜D6， 畔線群D6之經預充電之發射單 以及資料線2〇8h係電耦接至於 1〇 1724之資料線群D8之經預充電之發射單元㈣來提供資料 信號〜D8。資料線2〇8b、2〇8d、2〇8f及2〇卟接收資料信號 〜D2、〜D4、〜D6及〜D8，以及提供資料信號〜以、〜D4、〜D6 及D8給各個發射群17〇2a-17〇2f之經預充電之發射單元 120。一具體例中，資料線2〇8b、208d、208f及208h未路由 15墨水進給開槽1704、1706及1708之全長。反而各資料線 208b、208d、208f及208h只由發射群i702a-1702f中最接近 資料線群之沿噴墨頭晶粒1900旁側之連結襯墊，路由至其 個別之資料線群。資料線2〇8b&2〇8d係沿喷墨頭晶粒19〇〇 之側邊190〇c而電耦接至一連結襯墊；以及資料線2〇8f及 20 20811係沿噴墨頭晶粒1900之側邊1900d而電耦接至一連結 襯墊。 導通之發射線214a-214f係沿墨水進給開槽1704、1706 及1708來分別供給能信號HRE1、F1RE2...FIRE6給發射群 1702a-1702f。發射線214a-214f供給能量給導通之經預充電 158 200536720
之發射單元120之發射電阻
〜合個發射電阻器52。 化為散逸通過發射群1702a-1702f之一中之住二 一中之你二
10現於一發射群1702a_1702f之最末發射電阻器52，原因在於 於一列子群之全部發射電阻器52皆被作動。促成能量變化 之佈局包括發射線寬度、地線寬度、金屬厚度及發射線 214a-214f之長度。以1〇。/。至15%之能變化為佳，高達2〇%之 能變化為適當能變化。 15 發射群H02a-1702f及發射線214a-214f係沿墨水進給 開槽1704、1706及1708佈局來達成適當能變化。於一發射 群1702a-1702f之經預充電之發射單元120係沿墨水進給開 槽1704、1706或1708之相對兩側設置。替代於一發射群 1702a-1702f之全部經預充電之發射單元120皆係沿墨水進 20 給開槽1704、1706或1708之一側之全長，於一發射群 1702a-1702f經預充電之發射單元120係沿墨水進給開槽 1704、1706或1708之相對兩側之各側之半長延伸。對應發 射線214a-214f之長度比較墨水進給開槽1704、1706及1708 之全長縮短為距墨水進給開槽丨7〇4、1706及1708之一側邊 159 200536720 之墨水進給開槽1704、1706或1708之半長。各發射線 214a-214f係設置於墨水進給開槽17〇4、17〇6或17⑽之兩 側，且電耦接於墨水進給開槽17〇4、17〇6或17〇8_端來形 成實質上U字形之發射線214a-214f。實質上U字形之發射線 5 214a-214f為沿墨水進給開槽17〇4、17〇6及17〇8全長之發射 線長度之有效長度之半。下表比較實質U字形發射線 214a-214f之能變化與直線發射線之能變化，亦即沿墨水進 給開槽1704、1706及1708—側邊全長延伸之發射線之能變 化。 列
A C 發射群形狀 實質U字形 直線 直線 直線 直線 發射線寬度 250微米 250微米 250微米 750微米 515微米 地線寬度 115微米 115微米 115微米 615微米 380微米 晶粒免度 4200微米 4200微米 4200微米 。7200微米 -5790微米 金屬厚度 360奈米 360奈米 1440奈米 360奈米Π40Ϊ5Γ (4x 厚） %能變4匕 11% 52% 36% 11% 11%
10 如表中顯示，使用具有相同發射線、地線及晶粒寬度 之直線發射群，結果獲得較大且不當之能變化（11%相對於 52/。）。經由增加金屬厚度*倍，來降低發射線電阻，可略為 改良能變化差異。但能變化仍然不適合（11%相對於36%)。 另外’為了降低於直線發射群排列之能變化至11%，增加 15 晶粒寬度。 實質U字形之發射線214 a - 214 f係電耦接至沿墨水進給 開槽1704、1706及1708之相對兩側之各側設置之經預充電 之發射單元120。發射線214a係於1702a電耦接至FG1之各個 160 200536720 經預充電之發射單元12〇。發射線214a係沿墨水進給開槽 1704之相對兩側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽 1704之一端延伸至墨水進給開槽1704之半長。發射線214a 於1702a供給能信號FIRE1及能脈波給FG1。 舍射線214b係於1702b電_接至FG2之各個經預充電 之發射單元120。發射線214b係沿墨水進給開槽17〇6之相對 兩側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽17〇6之一端延 伸至墨水進給開槽1706之半長。發射線21仆於17〇213供給能 信號FIRE2及能脈波給FG2。 發射線214c係於1702C電耦接至FG3之各個經預充電之 發射單元120。發射線214c係沿墨水進給開槽丨7〇8之相對兩 側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽17〇8之一端延伸 至墨水進給開槽1708之半長。發射線214c於17〇2〇供給能信 就FIRE3及能脈波給FG3。 發射線214d係於1702d電耦接至FG4之各個經預充電 之發射單兀120。發射線214d係沿墨水進給開槽丨7〇4之相對 兩側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽17〇4之一端延 伸至墨水進給開槽1704之半長。發射線214d於17_供給能 信號FIRE4及能脈波給FG4。 發射線214e係於1702e電輕接至FG5之各個經預充電之 發射單兀12G。發射線214e係沿墨水進給開槽丨屬之相對兩 側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽测之一端延伸 至墨水進給龍17G6之半長。發㈣2l4e^i7Q2e供給能信 號FIRE5及能脈波給FG5。 161 200536720 發射線214f係於1702f電I馬接至FG6之各個經預充電之 發射單元120。發射線214f係沿墨水進給開槽17〇8之相對兩 側之各側設置，且於y方向由墨水進給開槽17〇8之一端延伸 至墨水進給開槽1708之半長。發射線2l4f於1702f供給能信 5 號HRE6及能脈波給FG6。 雖然第21圖至第24圖為佈局圖顯示於該喷墨頭晶粒上 之位址產生器及/或位址閂鎖，但位址信號也可由一外部來 源提供。若位址信號係由外部來源提供，則位址產生器及/ 或位址閃鎖無需设置於f墨頭晶粒上。此種情況下，第21 10圖至第24圖所示佈局圖確切完全相同。 麥照第25A圖及第25B圖，顯示撓曲電路2〇〇2之接觸區 2000之略圖，这接觸區2〇⑻可用來搞接外部電路至一喷黑 頭晶粒40。接觸區2〇〇〇係經由傳導路徑2〇〇4耦接至接點 2006，而提供耦接至噴墨頭晶粒。 15 致能線接觸區E〇-E6係組配來接收得自外部來源之致 能信號，以及提供該等致能信號，例如選擇信號 SEL1-SEL6、預充電信號pRE1_pRE6、及latch信號但 須注意參照第4_8圖及第1U4圖所述各線路與接觸區E0_E6 間之關係無需為—對—關係，例如信號PRE1無需提供於接 2〇觸區E0。只要求適當選擇線及適當預充電線係耗接至 致能接觸區即可。 田 貧料線接觸區Dl指經組配來接收信號，該信 代表欲列印之影像之列印資料，以及分別提供資料= m-m給個別資料線群，例如f料線群m孙發射線_ 162 200536720 區F1-F6係組配來接收能脈波，以及沿發射線 供能脈波給適當發射群，例如發射群2〇2a_2〇2f及 17 02 a -17 02 f。地線接觸區G D1 - G D 6係組配來提供下述信號 之回路路徑，該等信號係藉發射電阻器由發射群例如發射 5群202a-202f^發射群1702a_1702f所傳輸之信號。控制信號 接觸區C係組配來接收信號用於控制噴墨頭晶粒之内部操 作，例如接收CSYNC信號。 溫度感應電阻器接觸區TSR允許耦接至喷墨卡匣之印 表機基於電阻器之測量值來判定喷墨頭晶粒之溫度。溫度 1〇感應電阻器回路接觸區TSR-RT對TSR提供之信號提供回路 路徑。利用溫度感應電阻器之適當方式係說明於共同審查 中之美國專利申請案。 識別位元接觸區ID係耦接至噴墨頭晶粒上之識別電 路，其允許印表機決定該噴墨頭晶粒及列印卡匣之操作參 15 數。 一具體例中，接觸區2〇〇〇與經預充電之發射單元12〇 間之電氣路徑包含傳輸路徑2004、接點2〇〇6、及適當信號 線如資料線208a-208h、預充電線21〇a-210f、選擇線 212a-212f或地線。須注意預充電線21〇a-21〇f及選擇線 20 212心212[可耦接至致能線接觸區E0-E6。 須注意若干具體例中，此處討論之高電壓位準係於或 高於約4.0伏特，而此處討論之低電壓位準係於或低於約1〇 伏特。其它具體例可使用與前文討論之電壓位準不同之電 壓位準。 163 200536720 雖然於此處已經舉例說明特定具體例，但業界熟諳技 藝人士了解可以多種其它替代實作及/或相當實作來取代 所示及所述之特定具體例，而未丨孛離本發明之範圍。本案 意圖涵蓋此處討論之特定具體例之任何調整或變化。因此 5 本發明僅受申請專利範圍及其相當範圍所限。 【圖式簡單說明3 第1圖顯示喷墨列印系統之一具體例。 第2圖為略圖顯示一喷墨頭晶粒之一具體例之一部分。 | 第3圖為略圖顯示於一喷墨頭晶粒之一具體例，位於沿 10 墨水進給開槽之墨滴產生器之佈局圖。 第4圖為略圖顯示於喷墨頭晶粒之一具體例採用之發 射單元之一具體例。 第5圖為示意圖顯示噴墨頭發射單元陣列之一具體例。 第6圖為示意圖顯示預充電發射單元之一具體例。 15 第7圖為示意圖顯示喷墨頭發射單元陣列之一具體例。 第8圖為時程圖顯示發射單元陣列之一具體例之操作。 # 第9圖為略圖顯示於一喷墨頭晶粒之位址產生器之一 具體例。 第10A圖為略圖顯示於一移位暫存器之一移位暫存器 20 單元。 第10B圖為略圖顯示一方向電路。 第11圖為時程圖顯示於正向方向之位址產生器之操 作。 第12圖為時程圖顯示於反向方向之位址產生器之操 164 200536720 作0 第13圖為略圖顯示於一噴墨頭晶粒之2位址產生器及 六個發射群之一具體例。 第14圖為時程圖顯示於一噴墨頭晶粒之位址產生器之 5 正向及反向操作。 第15圖為方塊圖顯示於一噴墨頭晶粒之位址產生器、 位址閃鎖及6發射群之一具體例。 第16圖為略圖顯示閂鎖暫存器之一具體例。 第17圖為時程圖說明閂鎖暫存器之一具體例之範例操 10 作。 第18圖為略圖顯示單向移位暫存器單元之一具體例。 第19圖為略圖顯示一位址產生器，其使用該單向移位 暫存器單元來提供於正向方向及反向方向之位址。 第20圖為略圖顯示-位址產生器，其使用於一個移位 15暫存器之該單向移位暫存器單元來提供於正向方向及反向 方向之位址。 第21圖為略圖顯示-噴墨頭晶粒之_具體例之範例佈 局。 第22圖為略圖顯示-噴墨頭晶粒之—具體例之範例佈 20 局之另一方面。 第23圖為略圖顯示噴墨頭晶粒之一具體例之一區段之 平面圖。 第24圖為略圖顯示-噴墨頭晶粒之另_具體例之範例 佈局。 165 200536720 第25A圖及第25B圖為略圖顯示可用來耦接外部電路 至一喷墨頭晶粒之撓曲電路之接觸區。
【主要元件符號說明】 20...喷墨列印系統 54...墨水進給通道 22...喷墨頭總成 56...氣化室 24...墨水供應總成 58...引線 26...安裝總成 60...墨滴產生器 28...媒體傳送總成 70...發射單元 30...電子控制器或印表機控制器 72...電阻器驅動開關 32...電源供應器 74...記憶體電路 34...孔口或喷嘴，喷嘴開口 76...發射線 36...列印媒體 78...參考線 3 7…列印區段 80...貢料線 38…貯槽 82...致能線 39...資料 100...喷墨頭發射單元陣列 40...喷墨頭或喷墨頭晶粒 102a-n.··發射群 42…列印元件或流體喷出元件 104...致能線 44...基材 106a-L.··子群致能線 46...墨水進給開槽 108mi···貢料線 46a-b...墨水進給開槽側 110a-n...發射線 48…薄膜結構 112…共通參考線 50...孔口層 120…預充電發射單元 50a…正面 122...參考線 52...發射電阻器 124...發射線 166 200536720 126.. .儲存節點電容 128.. .預充電電晶體 130.. .選擇電晶體 132.. .預充電線 134.. .選擇線 136.. .資料電晶體 138…第一位址電晶體 140…第二位址電晶體 φ 142…資料線 144.. .位址線 146…第二位址線 172…驅動開關 200.. .喷墨頭發射單元陣列 202a-f...發射群 206a-g···位址線 208a_h···資料線 φ 210a-f...預充電線 212a-f...選擇線 214a-f···發射線 216.. .參考線 300…資料信號 302.. .喷嘴 3 04...位址信號 306…列子群位址 308.. .列子群位址 309.. .5.L6/PRE1 信號 310.. .5.L6/PRE1 信號脈波 311.. .列子群 312.. .預充電 314.. .資料信號集合 315.. .5.L1/PRE2 信號 316.. .5.L1/PRE2 信號脈波 318.. .儲存之資料 319.. .列子群 320.. .預充電 322.. JFIRE1 能脈波 323…能信號HRE1 324.. .下挽 325.. .5.L2/PRE3 信號 326.. .5.L2/PRE3 信號脈波 328.. .資料信號集合 330.. .儲存之資料 331.. .能信號 FIRE2 332.. .FIRE2 能脈波 334.. .走高 336…第二SEL6/PRE1信號脈波 338.. .資料信號集合 339.. .列子群 167 200536720 340…儲存之資料 342.. .列子群 343.. .能信號 FIRE6 344.. .能脈波 346.. .下挽 348.. .5.L1/PRE2 信號脈波 350.. .資料信號集合 352.. .能信號 400.. .位址產生器 402.. .移位暫存器 403a-m...移位暫存器單元 404.. .方向電路 406.. .邏輯陣列 408.. .方向控制線 410&-111...移位暫存^§輸出線 412…電阻器劃分網路 414…電阻器劃分網路 416.. .電阻器劃分網路 418…時序信號線 420.. .評估信號線 422.. .時序信號線 424.. .評估信號線 426…時序信號線 428.. .評估信號線 430.. .控制信號線 432.. .時序信號線 434.. .時序信號線 436.. .時序信號線 438a-g...位址線預充電電晶體 440a-m·.·位址評估電晶體 442a-b...評估防止電晶體 444…邏輯評估預充電電晶體 446a-b、448a-b、...、470a-b ...位址電晶體對 472a-g…位址線 474.. .邏輯評估信號線 476a-m…評估線 478…參考電位 500…第一階段 502…第二階段 504.. .第一預充電電晶體 506.. .第一評估電晶體 508.. .正向輸入電晶體 510.. .反向輸入電晶體 512.. .正向方向電晶體 514.. .反向方向電晶體 516…第二預充電電晶體 518…第二評估電晶體 168 200536720
520···内部節點電晶體 522.··内部節點 524···内部路徑 526…電耦接 528…電耦接 530…電摩馬接 532…電耦接 534···參考電位 536…電容 538…電容 550··.正向方向信號電路 552···反向方向信號電路 554···第三預充電電晶體 556…第三評估電晶體 558···第一控制電晶體 560···第四預充電電晶體 562"•第四評估電晶體 564…第二控制電晶體 566…電耦接 568···茶考電位 570…電耦接 572..·參考電位 600、604、608、612、616、620 …時序信號 602、606、610、614、618、622 ···時序脈波 624.··控制信號CSYNC 625···位址信號
626…移位暫存器内部節點信 號SN 628···高電壓位準
630···移位暫存器輸出信號SO 632.··低電壓位準 633···高電壓位準 634···低電壓位準 636·.·低電壓位準 638…高電壓位準 640···高電壓位準 642···反向方向信號DIRR 644···高電壓位準 646···阿電壓位準 648…邏輯評估信號LEVAL 650···低電壓位準 652·.·低電壓位準 654…低電壓位準 656·.·低電壓位準 658.··正向方向信號DIRF 660··.高電壓位準 169 200536720
662···高電壓位準 664···低電壓位準 666···時序脈波 668···時序脈波 670…控制脈波 672···低電壓位準 674···低電壓位準 676···高電壓位準 678···時序脈波 680、682、684···高電壓位準 686…低電壓位準 688···時序脈波 690···低電壓位準 692···高電壓位準 694…控制脈波 696、698···低電壓位準 700···時序脈波 702···高電壓位準 704···低電壓位準 706…高電壓位準 708···時序脈波 710···低電壓位準 712···高電壓位準 714、718、726、736、748、758 ...時序脈波 716…高電壓位準 720·.·低電壓位準 722···高電壓位準 724.··内部節點信號SN2 728、730、732···高電壓位準 734、738…低電壓位準 740···高電壓位準 742···控制脈波 744、746.··低電壓位準 750、752、756···高電壓位準 754···低電壓位準 800、804、808、812、816、820
…時序信號T 802、806、810、814、818、822 …時序脈波 824···控制信號<^¥1^ 825…位址信號
826…移位暫存器内部節點信 號SN 828···高電壓位準 830…移位暫存器輪出信號SO 832..·低電壓位準 833···向電壓位準 170 200536720 834、836···低電壓位準 838、840…而電壓位準 842·.·反向方向信號DIRR 844···高電壓位準 848·.·邏輯評估信號LEVAL 850、852、858·.·低電壓位準 858.. .正向方向信號〇1即 860、862…高電壓位準 865···低電壓位準 866、868、878、888、900、908 ...時序脈波 870…控制脈波 872、874···低電壓位準 876···高電壓位準 880、882、884…高電壓位準 886、890···低電壓位準 892、896…高電壓位準 901、902…高電壓位準 904···低電壓位準 906···高電壓位準 910.. .控制脈波 912…低電壓位準 914、918、926、936、948、958 ...時序脈波 916···高電壓位準 920···低電壓位準 922···高電壓位準 924···内部節點信號SN12 928、93G、932···高電壓位準 934、938·.·低電壓位準 940、944···高電壓位準 946··.低電壓位準 950 ' 952'956···高電壓位準 954···低電壓位準 960…控制脈波 962···低電壓位準 1000、1002…位址產生器 1004a-f···發射群 1006…第一位址線 l〇〇8a-f···選擇線 1010…控制線 1012…第二位址線 1100、1104、1108、1112、1116、 1120···選擇信號SEL 1102、1106、111〇、1114、1118、 1122···時序脈波 1124…控制信號cs YNC(F WD) 1126…控制信號CS ynC(REV) 171 200536720 1128、1130...位址線 1132、1134...控制脈波 1136-1146...時序脈波 1148、1150、1152、1154 …控制 脈波 1156-1166...時序脈波 1168、1170...控制脈波 1172、1174...位址 1 1176.. .時序脈波 1178.. .位址 2 1180-1192…控制脈波 1200.. .位址產生器 1202…閂鎖電路 1204a-f...發射群 1206.. .位址線 1208a-f...選擇線 1210.. .控制線 1212…位址線 1214.. .信號線 1220…閂鎖暫存器 1222.. .第一閂鎖階段 1224.. .第二閂鎖階段 1226…閂鎖電晶體 1228、1230...電耦接 1234…第一預充電電晶體 1236.. .選擇電晶體 1238.. .位址電晶體 1240…位址節點電容器 1246.. 第二預充電電晶體 1248.. .評估電晶體 1250.. .經閂鎖之位址電晶體 1252.. .經閂鎖之位址節點電容器 1300.. .位址信號 1302、1306...變遷 1304…預充電信號 1308.. .時段 1310.. .選擇信號 1312.. .閂鎖信號 1314…預充電信號 1316.. .評估信號 1318.. .經閂鎖之位址信號 1320…有效之位址信號 1322、1324··.變遷 1326.··時段 1328-1348…變遷 1350···時段 1352.. .無效之位址信號 1354、1356、1360···時段 172 200536720 1358、1364·.·變遷 1362··.有效位址信號 14〇0…單向移位暫存器單元 1402···第一輸入階段 1404…弟二輸入階段 1406…第一預充電電晶體 1408…第一評估電晶體 1410…輸入電晶體 1412…弟—預充電電晶體 1414…第二評估電晶體 H16…内部節點電晶體 1418…第一預充電線 1420…内部節點 1422···第一評估信號線 1424、1426…電耦接 1428…第二預充電線 1430···移位暫存器輪出線 1432…第二評估信號線 1434…電耦接 1436...地電位 1438、1440···電容 1500···位址產生器 15〇2…第一移位暫存器 15〇4…弟二移位暫存器 1506…第一邏輯電路 1508…第二邏輯電路 1510···方向電路 1512a-m…移位暫存器輸出線 1514…控制信號線 1516…第一時序信號線 1518…第一電阻器劃分網路 1520…弟一評估信號線 1522···弟一時序信號線 1524···第三信號線 1526…弟二電阻器劃分網路 1528…第二評估信號線 1530…弟四時序信號線 1532a-m···移位暫存器輸出線 1540…第一正向方向信號線 1542…反向方向信號線 1544···第五時序信號線 1546…弟二電阻器劃分網路 1548…第三評估信號線 1550…第六時序信號線 1552a-g…位址線 1600…位址產生器 1602···移位暫存器 1604···正向邏輯電路 173 200536720 1606···反向邏輯電路 1714a-f···資料線群D3 1608…方向電路 1716a-f···資料線群D4 1610a-m···移位暫存器輪出線 1718a-f·.·資料線群D5 1612…控制信號線 1720a-f.··資料線群D6 1614…第一時序信號線 1722a-f···資料線群D7 1616…弟一電阻器劃分網路 1724a-f.··資料線群〇8 1618…第一評估信號線 1800a-b···位址產生器 1620…第二時序信號線 1806a-g、1808a-g··.位址線集合 1622…第三時序信號線 1822a-c·.·交叉連接線 1624…第二電阻器劃分網路 1900…噴墨頭晶粒 1626…第二評估信號線 1902…位址產生器 1628…第四時序信號線 1904···位址閃鎖 1630···正向方向信號線 1906a-g·.·互連線 1632…反向方向信號線 1908a-g·.·位址線 1634…第五時序信號線 1910a-g…經閃鎖之位址線 1636…第三電阻器劃分網路 2000…接觸區 1638…第三評估信號線 2002…撓曲電路 1640.··第四時序信號線 2004···傳導路徑 1700...噴墨頭晶粒 2006…接點 1702a-f...發射群 〜A1 -7…位址信號 1704、1706、1708···墨水進給 〜ADDRESS 1-7...位址信號 開槽 CSYNC…控制信號 1710a-f…資料線群D1 Dl-m···資料信號 1712a-f…資料線群D2 〜DATA…資料信號 174 200536720 DIRF...正向方向信號 DIRR...反向方向信號 EVAL...評估線 FIREl-n...發射信號或能信號 LEVAL...邏輯評估信號 PRE1-6...預充電信號 SEL1-6…選擇信號 SG1-L...子群致能信號 SIF...正向移位暫存器輸入信號 SIR...反向移位暫存器輸入信號 SN...内部節點信號 S01-13...移位暫存器輸出信號 T...時序信號
175

Claims (1)

  1. 200536720 十、申請專利範圍： 1. 一種流體喷出裝置，包含： 發射單元； 組配來接收一串列脈波之信號線；以及 5 組配來由該串列脈波接收脈波且響應於接收得之 脈波而產生一組位址信號集合之位址產生器，其中該位 址信號集合係適合用來作動該等發射單元發揮作用。 2. 如申請專利範圍第1項之流體喷出裝置，其中該等脈波 串列係重複；以及該位址產生器係組配來響應於該等重 10 複之脈波串列而產生一串列之位址信號集合。 3. 如申請專利範圍第2項之流體喷出裝置，其中該等串列 之位址信號集合係於對應串列之位址時槽提供。 4. 如申請專利範圍第1項之流體喷出裝置，其中該等信號 線中之各信號線係組配來接收該等串列脈波中之一脈 15 波；以及該位址產生器係組配來接收得自該等串列脈波 中之6脈波。 5. 如申請專利範圍第1項之流體喷出裝置，其中該位址產 生器包含： 組配來響應於接收得之脈波而提供一主動輸出信 20 號之記憶體元件；以及 組配來接收該主動輸出信號以及提供於該位址信 號集合中之有作用之位址信號之邏輯電路。 6. 如申請專利範圍第5項之流體喷出裝置，其中該等記憶 體元件係適合響應於該等脈波串列而提供一串列之主 176 200536720 動輸出信號。 7.如申請專利範圍第6項之流體喷出裝置，其中該邏輯電 路接收該等串列之主動輸出信號，以及響應於該等主動 輸出信號串列而提供一串列之位址信號集合。 5 8. —種流體喷出裝置，包含： 複數個發射單元； 一適合接收具有能脈波之一能信號之發射線；以及 一組配來提供一串列位址信號之位址產生器，該串 | 列位址信號適合於一串列位址時槽致能該等多數發射 10 單元中之發射單元，其中該能信號係於該串列位址時槽 之各個位址時槽期間提供至少一個能脈波來讓所選定 之經致能之發射單元發揮作用。 9. 如申請專利範圍第8項之流體喷出裝置，其中該位址產 生器包含： 15 組配來提供輸出信號之記憶體元件；以及 組配來接收該等輸出信號且響應於該等輸出信號 • 而提供該串列位址信號之邏輯電路，其中該邏輯電路係 組配來響應於提供輸出信號於一第一輸出序列之該等 記憶體元件，而提供於第一序列之該串列位址信號；以 20 及該邏輯電路係組配來響應於提供輸出信號於一第二 輸出序列之該等記憶體元件，而提供於第二序列之該串 列位址信號。 10. 如申請專利範圍第8項之流體喷出裝置，其中該位址產 生器包含： 177 200536720 組配來提供第一輸出信號之第一記憶體元件； 組配來提供第二輸出信號之第二記憶體元件； 組配來接收第一輸出信號且響應於該等第一輸出 信號而提供於第一序列之該串列位址信號之第一邏輯 5 電路；以及 組配來接收第二輸出信號且響應於該等第二輸出 信號而提供於第二序列之該串列位址信號之第二邏輯 電路。 I 11.如申請專利範圍第8項之流體喷出裝置，其中該位址產 10 生器包含： 組配來提供輸出信號之記憶體元件； 組配來接收輸出信號且響應於該等輸出信號而提 供於第一序列之該串列位址信號之第一邏輯電路；以及 組配來接收輸出信號且響應於該等輸出信號而提 15 供於第二序列之該串列位址信號之第二邏輯電路。 12. 如申請專利範圍第8項之流體喷出裝置，其中該位址產 # 生器係於該串列之位址時槽之各位址時槽期間，提供於 一位址信號集合中之二主動位址信號。 13. 如申請專利範圍第8項之流體喷出裝置，進一步包含組 20 配來接收一串列脈波之信號線，其中該邏輯電路係組配 來接收於該串列脈波中之3脈波。 14. 如申請專利範圍第13項之流體喷出裝置，其中該邏輯電 路係對該串列脈波中之3接續脈波提供有效位址信號。 15. 如申請專利範圍第13項之流體喷出裝置，其中該邏輯電 178 200536720 間提供無效位址信 16· —種噴墨頭晶粒，包含·· 組配來產生-信號集合之-控制器； 、、且配來傳輸第—脈波之第-線； 組配來傳輪第二脈波之第二線； 搞接來基於該信號集合及 —組電阻器；以及 脈波而傳輸之一第 10 耦接來基於該信號集合 二組電阻器。 D及弟-脈波而傳輸之一第 女申"月專利範圍第16項之噴墨頭 以預定型樣提供該信號集合。S叔其中該控制器係 15 18.2請專利範圍第17項之喷墨頭晶粒，其中該預定型樣 ^於任何時段期間循序提供該等信號 : 二信號。 T又主夕 19·如申請專利範圍第16 含： 貝之育墨頭曰曰粒，其中該控制器包 20 包括夕數移位暫存n單元之—移”存器，复 組配來提供至少一個輸出信號，· /、Q曰 各自組配來提供該信號集合 置；以及 之讀輪出裝 多數開關，其係組配來讓多數_中之至少二開關 係耗接來接收-個移位暫存器單元之輸出信號；以二其 中夕數開關之一係搞接至多數輸出裳置之一 、 179 200536720 20. 如申請專利範圍第16項之喷墨頭晶粒，其中該控制器包 含： 組配來提供輸出信號之一移位暫存器；以及 組配來接收該等輸出信號且響應於該等輸出信號 5 而提供該串列信號之邏輯電路。 21. 如申請專利範圍第16項之喷墨頭晶粒，其中該信號集合 包括至少一第一狀態及一第二狀態；以及其中當該信號 集合係於第一狀態時，只有第一組電阻器係耦接成導 # 通；當該信號集合係於第二狀態時，只有第二組電阻器 10 係耦接成導通。 22. 如申請專利範圍第16項之喷墨頭晶粒，其中該等信號集 合包含多個狀態；以及其中該等狀態係由控制器以一序 列之信號集合而提供。 180
TW094108782A 2004-04-19 2005-03-22 Fluid ejection device with address generator TWI319355B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/827,163 US7384113B2 (en) 2004-04-19 2004-04-19 Fluid ejection device with address generator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200536720A true TW200536720A (en) 2005-11-16
TWI319355B TWI319355B (en) 2010-01-11

Family

ID=34964953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094108782A TWI319355B (en) 2004-04-19 2005-03-22 Fluid ejection device with address generator

Country Status (16)

Country Link
US (2) US7384113B2 (zh)
EP (3) EP3318407B1 (zh)
JP (1) JP4496249B2 (zh)
KR (1) KR101160711B1 (zh)
CN (1) CN1972804B (zh)
AR (1) AR048610A1 (zh)
AU (1) AU2005237970B2 (zh)
BR (1) BRPI0509438B8 (zh)
ES (2) ES2738475T3 (zh)
MX (1) MXPA06011370A (zh)
NZ (1) NZ549756A (zh)
PL (2) PL3318407T3 (zh)
RU (1) RU2337010C2 (zh)
SG (2) SG134327A1 (zh)
TW (1) TWI319355B (zh)
WO (1) WO2005105456A2 (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7648227B2 (en) * 2005-10-31 2010-01-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device with data signal latch circuitry
JP5586957B2 (ja) * 2006-11-30 2014-09-10 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． データ信号ラッチ回路を備える流体吐出デバイス
US8651604B2 (en) 2007-07-31 2014-02-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printheads
US8109586B2 (en) * 2007-09-04 2012-02-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device
EP2240324B1 (en) * 2008-02-06 2016-02-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Firing cell
US7815273B2 (en) * 2008-04-01 2010-10-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device
US9289978B2 (en) 2008-12-08 2016-03-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device
KR101602125B1 (ko) * 2008-12-08 2016-03-09 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 유체 분사 장치
CN102596574B (zh) * 2009-11-05 2015-05-20 佳能株式会社 液体排出头用基板以及液体排出头
JP5736744B2 (ja) * 2010-01-26 2015-06-17 セイコーエプソン株式会社 熱センサーデバイス及び電子機器
JP5610836B2 (ja) * 2010-05-10 2014-10-22 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド
JP5539030B2 (ja) * 2010-05-28 2014-07-02 キヤノン株式会社 半導体装置、液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドカートリッジ及び液体吐出装置
WO2015057202A1 (en) 2013-10-15 2015-04-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Authentication value for print head die based on analog device electrical characteristics
CN105934344B (zh) 2014-01-31 2018-01-12 惠普发展公司，有限责任合伙企业 交错的基元
US10029457B2 (en) 2014-07-30 2018-07-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pre-charge line routed over pre-charge transistor
KR101980030B1 (ko) 2015-02-13 2019-08-28 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 어드레스 데이터를 포함하는 데이터 패킷을 사용하는 프린트헤드
US10668720B2 (en) 2016-10-03 2020-06-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Controlling recirculating of nozzles
AU2016425823B2 (en) * 2016-10-06 2020-04-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Input control signals propagated over signal paths
ES2904246T3 (es) 2019-02-06 2022-04-04 Hewlett Packard Development Co Troquel de un cabezal de impresión
MX2021009040A (es) 2019-02-06 2021-08-27 Hewlett Packard Development Co Troquel para un cabezal de impresion.
KR102621225B1 (ko) 2019-02-06 2024-01-04 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 인쇄헤드용 다이
MX2021009109A (es) 2019-02-06 2021-09-14 Hewlett Packard Development Co Matriz para un cabezal de impresion.
ES2955508T3 (es) 2019-02-06 2023-12-04 Hewlett Packard Development Co Troquel para un cabezal de impresión
US11590753B2 (en) 2019-04-19 2023-02-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection devices including a memory
WO2021101535A1 (en) * 2019-11-20 2021-05-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Constant output power from sequentially-activated address lines
CN112776492B (zh) * 2020-12-31 2022-11-08 苏州工业园区鑫海胜电子有限公司 一种无物理光栅的打印方法
US11896971B2 (en) * 2021-03-18 2024-02-13 Punai Electric Co., Ltd. Fluid detection circuit for fluid ejection head
US11686696B2 (en) * 2021-09-13 2023-06-27 Funai Electric Co., Ltd. Fluid sense circuit with variable sensitivity

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US186265A (en) * 1877-01-16 Improvement in odorless receptacles
JP2845933B2 (ja) * 1989-04-24 1999-01-13 キヤノン株式会社 記録ヘッドユニット
EP1065064B1 (en) * 1989-04-28 2003-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Recording device and recording method
JPH0332844A (ja) 1989-06-30 1991-02-13 Canon Inc 液体噴射記録ヘッド
US5648804A (en) 1992-04-02 1997-07-15 Hewlett-Packard Company Compact inkjet substrate with centrally located circuitry and edge feed ink channels
DE69333758T2 (de) * 1992-10-08 2006-04-13 Hewlett-Packard Development Co., L.P., Houston Druckkopf mit verminderten Verbindungen zu einem Drucker
JPH06164854A (ja) * 1992-11-19 1994-06-10 Canon Inc 複写装置及びその方法
JP3174226B2 (ja) * 1994-10-28 2001-06-11 キヤノン株式会社 記録ヘッド補正方法及びその装置及びその装置によって補正された記録ヘッド及びその記録ヘッドを用いた記録装置
US6022094A (en) * 1995-09-27 2000-02-08 Lexmark International, Inc. Memory expansion circuit for ink jet print head identification circuit
US5757394A (en) * 1995-09-27 1998-05-26 Lexmark International, Inc. Ink jet print head identification circuit with programmed transistor array
GB9601226D0 (en) * 1996-01-22 1996-03-20 The Technology Partnership Plc Ejection apparatus and method
US6162589A (en) 1998-03-02 2000-12-19 Hewlett-Packard Company Direct imaging polymer fluid jet orifice
US6310639B1 (en) 1996-02-07 2001-10-30 Hewlett-Packard Co. Printer printhead
US6270180B1 (en) * 1997-09-08 2001-08-07 Konica Corporation Ink jet printer
US6318828B1 (en) 1999-02-19 2001-11-20 Hewlett-Packard Company System and method for controlling firing operations of an inkjet printhead
KR100348038B1 (ko) * 1999-07-21 2002-08-09 세이코 엡슨 가부시키가이샤 서멀 프린터 및 그 열 이력 제어 방법
US6439697B1 (en) 1999-07-30 2002-08-27 Hewlett-Packard Company Dynamic memory based firing cell of thermal ink jet printhead
US6176569B1 (en) 1999-08-05 2001-01-23 Lexmark International, Inc. Transitional ink jet heater addressing
US6491377B1 (en) * 1999-08-30 2002-12-10 Hewlett-Packard Company High print quality printhead
US6234598B1 (en) 1999-08-30 2001-05-22 Hewlett-Packard Company Shared multiple terminal ground returns for an inkjet printhead
EP1438073B1 (en) * 1999-09-10 2010-08-11 The Procter & Gamble Company Polyoxyalkylene conjugates as enzyme inhibitors
US6582062B1 (en) 1999-10-18 2003-06-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Large thermal ink jet nozzle array printhead
JP3432215B2 (ja) * 2000-07-19 2003-08-04 キヤノン株式会社 インクジェット記録装置
US6398347B1 (en) 2000-07-24 2002-06-04 Hewlett-Packard Company Energy balanced ink jet printhead
JP2002052725A (ja) 2000-08-07 2002-02-19 Sony Corp プリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法
US6402279B1 (en) 2000-10-30 2002-06-11 Hewlett-Packard Company Inkjet printhead and method for the same
US6412917B1 (en) 2001-01-30 2002-07-02 Hewlett-Packard Company Energy balanced printhead design
US6478404B2 (en) 2001-01-30 2002-11-12 Hewlett-Packard Company Ink jet printhead
US6478396B1 (en) * 2001-03-02 2002-11-12 Hewlett-Packard Company Programmable nozzle firing order for printhead assembly
US6422676B1 (en) 2001-06-19 2002-07-23 Hewlett-Packard Company Compact ink jet printhead
US6543883B1 (en) 2001-09-29 2003-04-08 Hewlett-Packard Company Fluid ejection device with drive circuitry proximate to heating element
JP2003246066A (ja) * 2002-02-26 2003-09-02 Canon Inc 記録装置
TW539621B (en) * 2002-04-03 2003-07-01 Benq Corp Ink jet printer with independent driving circuit for preheat and heat maintance

Also Published As

Publication number Publication date
EP3354462B1 (en) 2019-06-05
CN1972804A (zh) 2007-05-30
US20050230493A1 (en) 2005-10-20
ES2734428T3 (es) 2019-12-05
BRPI0509438B1 (pt) 2015-08-18
HK1105138A1 (zh) 2008-02-01
AU2005237970A1 (en) 2005-11-10
EP3318407A3 (en) 2018-08-01
JP2007532368A (ja) 2007-11-15
KR20060133111A (ko) 2006-12-22
PL3354462T3 (pl) 2020-01-31
TWI319355B (en) 2010-01-11
BRPI0509438B8 (pt) 2016-05-31
KR101160711B1 (ko) 2012-06-28
EP3318407A2 (en) 2018-05-09
EP3354462A1 (en) 2018-08-01
AR048610A1 (es) 2006-05-10
WO2005105456A3 (en) 2006-03-16
EP3318407B1 (en) 2019-06-05
NZ549756A (en) 2010-01-29
WO2005105456A8 (en) 2006-11-23
EP1737668A2 (en) 2007-01-03
JP4496249B2 (ja) 2010-07-07
SG134327A1 (en) 2007-08-29
US7794057B2 (en) 2010-09-14
AU2005237970B2 (en) 2010-03-04
US7384113B2 (en) 2008-06-10
SG134328A1 (en) 2007-08-29
CN1972804B (zh) 2013-07-10
RU2337010C2 (ru) 2008-10-27
RU2006140805A (ru) 2008-05-27
WO2005105456A2 (en) 2005-11-10
MXPA06011370A (es) 2007-04-25
PL3318407T3 (pl) 2020-01-31
ES2738475T3 (es) 2020-01-23
US20080204493A1 (en) 2008-08-28
BRPI0509438A (pt) 2007-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200536720A (en) Fluid ejection device with address generator
ES2383120T3 (es) Dispositivo para la expulsión de fluido
TWI338624B (en) Fluid ejection device
TW200911540A (en) Fluid ejection device
US7659589B2 (en) Device with gates configured in loop structures
KR101274187B1 (ko) 데이터 신호 래치 회로를 갖는 유체 분사 장치
HK1096912B (zh) 具有以回路结构组构之闸极的装置
MXPA06012019A (en) Fluid ejection device

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent