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KR102886681B1 - 표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치 - Google Patents

표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치

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Publication number
KR102886681B1
KR102886681B1 KR1020210062153A KR20210062153A KR102886681B1 KR 102886681 B1 KR102886681 B1 KR 102886681B1 KR 1020210062153 A KR1020210062153 A KR 1020210062153A KR 20210062153 A KR20210062153 A KR 20210062153A KR 102886681 B1 KR102886681 B1 KR 102886681B1
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KR
South Korea
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light
layer
emitting
emitting layer
lower light
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KR1020210062153A
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이상신
김상훈
김서연
김세일
류영은
박종성
이상민
이승진
장원영
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Priority to CN202210259498.8A priority patent/CN115347017A/zh
Priority to US17/743,378 priority patent/US20220367827A1/en
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Abstract

본 발명은 누설 전류에 의한 원치 않은 발광을 방지하여 표시 품질이 향상된 표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치를 위하여, 기판; 기판 상에 배치되며, 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극 및 제3 화소전극; 제1 내지 제3 화소전극 각각에 대응하되, 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 하부 발광층, 제2 하부 발광층 및 제3 하부 발광층; 제1 내지 제3 하부 발광층 상에 배치되는 대향전극; 및 제1 내지 제3 화소전극과 제1 내지 제3 하부 발광층 사이에 개재되는 제1 공통층;을 포함하고, 제1 공통층은, 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치를 제공한다.

Description

표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치{Display apparatus, mask assembly for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing display apparatus}
표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 품질을 향상시킨 표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하는 장치이다. 컴퓨터, 대형 TV와 같은 각종 전자 기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 다양한 종류의 표시 장치가 개발되고 있다. 최근 이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 널리 사용되고 있으며, 이동용 전자 기기로서 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 사용되고 있다. 표시 장치가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가함에 따라, 고품질, 고효율, 긴 수명의 표시 장치에 대한 요구가 증가하고 있다.
한편, 표시 장치들 중, 유기발광 표시 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 다양한 전자 기기에서 폭넓게 이용되고 있다.
유기발광 표시 장치는 화소를 통해 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 포함하며, 유기발광다이오드는 화소전극, 대향전극, 및 이들 사이 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 구비한다. 이러한 유기발광 표시 장치는 일반적으로 각 화소전극에 전기적으로 연결된 박막트랜지스터를 통해 각 유기발광다이오드의 발광 여부나 발광 정도를 제어한다.
그러나 종래의 표시 장치에서는, 인접한 유기발광다이오드들 간의 누설 전류로 인하여, 발광 화소 주변에 배치된 비발광 화소가 함께 빛을 방출하여 표시 품질이 저하되는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 누설 전류에 의한 원치 않은 발광을 방지하여 표시 품질이 향상된 표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 이를 이용한 표시 장치의 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극 및 제3 화소전극; 상기 제1 내지 제3 화소전극 각각에 대응하되, 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 하부 발광층, 제2 하부 발광층 및 제3 하부 발광층; 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 상에 배치되는 대향전극; 및 상기 제1 내지 제3 화소전극과 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 사이에 개재되는 제1 공통층;을 포함하고, 상기 제1 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치가 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 대향전극 사이에 개재되는 제2 공통층;을 더 포함하고, 상기 제2 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극에 각각 대응하며 서로 단절된 제2-1 패턴부, 제2-2 패턴부, 및 제2-3 패턴부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제1 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제1 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 상부 발광층; 상기 제2 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제2 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제2 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제2 상부 발광층; 및 상기 제3 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제3 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제3 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제3 상부 발광층;을 더 포함하며, 상기 제1 내지 제3 상부 발광층은 상기 제2 공통층을 사이에 두도록 상기 대향전극의 하부에 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 각각의 두께는 서로 상이하며, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 각각의 두께는 서로 상이한, 표시 장치.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 사이에 개재되는 전하 생성층;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 전하 생성층은 n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함하며, 상기 n형 전하 생성층 및 상기 p형 전하 생성층 중 적어도 하나는, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층에 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분, 제2 부분 및 제3 부분을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 전하 생성층 사이에 개재되는 제3 공통층;을 더 포함하며, 상기 제3 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제3-1 패턴부, 제3-2 패턴부, 및 제3-3 패턴부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 전하 생성층과 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 사이에 개재되는 제4 공통층;을 더 포함하며, 상기 제4 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제4-1 패턴부, 제4-2 패턴부, 및 제4-3 패턴부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극 및 제3 화소전극; 상기 제1 내지 제3 화소전극 각각에 대응하되, 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 하부 발광층, 제2 하부 발광층 및 제3 하부 발광층; 상기 제1 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제1 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제1 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 상부 발광층; 상기 제2 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제2 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제2 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제2 상부 발광층; 상기 제3 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제3 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제3 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제3 상부 발광층; 상기 제1 하부 발광층과 상기 제1 상부 발광층 사이, 상기 제2 하부 발광층과 상기 제2 상부 발광층 사이, 그리고 상기 제3 하부 발광층과 상기 제3 상부 발광층 사이에 걸쳐 배치되는 전하 생성층; 및 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 상에 배치되는 대향전극;을 포함하고, 상기 전하 생성층은, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 각각에 대응하며 서로 단절된 제1 부분, 제2 부분 및 제3 부분을 포함하는, 표시 장치가 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 사이에 개재되는 제1 공통층;을 더 포함하고, 상기 제1 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 대향전극 사이에 개재되는 제2 공통층;을 더 포함하고, 상기 제2 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극에 각각 대응하며 서로 단절된 제2-1 패턴부, 제2-2 패턴부, 및 제2-3 패턴부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 전하 생성층 사이에 개재되는 제3 공통층;을 더 포함하며, 상기 제3 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제3-1 패턴부, 제3-2 패턴부, 및 제3-3 패턴부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 전하 생성층과 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 사이에 개재되는 제4 공통층;을 더 포함하며, 상기 제4 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제4-1 패턴부, 제4-2 패턴부, 및 제4-3 패턴부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 각각의 두께는 서로 상이하며, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 각각의 두께는 서로 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 마스크 프레임; 및 상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 복수의 개구부들을 정의하는 리브부를 포함하는 마스크 시트;를 포함하고, 상기 마스크 시트의 상기 복수의 개구부들 중 적어도 두 개의 개구부들은 평면 상에서 서로 상이한 크기를 갖는, 마스크 조립체가 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 마스크 시트의 상기 리브부는, 평면 상에서 서로 상이한 크기를 가진 제1 개구부, 제2 개구부 및 제3 개구부를 정의할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 디스플레이 기판과 얼라인되어 배치된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체를 사이에 두도록 상기 디스플레이 기판의 반대측에 배치된 증착원;을 포함하며, 상기 마스크 조립체는, 마스크 프레임; 및 상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 복수의 개구부들을 정의하는 리브부를 포함하는 마스크 시트;를 포함하고, 상기 마스크 시트의 상기 복수의 개구부들 중 적어도 두 개의 개구부들은 평면 상에서 서로 상이한 크기를 갖는, 표시 장치의 제조장치가 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 마스크 시트의 상기 리브부는, 평면 상에서 서로 상이한 크기를 가진 제1 개구부, 제2 개구부 및 제3 개구부를 정의할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 디스플레이 기판은 서로 이격된 복수의 화소전극들을 포함하며, 상기 마스크 시트의 상기 리브부는 평면 상에서 상기 복수의 화소전극들과중첩하지 않도록 상기 복수의 화소전극들 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 마스크 시트의 상기 복수의 개구부들 중 적어도 하나의 개구부는, 상기 복수의 화소전극들 중 서로 인접하며 동일한 크기를 갖는 두 화소전극들과 중첩할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 누설 전류에 의한 원치 않은 발광을 방지하여 표시 품질이 향상된 표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치를 구현할 수 있다. 또한, 누설 전류의 주요 경로가 되는 공통층에 대한 설계 제약으로부터 자유로워짐에 따라, 유기발광다이오드의 수명, 발광 효율 등을 향상시킨 표시 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 조립체 및 표시 장치의 제조장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 어느 하나의 화소회로의 등가회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성들을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 개략적으로 보여주는 배치 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 15a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위한 디스플레이 기판의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 15b는 도 15a의 디스플레이 기판과 정렬된 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 시트의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 16a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위한 디스플레이 기판의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 16b는 도 16a의 디스플레이 기판과 정렬된 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 시트의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 17a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위한 디스플레이 기판의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 17b는 도 17a의 디스플레이 기판과 정렬된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 시트의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 “A 및/또는 B”은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, “A 및 B 중 적어도 하나”는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)의 외측에 위치한 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 표시 영역(DA)에서 복수의 화소(PX)들의 어레이를 통해 이미지를 제공할 수 있다. 화소(PX)는 화소회로에 의해 구동되는 발광소자(Light-emitting element)가 빛을 방출하는 발광영역으로 정의될 수 있다. 즉, 발광소자가 화소(PX)를 통해 방출하는 빛에 의해 이미지가 제공될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 발광소자들 및 화소회로들뿐만 아니라 화소회로들에 전기적으로 연결되는 각종 신호배선들 및 전원배선들 등이 배치될 수 있다.
주변 영역(PA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로서, 표시 영역(DA)을 전체적으로 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 다양한 배선들, 구동회로 등이 배치될 수 있다.
표시 장치(1)는 그 일 면에 수직인 방향으로 바라볼 시, 대략적으로 직사각형 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 표시 장치(1)는 도 1에 도시된 것과 같이 예컨대, x방향으로 연장된 단변과 예컨대, y방향으로 연장된 장변을 갖는, 전체적으로 직사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. x방향의 단변과 y방향의 장변이 만나는 코너(corner)는 직각 형상을 갖거나, 도 1에 도시된 바와 같이 소정의 곡률을 갖는 둥근 형상을 가질 수 있다. 물론 표시 장치(1)의 평면 형상은 직사각형에 한정되지 않으며, 삼각형 등의 다각형, 원형, 타원형, 비정형 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
도 1에서는 플랫한 표시면을 구비한 표시 장치(1)를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예로, 표시 장치(1)는 입체형 표시면 또는 커브드 표시면을 포함할 수도 있다. 표시 장치(1)가 입체형 표시면을 포함하는 경우, 표시 장치(1)는 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하고, 예컨대, 다각 기둥형 표시면을 포함할 수도 있다. 다른 실시예로, 표시 장치(1)가 커브드 표시면을 포함하는 경우, 표시 장치(1)는 플렉서블, 폴더블, 롤러블 표시 장치 등 다양한 형태로 구현될 수 있음은 물론이다.
한편, 이하에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(1)가 스마트 폰에 이용되는 경우에 대해 설명하지만, 본 발명의 표시 장치(1)는 이에 제한되지 않는다. 표시 장치(1)는 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 이용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(wearable device)에 이용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로, 앞좌석의 배면에 배치되는 표시 화면으로 이용될 수 있다.
또한, 이하에서는 표시 장치(1)가 발광소자로서, 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 포함하는 것을 설명하지만, 본 발명의 표시 장치(1)는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 표시 장치(1)는 무기 발광 다이오드를 포함하는 발광 표시 장치, 즉 무기 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display)일 수 있다. 또 다른 실시예로서, 표시 장치(1)는 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 2는 도 1의 표시 장치(1)의 V-V'선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시한다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 기판(100), 표시층(200), 박막봉지층(300), 입력감지층(400), 반사방지층(500) 및 윈도우층(600)을 포함할 수 있다. 기판(100) 상에 배치된 표시층(200), 입력감지층(400), 반사방지층(500) 및 윈도우층(600) 중 적어도 일부의 구성들은 연속공정에 의해 형성되거나, 적어도 일부의 구성들은 접착부재를 통해 서로 결합될 수 있다. 도 2에는 접착부재로써 광학 투명 접착부재(OCA)가 예시적으로 도시되었다. 이하에서 설명되는 접착부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 반사방지층(500) 및 윈도우층(600)은 다른 구성으로 대체되거나 생략될 수 있다.
표시층(200)은 발광요소로서 유기발광다이오드(OLED), 및 발광요소와 전기적으로 연결된 화소회로를 포함할 수 있다. 박막봉지층(300)은 표시층(200) 상에서 유기발광다이오드(OLED)을 밀봉하도록 배치될 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및/또는 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다.
표시층(200)은 이미지를 생성하고, 입력감지층(400)은 외부입력(예컨대, 터치 이벤트)의 좌표정보를 획득할 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(!)는 기판(100)의 배면에 배치된 보호부재를 더 포함할 수 있다. 보호부재와 기판(100)은 접착부재를 통해 결합될 수 있다.
일 실시예로, 입력감지층(400)은 박막봉지층(300) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "B의 구성이 A의 구성 상에 직접 배치된다"는 것은 A의 구성과 B의 구성 사이에 별도의 접착층/접착부재가 배치되지 않는 것을 의미한다. B 구성은 A 구성이 형성된 이후에 A구성이 제공하는 베이스면 상에 연속공정을 통해 형성된다. 다른 실시예로, 입력감지층(400)은 박막봉지층(300) 상에 직접 배치되지 않고, 별도의 공정을 거쳐 형성된 후 상술한 접착부재를 통해 박막봉지층(300) 상에 배치될 수도 있다.
기판(100)과, 기판(100) 상에 배치된 표시층(200), 박막봉지층(300), 입력감지층(400) 및 반사방지층(500)의 적층 구조는 표시 패널(10)로 정의될 수 있다.
반사방지층(500)은 윈도우층(600)의 상측으로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 일 예로 반사방지층(500)은 블랙매트릭스 및 컬러필터를 포함하거나, 다른 예로 위상지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 입력감지층(400)과 반사방지층(500) 사이에는 접착부재가 개재되지 않고, 반사방지층(500)은 입력감지층(400) 상에 직접 배치될 수 있다.
한편, 도 2에서는 반사방지층(500)이 입력감지층(400) 상에 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예로 박막봉지층(300) 상에 반사방지층(500)이 배치되고, 반사방지층(500) 상에 입력감지층(400)이 배치될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 어느 하나의 화소회로의 등가회로도이다.
도 3을 참조하면, 화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)들 및 스토리지 커패시터(Storage Capacitor)를 포함할 수 있으며, 유기발광다이오드(OLED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예로, 화소회로(PC)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스캔 신호 또는 스위칭 전압에 기초하여 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터 신호 또는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
구동 박막트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)은 제2 전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 화소회로(PC)는 3개 이상의 박막트랜지스터 및/또는 2개 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소회로(PC)는 7개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함할 수도 있다. 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 디자인에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 다만, 이하 설명의 편의를 위해, 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우에 대해 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성들을 개략적으로 도시한 평면도로, 도 4는 표시 장치의 표시영역을 중심으로 도시한다.
도 4를 참조하면, 표시영역(DA)에는 복수의 화소(PX)들이 배치될 수 있다. 화소(PX)는 발광소자, 예컨대 유기발광다이오드가 빛을 방출하는 발광영역(EA)으로 정의될 수 있다. 본 명세서에서 화소(PX)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출하는 부화소(sub-pixel)일 수 있다.
일 실시예로, 복수의 화소(PX)들은 서로 상이한 색의 광을 각각 방출하는 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)를 포함할 수 있다. '서로 상이한 색의 광'이란 서로 상이한 파장 대역에 속하는 광을 의미할 수 있다. 예컨대, 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3) 각각은 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광을 방출할 수 있으며, 적색의 광은 580nm 내지 780nm의 파장 대역에 속하는 광이고, 녹색의 광은 495nm 내지 580nm의 파장 대역에 속하는 광이며, 청색의 광은 400nm 내지 495nm의 파장 대역에 속하는 광일 수 있다.
표시영역(DA)에는 복수의 화소전극(210)들이 배치될 수 있으며, 복수의 화소전극(210)들은 평면 상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)에는 서로 이격되어 배치되는 제1 화소전극(210-1), 제2 화소전극(210-2) 및 제3 화소전극(210-3)이 배치될 수 있다.
화소정의막(215)은 복수의 화소전극(210)들 각각의 중앙부를 노출시키는 홀(215H)를 포함할 수 있다. 비록 도 4에서는 도시되지 않았으나, 광을 방출하는 발광층들은 이러한 화소정의막(215)의 홀(215H)들 내에 각각 위치할 수 있으며, 화소정의막(215) 및 발광층들 상에는 대향전극이 배치될 수 있다. 대향전극은 복수의 화소전극(210)들에 걸쳐서 일체(一體)로 형성될 수 있다.
화소전극(210), 발광층 및 대향전극의 적층 구조는 하나의 유기발광다이오드를 형성할 수 있다. 화소정의막(215)의 하나의 홀(215H)은 하나의 유기발광다이오드와 대응되며, 하나의 발광영역(EA)을 정의할 수 있다.
예컨대, 제1 화소전극(210-1)의 중앙부를 노출시키는 홀(215H) 내에는 적색의 광을 방출하는 발광층이 배치되며, 이러한 홀(215H)이 정의하는 발광영역(EA)은 제1 화소(PX1)를 형성할 수 있다. 유사하게, 제2 및 제3 화소전극(210-2, 210-3)의 중앙부를 노출시키는 홀(215H)들 내에는 각각 녹색 및 청색의 광을 방출하는 발광층이 배치되고, 이러한 홀(215H)들이 정의한 발광영역(EA)들은 각각 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)를 형성할 수 있다.
복수의 화소(PX)들 사이에는 비발광영역(NEA)이 구비될 수 있다. 비발광영역(NEA)은 실질적으로 발광영역(EA)들 사이의 영역일 수 있다. 이러한 비발광영역(NEA)의 대부분에는 대향전극이 위치하되, 화소전극(210) 및 발광층은 위치하지 않을 수 있다.
한편, 도 4에서는 복수의 화소(PX)들이 RGBG 타입(이른바, 펜타일(pentile®) 구조)으로 배치된 것을 도시하나, 스트라이프(stripe) 타입 등 다양한 형상으로 배치될 수 있음은 물론이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 5는 도 4의 V-V'선을 따라 취한 표시 장치의 단면에 대응할 수 있다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(1)는 발광영역(EA) 및 비발광영역(NEA)을 포함하며, 각 발광영역(EA)은 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3) 중 어느 하나를 정의할 수 있다. 발광영역(EA)에는 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있으며, 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로(PC)와 전기적으로 연결됨으로써 유기발광다이오드(OLED)의 발광이 제어될 수 있다. 이하에서는, 유기발광다이오드(OLED) 및 화소회로(PC)의 적층 구조에 대해 설명한다.
먼저, 표시 장치(1)는 기판(100)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예로서 기판(100)은 복수의 서브층들을 포함할 수 있다. 복수의 서브층들은 유기층과 무기층이 교번하여 적층된 구조일 수 있다. 기판(100)이 고분자 수지를 포함하는 경우, 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)를 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 유기발광다이오드(OLED)와 같은 발광요소를 포함한 표시층(200) 및 표시층(200)을 덮는 박막봉지층(미도시)이 배치될 수 있다. 이하 표시층(200)에 대해 상세히 설명한다.
기판(100) 상에는 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성될 수 있다. 일 실시예로, 버퍼층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 화소회로(PC)는 각 화소(PX)에 대응하여 배치될 수 있다. 각 화소(PX)에 대응되는 화소회로(PC)들의 구조는 서로 동일하므로, 하나의 화소회로(PC)를 중심으로 설명한다.
화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터(TFT)들 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 도시의 편의상 도 5에는 하나의 박막트랜지스터(TFT)가 도시되어 있으며, 일 예로서 이러한 박막트랜지스터(TFT)는 전술한 구동 박막트랜지스터(T1, 도 3 참조)에 해당할 수 있다. 도 5에는 도시되지 않았으나, 화소회로(PC)의 데이터선(DL)은 화소회로(PC)에 포함된 스위칭 박막트랜지스터(T2, 도 3 참조)와 전기적으로 연결될 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다.
게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 및 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 데이터선(DL)과 동일한 층 상에 위치할 수 있으며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 소스전극(SE), 드레인전극(DE), 및 데이터선(DL)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE), 드레인전극(DE) 및 데이터선(DL)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 층간절연층(205)을 사이에 두고 상호 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 5는 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 층간절연층(207)으로 커버될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
제1 층간절연층(205) 및 제2 층간절연층(207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 층간절연층(205) 및 제2 층간절연층(207)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 제1 유기절연층(208)으로 커버될 수 있다. 제1 유기절연층(208)의 상면은 대략 편평한 면을 포함할 수 있다.
도 5에 도시되지는 않았으나, 제1 유기절연층(208)의 아래에는 제3 층간절연층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 제3 층간절연층은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제1 유기절연층(208) 상에는 제2 유기절연층(209)이 배치될 수 있다. 제2 유기절연층(209)은 그 위에 배치되는 유기발광다이오드(OLED)를 위해 편평한 상면을 제공할 수 있다.
제1 유기절연층(208) 및 제2 유기절연층(209)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 유기절연층(208) 및 제2 유기절연층(209)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제2 유기절연층(209) 상에는 복수의 유기발광다이오드(OLED)들이 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 유기절연층(209) 상에는 서로 인접하는 제1 유기발광다이오드(OLED1), 제2 유기발광다이오드(OLED2) 및 제3 유기발광다이오드(OLED3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)는 각각 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있으며, 예컨대 적색, 녹색, 청색의 광을 각각 방출할 수 있다.
일 실시예로, 제1 유기발광다이오드(OLED1)는 제1 화소전극(210-1), 제1 발광층(222-1)을 포함하는 제1 중간층(220-1), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다. 제2 유기발광다이오드(OLED2)는 제2 화소전극(210-2), 제2 발광층(222-2)을 포함하는 제2 중간층(220-2), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다. 제3 유기발광다이오드(OLED3)는 제3 화소전극(210-3), 제3 발광층(222-3)을 포함하는 제3 중간층(220-3), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 화소회로(PC)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 각 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(210)은 컨택메탈층(CM)을 통해 화소회로(PC)의 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 컨택메탈층(CM)은 박막트랜지스터(TFT)와 화소전극(210) 사이에 개재될 수 있다. 컨택메탈층(CM)은 제1 유기절연층(208)에 형성된 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 접속할 수 있으며, 화소전극(210)은 컨택메탈층(CM) 상의 제2 유기절연층(209)에 형성된 컨택홀을 통해 컨택메탈층(CM)에 접속할 수 있다. 컨택메탈층(CM)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 컨택메탈층(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
이하에서는 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)의 적층 구조에 대해 상세히 설명한다.
기판(100) 상의 제2 유기절연층(209) 상에는 화소전극(210)들, 예컨대 제1 화소전극(210-1), 제2 화소전극(210-2), 및 제3 화소전극(210-3)이 배치될 수 있으며, 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)은 서로 인접할 수 있다.
화소전극(210)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(210)은 전술한 반사막의 위 및/또는 아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소전극(210) 상에는 화소정의막(215)이 배치될 수 있다. 화소정의막(215)은 화소전극(210)의 상면을 노출하는 홀(215H)를 포함하되, 화소전극(210)의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(215)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 실리콘나이트라이드나 실리콘옥시나이트라이드, 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
각 화소전극(210) 상에는 발광층(222)이 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 화소전극(210-1), 제2 화소전극(210-2) 및 제3 화소전극(210-3) 상에는 각각 제1 발광층(222-1), 제2 발광층(222-2) 및 제3 발광층(222-3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)에 각각 대응될 수 있다. 여기서, 두 구성요소가 서로'대응된다'는 것은 기판(100)의 일 면에 수직인 방향으로 바라볼 때 두 구성요소가 서로 중첩된다는 것을 의미할 수 있다.
일 예로, 서로 인접한 발광층(222)들은 비발광영역(NEA)에서 서로 접촉할 수 있다. 예컨대, 서로 인접한 제1 발광층(222-1)과 제2 발광층(222-2)은 서로 접촉하고, 서로 인접한 제2 발광층(222-2)과 제3 발광층(222-3)은 서로 접촉할 수 있다. 바람직하게는, 인접한 제1 발광층(222-1)과 제2 발광층(222-2) 각각의 에지들이 서로 접하고, 인접한 제2 발광층(222-2)과 제3 발광층(222-3) 각각의 에지들이 서로 접할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층(222)의 형성 시, 공정 오차에 따라 서로 인접한 발광층(222)들이 부분적으로 중첩되거나 이격되는 것도 가능하다. 예컨대, 제2 발광층(222-2)은 일측에서 인접한 제1 발광층(222-1)과 부분적으로 중첩할 수 있고, 타측에서 인접한 제3 발광층(222-3)과 이격되어 배치될 수 있다. 발광층(222)은 소정의 색상의 광을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 즉, 발광층(222)은 소정의 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예로, 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)은 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)은 각각 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광을 방출할 수 있으며, 전술한 바와 같이 적색의 광은 580nm 내지 780nm의 파장 대역에 속하는 광이고, 녹색의 광은 495nm 내지 580nm의 파장 대역에 속하는 광이며, 청색의 광은 400nm 내지 495nm의 파장 대역에 속하는 광일 수 있다.발광층(222) 아래에는 제1 공통층(221)이 배치될 수 있다. 제1 공통층(221)은 화소전극(210)과 발광층(222) 사이에 개재될 수 있으며, 예컨대 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3) 사이에 개재될 수 있다.
제1 공통층(221)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1 공통층(221)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1 공통층(221)은 단층구조인 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)으로 형성할 수 있다. 제1 공통층(221)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1 공통층(221)은 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 정공 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
또한, 발광층(222) 위에는 제2 공통층(223)이 배치될 수 있다. 제2 공통층(223)은 발광층(222)과 후술하는 대향전극(230) 사이에 개재될 수 있으며, 예컨대 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)과 대향전극(230) 사이에 개재될 수 있다.
제2 공통층(223)은 언제나 구비되는 것은 아닐 수 있다. 예컨대, 제1 공통층(221)과 제1 발광층(222-1)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 제2 공통층(223)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2 공통층(223)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2 공통층(223)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
전술한 제1 공통층(221), 발광층(222), 및 제2 공통층(223)은 중간층(220)을 형성할 수 있다. 예컨대, 제1 공통층(221), 제1 발광층(222-1), 및 제2 공통층(223)은 제1 중간층(220-1)을 형성하며, 제1 공통층(221), 제2 발광층(222-2), 및 제2 공통층(223)은 제2 중간층(220-2)을 형성하고, 제1 공통층(221), 제3 발광층(222-3), 및 제2 공통층(223)은 제3 중간층(220-3)을 형성할 수 있다.
제1 내지 제3 중간층(220-1, 220-2, 220-3) 상에는 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3) 상에 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
대향전극(230)은 복수의 화소전극(210)들에 걸쳐 일체로 형성될 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3) 모두와 중첩하도록 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 표시영역(DA)뿐만 아니라 주변영역(PA, 도 1 참조) 상에도 형성될 수 있다.
일부 실시예에서, 대향전극(230) 상에 캡핑층(240)이 위치할 수 있다. 예컨대, 캡핑층(240)은 유기물, 무기물 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 물질을 포함하여 단층 또는 다층으로 구비될 수 있다. 캡핑층(240) 상에는 선택적 실시예로서 LiF층이 위치할 수도 있다.
비교예로서 제1 공통층(221) 및 제2 공통층(223) 모두가 복수의 화소전극(210)들에 걸쳐 일체로 형성되는 경우, 이러한 제1 공통층(221) 및 제2 공통층(223)을 통해 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 흐를 수 있고, 이로 인해 표시 품질이 저하될 수 있다. 예컨대, 제2 화소(PX2)가 녹색의 광을 방출하되, 제1 화소(PX1) 및 제3 화소(PX3)가 각각 적색의 광과 청색의 광을 방출하지 않길 원하는 경우, 화소회로(PC)가 제2 유기발광다이오드(OLED2)에만 구동 전류를 인가하도록 제어될 수 있다. 그러나, 제2 유기발광다이오드(OLED2)에 인가된 구동 전류 중 일부가 제1 공통층(221) 및/또는 제2 공통층(223)을 통해 인접한 제1 유기발광다이오드(OLED1) 및/또는 제3 유기발광다이오드(OLED3)를 향해 흐를 수 있다. 그 결과, 제2 유기발광다이오드(OLED2)로부터 녹색의 광이 방출될 뿐만 아니라 제1 유기발광다이오드(OLED1) 및/또는 제3 유기발광다이오드(OLED3)로부터 각각 적색 및/또는 청색의 광도 방출되어, 색 순도가 저하되는 등 표시 품질이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
표시 장치(1)의 해상도가 높아질수록 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이의 간격이 보다 작아지므로, 이러한 문제점의 발생 가능성은 더 높아질 수 있다. 또한, 유기발광다이오드(OLED)의 수명, 효율 등의 특성을 개선하기 위해 제1 공통층(221) 및/또는 제2 공통층(223)이 보다 높은 전기 전도도를 갖는 물질을 구비하게 된다면, 상기 문제점의 발생 가능성은 더 높아 질 수 있다. 또한, 누설 전류의 문제점으로 인해, 제1 공통층(221) 및/또는 제2 공통층(223)의 도핑 농도, 두께 등에 대해 제약이 존재할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)의 해상도, 수명, 효율 등을 개선시키는데 있어 제약 사항이 존재하게 된다.
상기 문제점 및 제약 사항을 제거하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 공통층(221) 및 제2 공통층(223) 중 적어도 하나는 복수의 화소전극(210)들에 걸쳐 일체로 형성되지 않고, 유기발광다이오드(OLED) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 이와 관련하여 이하 도 6 및 도 7을 참조하여 후술한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 6은 도 5의 표시 장치에 구비되는 발광소자에 대응할 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 발광소자로서 유기발광다이오드를 포함할 수 있으며, 예컨대 서로 다른 파장 대역의 광을 방출하는 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED3)에 각각 구비된 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)은 발광영역(EA) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)은 서로 이격되어 배치되며, 평면 상에서 아일랜드 형상(또는 고립된 형상)을 가질 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)의 대향전극(230)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에 걸쳐 일체로 구비될 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 대향전극(230) 사이에 개재된 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)을 각각 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝될 수 있고, 각각 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)에 대응될 수 있다. 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)은 각각 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)은 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예로, 제1 발광층(222-1)은 적색 광을 방출하는 유기물질로 구비되며, 제2 발광층(222-2)은 녹색 광을 방출하는 유기물질로 구비되며, 제3 발광층(222-3)은 청색 광을 방출하는 유기물질로 구비될 수 있다. 일 예로, 제1 발광층(222-1)은 소정의 호스트 물질에 예를 들면, 적색 도펀트를 사용함으로써 형성될 수 있다. 제2 발광층(222-2)은 소정의 호스트 물질에 예를 들면, 녹색 도펀트를 사용함으로써 형성될 수 있다. 제3 발광층(222-3)은 소정의 호스트 물질에 예를 들면, 청색 도펀트를 사용함으로써 형성될 수 있다.
일부 실시예로, 제1 발광층(222-1)은 제1 메인 발광층(222m-1) 및 제1 보조 발광층(222a-1)을 포함할 수 있다. 제1 메인 발광층(222m-1)은 예컨대, 적색 광을 방출하는 유기물질을 구비할 수 있다. 제1 보조 발광층(222a-1)은 예컨대, 정공 수송층으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 보조 발광층(222a-1)은 후술할 제1 공통층(221)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.
유사하게, 제2 발광층(222-2)은 제2 메인 발광층(222m-2) 및 제2 보조 발광층(222a-2)을 포함할 수 있다. 제2 메인 발광층(222m-2)은 예컨대, 녹색 광을 방출하는 유기물질을 구비할 수 있다. 제2 보조 발광층(222a-2)은 예컨대, 정공 수송층으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)을 구비할 수 있다. 예컨대, 제2 보조 발광층(222a-2)은 후술할 제1 공통층(222)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예로, 제1 메인 발광층(222m-1)의 두께(t1)과 제1 보조 발광층(222a-1)의 두께(t1')는 서로 상이할 수 있다. 제1 보조 발광층(222a-1)의 두께(t1')는 제1 발광층(222-1)이 전체적으로 공명 구조를 갖도록 결정될 수 있다. 이를 통해, 제1 발광층(222-1)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 유사하게, 제2 메인 발광층(222m-2)의 두께(t2)과 제2 보조 발광층(222a-2)의 두께(t2')는 서로 상이할 수 있으며, 제2 보조 발광층(222a-2)의 두께(t2')는 제2 발광층(222-2)이 전체적으로 공명 구조를 갖도록 결정될 수 있다. 이를 통해, 제2 발광층(222-2)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일부 실시예로, 제1 보조 발광층(222a-1)의 두께(t1')와 제2 보조 발광층(222a-2)의 두께(t2')도 서로 상이할 수 있다.
또한, 제1 메인 발광층(222m-1)의 두께(t1), 제2 메인 발광층(222m-2)의 두께(t2) 및 제3 발광층(222-3)의 두께(t3)도 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 가장 긴 파장 대역의 광을 방출하는 제1 메인 발광층(222m-1)의 두께(t1)는 제2 메인 발광층(222m-2)의 두께(t2) 및 제3 발광층(222-3)의 두께(t3)보다 클 수 있다. 가장 짧은 파장 대역의 광을 방출하는 제3 발광층(222-3)의 두께(t3)는 제1 메인 발광층(222m-1)의 두께(t1) 및 제2 메인 발광층(222m-2)의 두께(t2)보다 작을 수 있다. 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3) 각각은 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하므로, 각각이 방출하는 광의 파장 대역을 고려하여 제1 메인 발광층(222m-1)의 두께(t1), 제2 메인 발광층(222m-2)의 두께(t2) 및 제3 발광층(222-3)의 두께(t3)가 결정됨으로써, 상기 발광층들(222-1, 222-2, 222-3)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일 실시예로, 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3) 사이에 개재된 제1 공통층(221), 및 제1 내지 제3 발광층(222-1, 222-2, 222-3)과 대향전극(230) 사이에 개재된 제2 공통층(223)이 구비될 수 있다.
제1 공통층(221)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함할 수 있고, 제2 공통층(223)은 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 도 6에서는 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)가 각각 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 모두 구비한 것을 도시하나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예로, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
정공 주입층(HIL)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, HATCN 및 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 일부 실시예로, 정공 주입층(HIL)은 p형 도핑된 정공 수송층(HTL)으로 대체될 수 있다.
정공 수송층(HTL)은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine) 등과 같이 높은 정공이동도를 가지고 안정성이 우수한 트리페닐아민 유도체를 정공 수송층의 호스트로 포함할 수 있다.
전자 수송층(ETL)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq(lithium quinolate), BMB-3T, PF-6P, TPBI, COT 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자 주입층(EIL)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, 전자 주입층(EIL)은 Yb, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
일 실시예로서, 제1 공통층(221)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 제1 공통층(221)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부(221a), 제1-2 패턴부(221b), 및 제1-3 패턴부(221c)를 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 공통층(221)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하는 경우, 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)은 각각 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 정공 주입층(HIL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(HILa), 제2 부분(HILb), 및 제3 부분(HILc)을 포함하고, 정공 수송층(HTL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(HTLa), 제2 부분(HTLb), 및 제3 부분(HTLc)을 포함할 수 있다.
따라서, 정공 주입층(HIL)의 제1 부분(HILa)과 정공 수송층(HTL)의 제1 부분(HTLa)이 제1 공통층(221)의 제1-1 패턴부(221a)를 형성하고, 정공 주입층(HIL)의 제2 부분(HILb)과 정공 수송층(HTL)의 제2 부분(HTLb)이 제1 공통층(221)의 제1-2 패턴부(221b)를 형성하며, 정공 주입층(HIL)의 제3 부분(HILc)과 정공 수송층(HTL)의 제3 부분(HTLc)이 제1 공통층(221)의 제1-3 패턴부(221c)를 형성하는 것으로 이해할 수 있다.
이와 같이, 제1 공통층(221)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 단절되어 구비되므로, 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 발생하지 않을 수 있다. 즉, 어느 하나의 유기발광다이오드(OLED)에 공급된 구동 전류가 제1 공통층(221)을 통해 인접한 다른 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 것이 차단될 수 있다. 이를 통해, 누설 전류로 인한 인접 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 차단하고, 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
나아가, 제1 공통층(221)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 완전히 단절되어 구비되므로, 표시 장치(1)의 해상도가 높아지더라도 상기 누설 전류는 발생하지 않는다. 또한, 제1 공통층(221)이 제약 없이 높은 전기 전도도의 물질을 구비할 수 있게 된다. 따라서, 고해상도의 표시 장치(1)를 구현할 수 있고, 유기발광다이오드(OLED)의 수명, 효율 등의 특성을 개선한 표시 장치(1)를 구현할 수 있다.
한편, 일 실시예로, 제2 공통층(223)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에 걸쳐 일체로 구비될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 앞서 도 6을 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하며, 이하 차이점 위주로 설명하도록 한다.
도 7을 참조하면, 제2 공통층(223)도 또한 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 제2 공통층(223)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제2-1 패턴부(223a), 제2-2 패턴부(223b), 및 제2-3 패턴부(223c)를 포함할 수 있다.
일 예로, 제2 공통층(223)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우, 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)은 각각 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 전자 주입층(EIL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(EILa), 제2 부분(EILb), 및 제3 부분(EILc)을 포함하고, 전자 수송층(ETL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(ETLa), 제2 부분(ETLb), 및 제3 부분(ETLc)을 포함할 수 있다.
따라서, 전자 주입층(EIL)의 제1 부분(EILa)과 전자 수송층(ETL)의 제1 부분(ETLa)이 제2 공통층(223)의 제2-1 패턴부(223a)를 형성하고, 전자 주입층(EIL)의 제2 부분(EILb)과 전자 수송층(ETL)의 제2 부분(ETLb)이 제2 공통층(223)의 제2-2 패턴부(223b)를 형성하며, 전자 주입층(EIL)의 제3 부분(EILc)과 전자 수송층(ETL)의 제3 부분(ETLc)이 제2 공통층(223)의 제2-3 패턴부(223c)를 형성하는 것으로 이해할 수 있다.
이와 같이, 제2 공통층(223)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 단절되어 구비되므로, 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 발생하지 않을 수 있다. 이를 통해, 누설 전류로 인한 인접 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 차단하고, 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 고해상도의 표시 장치(1)를 구현할 수 있고, 유기발광다이오드(OLED)의 수명, 효율 등의 특성을 개선한 표시 장치(1)를 구현할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 8은 변형예로서 도 4의 V-V'선을 따라 취한 표시 장치의 단면에 대응할 수 있다.
도 8은 도 5와 유사하나, 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)의 구조에서 전술한 도 5와 차이가 있다. 앞서 도 5를 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
도 8을 참조하면, 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각은 복수의 발광층들을 포함하는 탠덤 구조(tandem structure)로 구비될 수 있다.
일 실시예로, 제1 유기발광다이오드(OLED1)는 제1 화소전극(210-1), 복수의 발광층을 구비하는 제1 중간층(220-1), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 유기발광다이오드(OLED1)의 제1 중간층(220-1)은 제1 하부 발광층(222L-1), 및 제1 하부 발광층(222L-1)과 중첩하도록 제1 하부 발광층(222L-1) 상에 배치되는 제1 상부 발광층(222U-1)을 포함할 수 있다.
유사하게, 제2 유기발광다이오드(OLED2)는 제2 화소전극(210-2), 복수의 발광층을 구비하는 제2 중간층(220-2), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 유기발광다이오드(OLED2)의 제2 중간층(220-2)은 제2 하부 발광층(222L-2), 및 제2 하부 발광층(222L-2)과 중첩하도록 제2 하부 발광층(222L-2) 상에 배치되는 제2 상부 발광층(222U-2)을 포함할 수 있다.
제3 유기발광다이오드(OLED3)는 제3 화소전극(210-3), 복수의 발광층을 구비하는 제3 중간층(220-3), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제3 유기발광다이오드(OLED3)의 제3 중간층(220-3)은 제3 하부 발광층(222L-3), 및 제3 하부 발광층(222L-3)과 중첩하도록 제3 하부 발광층(222L-3) 상에 배치되는 제3 상부 발광층(222U-3)을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)은 각각 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 개별적으로 구비될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)은 각각 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 개별적으로 구비될 수 있다.
일 예로, 서로 인접한 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)들은 비발광영역(NEA)에서 서로 접촉할 수 있다. 예컨대, 서로 인접한 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 각각의 에지들이 서로 접할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)들의 형성 시, 공정 오차에 따라 서로 인접한 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)들이 부분적으로 중첩되거나 이격되는 것도 가능하다. 이러한 특징은 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)들도 동일 또는 유사하게 적용될 수 있으므로, 중복된 설명은 생략한다.
일 실시예로, 전술한 바와 같이 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)는 각각 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있으며, 예컨대 적색, 녹색, 청색의 광을 각각 방출할 수 있다. 이를 구현하기 위해, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)은 각각 서로 다른 색의 광을 방출하며, 예컨대 적색, 녹색, 청색의 광을 각각 방출할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)도 각각 서로 다른 색의 광을 방출하며, 예컨대 적색, 녹색, 청색의 광을 각각 방출할 수 있다.
즉, 상호 중첩하여 배치된 제1 유기발광다이오드(OLED1)의 제1 하부 발광층(222L-1)과 제1 상부 발광층(222U-1)은 서로 동일한 파장 대역의 광을 방출할 수 있고, 예컨대 제1 하부 발광층(222L-1)은 적색의 광을 방출하고 제1 상부 발광층(222U-1)도 동일하게 적색의 광을 방출할 수 있다. 또한, 상호 중첩하여 배치된 제2 유기발광다이오드(OLED2)의 제2 하부 발광층(222L-2)과 제2 상부 발광층(222U-2)은 서로 동일한 파장 대역의 광을 방출할 수 있고, 예컨대 제2 하부 발광층(222L-2)이 녹색의 광을 방출하면 제2 상부 발광층(222U-2)도 동일하게 녹색의 광을 방출할 수 있다. 상호 중첩하여 배치된 제3 유기발광다이오드(OLED3)의 제3 하부 발광층(222L-3)과 제3 상부 발광층(222U-3)은 서로 동일한 파장 대역의 광을 방출할 수 있고, 예컨대 제3 하부 발광층(222L-3)이 청색의 광을 방출하면 제3 상부 발광층(222U-3)도 동일하게 청색의 광을 방출할 수 있다.
일 실시예로, 제1 내지 제3 중간층(220-1, 220-2, 220-3)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 사이에 개재된 전하 생성층(Charge generation layer)(224)을 포함할 수 있다. 즉, 전하 생성층(224)는 제1 하부 발광층(222L-1)과 제1 상부 발광층(222U-1) 사이, 제2 하부 발광층(222L-2)과 제2 상부 발광층(222U-2) 사이, 그리고 제3 하부 발광층(222L-3)과 제3 상부 발광층(222U-3) 사이에 위치할 수 있다. 전하 생성층(224)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)를 포함하는 제1 스택과 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)를 포함하는 제2 스택에 전하를 공급하는 역할을 할 수 있다.
일 실시예로, 전하 생성층(224)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 개별적으로 구비될 수 있다. 예컨대, 전하 생성층(224)은, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 각각에 대응하며 서로 단절된 제1 부분(224a), 제2 부분(224b), 및 제3 부분(224c)을 포함할 수 있다. 일부 실시예로, 전하 생성층(224)은 복수의 서브층들을 포함하며, 복수의 서브층들 중 적어도 하나의 서브층은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 각각에 대응하며 서로 단절된 복수의 부분들을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 중간층(220-1, 220-2, 220-3)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 사이에 개재된 제1 공통층(221), 및 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)과 대향전극(230) 사이에 개재된 제2 공통층(223)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)은 제2 공통층(223)을 사이에 두도록 대향전극(230)의 하부에 위치할 수 있다. 제1 공통층(221) 및 제2 공통층(223)에 대해, 앞서 도 5를 참조하여 전술한 설명이 동일하게 적용되므로, 이하 중복되는 설명은 생략한다.
일 실시예로, 제1 내지 제3 중간층(220-1, 220-2, 220-3)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 전하 생성층(224) 사이에 개재되는 제3 공통층(225), 및 전하 생성층(224)과 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 사이에 개재되는 제4 공통층(227)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제3 공통층(225)은 전자 수송층을 포함하고, 제4 공통층(227)은 정공 수송층을 포함할 수 있다.
예컨대, 제1 공통층(221), 제1 하부 발광층(222L-1), 제3 공통층(225), 전하 생성층(224), 제4 공통층(227), 제1 상부 발광층(222U-1) 및 제2 공통층은 제1 중간층(220-1)을 형성할 수 있다. 유사하게, 제1 공통층(221), 제2 하부 발광층(222L-2), 제3 공통층(225), 전하 생성층(224), 제4 공통층(227), 제2 상부 발광층(222U-2) 및 제2 공통층은 제2 중간층(220-2)을 형성하고, 제1 공통층(221), 제3 하부 발광층(222L-3), 제3 공통층(225), 전하 생성층(224), 제4 공통층(227), 제3 상부 발광층(222U-3) 및 제2 공통층은 제3 중간층(220-3)을 형성할 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED3)의 대향전극(230)은 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 상에 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)에 걸쳐 일체로 형성될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 9는 도 8의 표시 장치에 구비되는 발광소자에 대응할 수 있다.
도 9를 참조하면, 표시 장치(1)는 발광소자로서 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있으며, 예컨대 서로 다른 파장 대역의 광을 방출하는 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각은 복수의 발광층들을 포함하는 탠덤 구조(tandem structure)로 구비될 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED3)에 각각 구비된 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)은 발광영역(EA) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)은 서로 이격되어 배치되며, 평면 상에서 아일랜드 형상(또는 고립된 형상)을 가질 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)의 대향전극(230)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에 걸쳐 일체로 구비될 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 대향전극(230) 사이에 각각 개재된 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되며, 각각 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)에 대응될 수 있다.
제1 내지 제3 하부 발광층(222-1, 222-2, 222-3)은 각각 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)은 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있다. 일 실시예로, 제1 하부 발광층(222L-1)은 적색 광을 방출하는 유기물질로 구비되며, 제2 하부 발광층(222L-2)은 녹색 광을 방출하는 유기물질로 구비되며, 제3 하부 발광층(222L-3)은 청색 광을 방출하는 유기물질로 구비될 수 있다. 일 예로, 제1 하부 발광층(222L-1)은 소정의 호스트 물질에 예를 들면, 적색 도펀트를 사용함으로써 형성될 수 있다. 제2 하부 발광층(222L-2)은 소정의 호스트 물질에 예를 들면, 녹색 도펀트를 사용함으로써 형성될 수 있다. 제3 하부 발광층(222L-3)은 소정의 호스트 물질에 예를 들면, 청색 도펀트를 사용함으로써 형성될 수 있다.
일부 실시예로, 제1 하부 발광층(222L-1)은 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1) 및 제1 보조 하부 발광층(222La-1)을 포함할 수 있다. 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1)은 예컨대, 적색 광을 방출하는 유기물질을 구비할 수 있다. 제1 보조 하부 발광층(222La-1)은 예컨대, 정공 수송층으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 보조 하부 발광층(222La-1)은 제1 공통층(221)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.
유사하게, 제2 하부 발광층(222L-2)은 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2) 및 제2 보조 하부 발광층(222La-2)을 포함할 수 있다. 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2)은 예컨대, 녹색 광을 방출하는 유기물질을 구비할 수 있다. 제2 보조 하부 발광층(222La-2)은 예컨대, 정공 수송층으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)을 구비할 수 있다. 예컨대, 제2 보조 하부 발광층(222La-2)은 후술할 제1 공통층(222)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예로, 제1 하부 발광층(222L-1)의 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1)의 두께(t4)와 제1 보조 하부 발광층(222La-1)의 두께(t4')는 서로 상이할 수 있다. 제1 보조 하부 발광층(222La-1)의 두께(t4')는 제1 하부 발광층(222L-1)이 전체적으로 공명 구조를 갖도록 결정될 수 있다. 이를 통해, 제1 하부 발광층(222L-1)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 유사하게, 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2)의 두께(t5)과 제2 보조 하부 발광층(222La-2)의 두께(t5')는 서로 상이할 수 있으며, 제2 보조 하부 발광층(222La-2)의 두께(t5')는 제2 하부 발광층(222L-2)이 전체적으로 공명 구조를 갖도록 결정될 수 있다. 이를 통해, 제2 하부 발광층(222L-2)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일부 실시예로, 제1 보조 하부 발광층(222La-1)의 두께(t4')와 제2 보조 하부 발광층(222La-2)의 두께(t5')도 서로 상이할 수 있다.
또한, 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1)의 두께(t4), 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2)의 두께(t5) 및 제3 하부 발광층(222-3)의 두께(t6)도 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 가장 긴 파장 대역의 광을 방출하는 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1)의 두께(t4)는 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2)의 두께(t5) 및 제3 하부 발광층(222L-3)의 두께(t6)보다 클 수 있다. 가장 짧은 파장 대역의 광을 방출하는 제3 하부 발광층(222L-3)의 두께(t6)는 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1)의 두께(t4) 및 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2)의 두께(t5)보다 작을 수 있다. 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 각각은 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하므로, 각각이 방출하는 광의 파장 대역을 고려하여 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1)의 두께(t4), 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2)의 두께(t5) 및 제3 하부 발광층(222-3)의 두께(t6)가 결정됨으로써, 상기 하부 발광층들(222L-1, 222L-2, 222L-3)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일 실시예로, 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 대향전극(230) 사이에 각각 개재되는 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되며, 각각 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 중첩할 수 있다.
일 실시예로, 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)은 각각 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 동일한 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 일 예로, 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)은 각각 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예로, 제1 상부 발광층(222U-1)은 제1 메인 상부 발광층(222Um-1) 및 제1 보조 상부 발광층(222Ua-1)을 포함할 수 있다. 제1 메인 상부 발광층(222Um-1)은 예컨대, 적색 광을 방출하는 유기물질을 구비할 수 있다. 제1 보조 상부 발광층(222Ua-1)은 예컨대, 정공 수송층으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 보조 상부 발광층(222Ua-1)은 제1 공통층(221)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.
유사하게, 제2 상부 발광층(222U-2)은 제2 메인 상부 발광층(222Um-2) 및 제2 보조 상부 발광층(222Ua-2)을 포함할 수 있다. 제2 메인 상부 발광층(222Um-2)은 예컨대, 녹색 광을 방출하는 유기물질을 구비할 수 있다. 제2 보조 상부 발광층(222Ua-2)은 예컨대, 정공 수송층으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene), 폴리아닐린(PANI: polyaniline), TPD(N, N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)을 구비할 수 있다. 예컨대, 제2 보조 상부 발광층(222Ua-2)은 후술할 제1 공통층(222)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예로, 제1 상부 발광층(222U-1)의 제1 메인 상부 발광층(222Um-1)의 두께(t7)와 제1 보조 상부 발광층(222Ua-1)의 두께(t7')는 서로 상이할 수 있다. 제1 보조 상부 발광층(222Ua-1)의 두께(t7')는 제1 상부 발광층(222U-1)이 전체적으로 공명 구조를 갖도록 결정될 수 있다. 이를 통해, 제1 상부 발광층(222U-1)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 유사하게, 제2 메인 상부 발광층(222Um-2)의 두께(t8)과 제2 보조 상부 발광층(222Ua-2)의 두께(t8')는 서로 상이할 수 있으며, 제2 보조 상부 발광층(222Ua-2)의 두께(t8')는 제2 상부 발광층(222U-2)이 전체적으로 공명 구조를 갖도록 결정될 수 있다. 이를 통해, 제2 상부 발광층(222U-2)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일부 실시예로, 제1 보조 상부 발광층(222Ua-1)의 두께(t7')와 제2 보조 상부 발광층(222Ua-2)의 두께(t8')도 서로 상이할 수 있다.
또한, 제1 메인 상부 발광층(222Um-1)의 두께(t7), 제2 메인 상부 발광층(222Um-2)의 두께(t8) 및 제3 상부 발광층(222-3)의 두께(t9)도 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 가장 긴 파장 대역의 광을 방출하는 제1 메인 상부 발광층(222Um-1)의 두께(t7)는 제2 메인 상부 발광층(222Um-2)의 두께(t8) 및 제3 상부 발광층(222U-3)의 두께(t9)보다 클 수 있다. 가장 짧은 파장 대역의 광을 방출하는 제3 상부 발광층(222U-3)의 두께(t9)는 제1 메인 상부 발광층(222Um-1)의 두께(t7) 및 제2 메인 상부 발광층(222Um-2)의 두께(t8)보다 작을 수 있다. 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 각각은 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하므로, 각각이 방출하는 광의 파장 대역을 고려하여 제1 메인 상부 발광층(222Um-1)의 두께(t7), 제2 메인 상부 발광층(222Um-2)의 두께(t8) 및 제3 상부 발광층(222-3)의 두께(t9)가 결정됨으로써, 상기 상부 발광층들(222U-1, 222U-2, 222U-3)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.한편, 일 예로, 제1 하부 발광층(222L-1)의 두께와 제1 상부 발광층(222U-1)의 두께는 서로 상이할 수 있고, 제2 하부 발광층(222L-2)의 두께와 제2 상부 발광층(222U-2)의 두께는 서로 상이할 수 있으며, 제3 하부 발광층(222L-3)의 두께와 제3 상부 발광층(222U-3)의 두께는 서로 상이할 수 있다.
일 예로, 제1 하부 발광층(222L-1)의 제1 메인 하부 발광층(222Lm-1)의 두께(t4)와 제1 보조 하부 발광층(222La-1)의 두께(t4'), 제1 상부 발광층(222U-1)의 제1 메인 상부 발광층(222Um-1)의 두께(t7)와 제1 보조 상부 발광층(222Ua-1)의 두께(t7')는 모두 서로 상이할 수 있다. 유사하게, 제2 하부 발광층(222L-2)의 제2 메인 하부 발광층(222Lm-2)의 두께(54)와 제2 보조 하부 발광층(222La-2)의 두께(t5'), 제2 상부 발광층(222U-2)의 제2 메인 상부 발광층(222Um-2)의 두께(t8)와 제2 보조 상부 발광층(222Ua-2)의 두께(t8')는 모두 서로 상이할 수 있다. 또한, 제3 하부 발광층(222L-3)의 두께(t6)과 제3 상부 발광층(222U-3)의 두께(t9)도 서로 상이할 수 있다.
일 실시예로, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 사이에 개재된 전하 생성층(224)이 구비될 수 있다. 전하 생성층(224)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)를 포함하는 제1 스택(ST1)과 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)를 포함하는 제2 스택(ST2)에 전하를 공급하는 역할을 할 수 있다.
일 예로, 전하 생성층(224)은 제1 스택(ST1)에 전자를 공급하기 위한 n형 전하 생성층(224n) 및 제2 스택(ST2)에 정공(hole)을 공급하기 위한 p형 전하 생성층(224p)을 포함할 수 있다.
n형 전하 생성층(224n)은 n형 도펀트 물질 및 n형 호스트 물질을 포함할 수 있다. n형 도펀트 물질은 주기율표 상의 제1 족 및 제2 족의 금속 또는 전자를 주입할 수 있는 유기물 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 예를 들어, n형 도펀트 물질은 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 중 어느 하나일 수 있다. 즉, n형 전하 생성층(224n)은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 세슘(Cs)과 같은 알칼리 금속, 또는 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 또는 라듐(Ra)과 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. n형 호스트 물질은, 전자를 전달할 수 있는 물질, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium), SAlq, TPBi(2,2',2-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole), 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난트롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole) 또는 벤즈티아졸(benzthiazole)중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
p형 전하 생성층(224p)은 p형 도펀트 물질 및 p형 호스트 물질을 포함할 수 있다. p형 도펀트 물질은 금속 산화물, 테트라플루오로-테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ), HAT-CN(Hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile), 헥사아자트리페닐렌 등과 같은 유기물 또는 V2O5, MoOx, WO3 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. p형 호스트 물질은, 정공을 전달할 수 있는 물질, 예를 들어, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine) 및 MTDATA(4,4',4-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다
일 실시예로, 전하 생성층(224)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 각각에 대응하며 서로 단절된 복수의 부분들을 포함할 수 있다. 예컨대, 전하 생성층(224)이 n형 전하 생성층(224n)과 p형 전하 생성층(224p)을 포함하는 경우, n형 전하 생성층(224n) 및 p형 전하 생성층(224p) 중 적어도 하나는, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)에 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분, 제2 부분 및 제3 부분을 포함할 수 있다. 일 예로서, 도 9는 p형 전하 생성층(224p)이 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)에 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(224pa), 제2 부분(224pb) 및 제3 부분(224pc)를 포함하는 것을 도시하고 있다.
비교예로서, 전하 생성층(224)이 복수의 유기발광다이오드(OLED)들에 걸쳐 일체로 형성되는 경우, 이러한 전하 생성층(224)을 통해 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 흐를 수 있고, 이로 인해 표시 품질이 저하될 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전하 생성층(224)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 단절되어 구비되므로, 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 방지될 수 있다. 이를 통해, 누설 전류로 인한 인접 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 차단하고, 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 고해상도의 표시 장치(1)를 구현할 수 있고, 유기발광다이오드(OLED)의 수명, 효율 등의 특성을 개선한 표시 장치(1)를 구현할 수 있다.
한편, 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 사이에는 제1 공통층(221)이 개재되고, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 대향전극(230) 사이에는 제2 공통층(223)이 개재될 수 있다.
제1 공통층(221)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함할 수 있고, 제2 공통층(223)은 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 도 6에서는 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)가 각각 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 모두 구비한 것을 도시하나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예로, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다. 도 9의 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 전술한 도 6과 동일한 바, 중복되는 설명은 생략한다.
또한, 일 실시예로, 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 전하 생성층(224) 사이에는 제3 공통층(225)이 개재되고, 전하 생성층(224)과 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 사이에는 제4 공통층(227)이 개재될 수 있다. 예컨대, 제3 공통층(225)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 n형 전하 생성층(224n) 사이에 위치하는 전자 수송층(ETL')을 포함하고, 제4 공통층(227)은 p형 전하 생성층(224p)와 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 사이에 위치하는 정공 수송층(HTL')을 포함할 수 있다. 제3 공통층(225)의 전자 수송층(ETL')은 제2 공통층(223)의 전자 수송층(ETL)과 동일 또는 유사하고, 제4 공통층(227)의 정공 수송층(HTL')은 제1 공통층(221)의 정공 수송층(HTL)과 동일 또는 유사한 바, 중복되는 설명은 생략한다.
일 예로, 제1 내지 제4 공통층(221, 223, 225, 227)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에 걸쳐 일체로 구비될 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)는 공통적으로 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3) 사이에 구비된 제1 공통층(221), 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3)과 대향전극(230) 사이에 구비된 제2 공통층(223), 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)과 전하 생성층(224) 사이에 구비된 제3 공통층(225), 및 전하 생성층(224)과 제1 내지 제3 상부 발광층(222U-1, 222U-2, 222U-3) 사이에 구비된 제4 공통층(227)을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 8의 표시 장치에 구비되는 발광소자에 대응할 수 있다. 앞서 도 9를 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하며, 이하에서 차이점을 중심으로 설명한다.
도 10을 참조하면, 제1 공통층(221)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 제1 공통층(221)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부(221a), 제1-2 패턴부(221b), 및 제1-3 패턴부(221c)를 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 공통층(221)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하는 경우, 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)은 각각 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 정공 주입층(HIL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(HILa), 제2 부분(HILb), 및 제3 부분(HILc)을 포함하고, 정공 수송층(HTL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(HTLa), 제2 부분(HTLb), 및 제3 부분(HTLc)을 포함할 수 있다. 따라서, 정공 주입층(HIL)의 제1 부분(HILa)과 정공 수송층(HTL)의 제1 부분(HTLa)이 제1 공통층(221)의 제1-1 패턴부(221a)를 형성하고, 정공 주입층(HIL)의 제2 부분(HILb)과 정공 수송층(HTL)의 제2 부분(HTLb)이 제1 공통층(221)의 제1-2 패턴부(221b)를 형성하며, 정공 주입층(HIL)의 제3 부분(HILc)과 정공 수송층(HTL)의 제3 부분(HTLc)이 제1 공통층(221)의 제1-3 패턴부(221c)를 형성하는 것으로 이해할 수 있다.
이와 같이, 제1 공통층(221)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 단절되어 구비되므로, 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 발생하지 않을 수 있다. 즉, 어느 하나의 유기발광다이오드(OLED)에 공급된 구동 전류가 제1 공통층(221)을 통해 인접한 다른 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 것이 차단될 수 있다. 이를 통해, 누설 전류로 인한 인접 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 차단하고, 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
나아가, 제1 공통층(221)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 완전히 단절되어 구비되므로, 표시 장치(1)의 해상도가 높아지더라도 상기 누설 전류는 발생하지 않는다. 또한, 제1 공통층(221)이 제약 없이 높은 전기 전도도의 물질을 구비할 수 있게 된다. 따라서, 고해상도의 표시 장치(1)를 구현할 수 있고, 유기발광다이오드(OLED)의 수명, 효율 등의 특성을 개선한 표시 장치(1)를 구현할 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 8의 표시 장치에 구비되는 발광소자에 대응할 수 있다. 앞서 도 9 및 도 10를 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하며, 이하에서 차이점을 중심으로 설명한다.
도 11을 참조하면, 전하 생성층(224)은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 전하 생성층(224)의 p형 전하 생성층(224p)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)에 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(224pa), 제2 부분(224pb) 및 제3 부분(224pc)를 포함하고, 전하 생성층(224)의 n형 전하 생성층(224n)은 제1 내지 제3 하부 발광층(222L-1, 222L-2, 222L-3)에 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(224na), 제2 부분(224nb) 및 제3 부분(224nc)를 포함할 수 있다.
또한, 제3 공통층(225) 및 제4 공통층(227) 각각은 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 제3 공통층(225)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제3-1 패턴부(225a), 제3-2 패턴부(225b), 및 제3-3 패턴부(225c)를 포함할 수 있고, 제4 공통층(227)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제4-1 패턴부(227a), 제4-2 패턴부(227b), 및 제4-3 패턴부(227c)를 포함할 수 있다.
비록, 도 11은 전하 생성층(224)의 p형 전하 생성층(224p) 및 n형 전하 생성층(224n), 제3 공통층, 및 제4 공통층(227)이 모두 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 서로 단절된 부분들을 포함하는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 전하 생성층(224)의 p형 전하 생성층(224p) 및 n형 전하 생성층(224n), 제3 공통층, 및 제4 공통층(227) 중 적어도 하나가 패터닝될 수 있다. 다만, 패터닝 공정의 여러 조건들(형성되는 층의 물질 등)을 고려하여, 상기 층들(224p, 224n, 225, 227) 중 일부가 함께 패터닝될 수 있다.
이와 같이, 전하 생성층(224)의 p형 전하 생성층(224p) 및 n형 전하 생성층(224n), 제3 공통층, 및 제4 공통층(227)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 단절되어 구비되므로, 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 발생하지 않을 수 있다. 이를 통해, 누설 전류로 인한 인접 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 차단하고, 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 고해상도의 표시 장치(1)를 구현할 수 있고, 유기발광다이오드(OLED)의 수명, 효율 등의 특성을 개선한 표시 장치(1)를 구현할 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에 구비되는 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 8의 표시 장치에 구비되는 발광소자에 대응할 수 있다. 앞서 도 9 내지 도 11를 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하며, 이하에서 차이점을 중심으로 설명한다.
도 12를 참조하면, 제2 공통층(223)도 또한 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 제2 공통층(223)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제2-1 패턴부(223a), 제2-2 패턴부(223b), 및 제2-3 패턴부(223c)를 포함할 수 있다.
일 예로, 제2 공통층(223)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우, 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)은 각각 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 별로 패터닝되어 구비될 수 있다. 예컨대, 전자 주입층(EIL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(EILa), 제2 부분(EILb), 및 제3 부분(EILc)을 포함하고, 전자 수송층(ETL)은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분(ETLa), 제2 부분(ETLb), 및 제3 부분(ETLc)을 포함할 수 있다. 따라서, 전자 주입층(EIL)의 제1 부분(EILa)과 전자 수송층(ETL)의 제1 부분(ETLa)이 제2 공통층(223)의 제2-1 패턴부(223a)를 형성하고, 전자 주입층(EIL)의 제2 부분(EILb)과 전자 수송층(ETL)의 제2 부분(ETLb)이 제2 공통층(223)의 제2-2 패턴부(223b)를 형성하며, 전자 주입층(EIL)의 제3 부분(EILc)과 전자 수송층(ETL)의 제3 부분(ETLc)이 제2 공통층(223)의 제2-3 패턴부(223c)를 형성하는 것으로 이해할 수 있다.
이와 같이, 제2 공통층(223)이 각 유기발광다이오드(OLED) 별로 단절되어 구비되므로, 인접한 유기발광다이오드(OLED)들 사이에 누설 전류가 발생하지 않을 수 있다. 이를 통해, 누설 전류로 인한 인접 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 차단하고, 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 고해상도의 표시 장치(1)를 구현할 수 있고, 유기발광다이오드(OLED)의 수명, 효율 등의 특성을 개선한 표시 장치(1)를 구현할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 개략적으로 보여주는 배치 단면도이다.
도 13을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(1000)는 챔버(1100), 제1 지지부(1200), 제2 지지부(1300), 비젼부(1400), 마스크 조립체(1500), 증착원(1600) 및 압력조절부(1700)를 포함할 수 있다.
챔버(1100)는 내부에 공간이 형성될 수 있으며, 챔버(1100) 일부가 개구되도록 형성될 수 있다. 챔버(1100)의 개구된 부분에는 게이트벨브(1110)가 설치되어 챔버(1100)의 개구된 부분을 선택적으로 개폐할 수 있다.
제1 지지부(1200)는 디스플레이 기판(DS)을 지지할 수 있다. 이때, 제1 지지부(1200)는 디스플레이 기판(DS)을 다양한 방식으로 지지할 수 있다. 예를 들면, 제1 지지부(1200)는 정전척 또는 점착척을 포함할 수 있다. 다른 실시예로써 제1 지지부(1200)는 디스플레이 기판(DS)의 일부를 지지하는 브라켓, 클램프 등을 포함할 수 있다. 제1 지지부(1200)는 상기에 한정되는 것은 아니며 디스플레이 기판(DS)을 지지할 수 있는 모든 장치를 포함할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 지지부(1200)가 정전척 또는 점착척을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제2 지지부(1300)는 마스크 조립체(1500)가 안착되어 지지될 수 있다. 이때, 제2 지지부(1300)에는 마스크 조립체(1500)를 서로 상이한 적어도 2개 이상의 방향으로 미세 조정할 수 있다.
비젼부(1400)는 디스플레이 기판(DS) 및 마스크 조립체(1500)의 위치를 촬영할 수 있다. 이때, 비젼부(1400)에서 촬영된 이미지를 근거로 디스플레이 기판(DS) 및 마스크 조립체(1500) 중 적어도 하나를 움직여 디스플레이 기판(DS)과 마스크 조립체(1500)를 얼라인할 수 있다. 즉, 마스크 조립체(1500)는 디스플레이 기판(DS)과 얼라인되어 배치될 수 있다.
증착원(1600)은 마스크 조립체(1500)를 사이에 두도록 디스플레이 기판(DS)의 반대측에 배치될 수 있다. 증착원(1600)은 증착물질이 내부에 삽입된 후 증발할 수 있다. 이때, 증착원(1600)은 히터(1610)를 구비할 수 있으며, 히터(1610)에서 가해지는 열에 의해 증착물질이 증발할 수 있다.
증착원(1600)은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 증착원(1600)은 증착물질이 토출되는 입구부가 원형으로 형성되는 점증착원 형태일 수 있다. 또한, 증착원(1600)은 길게 형성되고, 입구부가 복수로 형성되거나 장공 형태 등으로 형성되는 선증착원 형태일 수 있다.
압력조절부(1700)는 챔버(1100)와 연결되어 챔버(1100) 내부의 압력을 대기압 또는 진공과 유사하도록 조절할 수 있다. 이때, 압력조절부(1700)는 챔버(1100)와 연결되는 연결배관(1710)과 연결배관(1710)에 배치되는 압력조절펌프(1720)를 포함할 수 있다.
한편, 상기와 같은 표시 장치의 제조장치(1000)를 통하여 표시 장치(1, 도 1 참조)를 제조하는 방법을 살펴보면, 디스플레이 기판(DS)을 제조하여 준비할 수 있다. 디스플레이 기판(DS)은 표시 장치(1)가 완전히 제조되기 전의 상태로, 기판(100, 도 5 참조) 및 기판(100) 상의 표시층(200)의 일부가 형성된 상태에 있을 수 있다. 예컨대, 디스플레이 기판(DS)은 화소전극(210, 도 5 참조) 및 화소전극(210) 상의 화소정의막(215)까지 형성된 상태에 있을 수 있다.
압력조절부(1700)는 챔버(1100) 내부로 대기압 상태로 유지시킬 수 있으며, 게이트벨브(1110)가 개방된 후 디스플레이 기판(DS) 및 마스크 조립체(1500)가 챔버(1100) 내부로 삽입될 수 있다. 이때, 챔버(1100) 내부 또는 외부에는 별도의 로봇암, 셔틀 등이 구비되어 디스플레이 기판(DS) 및 마스크 조립체(1500)를 이송시킬 수 있다.
상기와 같은 과정이 완료되면, 압력조절부(1700)는 챔버(1100) 내부를 거의 진공과 흡사하도록 유지시킬 수 있다. 또한, 비젼부(1400)는 디스플레이 기판(DS) 및 마스크 조립체(1500)를 촬영하여 제1 지지부(1200) 및 제2 지지부(1300)를 미세구동하여 디스플레이 기판(DS) 및 마스크 조립체(1500) 중 적어도 하나를 미세 조정하여 디스플레이 기판(DS) 및 마스크 조립체(1500)를 얼라인할 수 있다.
히터(160a)가 작동하여 증착원(1600)에서 증착물질을 마스크 조립체(1500)로 공급할 수 있다. 마스크 조립체(1500)를 통과한 증착물질은 디스플레이 기판(DS)에 일정한 패턴으로 증착될 수 있다. 예컨대, 증착물질은 표시층(200)의 제1 내지 제4 공통층(221, 223, 225, 227, 도 5 및 도 8 참조) 및 전하 생성층(224, 도 8 참조) 중 어느 하나를 형성하기 위한 물질일 수 있다.
상기와 같은 과정이 진행되는 동안 증착원(1600) 및 디스플레이 기판(DS) 중 적어도 하나는 선형 운동할 수 있다. 다른 실시예로써 증착원(1600) 및 디스플레이 기판(DS)는 모두 정지한 상태에서 증착이 수행되는 것도 가능하다.
이하 도 14를 참조하여 표시 장치의 제조장치(1000)에 이용되는 마스크 조립체(1500)의 구조에 대해 상세히 설명한다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 14의 마스크 조립체(1500)는 도 1의 표시 장치(1)를 제조하기 위한 것이다.
도 14를 참고하면, 마스크 조립체(1500)는 마스크 프레임(1510), 마스크 시트(1520), 가림박판(1530) 및 지지프레임(1540)을 포함할 수 있다.
마스크 프레임(1510) 상에는 마스크 시트(1520)가 배치될 수 있다. 마스크 시트(1520)는 적어도 2개 이상 구비될 수 있으며, 적어도 2개 이상의 마스크 시트(1520)는 서로 이격되도록 마스크 프레임(1510)에 설치될 수 있다. 마스크 시트(1520)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있고, 2개 이성의 마스크 시트(1520)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 마스크 시트(1520)에는 서로 이격된 복수의 개구부들이 형성될 수 있다.
가림박판(1530)은 마스크 프레임(1510)에 설치될 수 있다. 이때, 가림박판(1530)은 복수개로 구비될 수 있으며, 마스크 프레임(1510) 상에서 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 서로 이격되도록 배치된 가림박판(1530)들 사이는 증착 영역(S)이 정의될 수 있다. 증착 영역(S)은 직사각형 또는 정사각형뿐만 아니라 삼각형, 다각형, 타원, 원 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
가림박판(1530)은 마스크 프레임(1510)에 설치되는 가림박판바디부(1530-1)와, 가림박판바디부(1530-1)로부터 돌출되는 제1 가림부(1530-2)를 포함할 수 있다.
가림박판바디부(1530-1)는 직선 형태의 플레이트로 형성될 수 있다. 이때, 가림박판바디부(1530-1)는 마스크 시트(1520)의 길이 방향(예컨대, 제1 방향(DR1))과 수직한 방향(예컨대, 제2 방향(DR2))으로 배열될 수 있다.
제1 가림부(1530-2)는 가림박판바디부(1530-1)로부터 마스크 시트(1520)의 길이 방향으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림부(1530-2)는 가림박판바디부(1530-1)와 함께 증착 영역(S)의 형상의 테두리를 정의할 수 있다. 제1 가림부(1530-2)는 증착 영역(S)의 테두리 중 가림박판바디부(1530-1)와 일정 각도를 형성하는 부분, 곡률지게 형성된 부분 등을 정의할 수 있다.
상기와 같은 가림박판(1530)과 마스크 시트(1520)는 서로 상이한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 가림박판(1530)은 오스테나이트계 스테인리스강(Austenitic Stainless Steels0)을 포함할 수 있으며, 마스크 시트(1520)는 니켈-철 합금(Invar0)을 포함할 수 있다.
상기와 같은 가림박판(1530)과 마스크 시트(1520)는 마스크 프레임(1510)에 인장된 상태로 고정될 수 있다. 이때, 가림박판(1530)과 마스크 시트(1520)는 마스크 프레임(1510)에 용접을 통하여 고정될 수 있다.
지지프레임(1540)은 서로 인접하는 마스크 시트(1520)들 사이에 배치될 수 있다. 지지프레임(1540)은 양단이 마스크 프레임(1510)에 삽입되도록 설치될 수 있다. 이때, 지지프레임(1540)은 마스크 시트(1520) 사이의 간격을 차폐하고, 마스크 시트(1520)를 지지함으로써 마스크 시트(1520)의 쳐짐을 방지할 수 있다.
증착 물질은 증착 영역(S)에 배치된 마스크 시트(1520)의 복수의 개구부들을 통과하여 디스플레이 기판(DS, 도 13 참조)에 도달할 수 있다. 즉, 마스크 시트(1520)의 복수의 개구부들의 패턴에 따라 디스플레이 기판(DS) 상에 일정한 패턴으로 증착될 수 있다. 이하 도 15a 내지 도 17b을 참조하여, 표시 장치(1)의 제1 내지 제4 공통층(221, 223, 225, 227, 도 5 및 도 8 참조) 및 전하 생성층(224, 도 8 참조) 중 어느 하나를 형성하기 위해 이용되는 마스크 시트(1520)의 복수의 개구부들에 대해 설명하도록 한다.
도 15a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위한 디스플레이 기판의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 15b는 도 15a의 디스플레이 기판과 정렬된 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 시트의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 또한, 도 16a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위한 디스플레이 기판의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 16b는 도 16a의 디스플레이 기판과 정렬된 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 시트의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
우선, 도 15a 및 도 16a를 참조하면, 디스플레이 기판(DS)은 서로 이격된 복수의 화소전극(210)들 및 화소전극(210)들 상에 형성된 화소정의막(215)을 포함할 수 있다. 도 15a는 디스플레이 기판(DS)의 복수의 화소전극(210)들이 RGBG 타입(이른바, 펜타일(pentile®) 구조)으로 배치된 것을 도시하며, 도 16a는 복수의 화소전극(210)들이 스트라이프 타입으로 배치된 것을 도시한다. 물론, 이러한 화소전극(210)들의 배치는 예시적인 것이며, 본 발명은 화소전극(210)들의 다양한 배치에도 적용될 수 있다.
일 실시예로, 복수의 화소전극(210)들 중 적어도 두 개는 서로 상이한 크기를 가질 수 있다. 예컨대, 도 15a에 도시된 바와 같이, 복수의 화소전극(210)들은 서로 상이한 크기를 갖는 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)을 포함할 수 있다. 또는, 도 16a에 도시된 바와 같이, 복수의 화소전극(210)들 중 제1 화소전극(210-1)과 제2 화소전극(210-2)은 서로 동일한 크기를 가지며, 제3 화소전극(210-3)은 상기 제1 화소전극(210-1) 및 제2 화소전극(210-2)과 상이한 크기를 가질 수 있다.
화소전극(210) 상에 배치되는 화소정의막(215)은 복수의 화소전극(210)들 각각을 노출시키는 홀(215H)들을 포함할 수 있다. 화소정의막(215)의 홀(215H)들은 각각 대응되는 화소전극(210)의 크기에 따라 평면 상에서 상이한 크기를 가질 수 있다.
도시되지는 않았으나, 광을 방출하는 발광층(222)들을 이러한 화소정의막(215)의 홀(215H)들 내에 각각 형성하고, 그 위에 대향전극(230)을 복수의 화소전극(210)들에 걸쳐서 일체로 형성함으로써, 유기발광다이오드(OLED)들을 형성할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 내지 제4 공통층(221, 223, 225, 227, 도 5 및 도 8 참조) 및 전하 생성층(224, 도 8 참조) 중 적어도 하나를 각 화소전극(210)들에 대응하도록 형성할 수 있다.
도 15b 및 도 16b를 참조하면, 마스크 시트(1520)에는 복수의 개구부(OP)들이 형성될 수 있다. 예컨대, 마스크 시트(1520)는 복수의 개구부(OP)들을 정의하는 리브부(RB)를 포함할 수 있다. 여기서, 개구부(OP)는 마스크 시트(1520)의 일부 영역이 마스크 시트(1520)의 두께 방향(예컨대, 도 15b의 z방향)을 따라 제거되어 형성된 것으로 이해할 수 있으며, 리브부(RB)는 이러한 개구부(OP)의 평면 상의 형상을 형성하는 마스크 시트(1520)의 몸체로 이해할 수 있다.
복수의 개구부(OP)는 서로 이격되어 배치되며, 평면 상에서 아일랜드 형상 또는 고립된 형상을 가질 수 있다. 복수의 개구부(OP)는 각각 도 15b에 도시된 바와 같이 평면 상에서 대체로 사각형의 형상을 가질 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 각 개구부(OP)는 예컨대 삼각형, 오각형 등의 다각형, 원형, 타원형, 또는 비정형 형상들을 가질 수 있다. 일 실시예로, 각 개구부(OP)의 형상 및 배치는 화소전극(210)의 형상 및 배치에 따라 결정될 수 있다.
마스크 시트(1520)의 복수의 개구부(OP)들 중 적어도 두 개의 개구부(OP)들은 평면 상에서 서로 상이한 크기를 가질 수 있다. 일 실시예로, 도 15b에 도시된 바와 같이, 복수의 개구부(OP)들은 평면 상에서 서로 상이한 크기를 가진 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2), 및 제3 개구부(OP3)를 포함할 수 있다. 또는, 도 16a에 도시된 바와 같이, 복수의 개구부(OP)들 중 제1 개구부(OP1)와 제2 개구부(OP2)는 서로 동일한 크기를 가지며, 제3 개구부(OP3)는 상기 제1 개구부(OP1) 및 제2 개구부(OP2)와 상이한 크기를 가질 수 있다. 제1 내지 제3 개구부(OP1, OP2, OP3)은 각각 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)에 대응할 수 있다.
마스크 시트(1520)가 디스플레이 기판(DS)과 얼라인된 상태에서, 마스크 시트(1520)의 복수의 개구부(OP)들 각각은 평면 상에서 디스플레이 기판(DS)의 복수의 화소전극(210)들과 중첩할 수 있다. 마스크 시트(1520)의 리브부(RB)는 평면 상에서 복수의 화소전극(210)들과 중첩하지 않도록 복수의 화소전극(210)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 디스플레이 기판(DS)의 모든 화소전극(210)들은 마스크 시트(1520)의 리브부(RB)와 중첩하지 않으며, 마스크 시트(1520)의 개구부(OP)와 중첩할 수 있다.
마스크 시트(1520)의 리브부(RB)에 의해 가려진 영역에는 증착물질이 통과할 수 없고, 마스크 시트(1520)의 개구부(OP)에 의해 노출된 영역에만 증착물질이 통과하여 디스플레이 기판(DS) 상에 증착될 수 있다. 따라서, 도 15b 또는 도 16b의 마스크 시트(1520)를 이용하면, 전술한 제1 내지 제4 공통층(221, 223, 225, 227) 및 전하 생성층(224)을 모든 화소전극(210)들에 대응하도록 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 마스크 시트(1520)를 이용하여 제1 공통층(221)을 증착하는 경우, 마스크 시트(1520)의 제1 내지 제3 개구부(OP1, OP2, OP3)를 통과한 증착물질은 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)에 각각 대응하는 제1 공통층(221)의 제1-1 내지 제1-3 패턴부(221a, 221b, 221c, 도 6 참조)를 각각 형성할 수 있다. 이와 같이, 하나의 마스크 시트(1520)를 이용함으로써, 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)과 각각 대응하며 서로 단절된 복수의 패턴부들을 포함하는 공통층(221, 223, 225, 227)을 형성할 수 있다. 물론, 이는 전하 생성층(224)을 형성하는 경우에도 마찬가지로 적용된다.
도 17a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위한 디스플레이 기판의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 17b는 도 17a의 디스플레이 기판과 정렬된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 시트의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 앞서 도 15a, 도 15b, 도 16a 및 도 16b를 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하며, 이하 차이점 위주로 설명하도록 한다.
도 17a 및 도 17b를 참조하면, 복수의 화소전극(210)들은 스트라이프 타입으로 배치되며, 서로 상이한 크기를 가진 제1 내지 제3 화소전극(210-1, 210-2, 210-3)을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 마스크 시트(1520)의 복수의 개구부(OP)들 중 적어도 하나의 개구부(OP)는, 복수의 화소전극(210)들 중 서로 인접하며 동일한 크기를 갖는 두 화소전극(210)들과 중첩할 수 있다. 예컨대, 마스크 시트(1520)의 하나의 제3 개구부(OP3)는, 평면 상에서 서로 인접하며 동일한 크기를 갖는 두 개의 제3 화소전극(210-3, 210-3')들과 중첩할 수 있다.
완성된 표시 장치(1, 도 1 참조)에서 상기 두 개의 제3 화소전극(210-3, 210-3')을 각각 포함하는 두 개의 유기발광다이오드들은 서로 동일한 색의 광을 방출할 수 있다. 따라서, 상기 두 개의 유기발광다이오드들 사이에서 누설 전류에 의한 표시 품질 저하의 문제점을 발생하지 않을 수 있다. 이를 고려하여, 마스크 시트(1520)의 복수의 개구부(OP)들의 패턴을 보다 다양하게 형성될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
1: 표시 장치
210: 화소전극
220: 중간층
221: 제1 공통층
222: 발광층
223: 제2 공통층
224: 전하 생성층
225: 제3 공통층
227: 제4 공통층
230: 대향전극
1000: 표시 장치의 제조장치
1500: 마스크 조립체
1520: 마스크 시트

Claims (21)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극 및 제3 화소전극;
    상기 제1 내지 제3 화소전극 각각에 대응하되, 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 하부 발광층, 제2 하부 발광층 및 제3 하부 발광층;
    상기 제1 내지 제3 하부 발광층 상에 배치되는 대향전극; 및
    상기 제1 내지 제3 화소전극과 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 사이에 개재되는 제1 공통층;을 포함하고,
    상기 제1 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함하고,
    상기 제1 하부 발광층은 상기 제1-1 패턴부와 중첩하는 제1-1 하부 부분 및 상기 제1-1 하부 부분과 일체로 구비되되 상기 제1-1 패턴부와 중첩하지 않는 제1-2 하부 부분을 포함하고,
    상기 제2 하부 발광층은 상기 제1-2 패턴부와 중첩하는 제2-1 하부 부분 및 상기 제2-1 하부 부분과 일체로 구비되되 상기 제1-2 패턴부와 중첩하지 않는 제2-2 하부 부분을 포함하고,
    상기 제3 하부 발광층은 상기 제1-3 패턴부와 중첩하는 제3-1 하부 부분 및 상기 제3-1 하부 부분과 일체로 구비되되 상기 제1-3 패턴부와 중첩하지 않는 제3-2 하부 부분을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 대향전극 사이에 개재되는 제2 공통층;을 더 포함하고,
    상기 제2 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극에 각각 대응하며 서로 단절된 제2-1 패턴부, 제2-2 패턴부, 및 제2-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제1 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제1 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 상부 발광층;
    상기 제2 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제2 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제2 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제2 상부 발광층; 및
    상기 제3 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제3 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제3 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제3 상부 발광층;을 더 포함하며,
    상기 제1 내지 제3 상부 발광층은 상기 제2 공통층을 사이에 두도록 상기 대향전극의 하부에 배치되는, 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 상부 발광층 각각의 두께는 서로 상이하며,
    상기 제1 내지 제3 하부 발광층 각각의 두께는 서로 상이한, 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 사이에 개재되는 전하 생성층;을 더 포함하는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전하 생성층은 n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함하며,
    상기 n형 전하 생성층 및 상기 p형 전하 생성층 중 적어도 하나는, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층에 각각 대응하며 서로 단절된 제1 부분, 제2 부분 및 제3 부분을 포함하는, 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 전하 생성층 사이에 개재되는 제3 공통층;을 더 포함하며,
    상기 제3 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제3-1 패턴부, 제3-2 패턴부, 및 제3-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 전하 생성층과 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 사이에 개재되는 제4 공통층;을 더 포함하며,
    상기 제4 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제4-1 패턴부, 제4-2 패턴부, 및 제4-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치.
  9. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극 및 제3 화소전극;
    상기 제1 내지 제3 화소전극 각각에 대응하되, 서로 상이한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 하부 발광층, 제2 하부 발광층 및 제3 하부 발광층;
    상기 제1 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제1 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제1 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제1 상부 발광층;
    상기 제2 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제2 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제2 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제2 상부 발광층;
    상기 제3 하부 발광층과 중첩하도록 상기 제3 하부 발광층 상에 배치되며, 상기 제3 하부 발광층과 동일한 파장 대역의 광을 방출하는 제3 상부 발광층;
    상기 제1 하부 발광층과 상기 제1 상부 발광층 사이, 상기 제2 하부 발광층과 상기 제2 상부 발광층 사이, 그리고 상기 제3 하부 발광층과 상기 제3 상부 발광층 사이에 걸쳐 배치되는 전하 생성층; 및
    상기 제1 내지 제3 상부 발광층 상에 배치되는 대향전극;을 포함하고,
    상기 전하 생성층은, 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 각각에 대응하며 서로 단절된 제1 부분, 제2 부분 및 제3 부분을 포함하고,
    상기 제1 하부 발광층은 상기 제1 부분과 중첩하는 제1-1 하부 부분 및 상기 제1-1 하부 부분과 일체로 구비되되 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 제1-2 하부 부분을 포함하고,
    상기 제2 하부 발광층은 상기 제2 부분과 중첩하는 제2-1 하부 부분 및 상기 제2-1 하부 부분과 일체로 구비되되 상기 제2 부분과 중첩하지 않는 제2-2 하부 부분을 포함하고,
    상기 제3 하부 발광층은 상기 제3 부분과 중첩하는 제3-1 하부 부분 및 상기 제3-1 하부 부분과 일체로 구비되되 상기 제3 부분과 중첩하지 않는 제3-2 하부 부분을 포함하고,
    상기 제1 상부 발광층은 상기 제1 부분과 중첩하는 제1-1 상부 부분 및 상기 제1-1 상부 부분과 일체로 구비되되 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 제1-2 상부 부분을 포함하고,
    상기 제2 상부 발광층은 상기 제2 부분과 중첩하는 제2-1 상부 부분 및 상기 제2-1 상부 부분과 일체로 구비되되 상기 제2 부분과 중첩하지 않는 제2-2 상부 부분을 포함하고,
    상기 제3 상부 발광층은 상기 제3 부분과 중첩하는 제3-1 상부 부분 및 상기 제3-1 상부 부분과 일체로 구비되되 상기 제3 부분과 중첩하지 않는 제3-2 상부 부분을 포함하는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 화소전극과 상기 제1 내지 제3 하부 발광층 사이에 개재되는 제1 공통층;을 더 포함하고,
    상기 제1 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 상부 발광층과 상기 대향전극 사이에 개재되는 제2 공통층;을 더 포함하고,
    상기 제2 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극에 각각 대응하며 서로 단절된 제2-1 패턴부, 제2-2 패턴부, 및 제2-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 하부 발광층과 상기 전하 생성층 사이에 개재되는 제3 공통층;을 더 포함하며,
    상기 제3 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제3-1 패턴부, 제3-2 패턴부, 및 제3-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 전하 생성층과 상기 제1 내지 제3 상부 발광층 사이에 개재되는 제4 공통층;을 더 포함하며,
    상기 제4 공통층은, 상기 제1 내지 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제4-1 패턴부, 제4-2 패턴부, 및 제4-3 패턴부를 포함하는, 표시 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 상부 발광층 각각의 두께는 서로 상이하며,
    상기 제1 내지 제3 하부 발광층 각각의 두께는 서로 상이한, 표시 장치.
  15. 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극, 및 제3 화소전극이 배치된 기판 상에 상기 제1 화소전극, 상기 제2 화소전극, 및 상기 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함하는 제1 공통층을 형성하는 마스크 조립체에 있어서,
    마스크 프레임; 및
    상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 복수의 개구부들을 정의하는 리브부를 포함하는 마스크 시트;를 포함하고,
    상기 마스크 시트의 상기 복수의 개구부들 중 적어도 두 개의 개구부들은 평면 상에서 서로 상이한 크기를 갖는, 마스크 조립체.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 마스크 시트의 상기 리브부는, 평면 상에서 서로 상이한 크기를 가진 제1 개구부, 제2 개구부 및 제3 개구부를 정의하는, 마스크 조립체.
  17. 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극 및 제3 화소전극이 배치된 기판 상에 상기 제1 화소전극, 상기 제2 화소전극, 및 상기 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함하는 제1 공통층을 형성하는 표시 장치의 제조장치에 있어서,
    상기 기판과 얼라인되어 배치된 마스크 조립체; 및
    상기 마스크 조립체를 사이에 두도록 상기 기판의 반대측에 배치된 증착원;을 포함하며,
    상기 마스크 조립체는,
    마스크 프레임; 및
    상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 복수의 개구부들을 정의하는 리브부를 포함하는 마스크 시트;를 포함하고,
    상기 마스크 시트의 상기 복수의 개구부들 중 적어도 두 개의 개구부들은 평면 상에서 서로 상이한 크기를 갖는, 표시 장치의 제조장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 마스크 시트의 상기 리브부는, 평면 상에서 서로 상이한 크기를 가진 제1 개구부, 제2 개구부 및 제3 개구부를 정의하는, 표시 장치의 제조장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 마스크 시트의 상기 리브부는 평면 상에서 상기 제1 화소전극, 상기 제2 화소전극, 및 상기 제3 화소전극과 중첩하지 않도록 상기 제1 화소전극, 상기 제2 화소전극, 및 상기 제3 화소전극 사이에 위치하는, 표시 장치의 제조장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제3 화소전극은 복수개로 구비되며,
    상기 마스크 시트의 상기 복수의 개구부들 중 적어도 하나의 개구부는, 서로 인접하며 동일한 크기를 갖는 두 개의 제3 화소전극들과 중첩하는, 표시 장치의 제조장치.
  21. 서로 인접하는 제1 화소전극, 제2 화소전극, 및 제3 화소전극이 배치된 기판 상에, 마스크 시트를 이용하여 상기 제1 화소전극, 상기 제2 화소전극, 및 상기 제3 화소전극과 각각 대응하며 서로 단절된 제1-1 패턴부, 제1-2 패턴부, 및 제1-3 패턴부를 포함하는 제1 공통층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 마스크 시트는 평면 상에서 서로 상이한 크기를 가진 제1 개구부, 제2 개구부, 및 제3 개구부를 정의하는 리브부를 포함하고,
    상기 제1 공통층을 형성하는 단계는 상기 마스크 시트의 제1 개구부, 제2 개구부 및 제3 개구부를 통과한 증착물질이 상기 제1-1 패턴부, 상기 제1-2 패턴부, 및 상기 제1-3 패턴부를 각각 형성하는 단계인, 표시 장치의 제조방법.
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